光头以及电子设备的制作方法

专利名称：光头以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有多个发光部的光头(optical head)以及电子设备。
背景技术：
打印机等图像形成装置具备对图像载体(例如感光鼓)进行曝光来写入潜像的光头。这种光头具有沿着主扫描方向排列有多个发光元件的发光元件阵列。另外，发光元件阵列通过将排列有规定数量的发光元件的多个发光元件芯片排列在主扫描方向上而构成。但是，在将多个发光元件芯片在主扫描方向上排列成一列的情况下，为了在和相邻的发光元件芯片和边界部分也保持固定的发光间距，需要将各发光元件芯片中从最前端的发光元件到芯片端部的距离设成发光间距的一半以下。但是，若将从最前端的发光元件到芯片端部的距离设为发光间距的一半以下，则在为了增大分辨率而减少间距的情况下， 会产生对发光元件芯片进行切出时最前端的发光元件残缺等这样的问题。为此，具有将多个发光元件芯片沿着主扫描方向排列成交错状的技术(例如参照专利文献1、2)。[专利文献1]日本特开2002-248803号公报[专利文献2]日本特开2008-155458号公报

发明内容
但是，在将多个发光元件芯片沿着主扫描方向排列成交错状的情况下，光头的副扫描方向的宽度变大。本发明是鉴于上述课题而完成的，其要解决的课题在于，提供一种即使将从最前端的发光部到基板端部的距离设为发光间距的一半以下，也能够将发光基板在主扫描方向上排成一列的光头、以及使用该光头的电子设备。为了解决上述课题，本发明的第1方面涉及的光头，其特征在于，具备发光基板， 该发光基板具有在主扫描方向上排列的多个第1发光部、和相对于上述多个第1发光部的排列在与上述主扫描方向交叉的方向上配置的第2发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有第1透镜和第2透镜，该第1透镜设置在与上述多个第1发光部的各自对置的位置上，将来自对置的上述第1发光部的射出光成像在被照射面上，该第2透镜将来自上述第2发光部的射出光成像在上述被照射面上，来自上述多个第1发光部的各自的射出光，成像在连结该第1发光部和与该第1发光部对置的上述第1透镜的直线与上述被照射面交叉的位置上成像，上述第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜，当将来自上述多个第1发光部中位于一端的上述第1发光部的射出光的成像位置设为第1成像位置，将来自其他的任一个上述第1发光部的射出光的成像位置设为第2 成像位置时，来自上述第2发光部的射出光隔着上述第1成像位置而成像在与上述第2成像位置一侧相反的一侧。根据该构成，能够在比来自发光基板上排列的多个第1发光部中位于其两端的2 个第1发光部的射出光的成像位置更靠外侧的位置上将来自第2发光部的射出光成像。也就是说，在被照射面上，在比与发光基板上排列的多个第1发光部的两端相当的位置更靠外侧的位置上，来自第2发光部的射出光被成像。因此，即使不像以往那样将从最端部的发光部到基板端部之间的距离(后面记载为额缘部的距离)设定成发光间距的一半以下，也能够将多个发光基板在主扫描方向上排成一列，因此能够减小光头的副扫描方向的宽度， 从而能够使光头小型化。另外，根据本发明，可以取得大于以往的能够将发光基板排成一列的额缘部的距离，因此不用使切出发光基板时所要求的精度大于以往的程度。因此，发光基板的切出变得
各易O另外，在上述的第1方面涉及的光头中，也可以构成为，上述第2发光部具备发光的发光层、和对上述发光层发出的光进行反射的光反射层，上述光反射层以光的反射方向具有上述倾斜的方式形成。在这种情况下，能够通过光反射层中的光的反射方向来设定第2发光部的光的射出方向，因此发光基板的制造变得容易。另外，在上述的第1方面涉及的光头中，也可以构成为，以光的反射方向具有上述倾斜的方式设定上述光反射层相对于上述发光层的配置角度。另外，在上述的第1方面涉及的光头中，也可以构成为，以光的反射方向具有上述倾斜的方式设定上述光反射层的形状。在这种情况下，能够通过光反射层相对于发光层的配置角度和光反射层的形状来设定第2发光部的光的射出方向，因此发光基板的制造变得容易。另外，在上述的第1方面涉及的光头中，也可以构成为，上述多个第1发光部在上述主扫描方向上以规定间距排列，来自上述第2发光部的射出光成像在从上述第1成像位置向与上述第2成像位置一侧相反的一侧的方向离开上述规定间距的位置上。在这种情况下，当然能够将来自各第1发光部的射出光的成像位置保持等间隔 (规定间距)，还能够将来自多个第1发光部中位于一端的第1发光部的射出光的成像位置与来自第2发光部的射出光的成像位置之间的间隔保持规定间距。另外，在上述的第1方面涉及的光头中，还可以构成为，上述发光基板具有2个上述第2发光部，上述透镜阵列具有2个将来自对应的上述第2发光部的射出光成像在上述被照射面上的上述第2透镜，上述2个第2发光部的各自的光的射出方向相对于从该第2 发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜，来自一个上述第2发光部的射出光隔着上述第 1成像位置而成像在与上述第2成像位置一侧相反的一侧，当将来自上述多个第1发光部中位于另一端的上述第1发光部的射出光的成像位置设为第3成像位置，将来自其他的任一个上述第1发光部的射出光的成像位置设为第4成像位置时，来自另一个上述第2发光部的射出光隔着上述第3成像位置而成像在与上述第4成像位置一侧相反的一侧。根据该构成，能够以从两侧隔着来自发光基板上排列的多个第1发光部中位于两端的2个第1发光部的射出光的成像位置的方式，在其外侧将来自2个第2发光部的射出光成像。在这种情况下，与第2发光部和第2透镜各具备1个的构成相比，可以增大能够将发光基板排成一列的额缘部的距离。另外，本发明的第2方面涉及的光头，其特征在于，具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排列的多个第1发光部、和相对于上述多个第1发光部的排列在与上述主扫描方向交叉的方向上配置的第2发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有第1透镜和第 2透镜，其中，该第1透镜设置在与上述多个第1发光部的各自对置的位置上，将来自对置的上述第1发光部的射出光成像在被照射面上，该第2透镜将来自上述第2发光部的射出光成像在上述被照射面上，上述多个第1发光部的各自的光的射出方向与从该第1发光部的发光面垂直延伸的直线一致，上述第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜。根据该构成，通过使第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线倾斜，能够在比来自发光基板上排列的多个第1发光部中位于其两端的2 个第1发光部的射出光的成像位置更靠外侧的位置上将来自第2发光部的射出光成像，因此实现了与上述的第1方面涉及的光头同样的效果。另外，本发明的第3方面涉及的光头，其特征在于，具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排成一列的多个发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有在上述主扫描方向上排成一列且将来自对应的上述发光部的射出光成像在被照射面上的多个透镜，当将上述多个发光部中的任一个发光部设为第1发光部，将与该第1发光部相邻排列的发光部设为第2发光部时，上述第1发光部的光的射出方向和上述第2发光部的光的射出方向不同，以使来自上述第1发光部的射出光的成像位置与来自上述第2发光部的射出光的成像位置之间的距离大于上述第1发光部和上述第2发光部之间的排列间隔。根据该构成，与发光部的排列间隔相比，从各发光部射出的光的成像位置的间隔变大。因此，在被照射面上，在比与发光基板上排列的多个发光部的两端相当的位置更靠外侧的位置上，至少来自多个发光部中位于一端的1个发光部的射出光被成像。因此，实现了与上述第1方面涉及的光头同样的效果。另外，在上述的第3方面涉及的光头中，也可以构成为，上述多个发光部分别具备发光的发光层、和对上述发光层发出的光进行反射的光反射层，上述第1发光部的上述光反射层的光的反射方向和上述第2发光部的上述光反射层的光的反射方向不同，以使来自上述第1发光部的射出光的成像位置与来自上述第2发光部的射出光的成像位置之间的距离大于上述第1发光部和上述第2发光部之间的排列间隔。在这种情况下，在各发光部中，仅改变光反射层的光的发射方向即可，因此发光基板的制造变得容易。另外，在上述第3方面涉及的光头中，也可以构成为，上述第1发光部的上述光反射层和上述第2发光部的上述光反射层相对于上述发光层的配置角度不同。另外，在上述第3方面涉及的光头中，也可以构成为，上述第1发光部的上述光反射层和上述第2发光部的上述光反射层的形状不同。在这种情况下，在各发光部中，仅改变光反射层相对于发光层的配置角度和光反射层的形状即可，因此发光基板的制造变得容易。另外，本发明的第4方面涉及的光头，其特征在于，具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排成一列的多个发光部，以及透镜阵列，该透镜阵列具有在上述主扫描方向上排成一列且将来自对应的上述发光部的射出光成像在被照射面上的多个透镜，上述多个发光部的各自的光的射出方向，随着该发光部的排列位置从中间到端部，相对于从该发光部的发光面垂直延伸的直线从上述中间向上述端部方向的倾斜度变大。
