技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其显示面板，且特别是涉及一种具有金属层的薄膜晶体管及其显示面板。
背景技术：
液晶显示装置近年来已经被大量应用在各式各样产品的显示元件上。液晶显示装置利用液晶分子在不同排列状态下，对于光线具有不同的偏振或折射效果的特性来控制光线的穿透量，进而使液晶显示装置得以产生影像。传统扭转向列型(TwistedNematic，TN)液晶显示装置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子结构与光学特性的影响，相对其视角非常狭窄。为了解决此问题，近来业者已开发出其它种形态的广视角液晶显示装置，例如平面电场切换(In-PlaneSwitching，简称IPS)液晶显示装置以及边缘电场切换(Fringe-FieldSwitching，简称FFS)液晶显示装置等具有广视角的液晶显示装置。然而，上述显示装置仍可能有耐久性不佳，产品寿命短的问题。因此，业界亟须一种可更进一步提升耐久性及产品寿命的显示装置。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提供一种显示面板，包括：基板，包括显示区及相邻显示区的非显示区，其中非显示区包括至少一薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括：半导体层，设于基板上；第一绝缘层，设于半导体层上；第一金属层，设于第一绝缘层上；第二绝缘层，设于第一金属层上；第一开口排(viaholeseries)及第二开口排，分别设于第一金属层的两侧，第一开口排包括多个第一开口，而第二开口排包括多个第二开口，且第一开口及第二开口依序贯穿第二绝缘层、第一绝缘层并露出半导体层的表面；第二金属层，设于第二绝缘层上，其中第二金属层包括第一部分及第二部分，分别设于第一金属层的两侧，其中第一部分对应第一开口排，且填入多个第一开口以电连接至半导体层，而第二部分对应第二开口排，且填入多个第二开口以电连接至半导体层，其中第二金属层的第一部分的边缘至第一金属层的边缘的最短距离为第一距离，第二金属层的第二部分的边缘至第一金属层的边缘的最短距离为第二距离，第二距离大于第一距离。本发明还提供一种显示面板，包括：一彩色滤光片基板，与基板相对设置；液晶层，设于基板与彩色滤光片基板之间。为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。附图说明图1为本发明实施例的薄膜晶体管基板的上视图；图2A为本发明一实施例的设于非显示区的有源元件的上视图；图2B为沿着图2A的线段2B-2B所绘制的剖视图；图3为本发明另一实施例的设于非显示区的有源元件的上视图；图4A为本发明另一实施例的设于非显示区的有源元件的上视图；图4B为沿着图4A的线段4B-4B所绘制的剖视图；图5为本发明实施例的显示面板的剖视图；图6为本发明实施例的显示装置的剖视图。符号说明10薄膜晶体管基板；20基板；30显示区；40非显示区；50次像素；50C次像素栏；50R次像素列；60栅极驱动电路；70源极驱动电路；80线路；90线路；100有源元件；100A有源元件；100B有源元件；200有源元件；202基板；204缓冲层；206半导体层；206S表面；208第一绝缘层；210第一金属层；210E边缘；212第二绝缘层；214第一开口；214S第一开口排；216第二开口；216S第二开口排；218第二金属层；218A第一部分；218AE边缘；218B第二部分；218BE边缘；300有源元件；306半导体层；310第一金属层；310A第一分支部；310B第二分支部；314第一开口；314S第一开口排；316第二开口；316S第二开口排；318第二金属层；318A第一部分；318B第二部分；400有源元件；402基板；404缓冲层；406半导体层；406S表面；408第一绝缘层；410第一金属层；410A第一分支部；410AE边缘；410B第二分支部；410BE边缘；412第二绝缘层；414第一开口；414S第一开口排；416第二开口；416S第二开口排；417第三开口；417S第三开口排；418第二金属层；418A第一部分；418AE边缘；418B第二部分；418BE边缘；418C第三部分；418CE边缘；500显示面板；502薄膜晶体管基板；504彩色滤光片基板；506液晶层；600显示装置；602背光模块；A1方向；A2方向；E1弧形端部；E2弧形端部；E3弧形端部；D1距离；D2距离；D3距离；D4距离；D5距离；D6距离；D7距离；L2长度；L3长度；L4长度；W1宽度；W2宽度；W3宽度；W4宽度；CH2通道；2B-2B线段；4B-4B线段。