专利名称：光纤的制作方法
技术领域：
本发明涉及为低成本且具有与以往的沟槽结构同样的低弯曲损失的光纤。本申请要求2011年7月4日申请的日本特愿2011 — 148228号以及2012年4月27日申请的日本特愿2012 — 102719号的优先权，在此引用其内容。
背景技术：
随着FTTH (Fiber To The Home)的普及，通过将光纤铺设于大楼或者住宅等的屋内来降低弯曲损失的光纤受到关注。通过使用低弯曲损失光纤，来期待防止光纤因受到弯曲而产生的损失导致信号瞬间中断的效果、或者因光纤的处理变得容易而导致铺设成本降低的效果。在通常的单模光纤(S - SMF)使用的单纯的纤芯-包覆结构的光纤中，模场直径(MFD)和弯曲损失之间具有权衡(trade-off )的关系，若使MFD变小，则能够减少弯曲损失。然而，对于MFD的小径化而言，存在与S - SMF的连接损失的增大、或者脱离与单模光纤(SMF)有关的国际推荐ITU -TG.652所规定的MFD的范围(在波长1310nm下设计基准值为MFD8.6 9.5 μ m)这样的问题，从而通过使MFD小径化来减少弯曲损失限度有限。作为不是起因于MFD的小径化而降低弯曲损失的方法，已知有被称为“沟槽型”的折射率分布(参照专利文献I)。另外，提出有多种将该沟槽型折射率分布用作低弯曲损失光纤的方法。例如，在专利文献2中，公开了将沟槽型的折射率分布应用于通常的SMF而非专利文献I所提示的那样的色散位移光纤(DSF:Dispersion Shifted Fiber)。在专利文献3中，公开了在将波长色散特性设定于与通常的SMF同样的区域的基础上，使MFD小径化，从而来降低弯曲损失的结构。在专利文献4中，公开了通过将沟槽区域的相对折射率差设定于一 0.63%以下这样的非常小的值，来实现弯曲损失的降低的结构。在专利文献5中，公开了具有小于1260nm的光纤截止波长和1300 1324nm之间的零色散波长，并降低了直径IOmm的弯曲损失的光纤。在专利文献6中，公开了作为缩短沟槽型光纤的制造时间，实现低成本化的设计而使纤芯与沟槽之间的间隔变窄的方法。在专利文献7中，公开了通过在沟槽层的外侧设置中间包覆层和低折射率层，来同时实现弯曲损失和单模传送的方法。另外，也已知有通过使用在包覆层的一部分具有空气层的结构，来得到与沟槽型同样的效果的方法(例如参照专利文献8、9 )。另外，作为其他方法，公开了通过增大高次模的损失，来缓和截止波长的限制，从而得到低弯曲损失光纤的方法(例如参照专利文献10)。另外，在非专利文献I中，公开了与沟槽型光纤的高次模的动作的一例。专利文献1:日本特开昭63 - 43107号公报专利文献2:国际公开第2004 / 092794号专利文 献3:国际公开第2006 / 025231号
专利文献4:日本特表2010 - 503018号公报专利文献5:日本特表2010 - 503019号公报专利文献6:日本特开2009 - 8850号公报专利文献7:日本特开2007 - 279739号公报专利文献8:国际公开第2004 / 092793号专利文献9:日本特表2009 - 543126号公报专利文献10:日本特开2008 - 310328号公报非专利文献 1:Louis — Anne de Montmorillon, et al, “Recent DevelopmentsofBend— insensitive and Ultra — bend — insensitive Fibers Fully Compliant withBoth G.657.B and G.652.D ITU — T Recommendations”，Proceedings of the58th IffCS /IICIT, International Wire & Cable Symposium, 2009 年，pp.270 — 276然而，如孔助光纤(HAF)或者ClearCurve (注册商标)那样具有空孔的结构与如沟槽型光纤那样不具有空孔的实心玻璃结构的光纤相比，连接成为问题。例如，由于在熔接时需要准确地进行纤芯调整，所以在较多的熔接器中，安装有通过对光纤的侧面的观察图像进行分析来检测纤芯并进行调芯的纤芯直视法。但是，在包覆中存在空孔的情况下，由于无法进行基于侧面画像的纤芯位置确认，所以不得不依赖以包覆径为基准的外径调芯法。在外径调芯法中，由于受到纤芯相对于包覆外接圆的偏心的影响，所以与纤芯直视法相比，存在连接损失易于变大的问题。