中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片的制作方法
【专利摘要】本实用新型所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，其中心波长2700±5nm，其在航空尾气气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80％、带宽=200±20nm，1000～3500nm（除通带外），Tavg＜0.5%。
【专利说明】中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及航空尾气气体检测滤光片，尤其是一种中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片。
【背景技术】
[0002]红外滤光片过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体，也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性，只让长波长的红外线通过，滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域，目前对于航空尾气气体检测过程中所使用的滤光片存在的问题是透过率和截止区的信噪比不高，不能满足高精度的测量要求。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型所设计的中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:96nm厚度的Ge层、304nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、159nm厚度的SiO层、82nm厚度的Ge层、338nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、339nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、349nm厚度的SiO层、70nm厚度的Ge层、169nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、149nm厚度的Ge层、473nm厚度的SiO层、232nm厚度的Ge层、668nm厚度的SiO层、103nm厚度的Ge层和226nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、166nm厚度的SiO层、92nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、102nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层和150nm厚度的SiO层。
[0005]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0006]本实用新型所得到的中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，其中心波长2700 土 5nm，其在航空尾气气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80%、带宽=200±20nm，1000~3500nm (除通带外)，Tavg<0.5%。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是实施例整体结构示意图；
[0008]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
【具体实施方式】[0009]下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0010]实施例1:
[0011]如图1、图2所示，本实施例描述的中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，包括以Ge为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层I和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层I和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有:96nm厚度的Ge层、304nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、159nm厚度的SiO层、82nm厚度的Ge层、338nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、339nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、349nm厚度的SiO层、70nm厚度的Ge层、169nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、149nm厚度的Ge层、473nm厚度的SiO层、232nm厚度的Ge层、668nm厚度的SiO层、103nm厚度的Ge层和226nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、166nm厚度的SiO层、92nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、102nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层和150nm厚度的SiO层。
【权利要求】
1.一种中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片，包括以Ge为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:96nm厚度的Ge层、304nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、159nm厚度的SiO层、82nm厚度的Ge层、338nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、339nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、349nm厚度的SiO层、70nm厚度的Ge层、169nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、149nm厚度的Ge层、473nm厚度的SiO层、232nm厚度的Ge层、668nm厚度的SiO层、103nm厚度的Ge层和226nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge层、166nm厚度的SiO层、92nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、102nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层和150nm厚度的SiO层。
【文档编号】G02B5/20GK203551825SQ201320777866
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】王继平, 吕晶, 胡伟琴 申请人:杭州麦乐克电子科技有限公司