光阻供给系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型揭示了一种光阻供给系统。包括：光阻容器、光阻泵、光阻供给管道、侦测模块以及分析模块，所述光阻供给管道一端插入到所述光阻容器中，所述光阻供给管道另一端与一光阻喷嘴连接，所述光阻泵设置于所述光阻供给管道上，所述侦测模块设置于光阻容器内以侦测光阻容器中压强的变动，所述分析模块与所述侦测模块连接以根据光阻容器中压强的变动确定光阻喷射情况。本实用新型能够及时的将光阻喷射情况反映出，避免了在异常发生时严重的信息滞后，有效的保证了产品的质量。
【专利说明】光阻供给系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体设备【技术领域】，特别是涉及一种光阻供给系统。
【背景技术】
[0002]在半导体晶片的制作工艺中，光阻用以于半导体晶片表面上形成图案。而光刻工艺通常决定电路制造与电路结构的表面尺寸而为晶片制造的关键制作工艺。当集成电路变小以及晶体管在集成电路的集成度增加，对先进的半导体制作工艺而言，光刻工艺的精确性与图案化更小特征图案的能力变得更为重要。
[0003]一般而言，光刻工艺包括在半导体晶片的表层上涂敷光阻，接着，对光阻进行曝光以将掩膜上图案转移至光阻，并改变光阻中对应图案区域的结构与性质。然后，依照所使用光阻的型态，将光阻显影以移除曝光图案部分或是曝光图案之外的部分，以将光阻中的图案定义于晶片的表层。当所需的光阻图案被建立，特征图案则根据光阻图案并且例如是通过蚀刻制作工艺而被定义于半导体晶片的表层。而且，光阻通常对化学蚀刻剂具有抵抗力，因此，在半导体晶片表层上，只有在显影后光阻被移除部分的图案区域将会被蚀刻，以于半导体晶片表层定义出所需的特征图案。
[0004]在光刻工艺的涂敷光阻(PR coating)这一过程中，会遇到一些特殊状况，例如发生折管，密封泄漏，光阻泵(pump)损坏等,从而使PR的喷射量(dispense volume)异常,导致涂敷质量变差(poor coating)。
[0005]但是在现有技术中，由于机台无法侦测光阻喷射时光阻流量的变化，因此只有当在晶圆(wafer)上检查到异常的涂敷情况时，才知道机台有异常。并且，目前针对光阻喷射的异常情况，只能通过量测站点，例如对关键尺寸(CD)、套刻精度(OVL)的测量及显微镜的扫描(ADI),以及线下的测机(offline monitor)来发现,反应滞后。这种情况下，通常会造成影响区间很长，而且无法100%控制住线上异常的产品，从而造成较大的损失。
实用新型内容
[0006]本实用新型的目的在于，提供一种光阻供给系统，以及时获悉光阻喷射是否正常，降低对产品的影响。
[0007]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种光阻供给系统，包括:光阻容器、光阻泵、光阻供给管道、侦测模块以及分析模块，所述光阻供给管道一端插入到所述光阻容器中，所述光阻供给管道另一端与一光阻喷嘴连接，所述光阻泵设置于所述光阻供给管道上，所述侦测模块设置于光阻容器内以侦测光阻容器中压强的变动，所述分析模块与所述侦测模块连接以根据光阻容器中压强的变动确定光阻喷射情况。
[0008]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块设置于插入至光阻容器内的光阻供给管道上。
[0009]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块通过一支架固定于所述光阻容器内。
[0010]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块设置于所述光阻容器内的光阻液面上方。
[0011 ] 可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块为气压传感器。
[0012]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统还包括一显示屏，所述显示屏与所述分析模块连接。
[0013]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统还包括一警报器，所述警报器与所述分析模块连接。
[0014]可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统设置于涂胶显影机台中。
[0015]与现有技术相比，本实用新型提供的光阻供给系统，通过设置有侦测模块，来侦测光阻容器中压强的变化，从而反映出光阻的喷射流量是否符合标准，从而及时的将情况反映出，避免了在异常发生时严重的信息滞后，防止造成较大影响。进一步的，通过设置显示屏和警报器，使得异常能够更加便捷的被获悉，方便了技术人员的处理。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型一实施例中光阻供给系统的结构示意图；
[0017]图2为本实用新型一实施例中光阻供给系统运作时的通讯关系图；
[0018]图3-图5为本实用新型一实施例中获得的不同情况下的分析结果。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合示意图对本实用新型的光阻供给系统进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
[0020]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0021]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0022]本实用新型的核心思想在于，光阻喷射时由于从光阻容器中被抽出而会导致瞬间的压强波动，在正常状况下，这一波动情况在设定的时间内有一个标准，因此，发明人考虑到在容器中设置一个侦测压强的模块，通过对压强变动信息的分析，就能够反映出光阻的喷射是否异常。
