一种微偏振片阵列及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种微偏振片阵列的制作方法，所述方法为：在衬底上镀一层金属薄膜层；在金属薄膜层上镀一层SiNx薄膜作为硬掩模；在所述SiNx薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并烘烤；通过电子束直写曝光并显影得到光刻胶在纳米尺度上的微偏振片阵列图形；采用电感耦合等离子体刻蚀SiNx薄膜层，将所述微偏振片阵列图形转移到SiNx薄膜层上；去除残余的光刻胶层；以SiNx薄膜层为硬掩模，采用电感耦合等离子体工艺刻蚀所述金属薄膜层，得到所述微偏振片阵列。制作得到的微偏振片阵列均匀一致、边缘光滑，偏振效果和消光比表现优异，能够一次性形成多个不同偏振方向的微偏振片阵列。
【专利说明】一种微偏振片阵列及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于衍射光学元件制作【技术领域】，涉及微偏振片阵列及其制作方法，尤其涉及一种基于硬掩模技术的微偏振片阵列的制作方法。
【背景技术】
[0002]微偏振片阵列是一种用于测量光线透过不同方向的偏振片后各个偏振方向的光强的器件，将偏振片阵列与图像传感器像素一一对应并集成后，使用图像传感器(例如数码相机)采集包含由该微偏振片阵列获得的各偏振分量的图像，可以进行实时相移分析。微偏振片阵列在干涉光的实时相移、微弱可见光图像增强、红外目标识别等领域有广泛的应用潜力。
[0003]CN 103048268A公开了一种基于微偏振片阵列的数字电子剪切散斑干涉仪，包括激光器、位于激光器出射光束光路上的扩束镜和被测物体；还包括位于从被测物体表面反射的光束的光路上且用于得到偏振方向相互垂直的两束相干线偏振光的剪切器、设置从剪切器出射的光束的光路上的微偏振片阵列、与微偏振片阵列相连的感光元件和与感光元件相连的用于对感光元件采集的信号进行传输和处理的处理设备。所述数字电子剪切散斑干涉仪详细阐述了微偏振片阵列的工作原理，但该专利申请并未涉及微偏振片阵列的制作这一技术难题。
[0004]CN 103969840A公开了基于金属纳米光栅的单层微偏振片阵列及其制备方法。该单层微偏振片阵列包括:高透光性的基底和基底上的金属纳米光栅，其中:所述金属纳米光栅在所述基底上排列的方向并不完全相同，具有相同排列方向的相邻金属纳米线组成的光栅为一个微偏振片，每个微偏振片的尺寸与感光元件芯片的像素尺寸相同。该专利激光干涉4次曝光方法、3次套刻在S12硬掩模上形成具有4个不同偏振方向的偏振片阵列图形，工艺复杂，且制作的偏振片阵列形貌差，偏振性能差。
[0005]CN 103760681A公开了一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法，所述制备方法简单可行，通过单次曝光显影即可形成多个不同偏振方向的微偏振片阵列；所述方法制作的微偏振片阵列的偏振性能高。但该方法中使用光刻胶作为刻蚀金属纳米光栅的掩模，一方面，刻蚀过程中，随着光刻胶逐步减少，刻蚀的金属纳米光栅的截面轮廓不再陡直，如图1所示(图1为现有技术中使用光刻胶作掩模得到的金属纳米光栅的截面图)，影响了偏振片的阵列性能；另一方面，受光栅线宽的限制，光刻胶的厚度不能太大，考虑到刻蚀选择比，金属层的容许厚度受到工艺本身的限制不能过大，影响了偏振片阵列的消光性和信噪比。
[0006]因此，本领域亟待开发一种能够突破对金属层厚度限制的微偏振片阵列的制作方法，该方法制作得到的微偏振片刻蚀选择比高，金属膜厚，消光性和信噪比表现良好。
【发明内容】
[0007]针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种微偏振片阵列及其制作方法。本发明提供的微偏振片阵列的制作方法突破了对金属层厚度限制，获得了较高的刻蚀选择比，金属膜厚度高达250nm时也能获得良好的消光性和信噪比。
[0008]本发明目的之一是提供一种微偏振片阵列的制作方法，所述方法包括如下步骤:
[0009](I)在衬底上镀一层金属薄膜层，并干燥处理；
[0010](2)在金属薄膜层上镀一层SiNx薄膜作为后续刻蚀的硬掩模；
[0011](3)在所述SiNx薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并烘烤；
