放大成像光学单元和包含该成像光学单元的测量系统的制作方法与工艺

放大成像光学单元和包含该成像光学单元的测量系统通过引用将德国专利申请DE102011003302.5的内容并入于此。技术领域本发明涉及放大成像光学单元，并且涉及包含该成像光学单元的测量系统。

背景技术：
从DE10220815A1中已知，引言中提及类型的放大成像光学单元用于微光刻的掩模的特性的效应的模拟和分析。从US6,894,834B2、WO2006/0069725A1、US5,071,240、US7,623,620、US2008/0175349A1和WO2010/148293A2已知其它成像光学单元。

技术实现要素：
本发明的目的是开发引言中提及类型的成像光学单元，使得尤其是针对给定的成像比例，考虑对成像光学单元的紧凑性和传输率的增加的需求。根据本发明的第一方面，利用如下的成像光学单元来实现该目的，该成像光学单元为一放大成像光学单元，包含至多四个反射镜，其经由成像光束路径将物平面中的物场成像至像平面中的像场中，所述成像光束路径在所述成像光束路径中相邻的反射镜之间具有成像部分光线，其中，所述光学单元被设计为使得所述成像光束路径中的第二个反射镜和所述成像光束路径中的第三个反射镜之间的第一成像部分光线，以及所述成像光束路径中的所述第三个反射镜之后的第二成像部分光线分别通过所述成像光束路径中的第一个反射镜的镜体中的至少一个通口。根据本发明的第二方面，利用如下的成像光学单元来实现该目的，该成像光学单元为一放大成像光学单元，包含至多四个反射镜，其经由成像光束路径将物平面中的物场成像至像平面中的像场中；具有至多为1300mm的结构长度T；具有所述结构长度T和成像比例β的、小于1.5mm的比率T/β；具有在所述物平面的法线和中心物场点的主光线之间的、至少6°的物方主光线角度α。根据本发明，已经认识到在成像光束路径中的第二个和第三个反射镜之间以及第三个和第四个反射镜之间的两个成像部分光线通过第一个反射镜的反射镜体时，能够实现成像光学单元的紧凑设计，然而，其中在成像光束路径中的最后一个反射镜仍可占据离像场较大距离的位置。在替代实施例中，仅在成像光束路径中的第二个反射镜和成像光束路径中的第三个反射镜之间的成像部分光线可通过成像光束路径中的第一个反射镜的镜体中的至少一个通口(passageopening)。通口可为通孔或可为在第一个反射镜M1中的边缘侧面凹槽(edgesiderecess)。因此，可实现具有大像方顶点焦距或大像方后焦距以及相应的大成像比例的系统。尤其是在成像光学单元用于在5nm和30nm之间的波长范围的EUV辐射时，包含至多四个反射镜的设计确保低的反射损失。亦可将成像光学单元的反射镜上的入射角保持得较小，这对具有优化的反射率的反射镜的设计是有利的。第二成像部分光线可在成像光束路径中的第三个反射镜和第四个反射镜之间传播。成像光学单元可正好具有三个反射镜。在该情况下，第二成像部分光线可在成像光束路径中的第三个反射镜和像场之间传播。成像光学单元可为反射光学装置。只要第一和第二成像部分光线通过在第一个反射镜的镜体中的同一通口，则可使用相对少的费用来制造第一个反射镜。第一个反射镜中分离的通口用于成像部分光线通过也是可以的，这可使得第一个反射镜上的反射区域由于通口导致损失较低，以及因此使得第一个反射镜的反射损失较低。优选地，所述光学单元被设计为使得在所述成像光束路径中的第四个反射镜和所述像场之间的第三成像部分光线通过所述成像光束路径中的所述第一个反射镜的所述镜体。设计这样的光学单元允许甚至更紧凑的设计。优选地，所述通口在所述成像光束路径中至少按部分地被所述反射镜之一遮蔽。如此遮蔽（shade）第一个反射镜的镜体中的通口降低或避免该至少一个通口导致的附加遮拦（obscuration）。对于在第一个反射镜中提供多个通口的情形，可将成像光学单元设计为使得通口的至少一个在成像光束路径中至少按部分地（insections）被反射镜之一遮蔽。根据另一方面，成像光学单元的结构长度T和成像比例β之间的比率T/β同样确保成像光学单元的紧凑实施例。结构长度可为1439mm，可为1300mm，可为1227mm，可为1093mm，可为1010mm，可至多为1000mm，可为900mm，可为878mm，可至多为800mm，可为741mm，以及可为700mm。结构长度和成像比例的比率T/β可小于1.6mm，可为1.502mm，可为1.44mm，可小于1.2mm，可为1.17mm，可小于1.1mm，可小于1.0mm，可为0.98mm，可为0.94mm，可小于0.9mm，以及可为0.87mm。取决于相应实施例，可实现其他的比率T/β。成像比例可大于500，大于700，可为711，可为750，可大于800，以及可为850。至少6°的物方主光线角度α使得能够在成像光学单元的组件和照明光学单元的组件不彼此干扰的情况下成像反射物体(reflectiveobject)。替代地，物平面的法线和中心物场点的主光线之间的物方主光线角度α可小于1°。可针对暗场(darkfield)照明和/或明场照明来优化用于本发明的另一方面的这些替代的主光线角度。依赖于主光线角度，反射掩模母版（reticle）的检查，或者透射掩模母版的检查，例如相移掩模的检查是可能的。至少0.2的物方数值孔径允许大的成像比例。此外，依赖于照明光学单元的设计，为了照明物体，允许不同的照明几何形状，例如暗场或明场照明。尤其是在检查投射曝光（特别是EUV投射曝光）中的光刻掩模时，具有至少40μmx200μm的尺寸的物场适合于将被检查的表面。物场可为矩形。物场可具有100μmx300μm、100μmx400μm、或100μmx200μm的尺寸。至多为500mλ的RMS(均方根)波前像差和/或至多为63μm的畸变导致足够用于尤其是使用CCD阵列的物体检查的像差校正。波前像差(RMS)可为465mλ，可至多为250mλ，可为216mλ，可至多为31mλ，可至多为30mλ，至多25mλ，可为22mλ，可至多为20mλ，可至多为10mλ，可为6mλ，以及甚至可仅为2mλ。最大畸变可为63.8μm，可至多为50μm，可至多为25μm，可至多为15μm，可为12.3μm，可至多为1500nm，可为1000nm，可为500nm，可为400nm，可为300nm，可为150nm，以及甚至可仅为40nm。