另外，对于专利文献10的光纤而言，结构非常复杂，需要高超的制造技术，并且为了与沟槽型结构相比在更大的范围设置低折射率的层，需要更多量的使折射率降低的掺杂齐U，制造成本这方面 也是问题。即使在通常的沟槽型结构的情况下，若将沟槽的相对折射率差例如如专利文献4、5所例示的那样较小地设定为一 0.7%或者一 0.5%左右，也需要更多量的用于形成沟槽的掺杂剂，制造成本增加这方面也是问题。沟槽结构的光纤能够利用各种制造法来制造，但是根据制造方法的不同，形成沟槽层的原材料费用的抑制成为问题。图3示出了通过MV⑶法形成沟槽层时的四氟化硅(SiF4)的分压与得到的添氟石英玻璃的相对折射率差之间的关系的一例。示出了得到的玻璃的相对折射率差大致与SiF4分压的I / 4次方成正比的变化。因此，在需要低于一 0.5%那样的相对折射率差Λ的结构中，原材料气体SiF4的使用量急剧增加。例如为了得到一 0.5%的相对折射率差Λ，需要设定为得到一 0.2%的相对折射率差Λ时的大约20倍的SiF4分压。专利文献6为了降低原材料费用而将低折射率层设计为靠近纤芯，但是为了降低弯曲损失而不得不设计具有较大的负的相对折射率差的沟槽，所以成本下降的效果有限。另外，在使沟槽和纤芯极度接近的情况下，波长色散等光学特性脱离了国际推荐，因此在使低折射率层接近纤芯的方面也有限。另一方面，对于具有沟槽结构的光纤而言，与通常的SMF相比，存在高次模的损失较小这一问题。该倾向表现为截止波长的条长依赖性的不同。例如，在非专利文献I中，公开了与沟槽型光纤的高次模的动作有关的一例，在其Figure2(图2)中，示出了 LPllLeakageLoss (泄漏损失)的波长依赖性。若进行与22m的光缆截止波长λ。⑶相当的IdB / m的等级上的波长的比较，则3种光纤的对应波长分布于1225 1260nm的范围，成为满足ITU —T等所规定的光缆截止波长1260nm以下的光纤。若对通信中使用的波长1310nm处的损失进行比较，则光纤的损失为从2dB / m至12dB / m左右。因此，在数米(m)的较短尺寸下使用光纤的情况下，高模未充分衰减，有可能妨碍通信。对于这样的状况，在将22m的光缆截止波长λ 2π和2m的光纤截止波长λ π的差值作为指标的情况下容易进行比较。在非专利文献I中所公开的3种光纤的情况下，该差值为63 146nm。在以使得改善直径较小、例如弯曲半径5mm下的弯曲损失的方式设计沟槽型的光纤的情况下，该差值λ-— λ 2π有变大的倾向。因此，期望实现一种具有同等的弯曲特性且截止的差值较小的结构。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于，提供一种能够以低成本制造的低弯曲损失光纤。为了解决所述课题，本发明的一个实施方式的光纤具备:设置于中心部的纤芯；设置于所述纤芯的周围，且具有比所述纤芯的折射率低的折射率的内侧包覆层；设置于所述内侧包覆层的外周部，且由具有不同折射率的2个以上的层构成的沟槽层；和设置于所述沟槽层的外周部的最外层包覆层。在所述沟槽层中，折射率最高的层构成所述沟槽层的最外层。作为将所述最外层包覆层的折射率作为基准的相对折射率差，将纤芯的相对折射率差设为Λ。.，将内侧包覆层的相对折射率差设为△&，将在沟槽层中折射率最高的层的相对折射率差设为，将在沟槽层中折射率最低的层的相对折射率差设为Atmin，在将沟槽层的内缘的半径设为rin，将沟槽层的外缘的半径设为Iwt，将在沟槽层中折射率最高的层的内缘的半径设为rtmax时，满足如下的关系:八。_ > Aic > Atmax > Δ tmin, - 0.15%彡 Atmax > Atmin 彡—0.7%，以及 0.45 彡(rtmax — rin) / (rout — rin)彡 0.9。在本发明的一个实施方式的光纤中，优选构成为，在所述沟槽层中，满足如下的关系:一0.40% 彡 Atniin 彡一0.50%，以及一0.15% 彡 Λ tniax 彡一0.25%。在本发明的一个实施方式的光纤中，优选构成为，在所述沟槽层中，满足如下的关系:0.7 彡 Crtmax — rin) / (rout — rin) ( 0.9。在本发明的一个实施方式的光纤中，优选构成为，在所述沟槽层中，满足如下的关系:0.7 彡 Crtmax — rin) / (rout — rin) ( 0.8。在本发明的一个实施方式的光纤中，优选构成为，在所述沟槽层中，折射率最低的层构成所述沟槽层的最内层。在沟槽层由折射率不同的2层构成的情况下，折射率较低的层配置于沟槽层的内侧，折射率较高的层配置于沟槽层的外侧。在沟槽层由折射率不同的3层以上构成的情况下，在所述沟槽层中也能够采用折射率最低的层位于所述沟槽层的最内层(接近内侧包覆层的层)的构成。在本发明的一个实施方式的光纤中，优选构成为，所述最外层包覆层由纯石英玻璃形成，所述沟槽层由添加有氟的石英玻璃形成。