[0012](4)在所述光刻胶层上通过电子束直写曝光并显影得到光刻胶在纳米尺度上的微偏振片阵列图形；
[0013](5)以带有所述微偏振片阵列图形的光刻胶层为掩模，采用电感耦合等离子体刻蚀所述SiNx薄膜层，将所述微偏振片阵列图形转移到SiNj^膜层上；
[0014](6)去除残余的光刻胶层；
[0015](7)以带有所述微偏振片阵列图形的31队薄膜层为硬掩模，采用电感耦合等离子体工艺刻蚀所述金属薄膜层，得到所述微偏振片阵列；
[0016]其中，所述SiNx&可以由S12替代，以S12薄膜层作硬掩模。
[0017]本发明使用SiNx薄膜或S12薄膜作为硬掩模刻蚀金属层，替代现有技术CN103760681A中的光刻胶掩模，提高了刻蚀选择比，增加了金属膜层的厚度，提高了偏振片的消光性和信噪比；另外，由于是硬掩膜，光栅截面陡直，如图2(图2为本申请中使用硬掩模得到的金属纳米光栅的截面图)所示，解决了使用光刻胶作掩模时，光栅截面轮廓不陡直的问题，提高了微偏振片的阵列性能。
[0018]本发明对于衬底的选择不做具体限定，任何能够用作微偏振片的衬底均可用于本发明。作为优选，本发明所述衬底选自透明材料，优选自玻璃、二氧化硅或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意I种。
[0019]本发明对于金属薄膜层的金属的选择也不做具体限定，任何能够用作微偏振片的金属均可用于本发明。作为优选，本发明所述金属选自铝、金或铬中的任意I种；
[0020]本发明所述金属薄膜层的厚度可以根据消光要求确定，一般为100?250nm，例如103nm、115nm、130nm、150nm、175nm、190nm、205nm、230nm 或 245nm 等，优选大于 150nm 小于等于 250nmo
[0021]本发明步骤(I)所述金属薄膜层的形成方法有很多种，本发明优选溅射工艺或电子束蒸发工艺在衬底上镀制形成。溅射工艺和电子束蒸发工艺是本领域的公知技术，本领域技术人员可以根据掌握的【背景技术】和实际情况进行操作，本发明不再赘述。
[0022]本发明需要洁净无污染的衬底，即需要清除衬底表面的各种附着物。优选地，本发明所述衬底经过清洗后使用，所采用的清洗工艺方法是本领域技术人员公知的。比如，可使用去离子水和/或乙醇等清洗，本发明不再赘述。
[0023]本发明所述硬掩膜，根据其与金属膜的刻蚀选择比和金属膜的厚度而定。
[0024]因此，硬掩膜，即3丨队薄膜层或3;[02薄膜层的厚度为50?150nm，例如60nm、75nm、90nm、lOOnm、115nm、120nm、135nm、141nm 或 147nm 等。
[0025]本发明所述51队薄膜层或S1 2薄膜层采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)生长形成。所述ICPECVD技术是本领域的公知技术，本领域技术人员可以通过查阅文献和实际情况选择合适的操作条件，此处不再赘述。
[0026]本发明所述光刻胶的选择不做具体限定，任何本领域技术人员能够获得的已知的或者新的光刻胶均可用于本发明，优选本发明所述光刻胶选自ZEP 520A和/或SX AR-P6200。所述光刻胶ZEP 520A典型商购来源为日本丸红公司；所述光刻胶SX AR-P 6200的典型商购来源为德国Allresist公司。
[0027]本发明所述光刻胶层的厚度，根据微偏振片阵列图形周期(如140nm周期，线宽70nm)稳定性和硬掩模(SiNJ^膜层或S1 2薄膜层)的厚度而定。
[0028]—般所述光刻胶层的厚度在150?250nm范围内即可，比如155nm、160nm、175nm、180nm、190nm、205nm、228nm、246nm或248nm等。光刻胶厚度太薄，光刻胶刻蚀阵列图形后，线条容易倒塌；光刻胶厚度太厚，影响对硬掩膜的刻蚀，阵列图形无法完全转移至硬掩膜上。
[0029]本发明步骤(I)所述干燥处理有多种方法均能适用，比如最简单的处理方法是自然干燥，但是为取得更好的干燥效果本发明采用热板或烘箱烘烤。
[0030]作为优选，所述烘烤干燥温度为120?220°C，例如122°C、125°C、130°C、150°C、180°C、185°C、195°C、208°C、212°C或 215°C等，烘烤干燥时间优选 2 ?60min，例如 3min、5min、8min、10min、20min、30min、40min、50min、55min 或 59min 等。