依赖于相应实施例，可实现其他的物方数值孔径，其他的物场尺寸以及其他的RMS波前像差。对于第一方面，优选地，在所述物平面的法线和中心物场点的主光线之间的物方主光线角度α小于1°，或者在所述物平面的法线和中心物场点的主光线之间的物方主光线角度α至少为6°，可针对暗场照明和/或明场照明优化其中的主光线角度。依赖于主光线角度，反射掩模母版的检查，或者透射掩模母版的检查，例如相移掩模的检查是可能的。依赖于用于照明物场的照明光学单元的构造，可以在结构空间方面优化的方式来规定如下两种替代实施例的成像光学单元的构造。第一，所述中心物场点的主光线在所述成像光束路径中的所述第一个反射镜上的照射点、以及所述中心物场点的主光线在所述成像光束路径中的所述第四个反射镜上的照射点位于一平面的不同侧上，该平面垂直于所述成像光学单元的子午面，并且所述物平面的法线位于其中。第二，所述中心物场点的主光线在所述成像光束路径中的所述第一个反射镜上的照射点、以及所述中心物场点的主光线在所述成像光束路径中的所述第四个反射镜上的照射点位于一平面的相同侧上，该平面垂直于所述成像光学单元的子午面，并且所述物平面的法线位于其中。成像光学单元的这些构造产生相应的自由空间，其中可容纳照明光学单元的组件。至少两个成像部分光线通过的孔径光阑限定成像光束路径。可以能够偏心的方式来构造孔径光阑，用于主光线角度的变化。此外，孔径光阑可构造为具有可改变的直径，用于物方数值孔径的变化。三条成像部分光线、四条成像部分光线或者甚至五条成像部分光线或部分光束可通过孔径。在进行光学设计时，在所述物场和所述像场之间的所述成像光束路径中的至少两个中间像平面增加了自由度。特别地，这可用于使得在最后一个反射镜和像场之间的、在第一个反射镜水平（level）处的成像光部分光线也能够被紧凑地构造，从而也可为该成像光部分光线提供第一个反射镜中的通口。正好具有一个中间像或完全没有中间像的成像光学单元的构造也是可能的。本公开还提供了一种用于检查物体的测量系统，包含上述成像光学单元，包含用于照明所述物场的光源，以及包含检测所述像场的空间分辨检测装置。该测量系统的优点对应于在上文中参考成像光学单元已经说明的那些。可以提供CCD传感器，尤其是TDICCD传感器作为检测装置。上面说明的成像光学单元的特征也可以彼此组合的方式出现，并且可单独地构成上文未详细涉及的本发明的相应方面。附图说明下文参考附图更详细地说明本发明的示例实施例，其中：图1示意地示出了用于检查物体的测量系统，其中用于EUV投射光刻的反射掩模母版用作待检查的物体；图2以类似于图1的示图示出了测量系统的另一实施例，其中用于EUV投射光刻的透射掩模母版（例如相移掩模）用作待检查的物体；图3示出了穿过用于根据图1或2的测量系统中的放大成像光学单元的实施例的子午截面，其中成像光学单元用于光刻掩模（即掩模母版）对EUV投射光刻的投射曝光设备的投射光学单元中的光学成像的效应和特性的模拟以及分析，或者用于掩模缺陷的大面积检测；图4以曲线图示出了主光线畸变CRD对根据图3的成像光学单元的物场的场高y的依赖性，其中场高y在子午平面中延伸，并且与成像光学单元的光轴垂直，该子午平面与图3的图平面重合，其中用于移动待检查的掩模的扫描方向沿着y方向延伸；图5以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图6以类似于图4的示图，针对根据图5的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图7以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图8以类似于图4的示图，针对根据图7的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图9以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图10以类似于图4的示图，针对根据图9的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图11以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图12以类似于图4的示图，针对根据图11的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图13以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图14以类似于图4的示图，针对根据图13的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图15以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图16以类似于图4的示图，针对根据图15的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图17以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图18以类似于图4的示图，针对根据图17的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；图19以类似于图3的示图示出了成像光学单元的另一实施例；图20以类似于图4的示图，针对根据图19的成像光学单元示出了主光线畸变CRD对场高y的依赖性；以及图21至31以类似于图3的示图示出了成像光学单元的其它实施例。具体实施方式图1高示意性地示出了用于检查用于EUV投射光刻的掩模母版或光刻掩模形式的物体2的测量系统1。测量系统1，亦称为APMI(光化学图案掩模检查(ActinicPatternedMaskInspection))，尤其可用于检查掩模母版2上的缺陷和其对EUV投射光刻中的成像的效应。特别地，针对图案误差，可检查掩模母版2。借助于分析所谓的空间像(空间像测量系统，AIMS)，随后可检查图案误差。从DE10220815A1可知AIMS系统。测量系统1用于检查反射掩模母版2。为了便于表示位置关系，下文使用了笛卡尔xyz坐标系。图1中，x轴垂直于图平面并从平面向外延伸。y轴在图1中朝着右边延伸。z轴在图1中向上延伸。