一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液的制作方法

文档序号:13625457阅读:1105来源:国知局

本发明涉及半导体晶圆技术领域,具体涉及一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液。



背景技术:

在通常的半导体制造工艺中,通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜,曝光后进行图形转移,在得到需要的图形之后,进行下一道工序之前,需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶,同时不能腐蚀任何基材。

目前,光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成,通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的光刻胶。将晶片浸入该清洗液中,在40-90℃下除去金属和电介质基材上的厚膜光刻胶,其对半导体晶片基材的腐蚀较高。随着半导体的快速发展,特别是凸球封装领域的发展,对光刻胶残留物的清洗要求也相应提高;主要是随着在单位面积上引脚数(i/o)越来越多,光刻胶的去除也变得越来越困难。



技术实现要素:

本发明旨在提供了一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液。

本发明提供如下技术方案:

一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液,包括以下质量百分比的原料:季铵氢氧化物32-36%、醇胺14-18%、季戊四醇7-11%、六元醇6-8%、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑0.1-1%、表面活性剂22-26%,其余为助溶剂。

所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵、羟乙基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。

所述醇胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或几种。

所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮。

所述助溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明选用合适的季铵氢氧化物/醇胺的比例有利于协调光刻胶去除能力和金属微球的防腐蚀;采用了六元醇对金属铝和铜同时具有较强的腐蚀抑制能力;采用了醇胺作为溶剂溶解氢氧化钾和季戊四醇,去除能力强。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液,包括以下质量百分比的原料:季铵氢氧化物32%、醇胺14%、季戊四醇7%、六元醇6%、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑0.1%、表面活性剂22%,其余为助溶剂。

所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵、羟乙基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。

所述醇胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或几种。

所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮。

所述助溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。

实施例2一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液,包括以下质量百分比的原料:季铵氢氧化物36%、醇胺18%、季戊四醇11%、六元醇8%、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑1%、表面活性剂26%,其余为助溶剂。

所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵、羟乙基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。

所述醇胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或几种。

所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮。

所述助溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。

实施例3一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液,包括以下质量百分比的原料:季铵氢氧化物34%、醇胺16%、季戊四醇9%、六元醇7%、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑0.7%、表面活性剂24%,其余为助溶剂。

所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵、羟乙基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。

所述醇胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或几种。

所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮。

所述助溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。

对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于所述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液,包括以下质量百分比的原料:季铵氢氧化物32‑36%、醇胺14‑18%、季戊四醇7‑11%、六元醇6‑8%、3‑氨基‑5‑巯基‑1,2,4‑三氮唑0.1‑1%、表面活性剂22‑26%,其余为助溶剂。与现有技术相比,本发明选用合适的季铵氢氧化物/醇胺的比例有利于协调光刻胶去除能力和金属微球的防腐蚀;采用了六元醇对金属铝和铜同时具有较强的腐蚀抑制能力;采用了醇胺作为溶剂溶解氢氧化钾和季戊四醇,去除能力强。

技术研发人员:江富杰;张飞凡
受保护的技术使用者:合肥新汇成微电子有限公司
技术研发日:2017.09.26
技术公布日:2018.02.06
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