[0031]优选地，步骤(3)所述烘烤为采用热板或烘箱烘烤；所述烘烤温度优选120?220°C，例如为 130°C、170°C、185°C、190°C、198°C、215°C等；热板烘烤时间优选 I ?1min,例如为lmin、1.5min、2.25min、3min、3.75min等，优选2min ;烘箱烘烤的时间为1min以上，例如为 12min、15min、21min、30min、45min、55min、70min、85min 等，优选 10 ?60mino
[0032]本发明所述微偏振片阵列图形为多个偏振方向的图形，优选为0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形。
[0033]所述微偏振片阵列图形阵列单元的尺寸与图像传感器的像素尺寸相同。
[0034]步骤(5)所述刻蚀为采用氟基气体进行刻蚀。所述氟基气体是指含有氟元素的气体，比如CHF3、5?6或CF 4等，此外还可以含有He、Ar和N 2等惰性气体和/或O 2等。
[0035]优选地，步骤(6)所述残余的光刻胶层的去除，采用在除胶液中超声去除，或者采用O2等离子体去除；所述除胶液优选丁酮；
[0036]优选地，步骤(7)所述刻蚀采用氯基气体进行刻蚀。所述氯基气体是指含有氯元素的气体，比如(:12或BCl 3等，此外还可以含有He、Ar和N2等惰性气体和/或O2等。刻蚀后优选用去离子水清洗残留的氯基气体，，以防止氯基气体对金属薄膜层的进一步腐蚀。
[0037]本发明还提供了由目的之一所述方法制备得到的微偏振片阵列。
[0038]本发明提供的微偏振片阵列消光性高，信噪比高，金属薄膜厚度厚，在150nm以上均可得到性能优异的微偏振片阵列。
[0039]与现有技术相比，本发明的有益效果为:
[0040](I)本发明通过在微偏振片阵列的制备过程中引入硬掩模技术，有效增加了金属膜的厚度，提高偏振片阵列的消光性和信噪比；制备过程使用的光刻胶具有很高的分辨率，图形转移后形成的金属线条的直壁性好，因而改善纳米光栅的截面轮廓，提高了性能；制备得到的微偏振片阵列均匀一致、边缘光滑，偏振效果和消光比表现优异；
[0041](2)本发明提供的微偏振片阵列的制作方法简单易行，通过电子束直写曝光并显影能够一次性形成多个不同偏振方向的微偏振片阵列。
【专利附图】
【附图说明】
[0042]图1为现有技术中使用光刻胶作掩模得到的金属纳米光栅的截面图；
[0043]图2为本申请中使用硬掩模得到的金属纳米光栅的截面图；
[0044]图3为本发明提供的基于硬掩模技术的微偏振片阵列的示意图，图中虚线方框内显示2X2单元0°、45°、90°和135°四个偏振方向的光栅；
[0045]图4为实施例1提供的制作微偏振片阵列的工艺流程图；
[0046]其中，S1:在玻璃衬底上沉积金属铝，得到铝薄膜层；
[0047]S2:在铝薄膜层上生长SiNx薄膜层；
[0048]S3:旋涂光刻胶；
[0049]S4:对光刻胶曝光显影，形成光刻胶微偏振片阵列图形；
[0050]S5:ICP刻蚀SiNJl，将微偏振片阵列图形转移至SiN Jl上；
[0051]S6:去除残余光刻胶；
[0052]S7:ICP刻蚀金属铝薄膜层，得到微偏振片阵列；
[0053]图5为实施例1制备得到的微偏振片阵列的扫描电子显微镜照片；其中，图b是图a的局部放大图。
【具体实施方式】
[0054]下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述。本领域技术人员将会理解，以下实施例仅为本发明的优选实施例，以便于更好地理解本发明，因而不应视为限定本发明的范围。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
[0055]下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法；所用的实验材料，如无特殊说明，均为自常规生化试剂厂商购买得到的。
[0056]本发明提供的制作基于硬掩模技术的微偏振片阵列的方法，只需单次电子束曝光，即可得到0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形，通过电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀硬掩模(一丨队薄膜层或S1 2薄膜层或)和金属膜层后，获得微偏振片阵列；