根据本发明，通过满足上述要件，能够以低成本得到具有与以往的沟槽结构同样的低弯曲损失的光纤。
图1是示意性表示第I实施方式的光纤的折射率分布的图。图2是示意性表示第2实施方式的光纤的折射率分布的图。图3是表示通过MCVD法形成沟槽层时的SiF4的分压和得到的玻璃的相对折射率差之间的关系的一例的图标。图4是表示相对SiF4使用量相对于(rtmax — rin) / (r。# — rin)的变化的一例的图表。图5是表示2m与22m下的截止波长差相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的变化的一例的图表。图6是表示以往的沟槽型光纤的折射率分布的一例的图。图7是针对实施例1描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1550nm下的弯曲损失的图表。图8是针对实施例1描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1625nm下的弯曲损失的图表。图9是针对实 施例1描绘了相对于(rtmax— rin) / (rout — rin)的λ e2m — λ c22m的图表。图10是针对实施例1描绘了相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的相对SiF4使用量的图表。图11是针对实施例2描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1550nm下的弯曲损失的图表。图12是针对实施例2描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1625nm下的弯曲损失的图表。图13 是针对实施例 2 描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的 λ e2m — λ c22m的图表。图14是针对实施例2描绘了相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的相对SiF4使用量的图表。图15是针对实施例3描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1550nm下的弯曲损失的图表。图16是针对实施例3描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1625nm下的弯曲损失的图表。图17 是针对实施例 3 描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的 λ e2m — λ c22m的图表。图18是针对实施例3描绘了相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的相对SiF4使用量的图表。图19是针对实施例4描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的波长1550nm下的弯曲损失的图表。图20是针对实施例4描绘了相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的波长1625nm下的弯曲损失的图表。图21 是针对实施例 4 描绘了相对于(rtmax — rin) / (rout — rin)的 λ e2m — λ c22m的图表。图22是针对实施例4描绘了相对于(rtmax — rin) / Crout 一 rin)的相对SiF4使用量的图表。