根据该构成，在被照射面上，在比与发光基板上排列的多个发光部的两端相当的位置更靠外侧的位置上，至少来自多个发光部中位于两端的2个发光部的射出光被成像。 因此，实现了与上述第1方面涉及的光头同样的效果。另外，与上述第1方面涉及的光头中第2发光部和第2透镜各具有1个的构成相比，可以增大能够将发光基板排成一列的额缘部的距离。另外，在上述第3方面或者第4方面涉及的光头中，也可以构成为，上述多个发光部在上述主扫描方向上以第1间距排列，来自上述多个发光部的各自的射出光以大于上述第1间距的第2间距在上述主扫描方向上以一列成像。在这种情况下，能够将来自各发光部的射出光的成像位置保持等间隔(第2间距)。另外，在上述的任一方面涉及的光头中，也可以构成为，具备多个上述发光基板和多个上述透镜阵列，上述多个发光基板和多个透镜阵列在上述主扫描方向上排列。另外，以上的各方面涉及的光头用于各种电子设备。本发明涉及的电子设备的典型例子是图像形成装置。图像形成装置具备上述任一方面涉及的光头、通过基于光头的曝光而形成有潜像的图像载体(例如感光鼓)、和通过对图像载体的潜像添加显影剂(例如调色剂)来形成显像的显影器。但是，本发明涉及的光头的用途不限于图像载体的曝光。例如在扫描仪等图像读取装置中，能够将本发明涉及的光头用于原稿的照明。该图像读取装置具有上述任一方面涉及的光头、将从光头射出并由读取对象(原稿)反射的光变换成电气信号的受光装置 (例如CCD (Charge Coupled Device 电荷耦合装置)元件等受光元件)。


图1是表示图像形成装置的一部分的构造的立体图。图2是表示第1实施方式涉及的光头1的构造的立体图。图3是表示发光元件El和微镜MLl的配置关系的剖视图。图4是表示发光元件E8和微镜ML8的配置关系的剖视图。图5是表示第2实施方式涉及的光头2的构造的立体图。图6是表示发光元件E8和微镜ML8的配置关系的剖视图。图7是表示第3实施方式涉及的光头3的构造的立体图。图8是表示发光元件E4和微镜ML24的配置关系的剖视图。图9是表示发光元件E6和微镜ML26的配置关系的剖视图。图10是表示第4实施方式涉及的光头4的构造的立体图。图11是表示发光元件El的构造的剖视图。图12是表示发光元件E37的构造的剖视图。图13是表示发光元件E37的构造的剖视图(变形例)。图14是表示发光元件E37的构造的剖视图(变形例)。图15是表示第5实施方式涉及的光头5的构造的立体图。图16是表示发光元件E33的构造的剖视图。图17是表示发光元件E31的构造的剖视图。
图18是表示变形例 5涉及的光头6的构造的立体图。图19是表示第4实施方式涉及的光头4的变形例的立体图。图20是表示第3实施方式涉及的光头3的变形例的主视图。图21是表示第5实施方式涉及的光头5的变形例的主视图。图22是表示第4实施方式涉及的光头4的变形例的主视图。图23是表示第5实施方式涉及的光头5的变形例的主视图。图24是表示电子设备的具体例(图像形成装置)的剖视图。符号说明1 6. · ·光头；10...发光面板；12、16 19...发光元件芯片；El E10、E31 Ε39、Ε3Γ E38’. . ·发光元件；20. · ·透镜阵列；22,24,26 29···透镜阵列单元；MLl ML10、ML17、ML18、ML21 ML26、ML31 ML39、ML31， ML38，· · ·微镜；51. · ·基材；52. · ·布线层；53、53a、53b、53d、53e. · ·基底层；54,54a 54d. · ·光反射层；55,55a 55e. · ·透光层；56,56a...第 1 电极；57. · ·绝缘层；58,58a. · ·发光层；59,59a...第 2 电极；60. · ·密封层；70...感光鼓。
具体实施例方式下面参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。另外，附图中的各部的尺寸的比率和实际尺寸略有不同。<A:第1实施方式〉图1是表示图像形成装置的一部分的构造的立体图。如该图所示那样，图像形成装置具有感光鼓70、和对感光鼓70的外周面进行曝光来写入潜像的光头1。另外，光头1具有排列有多个发光元件的发光面板10、和在该发光面板10和感光鼓70之间配置的透镜阵列20。感光鼓70被在X方向(主扫描方向)上延伸的旋转轴支持，以外周面与光头1对置的状态进行旋转。另外，来自发光面板10 (各发光元件)的光通过透镜阵列20被成像在感光鼓70的表面。图2是表示第1实施方式涉及的光头1的构造的立体图。另外，在图1和图2中，光头1和感光鼓70的位置关系上下(Z方向)反转。在图 1所示的发光面板10中的感光鼓70侧的表面，2枚发光元件芯片12沿着X方向配置成一列。另外，在图2中，为了方便而例示了 2枚发光元件芯片12，但是也可以将3枚以上的发光元件芯片12配置成一列。在各发光元件芯片12上，作为面发光的光源，形成有具有圆形发光面的8个发光元件El E8。其中6个发光元件El E6沿着X方向以间距Dl配列成一列。另外，余下的2个发光元件E7和E8被设置于在Y方向(副扫描方向)上离开发光元件El、E6规定距离的位置上。也就是说，在各发光元件芯片12上，在X方向延伸的直线LXl上以间距Dl 排列有6个发光元件El E6，而在与直线LXl隔开规定间隔而平行的直线LX2上排列有2 个发光元件E7、E8。根据图2可知，发光元件E7、E8优选配置在与发光元件El E6的排列的端部的发光元件E1、E6分别相邻的位置。并且，在本实施方式中，在X方向上，发光元件E7和E8之间不需要设置发光元件。另外，在一个发光元件芯片12上，在直线LXl上排列的发光元件的数量不被限定为6个，只要是2个以上即可。另外，在下面的说明中，当不需要特别区别各发光元件时，记载为发光元件Ε。 各发光元件E例如是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)元件，通过供给电流而发光。另外，各发光元件E具有由有机EUElectro Luminescent 场致发光) 材料形成的发光层、和夹持发光层的一方的电极以及另一方的电极，这里省略了图示。另夕卜，各发光元件E被密封层(省略图示)覆盖，来自各发光元件E的光透过密封层射出。因此，密封层和密封层侧的电极由透光性较高的材料形成。另外，在各发光元件芯片12的两端(短边侧)为了确保对发光元件芯片12进行切出时的公差余量而存在具有宽度D3的额缘部。在该额缘部上无法配置发光元件E。接着，图1所示的透镜阵列20由2个透镜阵列单元22构成。各透镜阵列单元22 与发光元件芯片12对置配置，且具有平板状的基体，该基体如图2中虚线所示那样由具有透光性的材料(例如玻璃)形成。另外，基体中感光鼓70侧的表面和发光元件芯片12侧的表面上分别形成有8个圆形状的透镜部，由隔着基体而对置的2个透镜部和两者间存在的基体构成1个微镜(双凸透镜)。另外，如果是3枚发光元件芯片12配置为一列的情况， 则由3个透镜阵列单元22构成透镜阵列20。在各透镜阵列单元22中，在与发光元件El对置的位置上设置有微镜ML1，在与发光元件E2对置的位置上设置有微镜ML2，...，在与发光元件E6对置的位置上设置有微镜 ML6。另外，在与发光元件E7对置的位置上设置有微镜ML7，在与发光装置E8对置的位置上设置有微镜ML8。这样，在各透镜阵列单元22所具备的8个微镜MLl ML8中，6个微镜 MLl ML6沿着X方向以间距Dl配列成一列，而余下的2个微镜ML7和ML8被设置于在Y 方向从微镜ML1、ML6离开规定距离的位置上。另外，在下面的说明中，当不需要特别区别各微镜时，记载为微镜ML。另外，在发光元件芯片12和透镜阵列单元22之间，配置有用于将发光元件芯片12 和透镜阵列单元22之间的距离保持为一定的间隔。在该间隔上形成有用于使从各发光元件E射出的光射入对置的微镜ML的8个贯通孔。另外，间隔件由具有遮光性的材料形成， 用于抑制来自发光元件E的光射入不与该发光元件E对置的微镜ML的情况。各微镜ML将来自对置的发光元件E的射出光成像在感光鼓70的表面。另外，微镜MLl ML6是光学中心与几何学中心一致的透镜，各自的中心轴朝向Z方向而配置。另夕卜，微镜ML7和ML8是光学中心和几何学中心不同的透镜(所谓的偏心透镜)。另外，1个透镜阵列单元22所具备的微镜ML的数量不限于8个。例如，在1枚发光元件芯片12中设有128个发光元件E的情况下，在1个透镜阵列单元22中设有128个微镜ML。图3是表示发光元件El和微镜MLl的配置关系的剖视图。微镜MLl是光学中心和几何学中心一致的透镜。另外，如该图所示那样，发光元件 El和微镜MLl以使得发光元件El的发光中心和微镜MLl的光轴一致的方式对置配置。另夕卜，微镜MLl的光轴是连接构成微镜MLl的2个透镜部的中心的直线。另外，作为一个例子，微镜MLl是具有圆柱形状的梯度折射率透镜，在其横截面内，可以设为在中心轴处的折射率较低，而越远离中心轴则折射率越高。微镜MLl将从发光元件El射出然后射入图中下侧的透镜部的光从图中上侧的透镜部射出。另外，来自发光元件El的射出光被成像在感光鼓70的表面中的与微镜MLl的光轴交叉的位置。更详细来讲，以感光鼓70的表面中的与微镜MLl的光轴交叉的位置为中心，形成来自发光元件El的射出光被成像的光点区域。