[0023]基于该思想，请参考图1，本实用新型提供的一种光阻供给系统，包括:光阻容器
1、光阻泵6、光阻供给管道5、侦测模块3以及分析模块8，所述光阻供给管道5 —端插入到所述光阻容器I中，所述光阻供给管道5另一端与一机台的喷嘴(未图示)连接，所述光阻泵6设置于所述光阻供给管道5上，所述侦测模块3设置于光阻容器I内以侦测光阻容器I中压强的变动，所述分析模块3与所述侦测模块8连接以根据光阻容器I中压强的变动确定光阻喷射情况。本实用新型提供的光阻供给系统可以设置于涂胶显影机台中，用于对晶圆进行光阻涂敷。
[0024]较佳的，在一个实施例中，所述侦测模块3设置于插入至光阻容器I内的光阻供给管道5上，进一步的，置于光阻液面4上方，从而能够保证灵敏度。较佳的，所述侦测模块3为气压传感器，可以准确的获知光阻容器I中压强的变动，且结构简单、成本低廉。
[0025]所述侦测模块3还可以是利用其它模式设置，例如通过一支架固定于所述光阻容器I内，也可以是漂浮于光阻液面上。
[0026]请结合图2，所述光阻泵6通过一信号线7与分析模块8连接，当所述光阻泵6开始工作时，光阻泵6传递一个“起始”的命令给分析模块8，分析模块就开始计时，并接收由信号线7从侦测模块3传递来的压强变动信息。为了能够有效的分析获得的压强变动信息，在分析模块中预设标准状况下压强变动的曲线，然后将获得的压强变动信息与预设曲线进行比较，例如可以通过设定二者之间的许可范围，若超过这一范围，则可认定为出现异常。所述分析模块能够将输出分析结果，使得技术人员及时了解状况。较佳的，所述光阻供给系统还包括一显示屏，所述显示屏与所述分析模块连接，利用显示屏将分析结果显示。
[0027]进一步的，为了更加便捷的判断压强是否出现异常(即光阻的喷射是否异常)，本实用新型的光阻供给系统还包括一警报器，所述警报器与所述分析模块连接。若当分析模块检测出的压强超出许可范围后，警报器被激活，例如可以是红灯闪烁，从而及时通知技术人员出现异常。当然，为了达到更好的效果，警报器可以设置多个级别，分别对应在压强变动信息于预设曲线之间的不同差异范围，以便起到及时发现可能的异常，将损失降到最低，甚至避免异常状况出现。
[0028]如图3-图5所示，其为本实用新型中一较佳实施例，分析模块所显示的不同情况下的分析结果。其中横坐标为时间，预设曲线的监测时间为ls，纵坐标为光阻容器内与外界的气压差。
[0029]如图3所示，侦测曲线相比预设曲线整体向下偏移，可见经过侦测模块获得的压强变动小于标准状况，经发明人研究发现，这表明光阻的喷射量低，可以结合实际工艺参数，判断喷射的光阻量的缺少是否会对制程产生影响。
[0030]如图4所示，侦测曲线相比预设曲线整体向右偏移，根据经验则可断定这是由于光阻喷射产生延迟所致。在这一结果的情况下，可以依据工艺要求或者经验来综合分析判断是否需要对相关参数进行调整，避免光阻的喷射不符合要求。
[0031]如图5所示，侦测曲线不规则变动，即表现出侦测结果略显紊乱，经分析发现这是由于光阻供给管道中存在气泡所致，出现气泡通常会对后续制程步骤产生不良影响，需要进行故障排除。
[0032]当然，图3-图5仅是示出了部分可能出现的情况，以示出本实用新型之效果。结合这些测量结果，从而会给技术人员进行有效的提示，进行有针对的故障排除，有着较好的实时性，减少甚至避免了光阻喷射量异常对产品的影响。
[0033]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种光阻供给系统，其特征在于，包括:光阻容器、光阻泵、光阻供给管道、侦测模块以及分析模块，所述光阻供给管道一端插入到所述光阻容器中，所述光阻供给管道另一端与一光阻喷嘴连接，所述光阻泵设置于所述光阻供给管道上，所述侦测模块设置于光阻容器内以侦测光阻容器中压强的变动，所述分析模块与所述侦测模块连接以根据光阻容器中压强的变动确定光阻喷射情况。
2.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述侦测模块设置于插入至光阻容器内的光阻供给管道上。
3.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述侦测模块通过一支架固定于所述光阻容器内。
4.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述侦测模块设置于所述光阻容器内的光阻液面上方。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光阻供给系统，其特征在于，所述侦测模块为气压传感器。
6.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述光阻供给系统还包括一显示屏，所述显示屏与所述分析模块连接。
7.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述光阻供给系统还包括一警报器，所述警报器与所述分析模块连接。
8.如权利要求1所述的光阻供给系统，其特征在于，所述光阻供给系统设置于涂胶显影机台中。
【文档编号】G03F7/20GK204009355SQ201420381229
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年7月10日 优先权日:2014年7月10日
【发明者】叶逸舟, 朱晓峥, 杨晓松 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司