具体实施方式以下针对本发明的薄膜晶体管及其显示面板作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式尽为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。必需了解的是，为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指「直接」在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述图示的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图示的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。在此，「约」、「大约」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，优选是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含「约」、「大约」的含义。本发明实施例是将非显示区中的薄膜晶体管的源极至栅极的距离设为与漏极至栅极的距离不同，以提升显示装置的耐久性及产品寿命。首先，参见图1，该图为本发明实施例的薄膜晶体管基板10的上视图。如图1所示，薄膜晶体管基板10包括一基板20。此基板20可为透明基板，例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板。且此基板20包括显示区30及相邻显示区30的非显示区40。显示区30是指薄膜晶体管基板10中设有包括晶体管的像素显示的区域，而此晶体管例如可为薄膜晶体管。而非显示区40即为薄膜晶体管基板10中除显示区30外的其它区域。在此实施例中，非显示区40包围显示区30。如图1所示，此显示区30中设有多个次像素50，而非显示区40中设有栅极驱动电路60以及源极驱动电路70。此栅极驱动电路60用以提供扫描脉冲信号至显示区30的次像素50，而此源极驱动电路70用以提供源极信号至显示区30的次像素50，并配合上述扫描脉冲信号一同控制设于显示区30内的各个次像素50以产生影像。详细而言，栅极驱动电路60与源极驱动电路70中可设有至少一有源元件100，例如设于栅极驱动电路60中的有源元件100A以及设于源极驱动电路70中的有源元件100B。此有源元件100可为薄膜晶体管。在显示影像时，设于栅极驱动电路60中的有源元件100A通过线路80同时提供扫描脉冲信号至多个次像素50，例如同时提供扫描脉冲信号至一次像素列50R中的所有次像素50，而设于源极驱动电路70中的有源元件100B通过线路90同时提供源极信号至多个次像素50，例如同时提供源极信号至一次像素行50C中的所有次像素50。参见图2A及图2B，此两图绘示本发明的一实施例的有源元件200。图2A为此有源元件200的上视图，而图2B沿着图2A的线段2B-2B所绘制的剖视图。此有源元件200设于薄膜晶体管基板的非显示区。更详细而言，此的有源元件200可设于图1的薄膜晶体管基板10的非显示区40的栅极驱动电路60及/或源极驱动电路70中。在一实施例中，此有源元件200可为薄膜晶体管。上述有源元件200包括设于基板202上的缓冲层204，以及设于此缓冲层204上的半导体层206。此基板202即为图1所示的基板20，其可为透明基板，例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板。上述缓冲层204可提升半导体层206的薄膜品质。此缓冲层204的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述的组合。上述半导体层206可包括单晶结构、多晶结构或非晶结构的硅或锗的元素半导体；非晶硅(amorphoussilicon)、多晶硅(polycrystallinesilicon)、氧化铟镓锌(Indiumgalliumzincoxide)、氮化镓(GaN)、碳化硅(siliconcarbide)、砷化镓(galliumarsenic)、磷化镓(galliumphosphide)、磷化铟(indiumphosphide)、砷化铟(indiumarsenide)或锑化铟(indiumantimonide)等化合物半导体；SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP或GaInAsP等合金半导体或其它适合的材料及/或上述组合。