另外，对于发光元件E2和微镜ML2、发光元件E3和微镜ML3.....发光元件E6和
微镜ML6来说，具有与发光元件El和微镜MLl同样的配置关系。因而，在感光鼓70的表面上，从发光元件El E6分别射出的光沿着X方向以间距Dl —列成像。图4是表示发光元件E8和微镜ML8的配置关系的剖视图。 微镜ML8是偏心透镜，能够在X方向侧折射从发光元件E8射出的光的前进方向。 因此，如图2所示那样，微镜ML8能够使来自发光元件E8的射出光成像在比来自发光元件 E6的射出光的成像位置更向X方向一侧的位置。另外，微镜ML8将透镜的偏心度设定成能够使来自发光元件E8的射出光成像在比来自发光元件E6的射出光的成像位置更向X方向一侧离开间距Dl的位置。这样，微镜ML8的作用是使来自发光元件E8的射出光至少向X 方向折射。因此，微镜ML8如果具有使来自发光元件E8的射出光向与本来的射出方向不同的方向前进的功能，就能够实现本申请发明的目的。另外，将发光元件E8和微镜ML8的配置关系的X方向反转，就成为发光元件E7和微镜ML7的配置关系。因此，如图2所示那样，微镜ML7能够使来自发光元件E7的射出光成像在比来自发光元件El的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧的位置。另外，微镜ML7将透镜的偏心度设定成能够使来自发光元件E7的射出光成像在比来自发光元件El 的射出光的成像位置更向X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。另外，本实施方式涉及的微镜ML8 (ML7)使来自对置的发光元件E8 (E7)的射出光向X方向(与X方向相反的方向)折射。另外，在图2中，图中左侧的发光元件芯片12以及透镜阵列单元22、和图中右侧的发光元件芯片12以及透镜阵列单元22被配置成，使得从图中左侧的发光元件芯片12的发光元件E8射出的光的成像位置、和从图中右侧的发光元件芯片12的发光元件E7射出的光的成像位置之间的间隔成为间距D1。光头1具备对向各发光元件E供给的电流的大小、各发光元件E的发光时期进行控制的驱动电路(省略图示)。该驱动电路根据打印到用纸等记录材料中的图像来控制向各发光元件E供给的电流的大小。另外，驱动电路对各发光元件E的发光时期进行控制，以使得通过来自发光面板10所具备的所有的发光元件E的射出光在感光鼓70的表面上形成相当于图像的1条线的潜像。这里，在将图2所示的直线LXl和直线LX2的间隔设为Δ D时，若驱动电路使直线 LXl中的所有的发光元件El Ε6发光，则经过感光鼓70的表面向Y方向前进距离AD所需要的时间后，驱动电路使直线LX2中的所有的发光元件Ε7、Ε8发光。由此，在感光鼓70 的外周面上，来自发光元件Ε7的射出光在从来自发光元件El的射出光的成像位置沿与X 方向相反的一侧的方向离开间距Dl的位置上成像。另外，来自发光元件Ε8的射出光在从来自发光元件Ε6的射出光的成像位置沿X方向离开间距Dl的位置上成像。因此，在感光鼓70的外周面上，来自发光面板10所具备的所有发光元件E的射出光沿着X方向以间距 Dl 一列成像，从而形成潜像的1条线。另外，通过与感光鼓70的旋转并行地反复进行同样的动作，在感光鼓70的外周面上形成了由多条线构成的潜像。根据如上所述的本实施方式，在比来自发光元件芯片12上排列的发光元件El Ε6中的位于其两端的发光元件Ε1、Ε6的射出光的成像位置更靠外侧的位置，能够保持间距 Dl将来自发光元件Ε7、Ε8的射出光成像。也就是说，能够在感光鼓70的表面中的与发光元件芯片12的额缘部相当的部分上将来自发光元件Ε7、Ε8的射出光成像。因此，即使不用如以往那样将额缘部的宽度D3设为间距Dl的一半以下，也能够将多个发光元件芯片12在X 方向上排成一列。例如在图2的情况下，可以将能够使发光元件芯片12排成一列的额缘部的宽度D3最大设为间距Dl X 1.5。也就是说，如果额缘部的宽度D3在间距Dl X 1.5以下， 则能够将发光元件芯片12在X方向上排成一列。根据这样的本实施方式，即使额缘部的宽度D3大于间距Dl的一半，如果在间距 Dl X 1.5以下，则能够将发光元件芯片12在X方向上排成一列，因此，能够减小光头1的Y 方向的宽度，从而使光头1小型化。另外，根据本实施方式，由于可以取得大于以往的、能够使发光元件芯片12排成一列的额缘部的宽度D3，所以在切出发光元件芯片12时所要求的精度不用高于以往的程度。因此发光元件芯片12的切出变得容易。〈B 第2实施方式>接着对第2实施方式进行说明。另外，对本实施方式中与第1实施方式共同的构成要素标注相同的符号，并适当地省略对其说明。图5是表示第2实施方式涉及 的光头2的构造的立体图。本实施方式涉及的光头2与第1实施方式的光头1的不同之处仅在于各透镜阵列单元24所具备的微镜ML17和ML18。在第1实施方式中，使用偏心透镜作为与发光元件E7 和E8对置的微镜ML7和ML8，但是在本实施方式中，使用光学中心和几何学中心一致的透镜作为与发光元件E7和E8对置的微镜ML17和ML18。图6是表示发光元件E8和微镜ML18的配置关系的剖视图。虽然微镜ML18是光学中心与几何学中心一致的透镜，但是以使得透镜的光轴比发光元件E8的发光中心更向X方向一侧偏移的方式配置。因此，微镜ML18能够使从发光元件E8射出的光的前进方向向X方向一侧折射。另外，如图5所示那样，微镜ML18将来自发光元件E8的射出光在比来自发光元件E6的射出光的成像位置更向X方向一侧的位置上成像。另外，微镜ML18以使得透镜的光轴从发光元件E8的发光中心向X方向一侧偏移的方式配置，能够使来自发光元件E8的射出光成像在比来自发光元件E6的射出光的成像位置更向X方向一侧离开间距Dl的位置。另外，将发光元件E8和微镜ML18的配置关系的X方向反转，就成为发光元件E7和微镜ML17的配置关系。因此，如图5所示那样，微镜ML17能够将来自发光元件E7的射出光在比来自发光元件El的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧的位置上成像。另夕卜，微镜ML17以使得透镜的光轴从发光元件E7的发光中心向与X方向相反的一侧偏移的方式配置，能够使来自发光元件E7的射出光成像在比来自发光元件El的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。因此，微镜ML17和ML18与第1实施方式中的微镜ML7和ML8同样地发挥作用。因此，在驱动电路中与第1实施方式同样地进行发光时期的控制，由此在感光鼓70的外周面上，来自所有发光元件E的射出光沿着X方向以间距Dl —列成像。这样，在本实施方式中，在比来自发光元件El、E6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上，也能够保持间距Dl将来自发光元件E7、E8的射出光成像。因此，实现了与第1 实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，不需要如第1实施方式那样使用偏心透镜， 可以将各透镜阵列单元24所具备的所有微镜ML设为光学中心与几何学中心一致的透镜。 也就是说，由于能够将各透镜阵列单元24所具备的微镜ML设成一种，所以透镜阵列20的制造变得容易〈C 第3实施方式>接着对第3实施方式进行说明。对本实施方式中与第1实施方式共同的构成要素也标注相同的符号，并适当地省略其说明。图7是表示第3实施方式涉及的光头3的构造的立体图。各发光元件芯片16是从第1实施方式中的发光元件芯片12除去发光元件E7和 E8而得到的，6个发光元件El E6沿着X方向以间距Dl排列成一列。另外，在各透镜阵列单元26中，在与发光元件El E6对置的位置上形成有微镜ML21 ML26。这6个微镜 ML21 ML26是光学中心与几何学中心一致的透镜，并沿着X方向排列成一列。另外，相互对置的发光元件E和微镜ML的组并不限于6组。图8是表示发光元件E4和微镜ML24的配置关系的剖视图。