测量系统1具有EUV光源3，用于产生照明和成像光4。EUV光源可为等离子体源，即LPP源(激光产生的等离子体)，或GDP源(气体放电产生的等离子体)。EUV光源3也可为EUV激光器。EUV激光器例如可通过较长波长的激光辐射的倍频来实现。EUV光源3发出具有13.5nm的波长的可用照明和成像光4。考虑EUV光源3的相应设计，在5nm和100nm之间的范围内，尤其是在5nm和30nm之间的范围内的其他波长也可用于照明和成像光4。照明光学单元5用于从EUV光源3朝着物场6传输照明和成像光4，物场6中布置有反射掩模母版2的部分。具有例如500的高放大因子的成像光学单元7经由成像光束路径8将物场6成像至像场9中。CCD传感器10形式的空间分辨检测装置检测照明和成像光4在像场9上的强度分布。CCD传感器10的CCD芯片可实施为时间延迟和积分CCD芯片(时间延迟和积分电荷耦合器件，TDICCD)。TDICCD芯片尤其可用于检查移动通过物场6的掩模母版2。掩模母版2的移动方向可沿着y方向延伸。从物场6发出的照明和成像光4的照明和检测可以多种方式来进行。在根据图1的测量系统的情况中，例如以0.25的数值孔径NA来实现照明。依赖于实施例，成像光学单元7可完全或部分地捕获（capture）该数值孔径。假设是完美反射的掩模母版2，那么因此，从掩模母版2反射的照明和成像光4的全部或所述光的部分可由成像光学单元7所捕获。这种照明也称为明场照明。暗场照明也是可能的，其中由掩模母版2散射或衍射的照明和成像光4的部分由CCD传感器10检测。图2示出了用于检查掩模母版2的测量系统1的变型，掩模母版2对于照明和成像光4至少是部分透射的，例如相移掩模。与上文中参考图1而已经描述的组件对应的组件具有相同的参考符号，并将不再被详细描述。与根据图1的实施例相反，在根据图2的测量系统1的情况下，成像光学单元7不布置在照明和成像光4的反射光束路径的方向上，而是在透射通过掩模母版2的光束路径的方向上。在该情况下，依赖于照明光学单元5和/或成像光学单元7的实施例，明场或暗场照明也是可能的。图3示出了可用于图1或2中的测量系统1的成像光学单元7的实施例。与测量系统1的描述有关的上文中已经描述的组件具有相同的参考符号，并将不再被详细描述。关于根据图3的成像光学单元7的描述，以及关于成像光学单元的其它实施例的描述，也使用笛卡尔xyz坐标系统。图3中，x轴垂直于图平面并延伸向平面内。y轴在图3中向上延伸。z轴在图3中向右延伸。根据图3的成像光学单元7以750的放大因子将位于物平面11中的物场6成像至位于像平面12中的像场9中。为了显示成像光学单元7的成像光束路径8，图3示出了从在y方向上一个位于另一个上的五个物场点发出的主光线13和慧差（coma）光线14、15的路线。在物场6中，在y方向上的所述物场点之间的距离非常小，以至于所述距离在图中不能被分辨。这五个物场点成像为五个像场点，在图3中，该五个像场点在像场9中一个位于另一个上，由于高放大因子，在附图中该五个像场点被分离地分辨出。一方面，主光线13，以及另一方面，慧差光线14、15在下文中还被表示为成像光线。一方面，物场6，以及另一方面，像场9位于彼此分隔开的xy平面中。物场6在y方向上具有40μm的范围，并且在x方向上具有200μm的范围，即具有40x200μm2的场尺寸。物场6和像场9分别都是矩形的。主光线13在物场6和像场9之间的成像光束路径8中以主光线角度α从物场6发出，该主光线角度α相对于物平面11的中心物场点的法线16(在z方向上延伸)几乎为0°。由于该实际上为零的主光线角度α，即由于主光线13在掩模母版2上的几乎垂直的路线，在根据图2的测量系统1中，根据图3的成像光学单元7可用于暗场照明。主光线角度α小于1°。其他的主光线角度α，尤其是较大的主光线角度α是可能的。成像光学单元7的物场侧的数值孔径为NAO=0.25。在像平面12中，成像光线13至15分别在像场9的五个像场点之一处几乎垂直地与像平面12接触。与各个像场点关联的主光线13平行于彼此延伸。因此，根据图3的成像光学单元7在像方是远心的。在物场6和像场9之间的成像光束路径中，成像光学单元7正好具有四个反射镜，其在下文中按照其布置在成像光束路径中的顺序由M1、M2、M3和M4来表示。四个反射镜M1至M4构成彼此分离的四个光学组件。孔径光阑17布置在物场6和反射镜M1之间的光束路径中。孔径光阑17布置在根据图3的成像光学单元7的第一光瞳平面中，第一光瞳平面在物场6和反射镜M1之间。根据图3的成像光学单元7的第二光瞳平面位于成像光束路径8中反射镜M2和反射镜M3之间。将在物场6和像场9之间的光束路径中的第一个反射镜M1非球面地实现为凹的主反射镜，并且将其它反射镜M2至M4球面地实现。以凹形式来构造反射镜M2，以凸形式构造反射镜M3，并且以凹形式构造反射镜M4。图3示出了用于反射镜M1至M4的反射表面的数学建模的母表面(parentsurface)的横断曲线。在示出的截平面中实际上物理地存在反射镜M1至M4的反射表面的如下这些区域：即应用了慧差光线14、15以及在慧差光线14、15之间实际应用了成像辐射的区域。中间像18位于在反射镜M1和M2之间的成像光束路径中。针对13.5nm的工作波长，设计成像光学单元7。反射镜M1至M4具有涂层，该涂层对照明成像光4是高反射的，该涂层可被实施为多层涂层。第一成像部分光线19位于成像光束路径8中第二个反射镜M2和第三个反射镜M3之间。第二成像部分光线20位于成像光束路径8中第三个反射镜M3和第四个反射镜M4之间。两个成像部分光线19和20都通过成像光束路径8中的第一个反射镜M1的镜体22中的通口21。在图3中，仅示意地示出了在通口21附近的镜体22。两个成像部分光线19、20通过同一个通口21。通口21在成像光束路径8中完全被反射镜M2所遮蔽。这在图3中由两个虚线阴影线23示出，虚线阴影线23分别从物场6延伸至反射镜M1，并且其路线（course）由反射镜M2的遮蔽边缘限定。在物场6和第一个反射镜M1之间的成像部分光线24通过孔径光阑17，其中孔径光阑17限定成像部分光线24的边缘范围。此外，在反射镜M1和反射镜M2之间的成像光束路径8的另一成像部分光线25，以及第一成像部分光线19都通过孔径光阑17。借助于两个表，在下文中再现了根据图3的成像光学单元7的光学数据。在“半径”列中，第一个表示出了反射镜M1至M4各自的曲率半径。