光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法
【专利摘要】光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法。提供了一种光致抗蚀剂组合物，包括具有以下结构的重复单元的聚合物。除了该聚合物之外，光致抗蚀剂组合物包括选自光生酸剂、光生碱剂、光引发剂及其组合的光活性组分。
【专利说明】光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及包括芳香族聚缩醛和聚缩酮的光致抗蚀组合物。
【背景技术】
[0002] 聚（甲基丙烯酸酯）类和聚（羟基苯乙烯）类化学增强（amplified)光致抗蚀剂， 已经达到性能限度，该限度是由分辨率、线宽粗糙度和灵敏度的平衡三角形（RLS平衡）限 定的。对下面情况存在经验证据：通过改变配方来提高一个主要的性能（例如灵敏度）的 努力会降低三角形剩余性能的一个或两个（例如，线边缘粗糙度和分辨度）。这个效应限制 了在高分辨度光刻法（包括使用远紫外（EUV)和电子束辐射源的光刻法）中可实现的特征 尺寸。
[0003] 一种突破与聚（甲基丙烯酸酯）类和聚（羟基苯乙烯）类化学增强光致抗蚀剂有 关的PLS平衡的方式是提供一种在曝光于入射辐照和后曝光烘烤时聚合物主链断链的聚 合物。
【发明内容】
[0004] -个实施方案是一种光致抗蚀剂组合物，包括：包括多个具有以下结构的重复单 元的聚合物
【权利要求】
1. 一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包括： 包括多个具有以下结构的重复单元的聚合物
其中，R1和R2的每次出现独立地是氢、未取代或取代的Cp18直链或支链烷基、未取代或 取代的C3_18环烷基、未取代或取代的C6_18芳基、或未取代或取代的C 3_18杂芳基；并且，R1和 R2任选地以共价键彼此键合以形成包括-R1-C-R2-的环；Ar 1、Ar2和Ar3的每次出现独立地 是未取代或取代的C6_18亚芳基，或者未取代或取代的C3_18杂亚芳基；和， 选自光生酸剂、光生碱剂、光引发剂及其组合的光活性组分。
2. 根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 现被至少一个选自羟基、缩醛、缩酮、酯和内酯的官能团所取代。
3. 根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 现被至少一个羟基所取代。
4. 根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中，R1、R2、Ar1、Ar 2或Ar3的至少一次出 现被至少一个叔酯所取代。
5. 根据权利要求1-4任一项所述的光致抗蚀组合物，其中Ar^Ar2和Ar3的每次出现独 立地是1，3-亚苯基或1，4-亚苯基。
6. 根据权利要求1-5任一项所述的光致抗蚀组合物，其中Ar1和Ar2彼此不共价连接 以形成包括-Ar1-O-C-O-Ar2-的环结构。
7. 根据权利要求1-6任一项所述的光致抗蚀组合物，其中R1的每次出现是氢；和 R2的每次出现是未取代或取代的苯基。
8. 根据权利要求1-6任一项所述的光致抗蚀组合物，其中R1的每次出现是氢；和 R2的每次出现是苯基、羟苯基、邻-甲氧基苯基、间-甲氧基苯基或对-甲氧基苯基。
9. 一种涂覆的基材，所述涂覆的基材包括：(a)在其表面上具有一个或多个要被图案 化的层的基材；和（b)在所述的一个或多个要被图案化的层上的权利要求1-8任一项所述 的光致抗蚀剂组合物的层。
10. -种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)将权利要求1-8任一项所述的光致 抗蚀剂组合物的层施加到基材上；(b)将光致抗蚀剂组合物层图案化曝光于活化辐射；（C) 将曝光的光致抗蚀剂组合物层显影，以提供抗蚀剂浮雕图像，和（d)将抗蚀剂浮雕图像蚀 刻入下面的基材中。
【文档编号】G03F7/039GK104330956SQ201410445524
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2013年7月16日
【发明者】M·S·奥伯, V·简恩, J·B·艾坦内 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司, 陶氏环球技术有限公司