通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片的制作方法
【专利摘要】本发明所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片50%Cut?on＝7550±200nm，50%Cut?off＝13900±400nm；7750～13400nm?Tavg≥85%；2000～7000nm、14500～19000nm?Tavg≤1%。
【专利说明】通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片
【技术领域】
[0001]本发明涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片。
【背景技术】
[0002]红外测温仪由光学系统、探测器、信号放大器及信号处理、显示输出等部分组成。光学系统汇聚其视场内的目标红外能量(热量)，视场的大小由测温仪的光学零件及其位置确定。红外能量聚焦在探测器上并转变为相应的电信号。该信号经过放大器和信号处理电路，并按照仪器内的算法和目标发射率校正后转变为被测目标的温度值。
[0003]红外测温仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的温度值，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量，保证红外测温仪的测温结果，用于测温和成像。
[0004]但是，目前的通过带为7550_13900nm的红外测温滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片。
[0006]为了达到上述目的，本发明所设计的通过带为7550_13900nm的红外测温滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:41 lnm厚度的Ge层、27 lnm厚度的ZnS层、356nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、187nm厚度的Ge层、346nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、293nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、289nm厚度的ZnS层、26 lnm厚度的Ge层、39 lnm厚度的ZnS层、180nm厚度的Ge层、23 lnm厚度的ZnS层、302nm厚度的Ge层、404nm厚度的ZnS层、353nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、259nm厚度的Ge层、310nm厚度的ZnS层、382nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、373nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、276nm厚度的Ge层、33 lnm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、57lnm厚度的ZnS层、281nm厚度的Ge层、751nm厚度的ZnS层、366nm厚度的Ge层、462nm厚度的ZnS层、439nm厚度的Ge层、806nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、963nm厚度的ZnS层、427nm厚度的Ge层、311nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、546nm厚度的Ge层和358nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge层、290nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、1953nm厚度的ZnS层、357nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、607nm厚度的Ge层、2262nm厚度的ZnS层、982nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、63 lnm厚度的ZnS层、1257nm厚度的Ge层、1587nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、558nm厚度的ZnS层、292nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、2315nm厚度的ZnS层、897nm厚度的Ge层、195nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、590nm厚度的ZnS层、1263nm厚度的Ge层、1976nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、298nm厚度的ZnS层、477nm厚度的Ge层和1175nm厚度的ZnS 层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
[0008]本发明所得到的通过带为7550_13900nm的红外测温滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片50%Cut on = 7550±200nm，50%Cutoff = 13900±400nm ;7750 ~13400nm Tavg≤ 85% ；2000 ~7000nm、14500 ~19000nmTavg ^ 1%。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图；
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
【具体实施方式】
[0011]下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
[0012]实施例1:
[0013]如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、ZnS为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge层、27lnm厚度的ZnS层、356nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、187nm厚度的Ge层、346nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、293nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、289nm厚度的ZnS层、261nm厚度的Ge层、39 lnm厚度的ZnS层、180nm厚度的Ge层、23 lnm厚度的ZnS层、302nm厚度的Ge层、404nm厚度的ZnS层、353nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、259nm厚度的Ge层、310nm厚度的ZnS层、382nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、373nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、276nm厚度的Ge层、33lnm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的ZnS层、281nm厚度的Ge层、751nm厚度的ZnS层、366nm厚度的Ge层、462nm厚度的ZnS层、439nm厚度的Ge层、806nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、963nm厚度的ZnS层、427nm厚度的Ge层、311nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、546nm厚度的Ge层和358nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge层、290nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、1953nm厚度的ZnS层、357nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、607nm厚度的Ge层、2262nm厚度的ZnS层、982nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、63 lnm厚度的ZnS层、1257nm厚度的Ge层、1587nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、558nm厚度的ZnS层、292nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、2315nm厚度的ZnS层、897nm厚度的Ge层、195nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、590nm厚度的ZnS层、1263nm厚度的Ge层、1976nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、298nm厚度的ZnS层、477nm厚度的Ge层和1175nm厚度的ZnS层。
【权利要求】
1.一种通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge层、271nm厚度的ZnS层、356nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、187nm厚度的Ge层、346nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、293nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、289nm厚度的ZnS层、26 lnm厚度的Ge层、39 lnm厚度的ZnS层、180nm厚度的Ge层、23 lnm厚度的ZnS层、302nm厚度的Ge层、404nm厚度的ZnS层、353nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、259nm厚度的Ge层、310nm厚度的ZnS层、382nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、373nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、276nm厚度的Ge层、33 lnm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、57 lnm厚度的ZnS层、28lnm厚度的Ge层、751nm厚度的ZnS层、366nm厚度的Ge层、462nm厚度的ZnS层、439nm厚度的Ge层、806nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、963nm厚度的ZnS层、427nm厚度的Ge层、311nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、546nm厚度的Ge层和358nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge层、290nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、1953nm厚度的ZnS层、357nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、607nm厚度的Ge层、2262nm厚度的ZnS层、982nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、63lnm厚度的ZnS层、1257nm厚度的Ge层、1587nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、558nm厚度的ZnS层、292nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、2315nm厚度的ZnS层、897nm厚度的Ge层、195nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、590nm厚度的ZnS层、1263nm厚度的Ge层、1976nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、298nm厚度的ZnS层、477nm厚度的Ge层和1175nm厚度的ZnS层。
【文档编号】G02B1/00GK103713347SQ201310631573
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】王继平, 吕晶, 余初旺 申请人:杭州麦乐克电子科技有限公司