第三列(厚度)描述了各个情况中在z方向上离下游表面的距离。第二个表描述了反射镜M1的反射表面的准确的非球面表面形状，其中，应将常数K和A至E插入用于矢高(sagitta)的下式中：在该情况下，h表示离成像光学单元7的光轴（即法线16）的距离。因此，h2=x2+y2适用。“半径”的倒数被插入等式，为c。依赖于成像光学单元的实施例，结构长度T，即物平面11和像平面12之间的距离或成像光学单元7的在z方向上彼此离得最远的组件之间的距离，为878mm。关于结构长度T的该定义，物场6和像场9也是成像光学单元的组件。结构长度T和成像比例β的比率为878mm/750=1.17mm。最后一个反射镜M4和像场9之间的距离大于结构长度T的88%。图4以曲线图示出了单位为nm的主光线畸变CRD对根据图3的成像光学单元7的物场6的场高y的依赖性。畸变分布（profile）26近似为抛物线，其在场高y≈23μm处具有CRD≈-280nm的最小值。最大畸变值CRD≈360nm在场高y=0处实现。在另一场边缘，即在场高y=40μm处，畸变CRD≈125nm。因此，在物场6的整个y场高上，畸变CRD的绝对值小于400nm。因此，假定CCD传感器10的像素尺寸为10μmx10μm，则成像光学单元7被良好地校正。由于成像光学单元7关于光轴的旋转对称性，产生畸变CRD对x尺寸的相应依赖性。在成像光学单元7的情况下，可以衍射受限和无畸变的方式来校正测量系统1所需的集光度(etendue)(孔径×场尺寸)。参考图5和6，下文给出了成像光学单元的另一实施例27的描述，成像光学单元27可用于代替根据图3的成像光学单元7。与先前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元27具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的10°的物方主光线角度α。成像光学单元27可用于根据图1的测量系统1的反射掩模母版2的明场照明。假定在图5中示意地示出的照明光学单元5中选择适当小的照明孔径，则在掩模母版2处反射的照明成像光4的零级衍射未特别地被反射镜M2所遮蔽。成像光学单元27具有在物平面11和像平面12之间的800mm的结构长度T。在反射镜M4和物平面11之间的距离A大于结构长度T的38%。因此，在成像光学单元27的情况中，在物平面11附近存在足够的空间，用于照明光学单元5。在成像光学单元27的情况中，通口21也位于反射镜M2的遮蔽中。不同场点的主光线13发散地在成像光束路径8中、最后一个反射镜M4和像场9之间延伸。结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β在成像光学单元27的情况中为T/β=0.94mm。成像光学单元27具有0.24的物方数值孔径。成像光学单元27的物场6具有在y方向上的100μm的尺寸和在x方向上的300μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第四个反射镜M4上的照射点29位于平面30的不同侧上，该平面30垂直于成像光学单元27的子午平面(图5中的图平面)，并且法线16位于平面30中。因此，平面30被定义为垂直于子午平面并包含法线16的平面。平面30位于照射点28和29之间。在成像光学单元27的情况下，图6示出了相对于物场6的场高y的CRD分布31。在场高y=0的情况下，畸变值CRD≈-40nm。在场高y≈20μm的情况下，畸变值达到局部最大值CRD≈110nm。在场高y≈75μm的情况下，畸变值达到最小值CRD≈-225nm。在场高y=100μm处，畸变值达到全局最大值CRD≈175nm。因此，畸变的绝对值在整个y场高上小于250nm。借助于两个表，在下文中再现了根据图5的成像光学单元27的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。因此，在成像光学单元27的情况下，反射镜M1、M2和M4被实施为非球面反射镜。反射镜M3被实施为球面反射镜。参考图7和8，下文给出了成像光学单元的另一实施例32的描述，该成像光学单元32可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元32可用于根据图1的测量系统1，即用于检查反射掩模母版2。成像光学单元32的成像光束路径8类似于成像光学单元27的成像光束路径。与成像光学单元27相比，在物场6和反射镜M3之间，成像光学单元32的成像光束路径8可认为是关于平面30的镜像。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心物场点的主光线在成像光束路径8中的第四个反射镜M4上的照射点29位于平面30的相同侧上，因此，在成像光学单元32的情况下，对于照明光学单元5，第四个反射镜M4不是结构空间受限的，其在图7中示意地示出。在成像光学单元32的情况中，在反射镜M1的镜体22中实施了两个通口21a、21b，代替镜体22中的单个通口21。通过通口21a，在反射镜M2和M3之间的第一成像部分光线19通过镜体22。通过另一通口21b，在反射镜M3和M4之间的第二成像部分光线通过镜体22。通口21a由反射镜M2遮蔽。成像光部分光线24、25、19，以及附加的第二成像光部分光线20通过孔径光阑17。成像光学单元32具有741mm的结构长度T。反射镜M4和物平面11之间的距离A与结构长度T之间的比率为A/T≈0.28。在成像光学单元32的情况中，结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β为T/β=0.87mm。借助于两个表，在下文中再现了根据图7的成像光学单元32的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。图8示出了相对于场高y的主光线畸变CRD的分布33。原则上，根据图7的成像光学单元32的CRD分布33类似于根据图5的成像光学单元27的CRD分布31。在场高y=0的情况下，出现0μm的主光线畸变CRD。在场高y≈15μm的情况下，出现CRD≈700nm的主光线畸变的局部最大值。在场高y≈70μm的情况下，出现CRD≈-1400nm的主光线畸变的最小值。