[0057]图3为本发明提供的基于硬掩模技术的微偏振片阵列的示意图；
[0058]图4为本发明提供的制作微偏振片阵列的工艺流程图。
[0059]实施例1
[0060]一种微偏振片阵列，通过如下方法制备得到:
[0061]按照图4所示的工艺流程图，所述方法包括以下步骤:
[0062]步骤1:在玻璃衬底上沉积金属铝(Al)薄膜层，并干燥处理；
[0063]本步骤中，采用电子束蒸发技术，在清洗的玻璃基底上沉积150nm厚的金属销薄膜层；根据消光要求，铝薄膜层的厚度可以是在100?250nm之间的任意数值；
[0064]步骤2:在铝薄膜层上生长SiNx薄膜层；
[0065]本步骤中，采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)技术，在铝薄膜层上沉积10nm厚SiNx薄膜层；根据刻蚀选择比要求，SiNx层的厚度可以是在75?150nm之间的任意数值；
[0066]步骤3:在所述SiNj^膜层上旋涂电子束光刻胶，并烘烤；
[0067]本步骤具体为:将带金属铝薄膜层和SiNx薄膜层的玻璃衬底放置在热板上，在180°C烘烤5?lOmin，去除表面的水分，旋涂ZEP 520A(日本丸红公司)电子束正性光刻胶，并放置在热板上180°C烘烤2min ；
[0068]其中，按ZEP 520A原胶与苯甲醚体积比0.7:1稀释ZEP 520A原胶，进行旋涂，ZEP520A胶的旋涂厚度在150?250nm之间；
[0069]步骤4:对步骤3得到的旋涂有电子束光刻胶的51队薄膜层进行一次性曝光，写出0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形，在显影液乙酸正戊醋作用下，显影形成微偏振片阵列的电子束光刻胶图形；
[0070]步骤5:采用ICP刻蚀技术，以光刻胶为掩模刻蚀SiNx薄膜层，把光刻胶ZEP 520A胶图形转移到SiNJl上；
[0071]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.3Pa，温度0°C以下，刻蚀上功率600w，下功率20w，刻蚀气体为30sccm CHF3气体和13sccm 3?6气体；其中，sccm是体积流量单位，即标况毫升每分(standard-state cubic centimeter per minute)；
[0072]步骤6:去除残余的电子束光刻胶；
[0073]完成对硬掩模SiNx薄膜层的刻蚀后，需要去除剩余的ZEP 520A胶，本实施例使用去胶剂丁酮，并伴随超声处理去除剩余的ZEP 520A胶；
[0074]步骤7:以SiNx薄膜层为硬掩模，采用ICP刻蚀技术刻蚀金属铝薄膜层，把图形转移到金属铝薄膜层上，形成微偏振片阵列；
[0075]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.2Pa、温度0°C以下，刻蚀上功率300w，下功率35w，刻蚀气体为5sccm Cl2、21sccm BCljP 4sccm N 2，刻蚀金属销薄膜层，将图形转移到金属铝薄膜层。
[0076]图5为实施例1制备得到的微偏振片阵列的扫描电子显微镜照片，其中图b为图a的局部放大图，可以看出，0°、45°、90°和135°四个偏振方向金属铝纳米光栅线宽均匀一致，边缘光滑，线宽和间隔均约为70nm，取得了良好的效果。
[0077]实施例2
[0078]一种微偏振片阵列，通过如下方法制备得到:
[0079]按照图4所示的工艺流程图，所述方法包括以下步骤:
[0080]步骤1:在玻璃基底上沉积金属铬(Cr)薄膜层。
[0081]本步骤中，采用磁控派射技术，在清洗的玻璃基底上沉积170nm厚金属络薄膜层；根据消光要求，络薄膜层的厚度可以在100?250nm之间的任意数值；
[0082]步骤2:在铬薄膜层上生长SiCV薄膜层；
[0083]本步骤中，采用ICPECVD技术，在铬薄膜层上沉积120nm厚SiCV薄膜；根据刻蚀选择比要求，S12层的厚度可以是在85?250nm之间的任意数值；
[0084]步骤3:在所述SiCV薄膜层上旋涂电子束光刻胶，并烘烤；