此外，此有源元件200还包括设于半导体层206上的第一绝缘层208、设于此第一绝缘层208上的第一金属层210、以及设于此第一金属层210上的第二绝缘层212。此第一绝缘层208作为栅极介电层，其材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、或其它任何适合的介电材料、或上述的组合。此高介电常数(high-k)介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。例如，此高介电常数(high-k)介电材料可为LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3、其它适当材料的其它高介电常数介电材料、或上述组合。此栅极介电层可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(lowpressurechemicalvapordeposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(lowtemperaturechemicalvapordeposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapidthermalchemicalvapordeposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomiclayerdeposition，ALD)或其它常用的方法。此第一金属层210作为栅极电极，其材料可包括但不限于铜(copper)、铝(aluminum)、钼(molybdenum)、钨(tungsten)、钛(titanium)、钽(tantalum)、铂(platinum)或铪(hafnium)。此栅极电极的材料可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。上述第二绝缘层212作为第一金属层210(栅极电极)与后续第二金属层218(作为源极及/或漏极电极)之间的层间介电层，其材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、或其它任何适合的介电材料、或上述的组合。在一优选实施例中，此第二绝缘层212具有平坦的上表面。此第二绝缘层212可使用前述化学气相沉积法(CVD)形成。继续参见图2A及图2B，有源元件200还包括一第一开口排(viaholeseries)214S及一第二开口排216S。此第一开口排214S及第二开口排216S分别邻设于第一金属层210的两侧(或称设于此第一金属层的第一分支部210的两侧)，且第一开口排214S包括多个第一开口214，而第二开口排216S包括多个第二开口216。此第一开口214及第二开口216依序贯穿第二绝缘层212、第一绝缘层208并露出半导体层206的表面206S，如图2B所示。此第一开口214及第二开口216以第一绝缘层208的侧壁、第二绝缘层212的侧壁及半导体层206的表面206S定义。且如图2A所示，多个第一开口214之间彼此等距排列，而多个第二开口216之间也彼此等距排列。继续参见图2A及图2B，有源元件200还包括设于第二绝缘层212上且填入上述第一开口214及第二开口216的第二金属层218。详细而言，此第二金属层218包括第一部分218A及第二部分218B。此第一部分218A及第二部分218B分别设于第一金属层210的两侧(或称设于此第一金属层的第一分支部210的两侧)，且可分别作为源极电极与漏极电极。例如，在一实施例中，第一部分218A作为源极电极，而第二部分218B作为漏极电极。然而，在其它实施例中，第一部分218A作为漏极电极，而此时第二部分218B作为源极电极。此外，设于第二金属层210(作为栅极电极)下的半导体层206于第二金属层218的第一部分218A及第二部分218B(作为源极电极与漏极电极)之间具有一通道CH2，此通道CH2的长度为长度L2。继续参见图2A及图2B，第二金属层218的第一部分218A对应第一开口排214S设置，且填入多个第一开口214以电连接至半导体层206。而第二金属层218的第二部分218B对应第二开口排216S设置，且填入多个第二开口216以电连接至半导体层206。详细而言，第二金属层218的第一部分218A覆盖第一开口214中第一绝缘层208的侧壁、第二绝缘层212的侧壁及半导体层206的表面206S，而第二部分218B也覆盖第二开口216中第一绝缘层208的侧壁、第二绝缘层212的侧壁及半导体层206的表面206S。