LCD端子的制造工艺及LCD端子的制作方法

本发明属于lcd端子的技术领域，更具体地说，是涉及一种lcd端子的制造工艺及lcd端子。

背景技术：

近几年伴随着va产品技术的发展，车载lcd产品在动态、全显、固定画面的普遍要求在70℃*500h以上，更严格的要求在1000h以上，特别是0ppm的要求更对车载lcd产品本身提出了新的挑战。

车载lcd产品包括lcd端子，其包括基板和设于基板上的ito走线，其在现有的生产及装配过程中，操作人员会不可避免地接触到lcd端子部分，汗液及其它异物会接触到基板表面，汗液具有很弱的酸性，日积月累会对基板上的ito走线形成腐蚀，主要表现在电化学腐蚀。同时，基板表面也有可能接触玻璃碎或其它尖锐异物，这样，在生产操作中均有可能会划伤ito走线，从而影响产品的可靠性。

技术实现要素：

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种lcd端子的制造工艺，包括以下步骤：

对下ito基板进行清洗；

将二氧化硅涂液印刷于所述下ito基板上；

对所述二氧化硅涂液进行预固化；

对所述二氧化硅涂液进行主固化，使所述二氧化硅涂液成为附着于所述下ito基板上的二氧化硅涂层；

对印有所述二氧化硅涂层的所述下ito基板进行清洗；

将聚酰亚胺保护液印刷于所述二氧化硅涂层上；

对所述聚酰亚胺保护液进行主固化，使所述聚酰亚胺保护液成为附着于所述二氧化硅涂层上的聚酰亚胺保护层。

本发明提供的lcd端子的制造工艺的有益效果在于：与现有技术相比，首先，对下ito基板进行清洗，将二氧化硅涂液印刷于下ito基板上，并对二氧化硅涂液进行预固化和主固化，使二氧化硅涂液成为附着于下ito基板上的二氧化硅涂层；其次，对印有二氧化硅涂层的下ito基板进行清洗，将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层上，并对聚酰亚胺保护液进行主固化，使聚酰亚胺保护液成为附着于二氧化硅涂层上的聚酰亚胺保护层。这样，由上述lcd端子的制造工艺所制得的lcd端子，其下ito基板的ito走线上将覆盖有二氧化硅涂层及聚酰亚胺保护层，二氧化硅涂层及聚酰亚胺保护层将对ito走线形成双重保护，其在生产装配的过程中，可有效地避免操作人员接触lcd端子，避免汗液对ito走线形成腐蚀，同时，还可避免玻璃碎或其它尖锐异物划伤ito走线，从而提高产品的可靠性。

本发明还提供了lcd端子，包括下ito基板、附着于所述下ito基板上的二氧化硅涂层以及附着于所述二氧化硅涂层上的聚酰亚胺保护层，所述下ito基板包括下基板和设于在所述下基板上的铟锡氧化物半导体透明导电膜走线，所述二氧化硅涂层附着于所述铟锡氧化物半导体透明导电膜走线上。

本发明提供的lcd端子的有益效果在于：与现有技术相比，其下ito基板的铟锡氧化物半导体透明导电膜走线上将覆盖有二氧化硅涂层及聚酰亚胺保护层，二氧化硅涂层及聚酰亚胺保护层将对铟锡氧化物半导体透明导电膜走线形成双重保护，其在生产装配的过程中，可有效地避免操作人员接触lcd端子，避免汗液对铟锡氧化物半导体透明导电膜走线形成腐蚀，同时，还可避免玻璃碎或其它尖锐异物划伤铟锡氧化物半导体透明导电膜走线，从而提高产品的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的lcd端子的制造工艺的流程图；

图2为本发明实施例提供的lcd端子的结构示意图。

其中，图中各附图标记：

10-lcd端子；11-下ito基板；12-二氧化硅涂层；13-聚酰亚胺保护层；111-下基板；112-铟锡氧化物半导体透明导电膜走线；14-上ito基板。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

