一种辅助图形的添加方法与流程

本发明涉及半集成电路制造技术领域，具体涉及一种辅助图形的添加方法。

背景技术：

在暗场工艺中，通孔获得的光强较弱，图像对比度差。随着线宽的减小，通孔层次的掩模版误差因子(Mask Error Effect，MEF)增大明显，由此带来的是掩模版图形尺寸的微小波动导致硅片上线宽的显著变化，同时，半导体工艺条件会出现各种波动，典型地如光刻工艺中焦距的波动、曝光能量的波动等都会导致光刻线宽的波动。因此，为确保良率，必须提高通孔图形的解析能力和工艺窗口。

目前常用的方法是在通孔周围插入AF(assist feature)，包括基于规则的AF(RBAF)和基于模型的AF(MBAF)来改善通孔的空间频率和空间像从而提高通孔的解析度和工艺窗口。MBAF的原理是基于模型(model)进行AF的添加，运行时间较长，而RBAF则是基于一系列规则组合来添加AF，包括side AF和corner AF的添加。

AF rule是基于硅片上收集的大量关于辅助图形与线宽和图像等验证数据而制定的(包含图形的类型和尺寸)。根据该验证过的AF rule，在光学临近修正(Optical Proximity Correction,OPC)过程中，对需要进行OPC修正的目标图形添加AF，即通常所说的RBAF。RBAF包含边辅助图形(side bar)和角辅助图形(corner bar)，side bar的主要参数有辅助图形尺寸(SBW)/辅助图形与目标图形的距离(S2M)/辅助图形之间的距离(S2S)，corner AF主要参数有辅助图形尺寸(SBW)/辅助图形与目标图形的距离(S2M)，如图1所示。按照目标图形边缘间重叠区域的距离，参照AF rule，从而确定该交叠区域的AF参数以进行AF的添加，根据距离的大小，在两个通孔间可能加入一根，两根甚至更多根的AF。

对于某些通孔图形，当边缘重叠区域长度较短时，受最小AF长度、S2M等参数的影响，对于常规RBAF，该区域内将不会有AF的添加，如图2所示，A区域内最终的AF添加结果为其中的带斜线图形。

技术实现要素：

为了克服以上问题，本发明旨在提供一种辅助图形的添加方法，在目标图形边缘距离较小的情况下实现辅助图形的添加。

为了达到上述目的，本发明提供了一种辅助图形的添加方法，其包括：

步骤01：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则，建立辅助图形额外规则；其中，OPC目标图形中可能已有辅助图形；

步骤02：把目标图形整体进行放大，使目标图形的所有边向外扩展A距离；A为非负数，A的单位为长度单位；

步骤03：基于辅助图形额外规则，将所述辅助图形额外规则中相应目标图形之间的距离值减去2A；并且，基于A距离，将辅助图形额外规则中因目标图形整体放大而受到影响的其他参数进行相应调整；

步骤04：运行辅助图形额外规则，生成第一辅助图形；

步骤05：以第一辅助图形作为新增的参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；将第一辅助图形，第二辅助图形和已有辅助图形叠加构成最终的辅助图形。

优选地，所述步骤02中，A距离小于目标图形所允许的最小间距的1/2。

优选地，所述辅助图形基准规则和辅助图形额外规则中的辅助图形均为边辅助图形。

优选地，所述步骤01中，在建立辅助图形额外规则之前，还包括：基于辅助图形基准规则，对目标图形建立初始的基于规则的辅助图形；步骤05中，还包括：以第一辅助图形、初始基于规则的辅助图形、原始输入辅助图形和原始输入参考图形作为参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；最终的辅助图形是将第一辅助图形、第二辅助图形、初始基于规则的辅助图形和原始输入辅助图形叠加构成的。