且此第二金属层218的第一部分218A及第二部分218B都未完全填满第一开口214及第二开口216。然而，需注意的是，在其它实施例中，第二金属层218的第一部分218A及第二部分218B也可完全填满第一开口214及第二开口216，本发明的范围并不以图2A-图2B所示的实施例为限。继续参见图2A及图2B，第二金属层218的第一部分218A的边缘218AE至第一金属层210的边缘210E的最短距离为距离D1，第二金属层218的第二部分218B的边缘218BE至第一金属层210的边缘210E的最短距离为距离D2，距离D2大于距离D1。如图2B所示，距离D2比距离D1长出的距离为距离D3。易言之，距离D2为距离D1加上距离D3(D2＝D1+D3)。需注意的是，由于第二金属层218对应开口的部分的宽度(亦即宽度W1与宽度W3)与其对应两个开口之间的部分的宽度(亦即宽度W2与宽度W4)具有一宽度差(亦即W2-W1或W4-W3)，故图2A的距离D1、D2与图2B的距离D1、D2实际上也具有此宽度差(亦即W2-W1或W4-W3)。然而，由于此宽度差远小于距离D1与距离D2，故在此假设图2A的距离D1、D2与图2B的距离D1、D2大抵相等，以方便说明本案特征。继续参见图2A，该图中作为栅极电极的第一金属层210的长轴延伸方向为A1，而与此方向A1垂直的方向为方向A2。而上述最短距离D1是指于方向A2上，边缘218AE至边缘210E的最短距离。同理，上述最短距离D2是指于方向A2上，边缘218BE至另一边缘210E的最短距离。更详细而言，将边缘218AE与边缘210E投影至基板202上，而此两个投影于方向A2上的最短距离即为上述距离D1。同理，将边缘218BE与边缘210E投影至基板202上，而此两个投影于方向A2上的最短距离即为上述距离D2。本发明通过拉长通道CH2一个距离D3，增加装置的电阻并降低电流量，使装置产生的温度降低，来提升显示装置的耐久性及产品寿命。在实施上述的作法上，仅拉长第二部分218A与第一金属层210之间一个距离D3而第一部分218B与第一金属层210之间的距离保持不变，可进一步降低热载流子效应，对提升显示装置的耐久性与寿命上有相当的帮助。上述距离D2比距离D1长约0.1μm至1.0μm(亦即距离D3)，例如长约0.2μm至0.7μm。需注意的是，若此长度差(亦即距离D3)太大，例如大于1.0μm，则会过度提高装置的电阻，使装置的整体性能下降。然而，若此长度差(亦即距离D3)太小，例如小于0.1μm，则无法有效降低装置的电流量。继续参见图2A，第二金属层218的第一部分218A的边缘218AE至第二部分218B的边缘218BE的最短距离为距离D4，且距离D4小于第一开口排214S的长度L3。详细而言，上述距离D4是指于方向A2上，第二金属层218的第一部分218A的边缘218AE至第二部分218B的边缘218BE的最短距离。或者更详细而言，将边缘218AE与边缘218BE投影至基板202上，而此两个投影于方向A2上的最短距离即为上述距离D4。而上述第一开口排214S的长度L3是指于第一金属层210的长轴延伸方向为A1上，第一开口排214S中最远两第一开口214的边缘之间相隔的最大距离。同理，上述距离D4也小于第二开口排216S的长度L4。长度L4的定义与上述长度L3类似，故在此不再次赘述。此外，如图2A所示，第一金属层210具有弧形端部E1，第二金属层218的第一部分218A具有弧形端部E2，而第二金属层218的第二部分218B也具有弧形端部E3。此弧形端部可避免静电荷累积在金属尖端，能够减少有源元件200遭到静电荷炸伤的机率。此外，第二金属层218的第一部分218A对应第一开口214的部分的宽度W1小于其对应两个第一开口214之间的部分的宽度W2。同理，第二金属层218的第二部分218B对应第二开口216的部分的宽度W3也小于其对应两个第二开口216之间的部分的宽度W4。此宽度变化可更进一步平均分散第二金属层218中的电流，故可更进一步提升装置的寿命。应注意的是，虽然上述图1-图2B所示的实施例中作为栅极电极的第一金属层仅具有单一长条型电极，然而此第一金属层也可具有多个长条型电极，如以下图3的实施例所示。故图1-图2B所示的实施例仅为说明之用，本发明的范围并不以此为限。应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。参见图3，图3为本发明另一实施例的设于非显示区的有源元件300的上视图。图3所示的实施例与前述图2A-图2B的实施例的差别在于第一金属层310包括第一分支部310A及第二分支部310B。此第一分支部310A邻近第二金属层318的第一部分318A，而第二分支部310B邻近第二金属层318的第二部分318B。