显示面板的制作方法

本发明涉及一种电子装置，且特别涉及一种显示面板。

背景技术：

传统的显示面板是由彩色滤光基板、像素阵列基板以及配置于两者间的显示介质所构成。一般而言，彩色滤光基板包括黑色矩阵层，黑色矩阵层用以遮蔽相邻子像素区之间的区域，以防止显示面板漏光。另外，为使彩色滤光基板与像素阵列基板之间保持一定的间隙(cellspace)，会在彩色滤光基板与像素阵列基板之间设置多个间隙物，间隙物通常是形成在彩色滤光基板上，且基于增加耐压性的考量，间隙物包括高度较高的主间隙物及高度较低的子间隙物。

在显示面板的制程中，需组立彩色滤光基板与像素阵列基板。当彩色滤光基板与像素阵列基板的对位不佳时，彩色滤光基板的黑色矩阵层无法良好地遮蔽像素阵列基板的相邻子像素区之间的区域，间隙物也无法设置在正确的位置，从而造成漏光。因此，另一种显示面板制程是将黑色矩阵层及间隙物皆形成在像素阵列基板上，以避免因上述两基板的对位不佳而造成的漏光问题。基于简化制程的考量，可使用三色式(tri-tone)掩模的图案化黑色光致抗蚀剂材料层，以在像素阵列基板上同时形成分别具有三种高度的黑色矩阵层、主间隙物及子间隙物。然而，在现阶段，使用三色式掩模的制程及黑色光致抗蚀剂材料的开发尚未成熟，无法稳定地制作出高度误差在容许范围内的黑色矩阵层、主间隙物及子间隙物，而显示面板不易量产。

技术实现要素：

本发明提供一种显示面板，易量产。

本发明的显示面板包括第一基板、主动元件层、像素电极层、辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物。主动元件层配置于第一基板上。像素电极层配置于第一基板上且与主动元件层电性连接。辅助导电层配置于主动元件层上。第一间隙物配置于辅助导电层上。第一间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层重叠。第二间隙物配置于主动元件层上。第二间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层不重叠。第一间隙物的顶点与第一基板的距离大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离。

基于上述，在本发明一实施例的显示面板中，第一间隙物设置在辅助导电层上，而第二间隙物不设置在辅助导电层上。因此，即便利用成熟的制程于第一基板上形成高度实质上相同的第一间隙物与第二间隙物，第一间隙物的顶点与第一基板的距离

仍会大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离。第一间隙物与辅助导电层的堆迭结构可视为维持间隙(cellgap)的主间隙物，而第二间隙物可视为子间隙物。由于形成辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物的制程成熟且稳定，因此显示面板易量产。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。

