1.一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器，其特征在于，包括：基底晶片(5)、下粘接层(6)、铌酸锂单晶薄膜(7)、直条型光学波导(3-1)、下层金属电极(8)、上层金属电极(9)，
所述基底晶片(5)为光学级、双面抛光的铌酸锂或石英晶片，其厚度为0.1mm至2mm；
所述下粘接层(6)为二氧化硅薄膜，位于基底晶片(5)与铌酸锂单晶薄膜(7)之间，厚度为0.1μm至5μm；
所述铌酸锂单晶薄膜(7)具有单晶结构，切向为X切Z传或Y切Z传，厚度为0.1μm至10μm；
所述直条型光学波导(3-1)为钛扩散波导，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm；
所述下层金属电极(8)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的正下方、掩埋于下粘接层(6)中；
所述上层金属电极(9)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的上方并分置于直条型光学波导(3-1)的左右两侧，形成共面电极结构。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器，其特征在于，还包括金属封装管壳壳体(10)、金属封装管壳引脚(11)、金线(12)、单孔套管光纤模块(13-1)，金属封装管壳引脚(11)通过金线(12)分别与下层金属电极(8)和上层金属电极(9)连接，直条型光学波导(3-1)的输入端和输出端分别与单孔套管光纤模块(13-1)进行耦合粘接。
3.根据权利要求2所述的一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器，其特征在于，刻蚀区域(A)中的下层金属电极(8)为通过干法刻蚀技术刻蚀掉该部分的铌酸锂单晶薄膜(7)露出来的，下层金属电极(8)与金属封装管壳壳体(10)上的金属封装管壳引脚(11)进行键合引线，上层金属电极(9)通过金线(12)与金属封装管壳壳体(10)上的金属封装管壳引脚(11)进行键合引线。
4.一种光量子偏振态控制模块，其特征在于，包括：基底晶片(5)、下粘接层(6)、铌酸锂单晶薄膜(7)、直条型光学波导(3-1)、下层金属电极(8)、上层金属电极(9)、定向耦合器型光学波导(3-2)、金属封装管壳，
所述基底晶片(5)为光学级、双面抛光的铌酸锂或石英晶片，其厚度为0.1mm至2mm；
所述下粘接层(6)为二氧化硅薄膜，位于基底晶片(5)与铌酸锂单晶薄膜(7)之间，厚度为0.1μm至5μm；
所述铌酸锂单晶薄膜(7)具有单晶结构，切向为X切Z传或Y切Z传，厚度为0.1μm至10μm；
所述直条型光学波导(3-1)为钛扩散波导，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至5μm；
所述下层金属电极(8)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的正下方、掩埋于下粘接层(6)中；
所述上层金属电极(9)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的上方并分置于直条型光学波导的左右两侧，形成共面电极结构；
所述定向耦合器型光学波导(3-2)为钛扩散波导，采用定向耦合器型结构，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm。
5.根据权利要求4所述的一种光量子偏振态控制模块，其特征在于，所述金属封装管壳包括：金属封装管壳壳体(10)、金属封装管壳引脚(11)、金线(12)、单孔套管光纤模块(13-1)、双孔套管光纤模块或双套管光纤模块(13-2)；金属封装管壳引脚(11)通过金线(12)分别与下层金属电极(8)和上层金属电极(9)连接，直条型光学波导(3-1)的输入端、定向耦合器型光学波导(3-2)的输出端分别与单孔套管光纤模块(13-1)、双孔套管光纤模块或双套管光纤模块(13-2)进行耦合粘接。
6.根据权利要求5所述的一种光量子偏振态控制模块，其特征在于，单孔套管光纤模块(13-1)包括单孔的铌酸锂套管或玻璃套管以及一根单模光纤或保偏光纤，粘接于直条型光学波导(3-1)的输入端，双孔套管光纤模块或双套管光纤模块(13-2)包括双孔的铌酸锂套管或玻璃套管，或两个单孔的铌酸锂套管或玻璃套管，套管的双孔或两个单孔各穿有一根单模光纤或保偏光纤，双孔套管光纤模块或双套管光纤模块(13-2)粘接于定向耦合器型光学波导(3-2)的输出端。
7.根据权利要求4所述的一种光量子偏振态控制模块，其特征在于，刻蚀区域(A)中的下层金属电极(8)为通过干法刻蚀技术刻蚀掉该部分的铌酸锂单晶薄膜(7)露出来的，下层金属电极(8)与金属封装管壳壳体(10)上的金属封装管壳引脚(11)进行键合引线，上层金属电极(9)通过金线(12)与金属封装管壳壳体(10)上的金属封装管壳引脚(11)。