技术总结
本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。
技术研发人员：黄维;周源;杨涛;沈骁;李兴鳌;周馨慧;刘亚丽;何浩培;严怀成
受保护的技术使用者：南京邮电大学
文档号码：201410349829
技术研发日：2014.07.22
技术公布日：2017.03.22