优选地，所述初始基于规则的辅助图形包括：边辅助图形(side bar)和角辅助图形(corner bar)。

优选地，所述目标图形为通孔图形。

优选地，所述辅助图形均为亚分辨率图形。

优选地，步骤04之后且所述步骤05之前，还包括：将步骤01中的OPC目标图形替代放大后的OPC目标图形。

本发明的辅助图形的添加方法，通过以辅助图形基准规则RBAF为基础，建立辅助图形额外规则并对目标图形整体进行放大，目的在于解决当目标通孔图形间重叠边缘长度较短时，通过常规RBAF方法无法加入AF的问题。因此，相比常规的RBAF方法，本发明在维持辅助图形基准规则不变的情况下，更大可能且更合理地在通孔目标图形中添加了辅助图形，从而有效提高了通孔目标图形的质量和工艺窗口。

附图说明

图1为基于规则辅助图形的参数示意图

图2为目标图形中的边缘重叠区域长度较短时所对应的一种常规的辅助图形的示意图

图3为本发明的一个较佳实施例的辅助图形的添加方法的流程示意图

图4为本发明的一个较佳实施例的将目标图形整体放大后的示意图

图5为本发明的一个较佳实施例的将目标图形整体放大后生成了第一辅助图形的示意图

图6为本发明的一个较佳实施例生成第一辅助图形后将放大后的目标图形还原为初始的目标图形后的示意图

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

本发明根据基准AF rule，即辅助图形基准规则，以下简称Base AF rule，制定一套额外的AF rule，即辅助图形额外规则，以下简称Extra AF rule，该Extra AF rule中只含Base AF rule中只能加入一根AF的规则信息。

以下结合附图3～6和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。

请参阅图3，本实施例的一种辅助图形的添加方法，包括：

步骤01：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则，建立辅助图形额外规则；

具体的，本实施例中的OPC目标图形为通孔图形，辅助图形基准规则和辅助图形额外规则中的辅助图形均为边辅助图形，且均为亚分辨率图形；其中，OPC目标图形中已有辅助图形。首先，在建立辅助图形额外规则之前，基于辅助图形基准规则，对目标图形建立初始的基于规则的辅助图形，这里的初始的基于规则的辅助图形包括：边辅助图形(side bar)和角辅助图形(corner bar)，各辅助图形参数信息请参阅图1；然后，基于辅助图形基准规则Base AF rule，选取其中只能加入一根辅助图形的规则部分，建立辅助图形额外规则，Extra AF rule；

步骤02：把目标图形整体进行放大，使目标图形的所有边向外扩展A距离；

具体的，如图4所示，将通孔图形整体向外放大，使通孔图形的四个边均向外扩展A距离，A距离小于通孔目标图形最小间距的1/2，。需要说明的是，A为非负数，A的单位为长度单位；本实施例中，A的长度单位可以为nm。

步骤03：基于辅助图形额外规则，将所述辅助图形额外规则中相应目标图形之间的距离值减去2A；并且，基于A距离，将辅助图形额外规则中因目标图形整体放大而受到影响的其他参数进行相应调整；

具体的，请再次参阅图4，基于Extra AF rule，将规范中通孔图形之间的距离值减去2A，并且，这里的其他参数包括：辅助图形至目标图形的距离(S2M)，辅助图形与目标图形所允许的最小距离等，例如，将S2M的距离减去A，将原有辅助图形与目标图形所允许的最小距离减去A。

步骤04：运行辅助图形额外规则，生成第一辅助图形；

具体的，请参阅图5，已经为OPC目标图形中边缘重叠区域较短的区域已经加入了AF(虚线图形所示)。步骤05：以第一辅助图形作为新增的参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；将第一辅助图形和第二辅助图形叠加构成最终的辅助图形。

步骤04之后且在步骤05之前，还包括：将步骤01中的OPC目标图形替代放大后的OPC目标图形，如图6所示。

步骤05：以第一辅助图形作为新增的参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；将第一辅助图形，第二辅助图形和已有辅助图形叠加构成最终的辅助图形。

具体的，以第一辅助图形、初始基于规则的辅助图形、原始输入辅助图形和原始输入参考图形作为参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；最终的辅助图形是将第一辅助图形、第二辅助图形、初始基于规则的辅助图形和原始输入辅助图形叠加构成的。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书为准。