具体实施例方式以下参照附图，基于优选的实施方式来说明本发明。图1不意性表不了本发明的第I实施方式的光纤的折射率分布。该光纤Fl具有纤芯U、内侧包覆层12、沟槽层13以及最外层包覆层14。纤芯11配置于光纤Fl的中心部。内侧包覆层12配置于纤芯11的周围，具有比纤芯11低的折射率。沟槽层13配置于内侧包覆层12的外周部，由折射率不同的2层15、16(第I折射率层15、第2折射率层16)构成。最外层包覆层14配置于沟槽层13的外周部。这里，第I折射率层15 (最外层)是折射率最高的层，第2折射率层16是折射率最低的层(最内层)。另外，图2不意性表不本发明的第2实施方式的光纤的折射率分布。该光纤F2具有纤芯21、内侧包覆层22、沟槽层23以及最外层包覆层24。纤芯21配置于光纤F2的中心部。内侧包覆层22配置于纤芯21的周围，具有比纤芯21低的折射率。沟槽层23配置于内侧包覆层22的外周部，由折射率不同的3层25、26、27 (第I折射率层25、第2折射率层27、第3折射率层26)构成。最外层包覆层24配置于沟槽层23的外周部。这里，第I折射率层25是折射率最高的层(最外层)，第2折射率层27是折射率最低的层(最内层)。对于上述第I以及第2实施方式的光纤而言，作为将最外层包覆层14、24的折射率作为基准的相对折射率差， 在纤芯11、21的相对折射率差为Λ。_、内侧包覆层12、22的相对折射率差为△ i。、在沟槽层13中折射率最高的层15的相对折射率差为△ tmax、在沟槽层23中折射率最高的层25的相对折射率差为Atmax、在沟槽层13中折射率最低的层16的相对折射率差为Λ tmin、在沟槽层23中折射率最低的层27的相对折射率差为Λ tmin时，具有关
系△ core〉△ ic〉△ tmax〉△ tmin。这里，Λ.>八&表示内侧包覆层12、22具有比纤芯11、21低的折射率，与此对应，Aic;> Atmax表示沟槽层13所包含的各层15 16具有比内侧包覆层12低的折射率，表示沟槽层23所包含的各层25 27具有比内侧包覆层22低的折射率。另外，Atmax >Atmin表示沟槽层13、23由折射率不同的多个层形成。沟槽层13的折射率比最外层包覆层14的折射率低。另外，沟槽层23的折射率比最外层包覆层24的折射率低。因此，Atmax以及Atmin被设定为负值。沟槽层13、23的相对折射率差的范围优选考虑基本模式的封闭效果或者掺杂剂量等光学特性或者制造成本等各种因素来适当设定，例如相对折射率差优选为一 0.15% 一 1.0%的范围内。S卩，优选相对折射率差满足一0.15%彡Atmax > Atmin彡一0.7%。优选相对折射率差Atmax的范围为一0.15%彡Atmax >— 0.7%，更优选为一0.15%^ Atmax 彡一0.25%。优选相对折射率差Atmin的范围为一0.15% > Atmin> —0.7%，更优选为一0.3%^ Atmin 0.7%。
优选Atmax—Atmin的差的范围为0.55%彡Atmax- Λ tmin彡0.1 %，更优选为O- 35%^ Atmax- Atmin >0.15%。并且，在沟槽层13中，折射率较高的层15设置于沟槽层13的最外层，在层15的内侧设置折射率较低的层16。在沟槽层23中，折射率较高的层25设置于沟槽层3的最外层，在层25的内侧设置折射率较低的层26、27。由此，相对于内侧包覆层12、22的折射率的差变得更大，能够将基于沟槽层13、23的基本模式的电场封闭，从而实现弯曲损失的减少。另外，使折射率下降的氟F等掺杂剂的量在折射率较低的层较多，在折射率较高的层较少。掺杂剂量最少的层15、25作为半径最大的最外层而存在，由此能够进一步降低沟槽层13、23中使用的掺杂剂的量，从而来抑制制造成本。如图2所示，在沟槽层23由3层以上的层25 27构成的情况下，也能够按照使得折射率最低的层27成为沟槽层23的最内层的方式形成沟槽层23。这样，掺杂剂量最多的层27作为半径最小的最内层而存在，由此能够进一步降低沟槽层23中使用的掺杂剂的量，从而在抑制制造成本的同时，提高将基本模式的电场封闭来降低弯曲损失的效果。优选最外层包覆层14、24由纯石英玻璃构成，构成沟槽层13的层15、16或者构成沟槽层23的层25 27由添加了氟的石英玻璃形成。纤芯11、21可以由添加了 I种或者2种以上的、错Ge等提闻折射率的惨杂剂的石