图2为图1的像素阵列基板的上视示意图。

图3为本发明一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。

图4为本发明一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。

图5为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图6为图5的像素阵列基板的上视示意图。

图7为本发明另一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。

图8为本发明另一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。

图9为本发明又一实施例的显示面板的像素阵列基板的上视示意图。

附图标记说明：

100、100”：像素阵列基板

110：第一基板

110a：子像素区

110b：周边区

120：主动元件层

122：连接部

130：像素电极层

132：像素电极

132a：开口

140、140’、140”：辅助导电层

142：第一延伸部

142a：断开处

144：第二延伸部

146：第三延伸部

148：第四延伸部

152：第一间隙物

152a、154a：顶点

154：第二间隙物

156：遮光图案层

160、180：绝缘层

170：彩色滤光层

170r、170g：彩色滤光图案

172：相重叠的部分

190、190’：共用电极层

160a、170a、180a、190a、194a、194b：开孔

192：触控感测垫

194：绝缘层

200：第二基板

300：显示介质

400：触控驱动单元

1000、1000’：显示面板

ch：半导体层

dl：数据线

dl-1：数据线的一部分

d：漏极

d1、d2：距离

gl：扫描线

g：栅极

gi：绝缘层

h1、h2：高度

r1、r2：区域

s：源极

t：主动元件

tl：触控走线

w1、w2、w3、w4：宽度

x、y、z：方向

ⅰ-ⅰ’、ⅱ-ⅱ’：剖线

具体实施方式

图1为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。图2为图1的像素阵列基板的上视示意图。为清楚表达起见，图2省略图1的彩色滤光层170的示出的，且利用示出的电路的方法示出的部分元件(例如：主动元件t)。图3为本发明一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局(layout)上视示意图。特别是，图3对应于图2的第一间隙物152所在的区域r1，图1对应于图3的剖线ⅰ-ⅰ’。图4为本发明一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。特别是，图4对应于图2的第二间隙物154所在的区域r2，图1对应于图4的剖线ⅱ-ⅱ’。

请参照图1，在本实施例中，显示面板1000包括像素阵列基板100、第二基板200以及显示介质300。像素阵列基板100包括第一基板110，第二基板200配置于第一基板110的对向，显示介质300位于第一基板110与第二基板200之间。在本实施例中，显示介质300例如为液晶。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，显示介质300也可为有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)或其他适当材料。在本实施例中，第一基板110及第二基板200可皆为透光基板。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一基板110可为不透光/反光基板，而第二基板200可为透光基板。举例而言，前述的透光基板的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其它适当材料，前述的不透光/反光基板的材质可为导电材料、晶圆、陶瓷或是其它适当材料，但本发明不限于此。

请参照图1及图2，像素阵列基板100包括主动元件层120。主动元件层120配置于第一基板110上。在本实施例中，主动元件层120包括多个主动元件t、多条数据线dl、多条扫描线gl及绝缘层160。举例而言，在本实施例中，主动元件t可为薄膜晶体管。薄膜晶体管具有栅极g、半导体层ch、位于半导体层ch与栅极g之间的绝缘层gi以及分别与半导体层ch的不同两区域电性连接的源极s与漏极d。详言之，如图1所示，在本实施例中，栅极g可以位于半导体层ch的下方，而主动元件t可以是底部栅极型薄膜晶体管(bottomgatetft)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，主动元件t也可以是顶部栅极型薄膜晶体管(topgatetft)或其他适当形式的薄膜晶体管。

多条数据线dl与多条扫描线gl彼此交错。多条数据线dl及多条扫描线gl与多个主动元件t电性连接。详言之，在本实施例中，数据线dl与主动元件t的源极s电性连接，而扫描线gl与主动元件t的栅极g电性连接。举例而言，在本实施例中，扫描线gl与栅极g可形成于同一第一导电层，数据线dl、源极s与漏极d可形成于同一第二导电层，但本发明不以此为限。基于导电性的考量，扫描线gl与数据线dl一般是使用金属材料，但本发明不限于此，在其他实施例中，扫描线gl与数据线dl也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、其它合适的材料、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。

在本实施例中，绝缘层160可覆盖主动元件t、数据线dl及扫描线gl。举例而言，在本实施例中，绝缘层160的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、其它适当材料、或上述的组合。

请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100可选择性地包括彩色滤光层170。举例而言，在本实施例中，彩色滤光层170可以配置在覆盖主动元件t上方的绝缘层160上，但本发明不以此为限。在本实施例中，彩色滤光层170包括多个彩色滤光图案170r、170g。多个彩色滤光图案170r、170g分别配置于第一基板110的多个子像素区110a(标示于图2)。请参照图2，在本实施例中，每一子像素区110a可以是由相邻两条数据线dl及相邻两条扫描线gl所围出的区域，但本发明不以此为限。请参照图1，在本实施例中，相邻且颜色不同的两个彩色滤光图案170r、170g可以部分重叠。彩色滤光图案170r与彩色滤光图案170g的相重叠的部分172可位于数据线dl上方。换言之，相邻之两个彩色滤光图案170r、170g重叠的部分172可遮蔽在相邻两像素电极132之间的区域，以辅助性地改善背光造成的漏光问题，但本发明不以此为限。

