技术总结
本实用新型提供了一种套准精度量测图形结构，包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽，用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。本实用新型在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的面积大，附着力强。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是不会出现倒胶脱落的风险，保证了套准精度量测图形的完整性。本实用新型能够减少厚光刻胶层次套准精度量测图形倒胶风险，从而减少了光刻套准精度量测异常的产生，提高了产品成品率。
技术研发人员：周世均;郑海昌;朱骏
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201620809339
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.01.04