专利名称：低污染型光刻胶组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种含烷氧基双环胍光碱产生剂的低污染型光刻胶组合物。
背景技术：
现代文明是电子芯片驱动的，电子芯片都是光刻工艺的产物，而光刻胶是光刻的关键材料，又称光致抗蚀剂。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。中国的微电子和平板显示产业发展迅速，带动了光刻胶与高纯试剂供应商等产业链中的相关配套企业的建立和发展。特别是2009年LED (发光二极管)的迅猛发展，更加有力地推动了光刻胶产业的发展。但是长期以来，光刻胶产业存在下列问题一.使用光酸产生剂，使用过程中产生的有机酸腐蚀金属、污染环境；二.使用昂贵且污染严重的有机溶剂作显影液；三.含羟基和酯基的聚合物，由于极性的差异，如果没有强效光引发催化剂，很难把这两类聚合物交联形成没有相分离的均勻物，从而限制了其在水性体系的应用。因而目前光刻胶的处理过程总会涉及强碱显影液和高纯有机溶剂，非常经济环保的去离子水，在光刻胶领域却很少有其作为溶剂或显影液的报道。
发明内容
本发明的目的是首次提出含烷氧基双环胍光碱产生剂应用于水溶性聚合物体系光刻胶的研究思路，试制出了具有较好图案化效果的低污染型光刻胶组合物。本发明提供一种低污染型光刻胶组合物，其包括a.在曝露于辐射时形成碱的含烷氧基的双环胍光碱产生剂，数量足以引发聚合物交联；b.含有酯基的水溶性聚合物； c.含有羟基的水溶性聚合物；d.溶剂。含烷氧基的双环胍光碱产生剂、含有酯基的水溶性聚合物、含有羟基的水溶性聚合物和溶剂的质量比优选为1 5 20 5 20 100 200。a中含烷氧基的双环胍光碱产生剂，其结构如下
权利要求
1.低污染型光刻胶组合物，其特征是，包括a.在曝露于辐射时形成碱的含烷氧基的双环胍光碱产生剂；b.含有酯基的水溶性聚合物；c.含有羟基的水溶性聚合物；d.溶剂。
2.根据权利要求1所述的低污染型光刻胶组合物，其特征是，含烷氧基的双环胍光碱产生剂、含有酯基的水溶性聚合物、含有羟基的水溶性聚合物和溶剂的质量比为1 5 20 5 20 100 200。
3.根据权利要求1或2所述的低污染型光刻胶组合物，其特征是，所述的含酯基的水溶性聚合物指1-乙烯基吡咯烷酮和2-甲基丙烯酸二甲氨基乙酯质量比1 1的双聚物。
4.根据权利要求1或2所述的低污染型光刻胶组合物，其特征是，所述的含有羟基的水溶性聚合物是纤维素及其衍生物。
5.根据权利要求1或2所述的低污染型光刻胶组合物，其特征是，所述的含烷氧基的双环胍光碱产生剂，其结构如下
6.权利要求1所述的低污染型光刻胶组合物成像的方法，其特征是，包括以下步骤 (1)在载玻片上涂布光刻胶组合物薄膜；(2)烘焙干燥去除溶剂；C3)以紫外光照射光刻胶薄膜；(4)后烘焙光刻胶；(5)以去离子水为显影液将照射过的薄膜显影。
7.根据权利要求6所述的低污染型光刻胶组合物成像的方法，其特征是，步骤( 中的干燥温度为50°C 90°C，干薄膜的厚度为0. 5 1. 5微米。
8.根据权利要求6所述的低污染型光刻胶组合物成像的方法，其特征是，步骤C3)中紫外光波长为150 300nm，强度为5 15mW/cm2。
9.根据权利要求6所述的低污染型光刻胶组合物成像的方法，其特征是，步骤(4)中烘焙温度为130°C 170°C，时间为10 30分钟。
全文摘要
本发明公开了一种低污染型光刻胶组合物，包括a.在曝露于辐射时形成碱的含烷氧基的双环胍光碱产生剂，数量足以引发聚合物交联；b.含有酯基的水溶性聚合物；c.含有羟基的水溶性聚合物；d.溶剂。含烷氧基的双环胍光碱产生剂、含有酯基的水溶性聚合物、含有羟基的水溶性聚合物的质量比优选为1∶5～20∶5～20。本发明采用水溶性好的聚合物，避免有机溶剂的污染，且易得到均匀薄膜，含烷氧基的双环胍光碱产生剂制备方法简单，主要原料已商业化，成本低，吸收光谱宽(190～280nm)、光激发效率高，催化活性高。
文档编号G03F7/00GK102279525SQ20111017970
公开日2011年12月14日 申请日期2011年6月29日 优先权日2011年6月29日
发明者万茂生, 周晨, 曹成波, 沈新春, 陈锦钊 申请人:山东大学