请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100还可包括绝缘层180。绝缘层180覆盖彩色滤光层170。举例而言，在本实施例中，绝缘层180的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它可适用的材料、或上述的组合。

请参照图1，辅助导电层140配置于主动元件层120上。详言之，在本实施例中，辅助导电层140可以配置在覆盖彩色滤光层170上方的绝缘层180上，但本发明不以此为限。请参照图1至图4，在本实施例中，辅助导电层140可具有多个第一延伸部142与多个第二延伸部144，第一延伸部142在垂直投影方向z上与数据线dl重叠，第二延伸部144在垂直投影方向z上与扫描线gl重叠。更进一步地说，在本实施例中，辅助导电层140还具有第三延伸部146(标示于图3及图4)，第三延伸部146在垂直投影方向z上与主动元件t重叠。第三延伸部146与第一延伸部142及第二延伸部144连接，且位于第一延伸部142与第二延伸部144交错处。如图3所示，第三延伸部146在扫描线gl的延伸方向x上的宽度w3可大于第一延伸部142在扫描线gl的延伸方向x上的宽度w1。方向y与扫描线gl的延伸方向x及垂直投影方向z垂直，第三延伸部146在方向y上的宽度w4可大于第二延伸部144在方向y上的宽度w2。请参照图2，整体而言，在本实施例中，辅助导电层140大致上可形成一网状图形，所述网状图形的多个网孔分别与多个子像素区110a重叠，所述网状图形的网线会在第二间隙物154配置处断开，而不会在第一间隙物152所在处断开。

请参照图2、图3及图4，举例而言，在本实施例中，辅助导电层140可以是遮光导电层。换言之，在本实施例中，第一延伸部142、第二延伸部144及第三延伸部146皆可遮光。第一延伸部142可遮蔽在方向x上相邻的多个子像素区110a之间的区域，第二延伸部144可遮蔽在方向y上相邻的多个子像素区110a之间的区域，第三延伸部146(绘于图3及图4)可遮蔽主动元件t、第一间隙物152及第二间隙物154所在的区域，进而防止显示面板1000漏光。简言之，在本实施例中，辅助导电层140可取代传统boa(blackmatrixonarray)结构的黑色矩阵的部分功能。特别是，辅助导电层140的第一延伸部142可取代传统boa结构的黑色矩阵的纵向部的功能。在本实施例中，辅助导电层140的材质例如是金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、其它适当材料、金属材料与其它导电材料的堆叠层、其他适当材料、或上述至少二者的组合。举例而言，辅助导电层140的材质可以是硅化钼(mosi)、氮硅化钼(mosin)、硅氧化钼(mosio)、碳硅化钼(mosic)、碳氧硅化钼(mosico)、氮碳硅化钼(mosicn)、硅氧氮化钼(mosion)、钼(mo)、钽(ta)、氮化钼(mon)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、铂(pt)、钨(w)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)、其它适当材料、或上述至少二者的组合。优选可为钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、氮化钼(mon)、钛(ti)。

然而，本发明并不限制辅助导电层140一定要是遮光导电层，在其他实施例中，辅助导电层140也可以是透光导电层，而显示面板1000可利用其他构件防止漏光；举例而言，可利用彩色滤光图案170r、170g相重叠的部分172遮蔽在方向x上相邻的多个子像素区110a之间的区域，可利用遮光图案层156遮蔽在方向y上相邻的多个子像素区110a之间的区域、主动元件t、第一间隙物152、第二间隙物154及开孔190a所在的区域，以防止显示面板1000漏光。举例而言，所述透光导电层的材质可以是金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不以此为限。

请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100可选择性地包括共用电极层190。共用电极层190分别与多个像素电极132重叠的多个部分可视为多个共用电极。共用电极层190配置于第一基板110上。举例而言，在本实施例中，辅助导电层140可位于共用电极层190与主动元件层120之间。更进一步地说，在本实施例中，共用电极层190可配置于绝缘层180及辅助导电层140上。共用电极层190可直接覆盖辅助导电层140，以和辅助导电层140电性连接。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，共用电极层190也可用其他适当方式与辅助导电层140电性连接。此外，在本实施例中，共用电极层190具有开孔190a，主动元件层120还包括与主动元件t的漏极d电性连接的一连接部122，其中共用电极层190的开孔190a与连接部122在垂直投影方向z上重叠。在本实施例中，共用电极层190例如是透光导电层。透光导电层的材质可以是金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不以此为限。