且第一金属层310的第一分支部310A至第二金属层318的第一部分318A的最短距离即为上述距离D1，而第一金属层310的第二分支部310B至第二金属层318的第二部分318B的最短距离即为上述距离D2。此外，第一金属层310的第一分支部310A及第二分支部310B之间未设有第二金属层318。上述包括第一分支部310A及第二分支部310B的第一金属层310可对其下的通道具有更佳的控制能力。应注意的是，虽然上述图1-图3所示的实施例中作为源极及/或漏极电极的第二金属层仅具有两个部分，然而此第二金属层也可具有三个部分，如以下图4A-图4B的实施例所示。故图1-图3所示的实施例仅为说明之用，本发明的范围并不以此为限。参见图4A-图4B，图4A为本发明另一实施例的设于非显示区的有源元件400的上视图，而图4B为沿着图4A的线段4B-4B所绘制的剖视图。图4A-图4B所示的实施例与前述图2A-图3的实施例的差别在于有源元件400的第二金属层418包括第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C，且此有源元件400具有三个开口排。详细而言，此有源元件400可于基板402上依序设有缓冲层404、半导体层406、第一绝缘层408、第一金属层410、第二绝缘层412。此第一金属层410包括第一分支部410A及第二分支部410B，且第一分支部410A及第二分支部410B彼此电连接，如图4A所示。此外，有源元件400还包括第一开口排(viaholeseries)414S、第二开口排416S及第三开口排417S。此第一开口排414S邻设于第一金属层410的第一分支部410A外侧，此第三开口排417S邻设于第一分支部410A与第二分支部410B之间，而此第二开口排416S邻设于第一金属层410的第二分支部410B外侧，如图4A所示。此外，此第一开口排414S包括多个第一开口414，第二开口排416S包括多个第二开口416，第三开口排417S包括多个第三开口417，此第一开口414、第二开口416及第三开口417都依序贯穿第二绝缘层412、第一绝缘层408并露出半导体层406的表面406S。继续参见图4A-图4B，有源元件400还包括设于第二绝缘层412上且填入第一开口414、第二开口416及第三开口417的第二金属层418。详细而言，此第二金属层418包括第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C，依序对应上述第一开口排414S、第二开口排416S及第三开口排417S设置。且第二金属层418的第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C依序填入第一开口414、第二开口416及第三开口417中以电连接至半导体层406。在此有源元件400中，上述第一金属层410作为有源元件400的栅极电极。上述第二金属层418的第一部分418A及第二部分418B作为有源元件400的源极电极或漏极电极的其中之一，而第二金属层418的第三部分418C作为源极电极或漏极电极的另一。例如，在一实施例中，第一部分418A及第二部分418B作为此有源元件400的源极电极，而此时第三部分418C则作为漏极电极。然而，在其它实施例中，第一部分418A及第二部分418B作为此有源元件400的漏极电极，而此时第三部分418C则作为源极电极。如图4A-图4B所示，第二金属层418的第一部分418A的边缘418AE至第一金属层410的第一分支部410A的边缘410AE的最短距离为距离D1，第二金属层418的第三部分418C的边缘418CE至第一金属层410的第一分支部410A的边缘410AE的最短距离为距离D5，此距离D5大于距离D1。同理，第二金属层418的第三部分418C的边缘418CE至第一金属层410的第二分支部410B的边缘410BE的最短距离为距离D6，第二金属层418的第二部分418B的边缘至第一金属层410的第二分支部410B的边缘410BE的最短距离为距离D2，此距离D2大于距离D6，且距离D5大于距离D6。上述距离D5比距离D1大约0.1μm至1.0μm(亦即距离D7)，例如大约0.2μm至0.7μm。需注意的是，由于第二金属层418对应开口的部分的宽度与其对应两个开口之间的部分的宽度具有一宽度差，故图4A的距离D1、D2、D5及D6与图4B的距离D1、D2、D5及D6实际上也具有此宽度差。然而，由于此宽度差远小于距离D1、D2、D5及D6，故在此假设图4A的距离D1、D2、D5及D6与图4B的距离D1、D2、D5及D6大抵相等，以方便说明本案特征。