[0085]本步骤具体为:将带金属铬薄膜层和SiCV薄膜层的玻璃衬底放置在热板上，在180°C烘烤5?lOmin，去除表面的水分，旋涂ZEP 520A(日本丸红公司)电子束正性光刻胶，并放置在热板上220°C烘烤1min ；
[0086]其中，按ZEP 520A原胶与苯甲醚体积比0.7:1稀释ZEP 520A原胶，进行旋涂，ZEP520A胶的旋涂厚度在150?250nm之间；
[0087]步骤4:对步骤3得到的旋涂有电子束光刻胶的SiCV薄膜层，进行一次性曝光，写出0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形，在显影液对二甲苯作用下，显影形成微偏振片阵列的电子束光刻胶图形；
[0088]步骤5:采用ICP刻蚀技术，以光刻胶为掩模刻蚀SiCV薄膜层，把光刻胶ZEP 520A胶图形转移到S12层上；
[0089]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.2Pa，温度0°C以下，刻蚀上功率250w，下功率170w，刻蚀气体为 20sccm CHFjPl 5sccm Ar ；
[0090]步骤6:去除残余的电子束光刻胶；
[0091]完成对SiCV薄膜层的刻蚀后，需要去除剩余的ZEP 520A胶，本实施例使用去胶剂丁酮，并伴随超声处理去除剩余的ZEP 520A胶；
[0092]步骤7:以S12S硬掩模，采用ICP刻蚀技术刻蚀金属铬薄膜层，把图形转移到金属铬薄膜层上，形成微偏振片阵列；
[0093]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.4Pa、温度0°C以下，刻蚀上功率300w，下功率300w，刻蚀气体为50sccm Ar、5sccm Cl2，刻蚀金属络薄膜层，将图形转移到金属络薄膜层上。
[0094]实施例3
[0095]一种微偏振片阵列，通过如下方法制备得到:
[0096]按照图4所示的工艺流程图，所述方法包括以下步骤:
[0097]步骤1:在玻璃基底上沉积金属铝(Al)薄膜层，并干燥处理；
[0098]本步骤中，采用电子束蒸发技术，在清洗的玻璃基底上沉积180nm厚的金属销薄膜层；根据消光要求，铝薄膜层的厚度可以是在100?250nm之间的任意数值；
[0099]步骤2:在铝薄膜层上生长SiCV薄膜层；
[0100]本步骤中，采用ICPECVD技术，在铝箔膜层上沉积120nm厚SiCV薄膜层；根据刻蚀选择比要求，S12层的厚度可以是在90?250nm之间的任意数值；
[0101]步骤3:在所述SiCV薄膜层上旋涂电子束光刻胶，并烘烤；
[0102]本步骤具体为:将带金属铝薄膜层和SiCV薄膜层的玻璃衬底放置在烘箱内170°C烘烤40min，去除表面的水分，旋涂SX AR-P 6200 (德国Allresist公司)电子束正性光刻胶，并放置在烘箱内170°C烘烤50min ；
[0103]其中，SX AR-P 6200胶的旋涂厚度在150?250nm之间；
[0104]步骤4:对步骤3得到的旋涂有电子束光刻胶的SiCV薄膜层进行一次性曝光，写出0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形，在显影液对二甲苯作用下，显影形成微偏振片阵列的电子束光刻胶图形；
[0105]步骤5:采用ICP刻蚀技术，以光刻胶为掩模刻蚀SiCV薄膜层，把光刻胶ZEP 520A胶图形转移到S12层上；
[0106]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.2Pa，温度0°C以下，刻蚀上功率250w，下功率170w，刻蚀气体为 20sccm CHFjPl 5sccm Ar ；
[0107]步骤6:去除残余的电子束光刻胶；
[0108]完成对硬掩膜SiCV薄膜层的刻蚀后，需要去除剩余的SX AR-P 6200胶，本实施例使用去胶剂丁酮，并伴随超声处理去除剩余的SX AR-P 6200胶。
[0109]步骤7:以SiCV薄膜层为硬掩模，采用ICP刻蚀技术刻蚀金属铝薄膜层，把图形转移到金属铝薄膜层上，形成微偏振片阵列；
[0110]本步骤ICP刻蚀的条件为:压力0.2Pa、温度0°C以下，刻蚀上功率300w，下功率35w，刻蚀气体为5sccm Cl2、21sccm BCljP 4sccm N 2，刻蚀金属销薄膜层，将图形转移到金属铝薄膜层。
