一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种带通滤光片，特别涉及一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片。
【背景技术】
[0002]带通滤光片是一种对某一波段具有高的透射率，而对其两端的波段高度截止的滤光片。中红外带通滤光片是在中红外波长范围内，在中心波长有较高的透过率，而在其余波段截止。其主要应用在红外光谱探测系统，在航天领域有非常重要的应用。随着空间红外技术的发展，对红外带通滤光片的波形要求也越来越高，需要能够有效滤除背景杂散信号，提高探测系统的信噪比。另外，除了对滤光片光学特性的高要求，在空间技术领域对红外滤光片膜层可靠性也有极高的要求，目前可供选择的红外滤光片膜层材料品种很少，在制备时仍有很大的难度。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为克服现有技术的不足，提供一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案:
[0005]—种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。
[0006]进一步的，所述基片为锗基片，所述基片厚度为0.3mm。
[0007]相对现有技术，本实用新型的有益效果为:
[0008]本实用新型中的红外带通滤光片，在工作波段4.1-5.2微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型一实施例所述的工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片的结构示意图。
[0010]图2为本实用新型一实施例所述的正面膜系透过率曲线图；
[0011]图3为本实用新型一实施例所述的反面膜系透过率曲线图；
[0012]图4为本实用新型一实施例所述的工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片的透过率曲线透过率曲线图。
[0013]附图标记
[0014]1-正面膜系；2-基片;3-背面膜系。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0016]一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系1、基片2和背面膜系3，所述正面膜系I由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层;所述背面膜系3由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。
[0017]所述基片2为锗基片，所述基片厚度为0.3mm，所述锗基片两面抛光，两个面上分别镀制正面膜系和反面膜系。
[0018]作为本实用新型的一实施例，正面膜系I中λ= 6.7μπι，Η为λο/4的锗膜层，L代表厚度为λο/4的一氧化娃层。
[0019]其中正面膜系I的主要构成如下:
[0020]0.2Η 0.096L 0.255Η 1.151L 1.079Η 1.02L 1.003Η 0.99L 0.989Η 0.982L
0.985Η 0.978L 0.985Η 0.977L 0.987Η 0.98L 0.991Η 0.986L 1.0OlH IL 1.028Η1.044L 1.074Η 0.536L
[0021]正面膜系I透过率曲线如图2所示。
[0022]反面膜系3中λ= 3.035μπι，Η为λο/4的锗膜层，L为代表厚度为λο/4的一氧化硅膜层。
[0023]反面膜系3的主要构成如下:
[0024]0.2Η 0.265L 1.436Η 0.545L 1.326Η 0.743L 1.109Η 0.966L 0.999Η 0.965L1.081Η 0.919L 1.029Η 0.86L 0.685Η 0.292L 0.628Η 0.753L 0.765Η 0.595L 0.283Η
0.792L 0.856Η 0.54L 0.676Η 0.24L 0.724Η 1.921L
[0025]反面膜系3透过率曲线如图3所述。
[0026]当正面膜系和反面膜系镀于基板上时，最终得到的中红外带通滤光片的透过率曲线如图4所示。
[0027]该滤光片在可见光-3.1m，绝对透过率<1.0%;
[0028]在3.8-3.9μπι范围内，透过率<5.0%;
[0029]在4.05-4.15μπι和在5.2-5.35μπι范围内，透过率=50 % ;
[0030]在4.35-4.85μπι范围内，绝对透过率2 90 % ;
[0031]在4.95口111处，透过率280%;
[0032]在5.4-6μπι范围内，透过率<5.0%。
[0033]本专利中的红外带通滤光片，在工作波段4.1-5.2微米内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
[0034]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，其特征在于包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层;所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层ο2.根据权利要求1所述工作波段为4100-5200mn的中红外带通滤光片，其特征在于所述基片为错基片，所述基片厚度为0.3 mm0
【专利摘要】本实用新型公开了一种工作波段为4100-5200nm的中红外带通滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共24层；所述背面膜系由一氧化硅层和锗膜层交替叠加组成，所述一氧化硅层和锗膜层共28层。本实用新型中的红外带通滤光片，在工作波段4100-5200nm内有高的透过率，而在其它波段高度截止。
【IPC分类】G02B5/20
【公开号】CN205374790
【申请号】CN201620082952
【发明人】周东平
【申请人】苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月28日