此外，应注意的是，上述距离D1、距离D2的详细定义与图2A-图2B的实施例的距离D1及距离D2类似，故在此并不再赘述。本发明通过拉长通道一个距离D7，增加装置的电阻并降低电流量，使装置产生的温度降低，来提升显示装置的耐久性及产品寿命。在实施上述的作法上，仅拉长第二金属层418的第三部分418C与第一金属层410的第一分支部410A之间一个距离D7而第一金属层410的第一部分418A与第一金属层的第一分支部410A之间的距离保持不变，可进一步降低热载流子效应，对提升显示装置的耐久性与寿命上有相当的帮助。同样的，仅拉长第二金属层418的第二部分418B与第一金属层410的第二分支部分410B之间一个距离D7而第二金属层418的第三部分418C与第一金属层410的第二分支部410B之间的距离保持不变，也可达到降低热载流子效应的效果。此外，有源元件400中源极-栅极间电容优选与漏极-栅极间电容相等。例如，在一实施例中，第二金属层418的第一部分418A及第二部分418B作为源极电极，而第三部分418C作为漏极电极。而包括第一分支部410A及第二分支部410B的第一金属层410作为栅极电极。此第一部分418A(作为源极电极)与第一分支部410A(作为栅极电极)之间具有第一源极-栅极间电容，而此第二部分418B(作为源极电极)与第二分支部410B(作为栅极电极)之间具有第二源极-栅极间电容。而第二金属层418的第三部分418C(作为漏极电极)与第一分支部410A及第二分支部410B(作为栅极电极)之间分别具有第一漏极-栅极间电容与第二漏极-栅极间电容。而上述第一源极-栅极间电容与第二源极-栅极间电容的总和优选和第一漏极-栅极间电容与第二漏极-栅极间电容的总和相等。使有源元件400中源极-栅极间电容与漏极-栅极间电容相等可提升装置性能。详细而言，由于源极与漏极仅由电极间的电流方向定义，因此上述第二金属层418的第一部分418A、第二部分418B、及第三部分418C都可作为源极或是漏极。因此，使有源元件400中源极-栅极间电容与漏极-栅极间电容相等可使上述第一部分418A、第二部分418B、及第三部分418C在源极与漏极之间转换时不会因不同的电容值而造成误差，并可提升装置性能。此外，本发明也提供以包括上述有源元件的薄膜晶体管基板的显示面板。参见图5，该图为本发明实施例的显示面板500的剖视图。如图5所示，显示面板500包括薄膜晶体管基板502、上基板504、以及设于此薄膜晶体管基板502与上基板504之间的显示介质层506。在本发明实施例中，显示面板500为液晶显示面板，上基板504为彩色滤光片基板，显示介质层506为液晶层。在本发明另一实施例中，显示面板500为有机发光显示面板，上基板504为透明基板，显示介质层506为有机发光层。在本发明又一实施例中，显示面板500为有机发光显示面板，上基板504为彩色滤光片基板，显示介质层506为有机发光层。此薄膜晶体管基板502可于非显示区设有上述图2A及图2B的实施例中的有源元件200、图3的实施例中的有源元件300或是图4A-图4B的实施例中的有源元件400。而此彩色滤光片基板504可包括一透明基板以及设于此透明基板上的彩色滤光层(未绘示)。此彩色滤光层可为红色滤光层、绿色滤光层、蓝色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。此液晶层506可为向列型液晶(nematic)、层列型液晶(smectic)、胆固醇液晶(cholesteric)、蓝相液晶(Bluephase)或其它任何适合的液晶材料。由于薄膜晶体管基板502中的有源元件200、300或400可增加装置的电阻并降低电流量，使装置产生的温度降低，并降低热载流子效应，故此显示面板500可具有更佳的耐久性及产品寿命。此外，本发明也提供以此显示面板制造的显示装置。参见图6，该图为本发明实施例的显示装置600的剖视图。如图6所示，显示装置600包括背光模块602以及设于此背光模块602上的显示面板500。此背光模块602可为发光二极管背光模块或其它任何适合的背光模块。需知悉的是，若显示面板500为有机发光显示面板，则背光模块也可省去。由于显示面板500中的有源元件可增加装置的电阻并降低电流量，使装置产生的温度降低，并降低热载流子效应，因此显示装置600可具有更佳的耐久性及产品寿命。综上所述，本发明实施例将非显示区中的薄膜晶体管的源极至栅极的距离设为与漏极至栅极的距离不同，故可增加装置的电阻并降低电流量，使装置产生的温度降低，并降低热载流子效应，因此可提升显示装置的耐久性及产品寿命。虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。