充电构件、处理盒和电子照相设备的制作方法

文档序号:2731324阅读:126来源:国知局
专利名称:充电构件、处理盒和电子照相设备的制作方法
技术领域
本发明涉及用于电子照相设备的充电构件、处理盒和电子照相设备。
背景技术
在电子照相设备中,与电子照相感光构件的表面接触和具有用于给电子照相感光构件的表面充电的辊形状的充电构件(下文中也称为"充电辊")通常具有包含树脂的弹性层。此类充电辊能够充分地确保充电辊和电子照相感光构件之间的辊隙宽度,结果,能够有效并均匀地给电子照相感光构件充电。然而,弹性层包含增塑剂或树脂的低分子量组分,从而使其软化。因此,低分子量组分会在长期使用之后渗出至充电辊的表面。关于此类问题,专利文献I公开了用通过溶胶-凝胶法形成的由无机氧化物膜构成的渗出阻挡层(bleeding block layer)覆盖充电棍表面并抑制低分子量组分渗出直至表面的导电棍基材。引用列表专利文献PTL I :日本专利申请特开2001-17364
发明内容
_6] 发明要解决的问题根据由本发明人进行的研究,发现了专利文献I中公开的导电辊(其渗出阻碍层为表面层),在重复使用之后逐渐磨耗,并且导致充电性能随时间而改变。接着,本发明的目的在于提供其充电性能即使在长期使用之后也较少地随时间变化的充电构件。本发明的另一目的在于提供能够稳定地形成高品质电子照相图像的处理盒和电子照相设备。
_9] 用于解决问题的方案根据本发明的充电构件依次具有支承体、导电性弹性层和表面层,其中所述表面层包括聚硅氧烷和倍半硅氧烷,其中所述聚硅氧烷具有由SiOa5R1(C)R2) (0R3)表示的第一单元、由SiO^R4(ORs)表示的第二单元和由SiC^5R6表示的第三单元,和所述倍半硅氧烷为选自由以下化合物(1)-(6)表示的化合物组成的组的至少一种化合物
[式I]
权利要求
1.一种充电构件,其依次包括支承体、导电性弹性层和表面层,其中所述表面层包括聚硅氧烷和倍半硅氧烷,其中 所述聚硅氧烷具有由SiOa5R1(C)R2) (0R3)表示的第一单元、由SiOuR4(ORs)表示的第二单元和由SiOuR6表示的第三单元,和 所述倍半硅氧烷为选自由以下化合物(1)-(6)表示的化合物组成的组的至少一种化合物
2.根据权利要求I所述的充电构件,其中所述化合物(1)-(6)中的Rltll至R616各自独立地为选自由具有1-20个碳原子的未取代烷基和由式(7)表示的基团组成的组的任一种,并且当选自Rltll至R616的任一种取代基是所述式(7)时,所述式(7)中X和Y各自为具有1-3个碳原子的烷基,Z为具有1-3个碳原子的烷基或环烯基改性的烷基,和m为I。
3.根据权利要求2所述的充电构件,其中所述倍半硅氧烷是由化合物(2)表示的倍半硅氧烧,R2tll至R2tl8各自为具有1-20个碳原子的支化烷基和由式(7)表示的基团组成的组的任一种基团,并且所有R2Ci1至Rm8为相同基团。
4.一种电子照相设备,其包括根据权利要求1-3任一项所述的充电构件和以与所述充电构件接触而配置的电子照相感光构件。
5.—种处理盒,其一体化保持根据权利要求1-3任一项所述的充电构件和选自由电子照相感光构件I、显影单元5、转印单元6和清洁单元7组成的组的至少一种构件,并且采用所述处理盒从而可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。
全文摘要
公开一种充电构件,其即使在重复使用后也能够维持优良的耐磨耗性。具体公开一种具有表面层的充电构件,其中所述表面层由至少一种倍半硅氧烷和聚硅氧烷构成,所述倍半硅氧烷选自具有由化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)、化合物(4)、化合物(5)或化合物(6)表示的结构的倍半硅氧烷中,和所述聚硅氧烷具有由SiO0.5R1(OR2)(OR3)表示的第一单元、由SiO1.0R4(OR5)表示的第二单元和由SiO1.5R6表示的第三单元。在所述表面层中,倍半硅氧烷包含在聚硅氧烷中。
文档编号G03G15/02GK102656523SQ20108005662
公开日2012年9月5日 申请日期2010年12月8日 优先权日2009年12月14日
发明者来摩洋子, 长岭典子, 黑田纪明 申请人:佳能株式会社
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