英玻璃构成。内侧包覆层12、22可以添加提高折射率的掺杂剂，也可以添加降低折射率的掺杂齐IJ，也可以由不添加任何掺杂剂的纯石英玻璃构成。构成折射率分布的各层可以利用MCVD法、PCVD法、VAD法、OVD法等公知的方法、或者组合上述方法的方法来形成。例如，在利用MCVD法形成沟槽层13的情况下，使用相当于最外层包覆层14中与沟槽层13的外缘`接近的一部分的石英玻璃管。或者，在利用MCVD法形成沟槽层23的情况下，使用相当于最外层包覆层24中与沟槽层23的外缘接近的一部分的石英玻璃管。并且，在玻璃管的内侧，使用包含Si和F的I种或者2种以上的原材料来堆积具有沟槽层13、23的组成的玻璃。此时，通过使包含F的原材料的使用量发生变化，就能够形成由折射率不同的2个以上的层构成的沟槽层13、23。在MCVD法的情况下，还能够在沟槽层13的内侧依次形成内侧包覆层12和纤芯11。或者，能够在沟槽层23的内侧依次形成内侧包覆层22和纤芯21。作为纤芯11、21的形成方法，可以在内侧插入作为纤芯杆而另外形成的纤芯来与上述的层一体化。作为最外层包覆层14、24的形成方法，也可以一边在预备玻璃管的外侧外覆包覆层来增大外径直至得到必要的厚度一边形成包覆层14、24。由于能够通过光纤母材的拉丝来制造光纤，所以光纤母材的折射率分布具有将光纤的折射率分布相似地扩大的分布。对于纤芯11、21的半径以及相对折射率差八。_而言，优选在按照MFD取国际推荐中的8.6 9.5 μ m或者其周边值的方式来考虑内侧包覆层12、22的半径rin以及相对折射率差Ai。之间的关系的情况下适当设定。在将沟槽层13、23的内缘的半径设为rin、将沟槽层13、23的外缘的半径设为r-、将在沟槽层13、23中折射率最高的层15、25的内缘的半径设为rtmax时，以(rtmax — rin) /(rout - rin)表现的比值优选在0.7 0.9的范围内。另外，在(rtmax- rin) / Crout 一 rin) = 1.0的情况下，如图6所示，相对折射率差Δ t表示Λ tmin的通常的沟槽结构。另外，由于相对折射率差Λ越小则作为原料的SiF4的使用量越增大，所以通过设置沟槽外层的相对折射率差Λ tmax较大的结构，能够有效地降低原料费用。图4示出了在如图1所示沟槽层13由2层构成的情况下，rin/ rcore = 2.25,rout /rcore = 3.9、Aic = 0.0%> Atmin =— 0.5%> Atmax = -0.20%的情况下的 SiF4 使用量的变化的一例。此时的SiF4使用量基于玻璃中取入的F的量，不受堆积效率的影响。通过将(rtmax — rin) / (rout — rin)设为0.9以下，与通常沟槽结构相比能够将SiF4使用量降低约10%。通过将(rtmax —rin) / (!■她一巧一设为匕吕以下’与通常沟槽结构相比能够将SiF4使用量降低约20%以上。并且，在(rtmax — rin) / (rwt — rin) < 0.5时，与通常沟槽结构相比能够将SiF4使用量降低约50%以上，因此最优选。并且，在如上述的图3所例示的MCVD工序那样，连续进行积碳(soot)的堆积和玻璃化的工序中，由于堆积的玻璃因添加了原料F的气体而被蚀刻，所以存在堆积效率下降这样的问题。因此，SiF4使用量的降低效果大于图4所示的计算结果以上。另外，玻璃的F掺杂中使用的原料气体不限于SiF4,除此之外，也能够使用CF4、SF6, F2等或者包含上述原料气体中的I种以上的混合气体。由于这些含F气体价格高昂，所以通过与原料气体的种类无关地取沟槽外层的相对折射率差Atmax较大的结构，能够有效降低原料费用。并且，在上述的实施方式的光纤中，具有使高模迅速(即、即使条长是较短尺寸)衰减的优点。图5在如图1所示那样沟槽层13由2层构成的情况下，分别针对rin / rcore =
2.25、rout / rcore = 3.9、Λ ic = 0.0%、Atmin=- 0.5%, Atmax = — 0.15% 或者一0.18%或者一 0.20%的情况，不出了 2m和22m下的截止波长的差λ e2m — λ e22m相对于(rtmax —rin) / (rout — rin)的 依 赖性。在通常的沟槽结构亦即(rtmax — rin) / (rout — rin) = I的情况下，入。2-— λ 2π为148nm。另外，在具备不具有沟槽结构的单纯的纤芯-包覆结构的通常的SMF的情况下，λ e2ni — λ c22m是50nm左右。在上述的非专利文献I中，虽然示出了即使λε2ηι— λ —在150nm左右在实用上也没有问题，但是在考虑了较短尺寸下的使用的情况下，优选λ π— λ 2π尽可能短。