请参照图1及图2，在本实施例中，共用电极层190除了可做为显示用的共用电极层外，还可选择性地做为触控用的触控电极层。如图2所示，共用电极层190具有彼此分离的多个触控感测垫192。每一触控感测垫192与多个像素电极132在垂直投影方向z上重叠。当显示面板1000操作于触控模式(或说，处于触控时段)时，如有物体(例如：手指或触控笔)触碰显示面板1000，所述物体与触控感测垫192之间会形成电容耦合，进而产生电容变化；通过检测此电容变化可判断物体的触碰位置，进而实现触控功能。

请参照图2，值得注意的是，在本实施例中，辅助导电层140(标示于图1及图3)可以和做为触控电极层的共用电极层190电性连接，而部分的辅助导电层140可做为触控走线tl使用。每一触控走线tl电性连接于对应的一个触控感测垫192与触控驱动单元400之间。详言之，在本实施例中，每一触控感测垫192可直接覆盖辅助导电层140的多个第一延伸部142、多个第二延伸部144及多个第三延伸部146，而与多个第一延伸部142、多个第二延伸部144及多个第三延伸部146电性连接；其中，与某一个触控感测垫192重叠的至少一条第一延伸部142可延伸至该触控感测垫192的面积外，以和触控驱动单元400电性连接，而所述至少一条第一延伸部142可视为触控走线tl。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，共用电极层190也可以不做为触控电极层使用，及/或辅助导电层140也不一定要包括电性连接于触控感测垫192与触控驱动单元400之间的触控走线tl。在本实施例中，第一基板110具有多个子像素区110a外的周边区110b，而触控驱动单元400例如是接合(bonding)于周边区110b上的集成电路(integratedcircuit，ic)，但本发明不限于此，在其他实施例中，触控驱动单元400也可以是位于显示面板1000以外的构件。

请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100可选择性地包括绝缘层194。绝缘层194配置于像素电极层130与共用电极层190之间。举例而言，在本实施例中，绝缘层194可覆盖共用电极层190，而像素电极层130可配置于绝缘层194上，但本发明不限于此。举例而言，在本实施例中，绝缘层194的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它可适用的材料、或上述的组合。

请参照图1至图4，像素阵列基板100包括像素电极层130。像素电极层130具有彼此分离的多个像素电极132。像素电极层130配置于第一基板110上且与主动元件t电性连接。举例而言，如图1所示，在本实施例中，绝缘层194、共用电极层190、绝缘层180、彩色滤光层170及绝缘层160分别具有与连接部122重叠的开孔194a、190a、180a、170a、160a，像素电极132可填入开孔194a、190a、180a、170a、160a以和连接部122电性接触，因此，像素电极132可通过连接部122与主动元件t的漏极d电性连接。

请参照图1及图3，在本实施例中，每一个子像素区110a中像素电极132和对应的共用电极层190(触控感测垫192)的其中一者具有多个开口132a。举例而言，在本实施例中，像素电极132较共用电极层190靠近显示介质300，像素电极132具有多个开口132a，像素电极132的多个开口132a可位于共用电极层190(或者说，触控感测垫192)上方。然而，本发明不限于此，在未示出的的一实施例中，共用电极层也可较像素电极靠近显示介质，共用电极层可具有多个开口，而共用电极层的多个开口也可位于像素电极上方。当显示面板1000操作于显示模式(或者说，处于显示时段)时，共用电极层190与像素电极层130之间的电位差能驱动显示介质300，进而使显示面板1000显示画面。