另外，图9是表示发光元件E6和微镜ML26的配置关系的剖视图。如图8和图9所示那样，微镜ML24(ML26)以使得透镜的光轴比发光元件E4(E6) 的发光中心更向X方向一侧偏移的方式配置。因此，微镜ML24(ML26)能够使从发光元件 E4(E6)射出的光的前进方向向X方向一侧折射。另外，对于透镜的光轴和发光中心的X方向的偏移量来说，微镜ML26的偏移量大于微镜ML24的偏移量。因此，与微镜ML24相比，微镜ML26使射出光向X方向一侧折射的角度变大。另外，将发光元件E6和微镜ML26的配置关系的X方向反转，就成为发光元件El和微镜ML21的配置关系。另外，将发光元件E4和微镜ML24的配置关系的X方向反转，就成为发光元件E3和微镜ML23的配置关系。因此，微镜ML21(ML23)以使得透镜的光轴比发光元件E1(E3)的发光中心更向与X方向相反的一侧偏离的方式配置。因此，微镜ML21(ML23) 能够使从发光元件El (E3)射出的光的前进方向向与X方向相反的一侧的方向折射。另外， 对于透镜的光轴和发光中心的X方向的偏移量来说，微镜ML21的偏移量大于微镜ML23的偏移量。因此，与微镜ML23相比，微镜ML21使射出光向与X方向相反的一侧的方向折射的角度变大。这样，微镜ML24 ML26使来自对置的发光元件E的射出光向X方向一侧折射的角度按照微镜ML24 —微镜ML25 —微镜ML26的顺序变大。因此，透镜的光轴和发光中心的 X方向的偏移量也按照ML24和E4 — ML25和E5 — ML26和E6的顺序变大。另一方面，微镜 ML21 ML23使来自对置的发光元件E的射出光向与X方向相反的一侧的方向折射的角度按照微镜ML23—微镜ML22—微镜ML21的顺序变大。因此，透镜的光轴和发光中心的X方向的偏移量也按照ML23和E3 — ML22和E2 — ML16和El的顺序变大。也就是说，随着在各透镜阵列单元26中的排列位置从中央到端部，微镜ML21 ML26使来自对置的发光元件E的射出光向从中央朝向端部的方向一侧折射的角度变大。另夕卜，微镜ML21 ML26以透镜的光轴从对置的发光元件E的发光中心偏移的方式配置，以使得对于感光鼓70的表面，能够将来自发光元件El E6的射出光以大于发光元件El E6 的排列间隔亦即间距Dl的间距D2在X方向上一列成像。因此，在感光鼓70的表面，来自发光元件El E6的射出光沿着X方向以间距D2 —列成像。另外，在本实施方式中，由于所有的发光元件E在X方向上排成一列，所以无需如第1实施方式那样在驱动电路中将各发光元件E的发光时期错开。
根据如上所述的本实施方式，来自发光元件芯片16上排列的发光元件El E6中的位于其两端的发光元件E1、E6的射出光，在比感光鼓70的表面中的与发光元件E1、E6相当的位置更靠外侧的位置保持间距D2而成像。也就是说，能够将来自发光元件E1、E6的射出光在感光鼓70的表面中的与发光元件芯片16的额缘部相当的部分上成像。因此，实现了与第1实施方式同样的效果。另外，由于无需如第1实施方式和第2实施方式那样在驱动电路中将各发光元件E的发光时期错开，所以能够简化驱动电路的控制构成。另外，也可以将偏心透镜作为微镜ML21 ML26进行使用。在使用偏心透镜的情况下，微镜ML24 ML26将透镜的偏心度设定为能够使来自对置的发光元件E的射出光向X 方向一侧折射。另外，微镜ML24 ML26的偏心度按照微镜ML24 —微镜ML25 —微镜ML26 的顺序变大。另一方面，微镜ML21 ML23将透镜的偏心度设定为能够使来自对置的发光元件E的射出光向与X方向相反的一侧的方向折射。另外，微镜ML21 微镜ML23的偏心度按照微镜ML23 —微镜ML22 —微镜ML21的顺序变大。在这样使用偏心透镜的情况下，各微镜ML的偏心度被设定为，随着在透镜阵列单元26中的排列位置从中央向端部而变大，并且能够将来自发光元件El E6的射出光沿着X方向以间距D2 —列成像。<D:第4实施方式〉下面对第4实施方式进行说明。对本实施方式中与第1实施方式共同的构成要素也标注相同的符号，并适当地省略其说明。图10是表示第4实施方式涉及的光头4的构造的立体图。 本实施方式涉及的光头4与第1实施方式中的光头1的不同之处在于各发光元件芯片17所具备的发光元件E37、E38和各透镜阵列单元27所具备的微镜ML37和ML38。各透镜阵列单元27所具备的8个微镜MLl ML6、ML37、ML38都是光学中心和几何学中心一致的透镜，但是微镜MLl ML6以使得各自的光轴朝向Z方向的方式配置，而微镜ML37和微镜ML38以使得各自的光轴相对于Z轴倾斜角度θ的方式配置。微镜ML37的光轴与发光元件Ε37的光的射出方向一致，微镜ML38的光轴与发光元件Ε38的光的射出方向一致。另外，微镜ML37和发光元件Ε37以使得发光元件Ε37的发光中心位于将微镜ML37的光轴延长的位置上的方式配置，微镜ML38和发光元件Ε38以使得发光元件Ε38的发光中心位于将微镜ML38的光轴延长的位置上的方式配置。图11是表示发光元件El的构造的剖视图。本实施方式涉及的光头4是顶部发光型。因此，作为发光元件芯片17的基材51， 除了玻璃等具有透光性的板材以外，还可以采用陶瓷或金属的片材等不透明的板材。在基材51的表面上形成有布线层52。在布线层52上包含用于控制发光元件El的光量的有源元件(晶体管)和用于传输各种信号的布线。另外，布线层52的表面被基底层53覆盖。 基底层53是由各种绝缘材料、例如丙烯类和环氧树脂类这样的树脂材料或者氧化硅(SiOx) 和氮化硅(SiNx)这样的无机材料等形成的膜体。在基底层53的表面上形成有发光元件El用的光反射层54。光反射层54由具有光反射性的材料、例如铝和银等单元素金属、或者以铝和银为主要成分的合金等形成。光反射层54将发光层58发出的光向图中上方反射。形成有光反射层54的基底层53的表面被透光层55覆盖。透光层55是用于保护光反射层54的膜体，由例如氧化硅和氮化硅这样的具有透光性的绝缘材料形成。
在透光层55的表面，形成有作为发光元件El的阳极而发挥作用的第1电极56。第 1 电极 56 由例如 ITO (indium tin oxide 铟锡氧化物)、ZnO (氧化锌)、IZO (indium Zinc oxide 铟锌氧化物)这样的透明的导电材料形成。另外，第1电极56的一部分经由贯通透光层55和基底层53的接触孔与布线层52电气的连接。由此，第1电极56能够向发光层 58供给规定的电流。在形成有第1电极56的透光层55的表面上形成有绝缘层57。绝缘层57是绝缘性膜体，从Z方向观察在与第1电极56重合的区域形成有开口部(在厚度方向上贯通绝缘层57的孔)。第1 电极56和绝缘层57被发光层58覆盖。发光层58至少包含有机发光层，有机发光层由空穴和电子结合发光的有机EL物质构成。发光层58例如通过旋涂法等成膜技术遍布多个发光元件E而连续形成。虽然发光层58这样遍布多个发光元件E而连续，但是由于第1电极56针对每个发光元件E独立形成，所以根据从第1电极56供给的电流对每个发光元件E分别控制光量。但是，也可以通过液滴喷出法(喷墨法)等对每个发光元件 E单独形成发光层58。另外，作为构成发光层58的其他层，可以具备电子阻挡层、空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层以及空穴阻挡层的一部分或者全部。发光层58的表面被作为发光元件El的阴极发挥作用的第2电极59覆盖。第2 电极59例如由ITO等具有透光性的导电材料形成。另外，第2电极59遍布多个发光元件E 而连续形成。第2电极59的表面被密封层60覆盖。发光层58以与从第1电极56流过第 2电极59的驱动电流相对应的强度发光。另外，由于第1电极56和第2电极59之间的存在有绝缘层57的区域没有电流流过，所以发光层58中的与绝缘层57重合的部分不发光。 因此，在第1电极56、绝缘层57、发光层58和第2电极59的叠层中，位于绝缘部57的开口部的内侧的部分作为发光元件El发挥作用。从发光层58向第2电极59 —侧射出的光透过第2电极59和密封层60而射出到感光鼓70—侧。另外，当从发光层58向第1电极56 —侧射出的光如图中箭头所示那样， 透过第1电极56和透光层55到达光反射层54时，被光反射层54向图中上方反射，并透过透光层55、第1电极56、发光层58、第2电极59和密封层60而射出到感光鼓70 —侧。这样，发光元件El将发光层58发出的光向Z方向射出。另外，发光元件E2 E6也具有与发光元件El同样的构造。因此，如图10所示那样，发光元件El E6均向Z方向射出光。另外，发光元件En (η = 1 6)和微镜MLn (η = 1 6)以使得发光元件En的发光中心和微镜MLn的光轴一致的方式对置配置。因此，在感光鼓70的表面上，分别从发光元件El Ε6射出的光沿着X方向以间距Dl —列成像。图12是表示发光元件Ε37的构造的剖视图。另外，对该图中与图11共同的构成要素标注相同的符号。在基底层53a的表面中的与绝缘层57的开口部相对应的部分上形成有弯曲的凹陷。