在场高y≈100μm的情况下，出现CRD≈1400nm的主光线畸变的全局最大值。主光线畸变绝对值在整个y场高上都不大于1500nm。参考图9和10，下文给出了成像光学单元的另一实施例34的描述，该成像光学单元34可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元34具有两个中间像，即除中间像18之外还有在反射镜M3和M4之间的成像光束路径中的另一中间像35。另一光瞳平面36位于第二中间像35和像场9之间，所述另一光瞳平面表示其中布置孔径光阑17的平面的像。与布置在成像光束路径8中、反射镜M4和像场9之间的光瞳平面36邻近，在反射镜M4和像场9之间的成像部分光线37具有比像场9的横向尺寸小的直径。成像部分光线37为第三成像部分光线，其通过成像光学单元34的反射镜M1的镜体22，并且因此亦称为第三成像部分光线37。与成像光学单元32的实施例相似，反射镜M1的镜体22具有两个通口21a、21b。第一成像部分光线19和第二成像部分光线20通过通口21a。第三成像部分光线37通过通口21b。通口21a完全由反射镜M2所遮蔽。由于通口21b的小直径，通口21b对成像光束路径8的附加遮拦小。成像光学单元34具有1227mm的结构长度T和850的放大率β。在成像光学单元34的情况下，比率T/β为1.44mm。成像光学单元34的物场在y方向上具有100μm的范围，并且在x方向上具有400μm的范围。反射镜M4和物平面11之间的距离A与结构长度T之间的比率为A/T=0.24。在成像光学单元34的情况下，主光线13在光瞳平面36和像场9之间发散地传播。由于成像光束路径在反射镜M4处被折返回反射镜M1的方向上，所以这导致在y方向上整体非常紧凑的成像光学单元34。因此，反射镜M1至M4、物场6、以及像场9的在y方向上彼此离得最远且被施加了成像辐射的点之间的距离B较小。在成像光学单元34的情况下，比率B/T为0.41。借助于两个表，在下文中再现了根据图9的成像光学单元34的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。图10示出了相对于成像光学单元34的物场6的场高y的主光线畸变分布或CRD分布38。原则上，该CRD分布类似于根据图6和8的分布，其中，与那些分布相比，CRD分布38在图10中的右手场边缘处再次降低至更小的绝对值。在场高y≈0的情况下，主光线畸变CRD≈-15nm。在场高y≈20μm的情况下，主光线畸变CRD≈30nm，并且在此有局部最大值。在场高y≈55μm的情况下，CRD分布38具有全局最小值CRD≈-18nm。在场高y≈90μm的情况下，CRD分布38具有全局最大值CRD≈40nm。在绝对值方面，主光线畸变在整个y场高中总是小于40nm。在成像光学单元34的情况下，照射点28、29再次位于平面30的不同侧上。参考图11和12，下文给出了成像光学单元的另一实施例39的描述，该成像光学单元39可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。与成像光学单元34相比，成像光学单元39的成像光束路径8的部分被关于平面30镜像，该相比方式与上文在根据图5和7的成像光学单元27和32的相比中说明的方式相似。在成像光学单元39的情况中，成像部分光线19和20通过反射镜M1的镜体22的通口21。成像部分光线37传播越过反射镜M1，即未通过反射镜M1的镜体22。成像光束路径8的所有成像部分光线24、25、19、20和37通过孔径光阑17。照射点28和29都位于平面30的相同侧上。成像光学单元39具有800mm的结构长度T和850的放大率β。在根据图5的成像光学单元27的情况中，比率T/β为0.94mm。借助于两个表，下文再现了根据图11的成像光学单元39的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。图12示出了成像光学单元39的相对于物场6的场高y的CRD分布40。在场高y≈0的情况下，畸变CRD≈5nm。在场高y≈30μm的情况下，畸变CRD≈-40nm，并在此具有局部最小值。在场高y≈80μm的情况下，畸变CRD≈150nm，并在此具有全局最大值。在场高y≈100μm的情况下，畸变CRD≈-60nm。在成像光学单元39的物场6的整个y场高上，主光线畸变CRD在绝对值方面小于150nm。参考图13和14，下文给出了成像光学单元的另一实施例41的描述，该成像光学单元41可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元41与根据图5的成像光学单元27的不同之处主要在于，反射镜M2以凸方式来实施，而第三个反射镜M3以凹方式来实施。在成像光学单元41的情况中，中间像18布置在反射镜M3和M4之间。反射镜M1和M2以非球面的方式来构造，而反射镜M3和M4以球面的方式来构造。成像光学单元41具有的物场6的尺寸在y方向上为100μm，而在x方向上为400μm。成像光学单元41具有850的放大因子(比例)。成像光学单元41具有800mm的结构长度T。比例T/β为0.93mm。物方主光线角度α为10°。借助于两个表，下文再现了根据图13的成像光学单元41的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。图14示出了成像光学单元41的相对于物场6的场高y的CRD分布42。在场高y≈0的情况下，畸变CRD≈170nm。在场高y≈65μm的情况下，畸变CRD≈-250nm，并在此具有全局最小值。在场高y≈110μm的情况下，畸变CRD≈170μm。在成像光学单元41的物场6的整个y场高上，主光线畸变CRD在绝对值方面小于260nm。参考图15和16，下文给出了成像光学单元的另一实施例43的描述，该成像光学单元43可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。与成像光学单元41相比，成像光学单元43的成像光束路径8的部分被关于平面30镜像，该相比方式与上文在根据图5和7的成像光学单元27和32的相比中说明的方式相似。成像光学单元43具有786mm的结构长度T和850的放大率β。