通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片的制作方法
【专利摘要】本实用新型所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片50%Cut?on＝7.6±0.05um，50%Cut?off＝9.9±0.05um；1500～7100nm、10300～12000nm?T≤3%；8000～9500nm?T≥88%；7700～9700nm?Tavg≥90%。
【专利说明】通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片。
【背景技术】
[0002]红外测温仪由光学系统、探测器、信号放大器及信号处理、显示输出等部分组成。光学系统汇聚其视场内的目标红外能量(热量)，视场的大小由测温仪的光学零件及其位置确定。红外能量聚焦在探测器上并转变为相应的电信号。该信号经过放大器和信号处理电路，并按照仪器内的算法和目标发射率校正后转变为被测目标的温度值。
[0003]红外测温仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的温度值，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量，保证红外测温仪的测温结果，用于测温和成像。
[0004]但是，目前的通过带为7600_9900nm的红外测温滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型所设计的通过带为7600_9900nm的红外测温滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge层、250nm厚度的ZnS层、175nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、220nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、341nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、275nm厚度的ZnS层、188nm厚度的Ge层、344nm厚度的ZnS层、162nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、288nm厚度的ZnS层、282nm厚度的Ge层、335nm厚度的ZnS层、369nm厚度的Ge层、243nm厚度的ZnS层、285nm厚度的Ge层、354nm厚度的ZnS层、323nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、359nm厚度的Ge层、363nm厚度的ZnS层、16 Inm厚度的Ge层、693nm厚度的ZnS层、169nm厚度的Ge层、656nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、299nm厚度的Ge层、669nm厚度的ZnS层、317nm厚度的Ge层、602nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、783nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、739nm厚度的ZnS层、464nm厚度的Ge层和1078nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、1686nm厚度的ZnS层、98 Inm厚度的Ge层、283nm厚度的ZnS层、693nm厚度的Ge层、1795nm厚度的ZnS层、613nm厚度的Ge层、631nm厚度的ZnS层、1149nm厚度的Ge层、591nm厚度的ZnS层、760nm厚度的Ge层、304nm厚度的ZnS层、1225nm厚度的Ge层、59 Inm厚度的ZnS层、684nm厚度的Ge层、1786nm厚度的ZnS层、656nm厚度的Ge层、337nm厚度的ZnS层、922nm厚度的Ge层和720nm厚度的ZnS层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0008]本实用新型所得到的通过带为7600_9900nm的红外测温滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片50%Cut on = 7.6±0.05um, 50%Cutoff = 9.9±0.05um ；1500 ~7100nm、10300 ~12000nm T ≤ 3% ；8000 ~9500nm T ≥ 88% ；7700 ~9700nm Tavg ≥ 90%。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图；
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
【具体实施方式】
[0011]下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0012]实施例1:
[0013]如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片，包括以Ge为原材料的基板2，以Ge、ZnS为第一镀膜层I和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层I和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge层、250nm厚度的ZnS层、175nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、9Inm厚度的Ge层、220nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、341nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、275nm厚度的ZnS层、188nm厚度的Ge层、344nm厚度的ZnS层、162nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、288nm厚度的ZnS层、282nm厚度的Ge层、335nm厚度的ZnS层、369nm厚度的Ge层、243nm厚度的ZnS层、285nm厚度的Ge层、354nm厚度的ZnS层、323nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、359nm厚度的Ge层、363nm厚度的ZnS层、16 Inm厚度的Ge层、693nm厚度的ZnS层、169nm厚度的Ge层、656nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、299nm厚度的Ge层、669nm厚度的ZnS层、317nm厚度的Ge层、602nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、783nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、739nm厚度的ZnS层、464nm厚度的Ge层和1078nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、1686nm厚度的ZnS层、98 Inm厚度的Ge层、283nm厚度的ZnS层、693nm厚度的Ge层、1795nm厚度的ZnS层、613nm厚度的Ge层、631nm厚度的ZnS层、1149nm厚度的Ge层、591nm厚度的ZnS层、760nm厚度的Ge层、304nm厚度的ZnS层、1225nm厚度的Ge层、59 Inm厚度的ZnS层、684nm厚度的Ge层、1786nm厚度的ZnS层、656nm厚度的Ge层、337nm厚度的ZnS层、922nm厚度的Ge层和720nm厚度的ZnS层。
【权利要求】
1.一种通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge层、250nm厚度的ZnS层、175nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、9 Inm厚度的Ge层、220nm厚度的ZnS层、119nm厚度的Ge层、341nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、275nm厚度的ZnS层、188nm厚度的Ge层、344nm厚度的ZnS层、162nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、288nm厚度的ZnS层、282nm厚度的Ge层、335nm厚度的ZnS层、369nm厚度的Ge层、243nm厚度的ZnS层、285nm厚度的Ge层、354nm厚度的ZnS层、323nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、359nm厚度的Ge层、363nm厚度的ZnS层、16 Inm厚度的Ge层、693nm厚度的ZnS层、169nm厚度的Ge层、656nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、299nm厚度的Ge层、669nm厚度的ZnS层、317nm厚度的Ge层、602nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、783nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、739nm厚度的ZnS层、464nm厚度的Ge层和1078nm厚度的ZnS层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、1686nm厚度的ZnS层、981nm厚度的Ge层、283nm厚度的ZnS层、693nm厚度的Ge层、1795nm厚度的ZnS层、613nm厚度的Ge层、63 Inm厚度的ZnS层、1149nm厚度的Ge层、591nm厚度的ZnS层、760nm厚度的Ge层、304nm厚度的ZnS层、1225nm厚度的Ge层、59Inm厚度的ZnS层、684nm厚度的Ge层、1786nm厚度的ZnS层、656nm厚度的Ge层、337nm厚度的ZnS层、922nm厚度的Ge层和720nm厚度的ZnS层。
【文档编号】G02B5/20GK203551827SQ201320777889
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】王继平, 吕晶, 刘晶 申请人:杭州麦乐克电子科技有限公司