该凹陷的图中右侧的部分上形成有具有一定厚度的光反射层54a。因此，光反射层54a与图11所示的光反射层54的不同之处在于，具有弯曲的形状、和相对于发光层58a的配置角度。另外，由光反射层54a反射的光的反射方向如图中箭头所示那样，在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度θ。 另外，在图12中，除了光反射层54a以外，对于在其上面层叠的透光层55a、第1电极56a、 发光层58a和第2电极59a来说，与凹陷相对应的部分的形状也与图11的情况不同。另外，在发光元件芯片17和透镜阵列单元27之间配置有由具有遮光性的材料形成的间隔件，这里省略其图示。在该间隔件上形成有用于使从各发光元件E射出的光射入对应的微镜ML的8个贯通孔，但是连接发光元件E37和微镜ML37的贯通孔的中心轴与发光元件E37(光反射层54a)的光的反射方向一致。因此，发光元件E37的光的射出方向在 X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度θ。另外，如 上述那样，微镜ML37的光轴的倾斜与发光元件Ε37的光的射出方向一致， 因此如图10所示那样，来自发光元件Ε37的射出光在比来自发光元件El的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧的位置上成像。另外，发光元件Ε37的光的射出方向、和微镜 ML37的光轴的倾斜被设定为，能够使来自发光元件Ε37的射出光成像在比来自发光元件El 的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。另外，将图12所示的发光元件Ε37的构造的X方向反转就成为发光元件Ε38的构造。另外，在省略了图示的间隔件处，连接发光元件Ε38和微镜ML38的贯通孔的中心轴与发光元件Ε38的光的反射方向一致。因此，发光元件Ε38的光的射出方向朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度θ。另外，微镜ML38的光轴的倾斜与发光元件Ε38的光的射出方向一致，因此如图10所示那样，来自发光元件Ε38的射出光成像在比来自发光元件Ε6的射出光的成像位置更向X方向一侧的位置。另外，发光元件Ε38的光的射出方向和微镜ML38的光轴的倾斜被设定为，能够使来自发光元件Ε38的射出光成像在比来自发光元件Ε6的射出光的成像位置更向X方向一侧离开间距Dl的位置。因此，在驱动电路中，与第1实施方式同样地对发光元件El Ε6的发光时期和发光元件Ε37、Ε38的发光时期进行控制，由此，在感光鼓70的外周面上，来自所有的发光元件 E的射出光沿着X方向以间距Dl—列成像。这样，在本实施方式中，由于在比来自发光元件 Ε1、Ε6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上，能够保持间距Dl将来自发光元件Ε37、Ε38 的射出光成像，所以也实现了与第1实施方式同样的效果。另外，发光元件Ε37也可以具有图13和图14所示的构造。也就是说，如图13所示那样，发光元件Ε37可以是只有反射层54b相对于发光层58的配置角度与图11的情况不同的构造。在这种情况下，在基底层53b的表面中的与绝缘层57的开口部相对应的部分上形成有底面的倾斜角为θ的凹陷，在该凹陷的部分上形成有具有一定厚度的光反射层 54b。另外，如图14所示那样，发光元件E37也可以是如下构成，即上面的倾斜角为θ的反射层54c形成于基底层53的表面中的构成。对于上述情况，发光元件E38也是相同的。<E:第5实施方式〉接着对第5实施方式进行说明。对本实施方式中与第1实施方式共同的构成要素也标注相同的符号，并适当地省略其说明。图15是表示第5实施方式涉及的光头5的构造的立体图。在各发光元件芯片18中，6个发光元件E31 E36沿着X方向以间距Dl排成一列。另外，在各透镜阵列单元28中，6个微镜ML31 ML36沿着X方向排成一列。这6个微镜ML31 ML36均是光学中心和几何学中心一致的透镜。另外，微镜ML31的光轴与发光元件E31的光的射出方向一致，微镜ML32的光轴与发光元件E32的光的射出方向一致，...，微镜ML36的光轴与发光元件E36的光的射出方向一致。也就是说，微镜MLn (η = 31 36)的光轴的倾斜与发光元件En (η = 31 36)的光的射出方向一致。另外，微镜ML31和发光元件Ε31以使得发光元件Ε31的发光中心位于将微镜ML31的光轴延长了的位置上的方式配置，微镜ML32和发光元件E32以使得发光元件 E32的发光中心位于将微镜ML32的光轴延长了的位置上的方式配置，...，微镜ML36和发光元件E36以使得发光元件E36的发光中心位于将微镜ML36的光轴延长了的位置上的方
式配置。 图16是表示发光元件E33的构造的剖视图。另外，图17是表示发光元件E31的构造的剖视图。另外，在图16和图17中，对与图12共同的构成要素标注相同的符号。根据图16和图17可知，在发光元件E33和发光元件E31中，光反射层54d、54e相对于发光层 58a的配置角度不同。S卩，在图16的情况下，基底层53d的表面上形成的凹陷较浅，而光反射层54d形成在凹陷的靠中间的位置，因此由光反射层54d反射的光的反射方向在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度θ 3。相应地，在图17的情况下，基底层53e的表面上形成的凹陷较深，而光反射层54e形成在凹陷的靠右侧的位置，因此由光反射层54e反射的光的反射方向在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度Θ1(> θ 3)。另外，在发光元件芯片18和透镜阵列单元28之间配置有由具有遮光性的材料形成的间隔件，这里省略其图示。在该间隔件上形成有用于使从各发光元件E射出的光射入对应的微镜ML的6个贯通孔，但是连接发光元件Ε33和微镜ML33的贯通孔的中心轴与发光元件Ε33(光反射层54d)的光的反射方向一致。另外，连接发光元件E31和微镜ML31的贯通孔的中心轴与发光元件E31(光反射层54e)的光的反射方向一致。因此，发光元件E33的光的射出方向在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度θ 3。另外，发光元件Ε31的光的射出方向在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度 θ IO Θ3)。另外，发光元件Ε32的光的射出方向在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度Θ2(Θ1> Θ2> θ 3)，这里省略其图示。这样，发光元件Ε31 Ε33的光的射出方向相对于Z轴的倾斜度按照发光元件Ε33 —发光元件Ε32 —发光元件Ε31的顺序变大。另外，如上述那样，微镜MLn (η = 31 36)的光轴的倾斜与发光元件En (η = 31 36)的光的射出方向一致。因此，在图15中，微镜ML33以使得其光轴在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度θ 3的方式配置，微镜ML32以使得其光轴在X方向的相反的一侧相对于Z轴倾斜角度0 2的方式配置，微镜1^31以使得其光轴在X方向的相反的一侧相对于 Z轴倾斜角度θ 1的方式配置。另外，将图16所示的发光元件Ε33的构造的X方向反转就成为发光元件Ε34的构造。另外，将图17所示的发光元件Ε31的构造的X方向反转就成为发光元件Ε36的构造。 另外，在省略了图示的间隔件处，连接发光元件Ε34和微镜ML34的贯通孔的中心轴与发光元件Ε34的光的反射方向一致，连接发光元件Ε36和微镜ML36的贯通孔的中心轴与发光元件Ε36的光的反射方向一致。因此，发光元件Ε34的光的射出方向朝X方向一侧相对于Z 轴倾斜角度θ 3。另外，发光元件Ε36的光的射出方向朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度 θ IO θ 3)。另外，由于将发光元件Ε32的构造的X方向反转就成为发光元件Ε35的构造， 所以发光元件Ε35的光的射出方向朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度Θ2(Θ1> Θ2> θ 3)。这些，发光元件Ε34 Ε36的光的射出方向相对于Z轴的倾斜度按照发光元件Ε34 — 发光元件Ε35 —发光元件Ε36的顺序变大。另外，如上所述，微镜MLn(n = 31 36)的光轴的倾斜与发光元件En(η = 31 36)的光的射出方向一致。因此，在图15中，微镜ML34以使得其光轴朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度θ 3的方式配置，微镜ML35以使得其光轴朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度 θ 2的方式配置，微镜ML36以使得其光轴朝X方向一侧相对于Z轴倾斜角度θ 1的方式配置。这样，随着发光元件Ε31 Ε36在发光元件芯片18中的排列位置从中央到端部， 射出方向相对于Z轴的倾斜变大。另外，各发光元件E的光的射出方向和各微镜ML的光轴的倾斜被设定为使得对于感光鼓70的表面，能够将来自发光元件El Ε6的射出光以大于发光元件Ε31 Ε36的排列间隔亦即间距Dl的间距D2在X方向上一列成像。因此，如图 15所示那样，在感光鼓70的表面，来自发光元件Ε31 Ε36的射出光沿着X方向以间距D2 一列成像。另外，在本实施方式中，由于所有的发光元件E在X方向上排成一列，所以无需在驱动电路中将各发光元件E的发光时期错开。如上所述，在本实施方式中，由于能够在比感光鼓70的表面中的与发光元件Ε31 和Ε36相当的位置更靠外侧的位置上保持间距D2将来自发光元件Ε31和Ε36的射出光成像，所以也实现了与第3实施方式同样的效果。