比率T/β为0.92mm。借助于两个表，下文再现了根据图15的成像光学单元43的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。图16示出了成像光学单元43的相对于物场6的场高y的CRD分布44。该场高分布类似于根据图14的CRD分布42。在场高y≈0的情况下，畸变CRD≈200nm。在场高y≈70μm的情况下，畸变CRD≈-300nm，并在此具有全局最小值。在场高y≈100μm的情况下，畸变CRD≈250nm。在成像光学单元43的物场6的整个y场高上，主光线畸变CRD在绝对值方面小于330nm。参考图17和18，下文给出了成像光学单元的另一实施例45的描述，该成像光学单元45可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。在成像光学单元45的情况中，在成像光束路径8中，在物场6和像场9之间不存在中间像。反射镜M2和M3以凸的方式来构造。成像光学单元45具有1050mm的结构长度T和绝对值为850的放大率比例β。比率T/β为1.24mm。借助于两个表，下文再现了根据图17的成像光学单元45的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7。图18示出了成像光学单元45的相对物场6的场高y的CRD分布46。在场高y≈0的情况下，畸变CRD≈30μm。直到场高y≈10μm，畸变几乎保持不变。在进一步的分布中，畸变降低至值CRD≈-62μm。在成像光学单元45的物场6的整个y场高上，主光线畸变CRD在绝对值方面小于63μm。参考图19和20，下文给出了成像光学单元的另一实施例47的描述，该成像光学单元47可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。与根据图17的成像光学单元45相比，根据图19的成像光学单元47的成像光束路径8的部分被关于平面30镜像，该相比方式与上文在根据图5和7的成像光学单元27和32的相比中说明的方式相似。在成像光学单元47的情况中，反射镜M2、M3和M4构造为凸反射镜。成像光学单元47具有800mm的结构长度T和绝对值为850的放大率比例β。与成像光学单元27和39的情况中一样，比率T/β为0.94mm。借助于两个表，下文再现了根据图19的成像光学单元47的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7。图20示出了成像光学单元47的相对于物场6的场高y的CRD分布48。在场高y≈0的情况下，畸变CRD≈-10μm。在场高y≈65μm的情况下，畸变CRD≈12.5μm，并在此具有全局最大值。在场高y≈100μm的情况下，畸变CRD≈-10μm。在成像光学单元47的物场6的整个y场高上，主光线畸变CRD小于12.5μm。参考图21，下文给出了另一成像实施例光学单元49的描述，该成像光学单元49可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。与根据图3的成像光学单元7相比，根据图21的成像光学单元49具有成像光束路径8的成像光线在反射镜M3上的较小入射角度。成像光学单元49具有在物平面11和像平面12之间的1088mm的结构长度T。在反射镜M4和物平面之间的距离A大于结构长度T的17%。通口21位于反射镜M2的遮蔽中。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M4和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β在成像光学单元49的情况中为T/β=1.28mm。成像光学单元49具有0.25的物方数值孔径。成像光学单元49的物场6在y方向上具有106μm的尺寸，且在x方向上具有680μm的尺寸。借助于两个表，下文再现了根据图21的成像光学单元49的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。因此，在成像光学单元49的情况下，反射镜M1至M4都被实施为非球面反射镜。参考图22，下文给出了成像光学单元的另一实施例50的描述，该成像光学单元50可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元50为成像光学单元49的变型。成像光学单元50具有在光学平面11和像平面12之间的1000mm的结构长度T。在成像光学单元50的情况下，反射镜M2沿着x方向移动，使得反射镜M2不遮拦在物场6和反射镜M1之间的成像部分光线19。结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β在成像光学单元50的情况中为T/β=1.18mm。成像光学单元50具有0.24的物方数值孔径。成像光学单元50的物场6在y方向上具有106μm的尺寸，且在x方向上具有680μm的尺寸。借助于两个表，下文再现了根据图22的成像光学单元50的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。因此，在成像光学单元50的情况下，反射镜M1至M3被实施为非球面反射镜。反射镜M4被实施为球面反射镜。参考图23，下文给出了成像光学单元的另一实施例51的描述，该成像光学单元51可用于替代根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元51在物场6和像场9之间的成像光束路径8中精确地具有三个反射镜M1、M2和M3。像场9不是平面场，而是凹面弯曲的。成像光学单元51具有在物平面11和布置平面52之间的1010mm的结构长度T，该布置平面52平行于物平面11，并表示反射镜M3的位置。不同场点的主光线13成像光束路径8中、最后一个反射镜M3和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β在成像光学单元51的情况中为T/β=1.19mm。成像光学单元51具有0.24的物方数值孔径。成像光学单元51的物场6在y方向上具有212μm的尺寸，且在x方向上具有340μm的尺寸。