1.一种光学结构，其包括：
波导谐振器，其包括光学输入、光学输出及具有谐振波长的波导，所述波导包括应变波导芯及经布置以环绕所述芯的至少一个包层；及，
至少一对电极，其电耦合到所述波导谐振器以用于提供改变所述波导谐振器的所述谐振波长的电场。
2.根据权利要求1所述的光学结构，其中所述包层的至少一部分具有不同于所述波导芯的热膨胀系数的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的光学结构，其中所述应变波导芯是由所述至少一个包层的至少一部分产生。
4.根据权利要求1所述的光学结构，其进一步包括：
控制装置，其用于将电压施加到所述电极以改变所述波导谐振器的所述谐振波长。
5.根据权利要求4所述的光学结构，其中所述控制装置耦合到用于检测影响所述波导谐振器的温度的温度传感器，且基于所感应到的温度而产生施加到所述电极的电压。
6.根据权利要求5所述的光学结构，其进一步包括温度设定点装置，所述温度设定点装置耦合到所述控制装置以用于产生用于设定波长设定点的电压。
7.根据权利要求4所述的光学结构，其中所述控制装置耦合到用于检测所述波导谐振器的波长的波长检测器，且基于所检测到的波长而产生施加到所述电极的电压。
8.根据权利要求7所述的光学结构，其进一步包括耦合到所述控制装置以用于设定波长设定点的波长设定点装置。
9.根据权利要求5所述的光学结构，其中所述波导谐振器的所述谐振波长在第一操作温度下发生，且所述控制装置将根据与所述第一操作温度的温度偏差而改变所述谐振波长的值的电压施加到所述电极。
10.根据权利要求4所述的光学结构，其中所述控制装置与所述波导谐振器位于共用衬底上。
11.根据权利要求1所述的光学结构，其中所述至少一个包层至少包括在所述波导芯下方的第一底部包层及至少在所述波导芯上方延伸的第二上部包层，所述第一包层及所述第二包层中的至少一者将应变提供到所述波导芯。
12.根据权利要求11所述的光学结构，其中所述上部包层将应变提供到所述波导芯材料。
13.根据权利要求11所述的光学结构，其中所述波导芯包括Si、GaAs、INP、SixGe1-x中的一者。
14.根据权利要求12所述的光学结构，其中所述上部包覆材料包括氮化硅、SiOxNy、旋涂电介质、SiO2、氢化SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2及Al2O3中的一者。
15.根据权利要求11所述的光学结构，其中所述底部包层包括氧化硅。
16.根据权利要求15所述的光学结构，其中所述氧化硅是绝缘体上硅结构的一部分。
17.根据权利要求11所述的光学结构，其中所述电极中的第一者位于所述第一底部包层下方，且所述电极中的第二者位于所述第二上部包层上方。
18.根据权利要求11所述的光学结构，其进一步包括位于所述电极中的至少一者与所述第二上部包层之间的热光补偿包层。
19.根据权利要求11所述的光学结构，其中所述电极中的第一者电耦合到所述第二上部包层，且所述电极中的第二者在与所述电极中的所述第一者间隔开的位置处电耦合到所述第二上部包层。
20.根据权利要求19所述的光学结构，其进一步包括在与所述第一电极及所述第二电极间隔开的位置处电耦合到所述第二上部包层的第三电极。
21.一种形成光学结构的方法，所述方法包括：
形成波导谐振器，所述波导谐振器具有光学输入及光学输出以及波导，所述波导包括由至少一种包覆材料环绕的应变波导芯；及
形成电极，所述电极用于将电场施加到所述应变波导芯以改变所述谐振器结构的操作谐振波长。
22.根据权利要求21所述的形成光学结构的方法，其中通过所述至少一种包覆材料的至少一部分产生所述波导芯中的应变。
23.根据权利要求22所述的形成光学结构的方法，其中所述形成所述波导谐振器包括：
在提供于衬底上的下部包覆材料上方形成波导芯；
在所述波导芯上方形成上部包层；
其中所述上部包层及底部包层中的至少一者在所述波导芯中产生应变。
24.根据权利要求23所述的形成光学结构的方法，其进一步包括：
形成与所述上部包覆材料电连通的第一电极；及
形成与所述上部包层及所述下部包层中的至少一者电连通的第二电极。
25.根据权利要求24所述的形成光学结构的方法，其中所述第二电极与所述上部包层电连通且与所述第一电极间隔开。
26.根据权利要求24所述的形成光学结构的方法，其中所述第二电极与所述下部包层电连通。
27.根据权利要求25所述的形成光学结构的方法，其进一步包括：形成与所述上部包层电连通且与所述第一电极及所述第二电极间隔开的第三电极。
28.根据权利要求23所述的形成光学结构的方法，其中所述形成上部包层包括：在所述波导芯上方形成所述上部包覆材料及加热所述上部包层及波导芯以使所述波导芯发生应变。
29.根据权利要求23所述的形成光学结构的方法，其中所述波导芯包括Si、GaAs、INP、SixGe1-xs中的一者。
30.根据权利要求23所述的形成光学结构的方法，其中所述上部包覆材料包括氮化硅、SiOxNy、旋涂电介质、SiO2、氢化SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2及AL2O3中的一者。
31.根据权利要求21所述的形成光学结构的方法，其进一步包括：形成温度传感器及控制装置，所述控制装置连接到所述温度传感器以用于响应于所检测到的温度改变而控制施加到所述电极的电压。
32.根据权利要求21所述的形成光学结构的方法，其进一步包括：形成波长检测器及控制装置，所述控制装置连接到所述波长检测器以用于响应于所检测到的波长改变而控制施加到所述电极的电压。
33.根据权利要求31所述的形成光学结构的方法，其中所述控制装置及波导谐振器形成于共用衬底上。
34.根据权利要求32所述的形成光学结构的方法，其中所述控制装置及波导谐振器形成于共用衬底上。
35.根据权利要求23所述的形成光学结构的方法，其进一步包括：在所述上部包层上形成热光补偿材料。
36.根据权利要求35所述的形成光学结构的方法，其中所述热光补偿材料具有负热光系数，且所述波导芯材料具有正热光系数。
37.根据权利要求35所述的形成光学结构的方法，其中所述热光补偿材料包括聚合物及氧化钛中的一者。