〈F:变形例〉本发明并不被上述的各实施方式所限定，例如能够进行下面的变形。另外，也能够对上述的各实施方式和下面所示的各变形例中的2种以上进行适当的组合。(变形例1)在第1实施方式中，发光元件Ε7和Ε8的位置并不限定于图2所示的位置。例如， 可以使发光元件Ε7和Ε8的位置比图2所示的位置更靠发光元件芯片12的中央侧。这样， 设置发光元件Ε7和Ε8的位置只要是额缘部以外并且与直线LXl上不同的地方即可。但是， 需要根据发光元件Ε7和Ε8的位置来改变微镜ML7和ML8的位置和偏心度。另外，如图2所示那样，将发光元件Ε7和Ε8设置在尽量靠近发光元件芯片12两端的位置(但是额缘部除外)，就不用使射出光的前进方向具有较大倾斜。对于上面的内容， 第2实施方式和第4实施方式也是同样的。但是，在第2实施方式的情况下，用调整透镜的光轴和发光中心的X方向的偏移量来代替调整偏心度。另外，在第4实施方式的情况下，除了调整微镜ML37、ML38的位置及其光轴的倾斜，还需要调整发光元件Ε37和Ε38的光的射出方向。(变形例2)在第1实施方式中，微镜ML8 (偏心透镜)也可以使来自发光元件Ε8的射出光不仅向X方向折射，也向Y方向的相反的一侧的方向折射。在这种情况下，微镜ML8的偏心度可以被设定为使得能够将来自发光元件Ε8的射出光成像在从来自发光元件Ε6的射出光的成像位置沿X方向离开间距Dl的位置。对此，微镜ML7也是同样的。S卩，微镜ML7的透镜的偏心度也可以被设定为能够使来自发光元件Ε7的射出光成像在从来自发光元件El的射出光的成像位置朝与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。如果如上述那样规定了微镜 ML7和ML8的偏心度，则无需在发光元件El Ε6和发光元件Ε7、Ε8中错开发光时期，因此能够简化驱动电路的控制构成。对此，第2实施方式中的微镜ML17、ML18和第4实施方式中的微镜ML37、ML38也是同样的。但是，在第2实施方式的情况下，用也在与Y方向相反的一侧的方向上调整透镜的光轴和发光中心的偏移量来代替调整偏心度。另外，在第4实施方式的情况下，也在与Y方向相反的一侧的方向上调整微镜ML37和ML38的光轴的倾斜度。另外，在第4实施方式的情况下，能够构成为，也在与Y方向相反的一侧的方向上调整发光元件E37和E38的光的射出方向。(变形例3 )在第1实施方式中，在多组发光元件芯片12和透镜阵列单元22在X方向上排成一列的情况下，位于其两端的发光元件芯片12和透镜阵列单元22的组只有一侧与其他的组相邻。因此，例如在图2所示的2组发光元件芯片12和透镜阵列单元22中，可以去掉图中左侧的发光元件芯片12和透镜阵列单元22中的发光元件E7以及微镜ML7、和图中右侧的发光元件芯片12和透镜阵列单元22中的发光元件E8以及微镜ML8。另外，在排成一列的所有多组发光元件芯片12和透镜阵列单元22中，可以去掉发光元件E7以及微镜ML7(或者发光元件E8以及微镜ML8)。例如，当在如图2所示的构成中去掉了发光元件E7以及微镜ML7(或者发光元件 E8以及微镜ML8)时，能够将发光元件芯片12排成一列的额缘部的宽度D3最大为间距D1。 也就是说，如果额缘部的宽度D3在间距Dl以下，则能够将发光元件芯片12在X方向上排成一列。对于上面的内容，第2实施方式和第4实施方式也是同样的。(变形例4)例如，在图2所示的各发光元件芯片12中，也可以构成为，在直线LX2上一侧各设置2个共计4个发光元件E，并在比来自发光元件El和E6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上将来自4个发光元件E的射出光成像。如果设成这样的构成，则可以取得更大的能够将发光元件芯片12排成一列的额缘部的宽度D3。但是，在这样增加直线LX2中的发光元件E的数量的情况下，也需要增加微镜ML(偏心透镜)的数量。另外，需要对微镜ML的偏心度进行调整，并使得能够将来自直线LX2中的各发光元件E的射出光保持间距Dl来成像。对此，第2实施方式和第4实施方式也是同样的。但是，在第2实施方式的情况下，用调整透镜的光轴和发光中心的偏移量来代替调整偏心度。另外，在第4实施方式的情况下， 需要调整直线LX2上设置的各发光元件E的光的射出方向和对应的微镜ML的光轴的倾斜度。另外，在第3实施方式的情况下，通过对透镜的光轴与发光中心的偏移量、或透镜的偏心度进行调整，也能够增加在比感光鼓70的表面中的与发光元件El和E6相当的位置更靠外侧的位置上成像的发光元件E的数量，从而能够取得更大的能够将发光元件芯片16 排成一列的额缘部的宽度D3。对此，第5实施方式也是同样的。但是，在第5实施方式的情况下，需要调整发光元件E31 E36的光的射出方向、和微镜ML31 ML36的光轴的倾斜度。(变形例5)在第1实施方式中，对如图2所示那样，从发光元件El E6的两端分别在Y方向上各配置1个发光元件E的情况进行了说明，但是也可以如图18所示那样，从发光元件 El E6的两端分别在Y方向上各配置2个发光元件E。图18是表示变形例5涉及的光头6的构造的立体图。在各发光元件芯片19中，除了第1实施方式中说明的8个发光元件E1 E8之外， 还在从发光元件E7和E8沿Y方向离开规定距离的位置上配置发光元件E9和E10。另外，在图18中，直线LXl和直线LX2 的间隔、以及直线LX2和直线LX3的间隔也可以不同。在各透镜阵列单元29中，除了第1实施方式中说明的8个微镜MLl ML8之外，还在与发光元件E9对置的位置设置微镜ML9，在与发光元件ElO对置的位置设置微镜ML10。微镜ML9 和MLlO是偏心透镜。微镜ML9的透镜的偏心度被设定为，能够使来自发光元件E9的射出光成像在比来自发光元件E7的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。另外，微镜MLlO的透镜的偏心度被设定为，能够使来自发光元件ElO的射出光成像在比来自发光元件E8的射出光的成像位置更向X方向一侧离开间距Dl的位置。另外，虽然微镜ML9能够将来自发光元件E9的射出光至少向与X方向相反的一侧折射即可，但是微镜 ML9能够将来自发光元件E9的射出光也向与Y方向相反的一侧折射。同样，虽然微镜MLlO 能够将来自发光元件ElO的射出光至少向X方向一侧折射即可，但是微镜MLlO能够将来自发光元件ElO的射出光也向Y方向一侧折射。即使是上面的构成，也能够在比来自发光元件El和E6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上，将来自4个发光元件E7 ElO的射出光保持间距Dl来一列成像。另外，可以把能够将发光元件芯片19排成一列的额缘部的宽度D3最大设为间距D1X2. 5。另外，也可以从发光元件El E6的两端分别在Y方向上各排列3个以上的发光元件E。当然，在这样增加在Y方向上排列的发光元件E的数量的情况下，也需要增加微镜ML(偏心透镜)的数量。另外，需要对微镜ML的偏心度进行调整，并使得能够将来自在Y方向上排列的各发光元件E的射出光保持间距Dl来成像。对于上面的内容，第2实施方式也是同样的。但是，在第2实施方式的情况下，图 18中的微镜ML7 MLlO不是偏心透镜而是光学中心和几何学中心一致的透镜。因此，对于微镜ML7 MLlO和发光元件E7 E10，需要调整透镜的光轴和发光中心的偏移量。也就是说，在如图18所示的构成的情况下，微镜ML7和发光元件E7、以及微镜ML8和发光元件E8 与第2实施方式中的微镜ML17和发光元件E7、以及微镜ML18和发光元件E8相同，因此省略其说明，但是将微镜ML9以透镜的光轴从发光元件E9的发光中心至少向与X方向相反的一侧错开的方式配置，能够使来自发光元件E9的射出光成像在比来自发光元件E7的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。