太赫兹波导器件的制作方法

技术特征：

1.一种太赫兹波导器件，其特征在于，所述太赫兹波导器件包括基管，所述基管为管状结构，且所述基管中填充有惰性气体。

2.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管中填充有氦、氖、氩、氪、氙中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述惰性气体填充于所述基管中的整个空间，且所述基管中仅填充有惰性气体。

4.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述惰性气体在基管中形成均匀的气流场，且所述基管中填充有纯惰性气体。

5.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为聚合物材料制成的管状结构，所述基管为圆形的空心管，且所述空心管具有光滑的内表面。

6.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管对太赫兹波的折射率为1.4-2.0。

7.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为聚乙烯、聚四氟乙烯、聚甲基戊烯、环烯烃类共聚物中的一种制成的管状结构。

8.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为纯聚四氟乙烯制成的管状结构。

9.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管的半径R满足以传输模，其中λ为太赫兹波的波长。

10.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，进一步包括太赫兹波输入装置及太赫兹波接收装置，所述基管设置于太赫兹波输入装置及太赫兹输出装置之间。