根据图5可知,通过适当设定(rtmax — rin) / (rout — rin),能够在不使r = 5mm的弯曲损失劣化的情况下，减小λ 士一 λ c22m0如果(rtmax - rin) / (rout — rin)在0.8以下，贝丨J若将λ e2m —入e22m与通常沟槽结构相比设为IOnm左右，并且将(rtmax — rin) / (rout —rin)设为0.5以下，则能够将Ac2m- λ c22m缩短40nm左右。以下通过实施例具体说明本发明。(比较例I) 在之后说明的各实施例中，为了相互比较实施例，使出了以以往的沟槽结构制作出的光纤的例子。图6示意性示出了以往的沟槽结构的光纤的折射率分布。该光纤具备配置于中心部的纤芯1、配置于纤芯I的周围并具有比纤芯I低的折射率的内侧包覆层2、配置于内侧包覆层2的外周部的沟槽层3、配置于沟槽层13的外周部的最外层包覆层4。作为将最外层包覆层4的折射率作为基准的相对折射率差，将纤芯I的相对折射率差设为八。_，将内侧包覆层2的相对折射率差设为Ai。，将沟槽层3的相对折射率差设为At，将纤芯I的半径设为w将沟槽层3的内缘的半径设为rln,将沟槽层3的外缘的半径设为rwto
比较例I中的各参数的数值表示在表I中，特性表示在表2中。另外，在表3中示出了波长1550nm以及1625nm下的各种弯曲半径的弯曲损失(dB / turn)。表I
权利要求
1.一种光纤，其特征在于，具备: 设置于中心部的纤芯； 内侧包覆层，其设置于所述纤芯的周围，并具有比所述纤芯的折射率低的折射率；沟槽层，其设置于所述内侧包覆层的外周部，并由具有不同折射率的2个以上的层构成；和 最外层包覆层，其设置于所述沟槽层的外周部， 在所述沟槽层中，折射率最高的层构成所述沟槽层的最外层， 作为将所述最外层包覆层的折射率作为基准的相对折射率差，将纤芯的相对折射率差设为八。_，将内侧包覆层的相对折射率差设为Ai。，将在沟槽层中折射率最高的层的相对折射率差设为，将在沟槽层中折射率最低的层的相对折射率差设为Atmin, 在将沟槽层的内缘的半径设为rin，将沟槽层的外缘的半径设为Irat，将在沟槽层中折射率最高的层的内缘的半径设为rtmax时，满足如下的关系: Δ > Δ.> Δ t > At., coreictmaxtmmJ -0.15%^ Atmax > Atmin ≥一0.7%，以及 0.45 ≤ Crtmax — rin) / (rout — rin)≤ 0.9。
2.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于， 在所 述沟槽层中，满足如下的关系: -0.40%^ Atniin ≥一0.50%，以及 —0.15%^ Atmax ≥一0.25%。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的光纤，其特征在于， 在所述沟槽层中，满足如下的关系:0.7 ^ Crtmax — rin) / (rout — rin)≤ 0.9。
4.根据权利要求1或者权利要求2所述的光纤，其特征在于， 在所述沟槽层中，满足如下的关系:0.7 ^ Crtmax — rin) / (rout — rin)≤ 0.8。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的光纤，其特征在于，在所述沟槽层中，折射率最低的层构成所述沟槽层的最内层。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的光纤，其特征在于， 所述最外层包覆层由纯石英玻璃形成，所述沟槽层由添加有氟的石英玻璃形成。
全文摘要
本发明涉及光纤。对于该光纤而言，作为将最外层包覆层(14)的折射率作为基准的相对折射率差，将纤芯(11)的相对折射率差设为Δcore，将内侧包覆层(12)的相对折射率差设为Δic，将在沟槽层(13)中折射率最高的层的相对折射率差设为Δtmax，将在沟槽层(13)中折射率最低的层的相对折射率差设为Δtmin，在将沟槽层(13)的内缘的半径设为rin，将沟槽层(13)的外缘的半径设为rout，将在沟槽层(13)中折射率最高的层的内缘的半径设为rtmax时，满足如下关系Δcore＞Δic＞Δtmax＞Δtmin，－0.15％≥Δtmax＞Δtmin≥－0.7％，以及，0.45≤(rtmax－rin)／(rout－rin)≤0.9。
文档编号G02B6/036GK103250079SQ201280004025
公开日2013年8月14日 申请日期2012年7月4日 优先权日2011年7月4日
发明者佐藤守, 松尾昌一郎 申请人:株式会社藤仓