一种全光纤标准具或滤波器的制作方法与流程

文档序号:11825816阅读:276来源:国知局
一种全光纤标准具或滤波器的制作方法与流程

本发明涉及光通信与激光领域,特别涉及一种全光纤标准具或滤波器的制作方法。



背景技术:

在光纤通信系统和光纤激光器中,标准具和滤波器起到了非常重要的作用,比如通讯领域中使用的密集波分复用器依赖于窄带梳状滤波器;光纤激光器中的窄带输出也依赖于标准具。

传统的标准具和滤波器是由玻璃、半导体(如硅)等材料通过光学冷加工和镀膜的方式得到的块状元件。用于光纤系统中时需要使用准直器等元件进行光学耦合,这不仅会带来较大的插入损耗,还会使调装工作异常繁琐和复杂,并且也严重影响整个器件的稳定性。

全光纤器件因其集成度高,插入损耗小,工作稳定等特点,在相关领域的需求日益增加。



技术实现要素:

针对上述问题,本发明的目的在于提供制作方法简单、产品稳定的全光纤标准具或滤波器的制作方法。

为达到上述目的,本发明所提出的技术方案为:一种全光纤标准具或滤波器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:将单模光纤与多模光纤或光纤毛细管熔接;

步骤2:切割多模光纤或光纤毛细管到适当长度,把熔有多膜光纤的一端浸入腐蚀液中进行腐蚀,直到光纤腐蚀露出单膜光纤;

步骤3:根据基本单元不同的功能,在光纤毛细管的切割端面或腐蚀后的切割多模光纤镀相应的薄膜;

步骤4:把多模光纤或光纤毛细管端面上的镀膜抛掉,形成器件基本单元;

步骤5:把不同功能的基本单元熔接在一起,即形成不同类型的全光纤标准具或滤波器。

优选的,步骤2所述的腐蚀液为氢氟酸或强碱。

优选的,步骤3所述的薄膜有高反射膜、减反射膜、部分反射膜、滤光膜等。

进一步,步骤5所述的把两个基本单元的镀膜端熔接在一起,当两个基本单元皆镀高反射膜或部分反射膜时,就形成一个全光纤空气隙标准具。

进一步,步骤5所述的把两个基本单元的镀膜端熔接在一起,当一个基本单元镀减反射膜,另一个基本单元镀滤光膜,就形成一个全光纤滤波器.

进一步,把基本单元的另一端上述所述的流程进行加工和镀膜,当所制作出的新的基本单元两端皆镀高反射膜或部分反射膜时,就形成了一个光纤标准具单元,在这个光纤标准具单元的两端与另两个镀减反射膜的基本单元熔接在一起,就构成了一个全光纤型光纤标准具。

优选的,为了增加器件的牢固度,可在光纤外再熔护套进行保护。

采用上述技术方案,本发明所述的全光纤标准具或滤波器的制作方法,通过单模光纤与多模光纤熔接或与光纤毛细管熔接,通过酸腐蚀或光学切割制作光纤端面有大于光纤直径的凹陷光学表面并镀反射膜或滤波膜的形成光纤标准具的一个腔镜,再通过熔接带增透膜光纤,从而制作全光纤标准具、滤波器;具有制作方法简单、产品稳定的等优点。

附图说明

图1为本发明所述的全光纤标准具或滤波器的制作方法示意图1;

图2为基本单元两端都进行加工的示意图;

图3为制作成的全光纤型光纤标准具示意图;

图4为本发明所述的全光纤标准具或滤波器的制作方法示意图2。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式,对本发明做进一步说明。

如图1所示,本专利中全光纤器件的基本单元的一种制作方法,

步骤1:熔接单模光纤1与多模光纤2;

步骤2:把多膜光纤2切短到适当长度,把熔有多膜光纤2的一端浸入腐蚀液中进行腐蚀,腐蚀液可以是氢氟酸或强碱,直到腐蚀露出光膜光纤1;

步骤3:根据基本单元不同的功能,在光纤毛细管的切割端面或腐蚀后的切割多模光纤镀相应的薄膜3,如高反射膜,减反射膜,部分反射膜,滤光膜等;

步骤4:把多模光纤或光纤毛细管端面上的镀膜抛掉,形成器件基本单元4;

步骤5:把不同功能的基本单元熔接在一起,即形成不同类型的全光纤标准具或滤波器5。

当两个基本单元皆镀高反射膜或部分反射膜时,就形成一个全光纤空气隙标准具;如果一个基本单元镀减反射膜,另一个基本单元镀滤光膜,就形成一个全光纤滤波器。为增加器件的牢固度,可在光纤外再熔护套进行保护。

如图2所示,把基本单元的另一端按图1所示的流程进行加工和镀膜,当两端皆镀高反射膜或部分反射膜时,就形成了一个光纤标准具单元6。在这个光纤标准具单元的两端与另两个镀减反射膜的基本单元熔接在一起,如图3所示,就构成了一个全光纤型光纤标准具7;同时为增加器件的牢固度,可在光纤外再熔护套进行保护。

按照图1所示流程加工出的基本单元,单模光纤经腐蚀裸露出来的是一个凹面,在一些应用中,这种凹面会增大器件的损耗。本发明提出另一种基本单元的实施方案,使用光纤毛细管8制作基本单元,单膜光纤裸露出来的是平面,如图4所示。其工艺与步骤1大体相同,但是由于使用了光纤毛细管,在上述制作流程中不需进行腐蚀,因此光纤1露出端面为平面。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内,在形式上和细节上对本发明做出各种变化,均为本发明的保护范围。

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