另外，将微镜MLlO以透镜的光轴从发光元件ElO的发光中心至少向X方向一侧错开的方式配置，以能够使来自发光元件ElO的射出光成像在比来自发光元件E8的射出光的成像位置更向X方向一侧离开间距 Dl的位置上。另外，在第4实施方式的情况下，虽然图19只表示了一侧(发光元件El)的构成， 但是通过从发光元件El E6的两端分别在Y方向上各配置2个以上的发光元件E，同时设置与其对应的微镜ML，并且对发光元件E的光的射出方向和微镜ML的光轴的倾斜度进行调整，也能够在比来自发光元件El、E6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上将来自4个以上的发光元件E的射出光保持间距Dl来一列成像。另外，在图19中，发光元件E39的光的射出方向和微镜ML39的光轴的倾斜度被设定为，能够使来自发光元件E39的射出光成像在比来自发光元件E37的射出光的成像位置更向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置。(变形例6)图20是表示第3实施方式涉及的光头3的变形例的俯视图。如该图所示那样，可以构成为，1个透镜阵列单元26中所具备的6个微镜ML21 ML26中的除去微镜ML21而余下的5个微镜ML22 ML26使来自对置的发光元件E的射出光向X方向一侧折射。当然，也可以是与图20的情况相反的构成，即除去微镜ML26而余下的5个微镜ML21 ML25使来自对置的发光元件E的射出光向与X方向相反的一侧折射的构成。即使是这样的构成，也能够在感光鼓70的表面中的与发光元件芯片16的额缘部相当的部分上将来自1个以上的发光元件E的射出光成像。同样，在第5实施方式中，例如如图21所示那样，可以构成为， 使1个发光元件芯片18所具备的6个发光元件E31 E36中除去发光元件E31而余下的 5个发光元件E32 E36的光的射出方向相对于Z轴向X方向一侧倾斜，并且使1个微镜阵列单元28所具备的6个微镜ML31 ML36中除去微镜ML31而余下的5个微镜ML32 ML36的光轴相对于Z轴向X方向一侧倾斜。(变形例7)
第4实施方式中的微镜ML37和ML38也可以是偏心透镜。在这种情况下，在微镜 ML37中能够使来自发光元件E37的射出光向与X方向相反的一侧折射。另外，在微镜ML38 中能够使来自发光元件E38的射出光向X方向一侧折射。因此，可以不用使发光元件E37 和E38的光的射出方向从Z方向较大倾斜。同样，第5实施方式中的微镜ML31 ML36也可以使用偏心透镜。另外，在第4实施方式中，通过将发光元件E37的发光中心从延长了微镜ML37的光轴的位置向X方向一侧错开，能够在微镜ML37中使来自发光元件E37的射出光向与X方向相反的一侧折射。另外，通过将发光元件E38的发光中心从延长了微镜ML38 的光轴的位置向与X方向相反的一侧错开，能够在微镜ML38中使来自发光元件E38的射出光向X方向一侧折射。对此，第5实施方式也是同样的。(变形例8)在第1实施方式中，透镜阵列20也可以不将每个透镜阵列单元22与基体分开。也就是说，透镜阵列20也可以构成为，具有设置在与多个发光元件芯片12对置的位置上的1 个基体，在该基体中的与多个发光元件芯片12分别对置的各区域设置有8个微镜ML。另夕卜，透镜阵列20也可以构成为，在排列有微镜ML的部分以外的间隙中填充具有遮光性的树脂等。对于上面的内容，第2实施方式 第5实施方式也是同样的。(变形例9)在如变形例8所示那样用1个基体构成透镜阵列20的情况下，能够如图22所示那样将第4实施方式涉及的光头4变形。另外，在图22中，只图示了 1个发光元件芯片17 所具备的8个发光元件El E6、E37，、E38，、和与其对应的8个微镜MLl ML6、ML37，、 ML38’。与第4实施方式中说明的构成的不同之处在于，微镜ML37’、ML38’的位置及其光轴的倾斜度、以及发光元件E37’、E38’的光的射出方向。虽然微镜ML37’和ML38’设置在相对于微镜MLl ML6的排列沿Y方向离开规定距离的位置上，但是微镜ML37’配置于从微镜MLl的排列位置向与X方向相反的一侧离开间距Dl的位置上，微镜ML38’配置于从微镜 ML6的排列位置向X方向一侧离开间距Dl的位置上。另外，微镜ML37’和ML38’都以光轴朝向Z方向的方式配置。这样，由于微镜ML37’和ML38’的位置及其光轴的倾斜度不同，所以发光元件E37’和E38’的光的射出方向相对于Z轴的倾斜度与第4实施方式中说明的发光元件E37和E38的光的射出方向相对于Z轴的倾斜度相比变大。即使是上面的构成，也能够在比来自发光元件El和E6的射出光的成像位置更靠外侧的位置上保持间距Dl而将来自发光元件E37’和E38’的射出光成像。
另外，在用1个基体构成透镜阵列20的情况下，能够如图23所示那样将第5实施方式涉及的光头5变形。另外，在图23中，也只图示了 1个发光元件芯片18所具备的6 个发光元件Ε3Γ E36，、和与其对应的6个微镜ML31， ML36，。与第5实施方式中说明的构成的不同之处在于，微镜ML31’ ML36’的排列间隔及其光轴的倾斜度、以及发光元件 E31， E36，的光的射出方向。6个微镜ML31， ML36，沿着X方向以间距D2配置成一列。 另外，这些微镜ML31’ ML36’都以光轴朝向Z方向的方式配置。这样，由于微镜ML31’ ML36’的排列间隔及其光轴的方向不同，所以发光元件Ε3ΓΕ36’的光的射出方向相对于Z 轴的倾斜度与第5实施方式中说明的发光元件E31 E36的光的射出方向相对于Z轴的倾斜度相比变大。即使是上面的构成，也能够在比感光鼓70的表面中的与发光元件Ε3Γ和 E36’相当的位置更靠外侧的位置上保持间距D2而将来自发光元件Ε3Γ和E36’的射出光成像。(变形例10)在第4实施方式中，将第1电极56、56a设为阳极，将第2电极59、59a设为阴极， 但是也可以是相反的设定。对此，第5实施方式也是同样的。另外，第5实施方式中的发光元件E31 E36并不限定于图16和图17所例示的构造，例如也可以具有图13和图14所示的构造。(变形例11) 在第1实施方式中，对于微镜MLl ML6和微镜ML7、ML8来说，透镜部分的曲率半径可以相同，也可以不同。另外，若微镜ML7和ML8的透镜部分的曲率半径变大，则能够使来自对置的发光元件E7和E8的射出光发生更大的折射。对此，第2实施方式也是同样的。另外，在第3实施方式中，微镜ML21 ML26的各自的透镜部分的曲率半径可以相同，也可以不同。另外，透镜部分的曲率半径越大，则能够使来自对置的发光元件E的射出光发生越大的折射。因此，在各透镜阵列单元26中，微镜ML的排列位置越从中央靠近端部 (ML23 — ML22 — ML21，ML24 — ML25 — ML26)，则可以将透镜部分的曲率半径设定的越大。(变形例12)对于第2实施方式中的微镜ML17和ML18，射入侧的透镜部分和射出侧的透镜部分的曲率半径可以不同。例如，能够将射出侧的透镜部分的曲率半径设定为小于射入侧的透镜部分的曲率半径。对此，在第3实施方式中使用光学中心和几何学中心一致的透镜的情况也是同样的。(变形例13)发光元件E并不限定于有机发光二极管元件，也可以是LED元件、无机EL元件和等离子体显示器元件等。另外，发光元件E也可以是通过施加电压来驱动的电压驱动型元件。另外，在将发光元件E的发光面的形状设定成圆形以外的情况下，只要将其重心设为发光元件E的发光中心即可。另外，间距Dl和间距D2也可以并不是一定的(等间隔)。另夕卜，发光面板10也可以不是顶部发光型而是底部发射型。(变形例14)例如如日本特开2008-93882号公报的图8所记载的那样，也可以在与1个微镜ML 对置的位置上设置多个发光元件E，由多个发光元件E构成1个发光部。在这种情况下，只要将构成1个发光部的多个发光元件E的中心(重心)设成发光部的发光中心即可。