请一并参阅图1及图2，现对本发明提供的lcd端子的制造工艺进行说明。

该lcd端子的制造工艺包括以下步骤：

步骤s1：对下ito基板11进行清洗；

步骤s2：将二氧化硅涂液印刷于下ito基板11上；

步骤s3：对二氧化硅涂液进行预固化；

步骤s4：对二氧化硅涂液进行主固化，使二氧化硅涂液成为附着于下ito基板11上的二氧化硅涂层12；

步骤s5：对印有二氧化硅涂层12的下ito基板11进行清洗；

步骤s6：将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层12上；

步骤s7：对聚酰亚胺保护液进行主固化，使聚酰亚胺保护液成为附着于二氧化硅涂层12上的聚酰亚胺保护层13。

本发明提供的lcd端子的制造工艺，与现有技术相比，首先，对下ito基板11进行清洗，将二氧化硅涂液印刷于下ito基板11上，并对二氧化硅涂液进行预固化和主固化，使二氧化硅涂液成为附着于下ito基板11上的二氧化硅涂层12；其次，对印有二氧化硅涂层12的下ito基板11进行清洗，将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层12上，并对聚酰亚胺保护液进行主固化，使聚酰亚胺保护液成为附着于二氧化硅涂层12上的聚酰亚胺保护层13。这样，由上述lcd端子的制造工艺所制得的lcd端子10，其下ito基板11的ito走线上将覆盖有二氧化硅涂层12及聚酰亚胺保护层13，二氧化硅涂层12及聚酰亚胺保护层13将对ito走线形成双重保护，其在生产装配的过程中，可有效地避免操作人员接触lcd端子10，避免汗液对ito走线形成腐蚀，同时，还可避免玻璃碎或其它尖锐异物划伤ito走线，从而提高产品的可靠性。

请一并参阅图1及图2，为了便于将二氧化硅涂液印刷于下ito基板11上，步骤s2：将二氧化硅涂液印刷于下ito基板11上的步骤具体为：先将二氧化硅涂液印刷于感光树脂凸版上，再通过感光树脂凸版将二氧化硅涂液转印于下ito基板11上。或者，通过旋转机构将二氧化硅涂液旋转喷涂于下ito基板11上。

为了便于将二氧化硅涂液固化成附着于下ito基板11上的二氧化硅涂层12，具体地，步骤s3中，对二氧化硅涂液进行预固化的步骤具体为：通过紫外光、烤箱或加热板在70℃～100℃的温度条件下对二氧化硅涂液进行预固化。采用紫外光、烤箱或加热板进行操作，设备简单，操作方便。

同时，步骤s4中，对二氧化硅涂液进行主固化的步骤具体为：通过烤箱或加热板在250℃～350℃的温度条件下对二氧化硅涂液进行主固化。采用烤箱或加热板使得主固化操作方便。

请一并参阅图1及图2，为了便于将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层12上，具体地，步骤s6中，将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层12上的步骤具体为：先将聚酰亚胺保护液印刷于感光树脂凸版上，再通过感光树脂凸版将聚酰亚胺保护液转印于二氧化硅涂层12上。或者，通过旋转机构将聚酰亚胺保护液旋转喷涂于二氧化硅涂层12上。

同理，为了便于将聚酰亚胺保护液固化成附着于二氧化硅涂层12上的聚酰亚胺保护层13，具体地，步骤s7中，对聚酰亚胺保护液进行主固化的步骤具体为：在180℃～260℃的温度条件下对聚酰亚胺保护液进行主固化。

此外，在步骤s7：对聚酰亚胺保护液进行主固化，使聚酰亚胺保护液成为附着于二氧化硅涂层12上的聚酰亚胺保护层13之后，还包括：

步骤s8：抗摩擦镜检操作：在印有二氧化硅涂层12和聚酰亚胺保护层13的下ito基板11上，用棉花和重物进行来回摩擦后，将下ito基板11置于显微镜下观察。细化地，先将棉花置于聚酰亚胺保护层13上，再将100g的重物置于棉花上，进行来回100次的摩擦后，将下ito基板11置于显微镜下观察，分别在100倍、200倍、400倍的倍数下观察摩擦后的二氧化硅涂层12和聚酰亚胺保护层13。

请参阅图2，本发明提供的lcd端子10，包括下ito基板11、附着于下ito基板11上的二氧化硅涂层12以及附着于二氧化硅涂层12上的聚酰亚胺保护层13，下ito基板11包括下基板111和设于在下基板111上的铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112，二氧化硅涂层12附着于铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112上。

本发明提供的lcd端子10，与现有技术相比，其下ito基板11的铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112上将覆盖有二氧化硅涂层12及聚酰亚胺保护层13，二氧化硅涂层12及聚酰亚胺保护层13将对铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112形成双重保护，其在生产装配的过程中，可有效地避免操作人员接触lcd端子10，避免汗液对铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112形成腐蚀，同时，还可避免玻璃碎或其它尖锐异物划伤铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112，从而提高产品的可靠性。

请参阅图2，为了使得二氧化硅涂层12对铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112形成全面保护，二氧化硅涂层12完全覆盖铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112。

细化地，下基板111为钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃。

为了便于二氧化硅涂层12与聚酰亚胺保护层13更好地形成双重保护，二氧化硅涂层12与聚酰亚胺保护层13四周对齐。

请参阅图2，为了进一步地对聚酰亚胺保护层13形成保护，聚酰亚胺保护层13的上侧设有上ito基板14。这样，铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112、二氧化硅涂层12和聚酰亚胺保护层13将被设置于上ito基板14及下ito基板11之间，分别受到上ito基板14及下ito基板11的保护。

请参阅图2，为了使得上ito基板14更加全面地保护聚酰亚胺保护层13，上ito基板14完全覆盖聚酰亚胺保护层13。

细化地，为了更好保护铟锡氧化物半导体透明导电膜走线112、二氧化硅涂层12和聚酰亚胺保护层13，上ito基板14与下ito基板11对齐。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。