借助于两个表，下文再现了根据图23的成像光学单元51的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元51的情况下，所有的反射镜M1至M3都被实施为非球面反射镜。此外，像场9是非球面弯曲的。参考图24，下文给出了成像光学单元的另一实施例53的描述，该成像光学单元53可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元53精确地具有三个反射镜M1至M3。反射镜M2为凸的。像场9为凹面弯曲的。成像光学单元53具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的10°的物方主光线角度α。成像光学单元53可用于根据图1的测量系统1的反射掩模母版2的明场照明，如参考根据图5和6的成像光学单元27而在上文中说明的。成像光学单元53具有在物平面11和反射镜M3的布置平面52之间的1093mm的结构长度T。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M3和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=850)的比率T/β在成像光学单元53的情况中为T/β=1.29mm。成像光学单元53具有0.24的物方数值孔径。成像光学单元53的物场6在y方向上具有212μm的尺寸，且在x方向上具有340μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心像场点54位于平面30的相同侧。借助于两个表，下文再现了根据图24的成像光学单元53的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元53的情况下，所有的反射镜M1至M3都被实施为非球面反射镜。此外，像场9为非球面弯曲的。参考图25，下文给出了成像光学单元的另一实施例55的描述，该成像光学单元55可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元55精确地具有三个反射镜M1至M3。像场9为凹面弯曲的。在成像光束路径中的第二个反射镜M2和第三个反射镜M3之间的成像部分光线19通过第一个反射镜M1的镜体22中的通口21。成像光学单元55具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的10°的物方主光线角度α。成像光学单元55可用于明场照明。成像光学单元55具有在物平面11和反射镜M3的布置平面52之间的1439mm的结构长度T。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M3和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=711)的比率T/β在成像光学单元55的情况中为T/β=2.02mm。成像光学单元55具有0.2的物方数值孔径。成像光学单元55的物场6在y方向上具有306μm的尺寸，且在x方向上具有408μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心像场点54位于平面30的不同侧。借助于两个表，下文再现根据图25的成像光学单元55的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元55的情况下，反射镜M1至M3被实施为非球面反射镜。此外，像场9为非球面弯曲的。参考图26，下文给出了成像光学单元的另一实施例56的描述，该成像光学单元56可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元56精确地具有未被遮拦的三个反射镜M1至M3。因此，反射镜M1至M3都不具有用于成像光通过的通孔。反射镜M1可具有用于成像部分光线19通过的边缘侧凹槽。像场9为凹面弯曲的。成像光学单元56具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的6°的物方主光线角度α。成像光学单元56可用于明场照明。成像光学单元56具有在物平面11和反射镜M3的布置平面52之间的1300mm的结构长度T。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M3和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=444)的比率T/β为T/β=2.93mm。成像光学单元56具有0.125的物方数值孔径。成像光学单元56的物场6在y方向上具有490μm的尺寸，且在x方向上具有652μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心像场点54位于平面30的相同侧。借助于两个表，下文再现了根据图26的成像光学单元56的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元56的情况下，反射镜M1至M3被实施为非球面反射镜。此外，像场9为非球面弯曲的。参考图27，下文给出了成像光学单元的另一实施例57的描述，该成像光学单元57可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元57对应于根据图25的成像光学单元55。区别在于成像光学单元57的反射镜M2是凹的。成像光学单元57具有在物平面11和反射镜M3的布置平面52之间的1068mm的结构长度T。结构长度T和成像比例β(β=711)的比率T/β在成像光学单元57的情况中为T/β=1.50mm。借助于两个表，下文再现了根据图27的成像光学单元57的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元57的情况中，反射镜M1至M3被实施为非球面反射镜。此外，像场9为非球面弯曲的。参考图28，下文给出了成像光学单元的另一实施例58的描述，该成像光学单元58可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元58精确地具有四个反射镜M1至M4。