通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。
【背景技术】
[0002]红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
[0003]红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。
[0004]但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。
[0006]为了达到上述目的，本发明所设计的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、S1为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的3;10层;所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
[0008]本发明所得到的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性:丁 = 50%3650±5011111、4950±5011111;3750?485011111，丁&￥82 92%;3950?470011111，丁> 90% ;1500?3450nm、5200?7000nm，T< 1%。
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图。
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
[0011 ]图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
【具体实施方式】
[0012]下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
[0013]实施例1。
[0014]如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板2，以Ge、S1为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，其特征是所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的3;10层;所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、9 lnm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。
【主权项】
1.一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板(2)，以Ge、S1为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的S1层;所述的第二镀膜层⑶由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。
【专利摘要】本发明公开了一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性：T＝50％3650±50nm、4950±50nm；3750～4850nm，Tavg≥92％；3950～4700nm，T≥90％；1500～3450nm、5200～7000nm，T≤1％。
【IPC分类】G02B5/20
【公开号】CN105487154
【申请号】CN201511020326
【发明人】王继平, 吕晶, 胡伟琴
【申请人】杭州麦乐克电子科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月30日