1.一种套准精度量测图形结构，其特征在于包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽。
2.根据权利要求1所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述长条形凹槽用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述套准精度量测图形结构用于厚胶光刻条件。
4.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，所述套准精度量测图形结构用于采用0.7μm～3μm厚的光刻胶的光刻工艺。
5.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，凹槽的宽度小于130nm。
6.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，凹槽的宽度小于90nm。
7.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，凹槽的宽度小于65nm。
8.根据权利要求1或2所述的套准精度量测图形结构，其特征在于，凹槽的宽度为22nm。