在成像光束路径8中的第二个反射镜M2和第三个反射镜M3之间的成像部分光线19通过成像光学单元58的第一个反射镜M1的镜体22中的通口21。成像光学单元58具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的10°的物方主光线角度α。成像光学单元58可用于明场照明。成像光学单元58具有在物平面11和像平面12之间的1300mm的结构长度T。在反射镜M4和物平面11之间的距离A大于结构长度T的38%。在成像光学单元58的情况中，在物平面11附近存在用于成像光学单元5的充足结构空间。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M3和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=711)的比率T/β在成像光学单元58的情况中为T/β=1.82mm。成像光学单元58具有0.2的物方数值孔径。成像光学单元58的物场6在y方向上具有306μm的尺寸，且在x方向上具有408μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第四个反射镜M4上的照射点29位于平面30的不同侧。借助于两个表，下文再现了根据图28的成像光学单元58的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。在成像光学单元58的情况中，所有的反射镜M1至M4都被实施为非球面反射镜。此外，像场9为平面的。参考图29，下文给出了成像光学单元的另一实施例59的描述，该成像光学单元59可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元59对应于图28的成像光学单元58。区别在于成像光学单元59的反射镜M4为球面的。借助于两个表，下文再现了根据图29的成像光学单元59的光学数据，该两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7。在成像光学单元59的情况中，反射镜M1至M3被实施为非球面反射镜。此外，像场9为平面的。参考图30，下文给出了成像光学单元的另一实施例60的描述，该成像光学单元60可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元60具有在物平面11的法线16和中心物场点的主光线13之间的10°的物方主光线角度α。成像光学单元60可用于明场照明。成像光学单元60具有在物平面11和像场9之间的1300mm的结构长度T。像平面12不平行于物平面11延伸。在成像光学单元60的成像光束路径8中，在反射镜M2和反射镜M3之间的成像部分光线19、在反射镜M3和反射镜M4之间的成像部分光线20、以及最后一个反射镜M4之间的成像部分光线37都以小的距离经过反射镜M1。依赖于反射镜M1的实际设计，在第一实施例中的该反射镜M1具有通口21，用于在成像光束路径中的第二个反射镜M2和第三个反射镜M3之间的成像部分光线19的通过，以及用于在成像光束路径中的第三个反射镜M3和第四个反射镜M4之间的成像部分光线20通过。这种通过在反射镜M1中可实现为通孔或边缘侧凹槽。不同场点的主光线13在成像光束路径8中、最后一个反射镜M4和像场9之间发散地传播。结构长度T和成像比例β(β=711)的比率T/β在成像光学单元60的情况中为T/β=1.82mm。成像光学单元60具有0.2的物方数值孔径。成像光学单元60的物场6在y方向上具有306μm的尺寸，且在x方向上具有408μm的尺寸。中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第一个反射镜M1上的照射点28、以及中心物场点的主光线13在成像光束路径8中的第四个反射镜M4上的照射点29位于平面30的相同侧。反射镜M3为具有非常低的非球面成分的平面。与其他的反射镜M1至M3相比，反射镜M4具有小的直径。与反射镜M2至M4相比，反射镜M1具有大的直径。借助于三个表，下文再现了根据图30的成像光学单元60的光学数据。前面的两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。第三个表示出了偏心参数。参数YDE为关于各个光学组件或场的表面的局部坐标系统的y偏心。参数ADE给出了关于各个光学组件或场的表面的局部坐标系统的x轴的倾斜角度。偏心类型BEN(偏心和弯曲)对应于以下事实：用于以下表面的描述的参考轴也在表面处被反射。偏心类型DAR(偏心和返回)对应于以下事实：只有该偏心的类型涉及的表面被偏心。用于以下表面的描述的参考轴保持不变。在成像光学单元60的情况中，反射镜M1至M4被实施为非球面反射镜。像场19为平面的。反射镜M3、M4以及还有像场为偏心及倾斜的。参考图31，下文给出了成像光学单元的另一实施例61的描述，该成像光学单元61可用于代替根据图3的成像光学单元7。与之前的图中已经说明过的组件和功能对应的组件和功能具有相同的参考符号，并将不再被详细讨论。相对于先前的示例实施例的差别在下文中得到说明。成像光学单元61对应于图30的成像光学单元60。成像光学单元61具有在物平面11和像场9之间的700mm的结构长度T。结构长度T和成像比例β(β=711)的比率T/β在成像光学单元61的情况中为T/β=0.98mm。成像光学单元61具有0.2的物方数值孔径。成像光学单元61的物场6在y方向上具有306μm的尺寸，且在x方向上具有408μm的尺寸。借助于三个表，下文再现了根据图31的成像光学单元61的光学数据。前面的两个表在结构上对应于根据图3的成像光学单元7的表。第三个表在结构上对应于根据图30的成像光学单元60的第三个表。在成像光学单元61的情况中，反射镜M1至M4被实施为非球面反射镜。反射镜M2再次几乎为平面的，具有非常低的非球面成分。像场9为平面的。反射镜M3、M4以及还有像场是偏心及倾斜的。在以下表中总结了成像光学单元的一些特征变量，即物方数值孔径NAO，场尺寸(即物场6的尺寸)，放大比例β，结构长度T，波前像差(rms)(单位为使用的波长λ)，以及最大畸变(以μm表示)，以及还有中心场点的物方主光线角度α。