[0111]本发明实施例1?3制作的基于硬掩模技术的微偏振片阵列经实际实验验证。其中图4为采用本发明实施例1的技术方案所获得的基于硬掩模技术的微偏振片阵列的扫描电子显微镜照片，其中(b)为(a)的局部放大图，可以看出，0°、45°、90°和135°四个偏振方向金属Al纳米光栅线宽均匀一致，边缘光滑，线宽和间隔均约为70nm，取得了良好的效果。
[0112] 申请人:声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属【技术领域】的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
【权利要求】
1.一种微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤: (1)在衬底上镀一层金属薄膜层，并干燥处理； (2)在金属薄膜层上镀一层SiNx薄膜作为后续刻蚀的硬掩模； (3)在所述SiNx薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并烘烤； (4)在所述光刻胶层上通过电子束直写曝光并显影得到光刻胶在纳米尺度上的微偏振片阵列图形； (5)以带有所述微偏振片阵列图形的光刻胶层为掩模，采用电感耦合等离子体刻蚀所述SiNx薄膜层，将所述微偏振片阵列图形转移到SiN^薄膜层上； (6)去除残余的光刻胶层； (7)以带有所述微偏振片阵列图形的31凡薄膜层为硬掩模，采用电感耦合等离子体工艺刻蚀所述金属薄膜层，得到所述微偏振片阵列； 其中，所述SiNx&可以由S12替代，以S12薄膜层作硬掩模。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底选自透明材料，优选自玻璃、二氧化硅或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意I种。
3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述金属选自铝、金或铬中的任意I种； 优选地，所述金属薄膜层的厚度为100?250nm，优选大于150nm小于等于250nm ； 优选地，所述金属薄膜层通过溅射工艺或电子束蒸发工艺在衬底上镀制形成。
4.如权利要求1?3之一所述的制作方法，其特征在于，所述SiN^薄膜层或S1 2薄膜层的厚度为50?150nm ； 优选地，所述31队薄膜层或S12薄膜层采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积生长形成。
5.如权利要求1?4之一所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶选自ZEP520A和/或 SX AR-P 6200 ； 优选地，所述光刻胶层的厚度为150?250nm。
6.如权利要求1?5之一所述的制作方法，其特征在于，步骤(I)所述干燥处理为采用热板或烘箱烘烤干燥；所述烘烤干燥温度优选120?220°C，烘烤干燥时间优选2?60min ; 优选地，步骤(3)所述烘烤为采用热板或烘箱烘烤；所述烘烤温度优选120?220°C ;热板烘烤时间优选I?1min ;烘箱烘烤的时间为1min以上。
7.如权利要求1?6之一所述的制作方法，其特征在于，所述微偏振片阵列图形为多个偏振方向的图形，优选为0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形。
8.如权利要求1?7之一所述的制作方法，其特征在于，所述微偏振片阵列图形阵列单元的尺寸与图像传感器的像素尺寸相同。
9.如权利要求1?8之一所述的制作方法，其特征在于，步骤(5)所述刻蚀为采用氟基气体进行刻蚀； 优选地，步骤(6)所述残余的光刻胶层的去除，采用在除胶液中超声去除，或者采用O2等离子体去除；所述除胶液优选丁酮； 优选地，步骤(7)所述刻蚀采用氯基气体进行刻蚀；刻蚀后优选用去离子水清洗残留的氯基气体。
10.一种微偏振片阵列，其特征在于，所述微偏振片阵列由权利要求1?9所述方法制备得到。
【文档编号】G03F7/00GK104460021SQ201410764022
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日
【发明者】董凤良, 徐丽华, 宋志伟, 褚卫国 申请人:国家纳米科学中心