(G:电子设备)接着，对利用了上述的实施方式和变形例涉及的光头的电子设备的具体例子进行说明图24是表示图像形成装置的构成的剖视图。该图像形成装置是串联全彩色图像形成装置，将上述的实施方式和变形例涉及的光头作为曝光装置来使用。图像形成装置具有4个光头100 (100K、100C、100M、100Y)、和与各光头100相对应的4个感光鼓70 (70K、70C、70M、70Y)。1个光头100以与对应于该光头 100的感光鼓70的外周面对置的方式配置。另外，各符号的注标“K”、“C”、“M”、“Y”意味着被用于黑色(K)、青色(C)、品红色(M)、黄色(Y)的各显像的形成。驱动辊711和从动辊712上卷绕有环状的中间转印带72。4个感光鼓70相互隔开规定的间隔配置在中间转印带72的周围。各感光鼓70与中间转印带72的驱动同步旋转。另外，在各感光鼓70的周围，除了光头100以外，还配置有电晕带电器731 (731K、731C、 731M、731Y)和显影器732(732K、732C、732M、732Y)。电晕带电器731使与其对应的感光鼓 70的外周面同样地带电。通过由各光头100对该带电的外周面进行曝光来形成静电潜像。 各显影器732通过使显影剂(调色剂)附着在静电潜像上而在感光鼓70上形成显像(可视图像)。如上述那样，感光鼓70上形成的各色(黑色、青色、品红色、黄色)显像被依次转印到中间转印带72的表面上(一次转印)，由此形成全彩色的显像。在中间转印带72的内侧配置有4个一次转印电晕管(转印器)74(741(、74(、7411、74幻。各自一次转印电晕管74 从与其对应的感光鼓70静电吸引显像，由此将显像转印到通过感光鼓70和一次转印电晕带电器74之间的间隙的中间转印带72上。片材(记录材料)75通过搓纸辊761被从供纸盒762 —张一张地输送，并被输送到中间转印带72和二次转印辊77之间的夹持点。中间转印带72的表面上形成的全彩色显像通过二次转印辊77被转印到片材75的一面上(二次转印)，并通过定影辊对78而定影在片材75上。排纸辊对79将经由以上的步骤定影了显像的片材75排出。该图像形成装置将有机发光二极管元件作为光源来利用，因此与利用激光扫描光学系统的构成相比，装置变得小型化。另外，也能够将光头100应用于旋转显影式的图像形成装置、不使用中间转印带而是直接从感光鼓70向片材转印显像的类型的图像形成装置、 或者形成黑白图像的图像形成装置等。另外，光头100的用途并不限定于图像载体的曝光。例如，光头100作为向原稿等读取对象照射光的照明装置而用于图像读取装置。作为这种图像读取装置，有扫描仪、复印机和传真机的读取部分、条形码读取器、或者对QR码(注册商标)那样的二维图像码进行读取的二维图像码读取器等。
权利要求
1.一种光头，其特征在于， 所述光头具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排列的多个第1发光部、和相对于所述多个第1发光部的排列在与所述主扫描方向交叉的方向上配置的第2发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有第1透镜和第2透镜，该第1透镜设置在与所述多个第1发光部的各自对置的位置上，将来自对置的所述第1发光部的射出光成像在被照射面上，该第2透镜将来自所述第2发光部的射出光成像在所述被照射面上，来自所述多个第1发光部的各自的射出光，成像在连结该第1发光部和与该第1发光部对置的所述第1透镜的直线与所述被照射面交叉的位置上，所述第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜，当将来自所述多个第1发光部中位于一端的所述第1发光部的射出光的成像位置设为第1成像位置，将来自其他的任一个所述第1发光部的射出光的成像位置设为第2成像位置时，来自所述第2发光部的射出光隔着所述第1成像位置而成像在与所述第2成像位置一侧相反的一侧。
2.根据权利要求1所述的光头，其特征在于，所述第2发光部具备发光的发光层、和对所述发光层发出的光进行反射的光反射层， 所述光反射层以光的反射方向具有所述倾斜的方式形成。
3.根据权利要求2所述的光头，其特征在于，以光的反射方向具有所述倾斜的方式设定所述光反射层相对于所述发光层的配置角度。
4.根据权利要求2所述的光头，其特征在于，以光的反射方向具有所述倾斜的方式设定所述光反射层的形状。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光头，其特征在于， 所述多个第1发光部在所述主扫描方向上以规定间距排列，来自所述第2发光部的射出光成像在从所述第1成像位置向与所述第2成像位置一侧相反的一侧的方向离开所述规定间距的位置上。
6.根据权利要求1所述的光头，其特征在于， 所述发光基板具有2个所述第2发光部，所述透镜阵列具有2个将来自对应的所述第2发光部的射出光成像在所述被照射面上的所述第2透镜，所述2个第2发光部的各自的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜，来自一个所述第2发光部的射出光隔着所述第1成像位置而成像在与所述第2成像位置一侧相反的一侧，当将来自所述多个第1发光部中位于另一端的所述第1发光部的射出光的成像位置设为第3成像位置，将来自其他的任一个所述第1发光部的射出光的成像位置设为第4成像位置时，来自另一个所述第2发光部的射出光隔着所述第3成像位置而成像在与所述第4 成像位置一侧相反的一侧。
7.一种光头，其特征在于， 所述光头具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排列的多个第1发光部、和相对于所述多个第1发光部的排列在与所述主扫描方向交叉的方向上配置的第2发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有第1透镜和第2透镜，该第1透镜设置在与所述多个第1发光部的各自对置的位置上，将来自对置的所述第1发光部的射出光成像在被照射面上，该第2透镜将来自所述第2发光部的射出光成像在所述被照射面上，所述多个第1发光部的各自的光的射出方向与从该第1发光部的发光面垂直延伸的直线一致，所述第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜。
8.一种光头，其特征在于， 所述光头具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排成一列的多个发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有在所述主扫描方向上排成一列且将来自对应的所述发光部的射出光成像在被照射面上的多个透镜，当将所述多个发光部中的任一个发光部设为第1发光部，将与该第1发光部相邻排列的发光部设为第2发光部时，所述第1发光部的光的射出方向和所述第2发光部的光的射出方向不同，以使来自所述第1发光部的射出光的成像位置与来自所述第2发光部的射出光的成像位置之间的距离大于所述第1发光部和所述第2发光部之间的排列间隔。
9.根据权利要求8所述的光头，其特征在于，所述多个发光部分别具备发光的发光层、和对所述发光层发出的光进行反射的光反射层，所述第1发光部的所述光反射层的光的反射方向和所述第2发光部的所述光反射层的光的反射方向不同，以使来自所述第1发光部的射出光的成像位置与来自所述第2发光部的射出光的成像位置之间的距离大于所述第1发光部和所述第2发光部之间的排列间隔。
10.根据权利要求9所述的光头，其特征在于，所述第1发光部的所述光反射层和所述第2发光部的所述光反射层相对于所述发光层的配置角度不同。
11.根据权利要求9所述的光头，其特征在于，所述第1发光部的所述光反射层和所述第2发光部的所述光反射层的形状不同。
12.一种光头，其特征在于， 所述光头具备发光基板，该发光基板具有在主扫描方向上排成一列的多个发光部；以及透镜阵列，该透镜阵列具有在所述主扫描方向上排成一列且将来自对应的所述发光部的射出光成像在被照射面上的多个透镜，所述多个发光部的各自的光的射出方向，随着该发光部的排列位置从中间到端部，相对于从该发光部的发光面垂直延伸的直线从所述中间向所述端部方向的倾斜度变大。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的光头，其特征在于，所述多个发光部在所述主扫描方向上以第1间距排列，来自所述多个发光部的各自的射出光以大于所述第1间距的第2间距在所述主扫描方向上以一列成像。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的光头，其特征在于，所述光头具备多个所述发光基板和多个所述透镜阵列，所述多个发光基板和多个透镜阵列在所述主扫描方向上排列。
15.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至14中任一项所述的光头。
全文摘要
本发明涉及光头以及电子设备。发光基板具备在主扫描方向上排列的多个第1发光部、和在与主扫描方向交叉的方向上相对于多个第1发光部的排列而配置的第2发光部。透镜阵列具备与多个第1发光部的各自对置配置的多个第1透镜、和第2发光部用的第2透镜。第2发光部的光的射出方向相对于从该第2发光部的发光面垂直延伸的直线具有倾斜。当将来自多个第1发光部中位于一端的第1发光部的射出光的成像位置设为第1成像位置，将来自其他的任一个第1发光部的射出光的成像位置设为第2成像位置时，来自第2发光部的射出光隔着第1成像位置而成像在与第2成像位置一侧相反的一侧。
文档编号G03G15/04GK102218938SQ20111008477
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月1日 优先权日2010年4月5日
发明者窪田岳彦 申请人:精工爱普生株式会社