在本实施例中，像素电极层130及共用电极层190可选择性地设置于同一基板(例如：第一基板110)上且均位于第一基板110与显示介质300之间，而显示面板1000例如是边缘场切换(fringe-fieldswitching，ffs)模式的显示面板。然而，本发明不限于此，在另一实施例中，像素电极层130及共用电极层190也可设置于同一基板，但显示面板1000可以是共面切换(in-planeswitching，ips)模式或其他适当模式的显示面板；在又一实施例中，像素电极层及共用电极层也可选择性地分别设置于第一基板110与第二基板200上，而显示面板1000可以是扭转向列(twistednematic，tn)、超级扭转向列(supertwistednematic，stn)、垂直排列(verticalalignment，va)、聚合物稳定配向(polymersustainedalignment，psa)、光学补偿双折射型(opticallycompensatedbirefringence，ocb)等模式或其他适当模式的显示面板。

请参照图1、图3及图4，值得注意的是，第一间隙物152配置于主动元件层120及辅助导电层140上，且在垂直投影方向z上与辅助导电层140重叠。第二间隙物154配置于主动元件层120上，且在垂直投影方向z上与辅助导电层140不重叠。在本实施例中，第一间隙物152本身的高度h1等于或接近于第二间隙物154本身的高度h2，但由于第一间隙物152会被辅助导电层140垫高而第二间隙物154不会被辅助导电层140垫高，因此，在一般的情况下(例如：显示面板1000未过度受压而造成第一间隙物152及第二间隙物154皆形变时)，第一间隙物152的顶点152a与第一基板110的距离d1会大于第二间隙物154的顶点154a与第一基板110的距离d2，第一间隙物152的顶点152a高于第二间隙物154的顶点154a。换言之，第一间隙物152与部分辅助导电层140(例如：第三延伸部146)的堆迭结构可视为支撑像素阵列基板100与第二基板200之间的间隙(cellgap)的主间隙物(mainspacer)，而第二间隙物154可视为子间隙物(subspacer)。

更进一步地说，在一般的情况下(例如：显示面板1000未过度受压而造成第一间隙物152及第二间隙物154皆形变时)，第一间隙物152的顶点152a可抵顶第二基板200，而第二间隙物154的顶点154a可与第二基板200保持一段距离且未接触于第二基板200。然而，本发明不限于此，在特殊情况下(例如：显示面板1000过度受压而第一间隙物152及第二间隙物154皆形变时)，第一间隙物152的顶点152a与第二间隙物154的顶点154a也可能皆抵顶第二基板200。但在特殊情况解除时，如第一间隙物152及第二间隙物154未因弹性疲乏而永久变形(即第一间隙物152及第二间隙物154未损坏)，第一间隙物152的顶点152a与第一基板110的距离d1仍会大于第二间隙物154的顶点154a与第一基板110的距离d2。

请参照图1及图3，在本实施例中，第一间隙物152可设置在主动元件t及辅助导电层140的第三延伸部146上。请参照图1及图4，辅助导电层140的第一延伸部142可具有一断开处142a，断开处142a可与另一主动元件t重叠，第二间隙物154可位于所述另一主动元件t及断开处142a上而不与辅助导电层140重叠。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一间隙物152及/或第二间隙物154也可设置在其他适当位置，第一间隙物152及/或第二间隙物154不一定要与主动元件t重叠。

请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100还包括遮光图案层156。遮光图案层156配置于辅助导电层140上。第一间隙物152及第二间隙物154位于第二基板200与遮光图案层156之间。遮光图案层156位于第一间隙物152与辅助导电层140之间。举例而言，在本实施例中，遮光图案层156可配置于绝缘层194上，且部分的遮光图案层156位于第一间隙物152与绝缘层194之间及第二间隙物154与绝缘层194之间。在本实施例中，第一间隙物152及第二间隙物154可配置于遮光图案层156上且与遮光图案层156直接连接。举例而言，在本实施例中，可利用半调式(half-tone)掩模图案化遮光材料层(未示出的)，而同时形成第一间隙物152、第二间隙物154及遮光图案层156。相较于采用三色式(tri-tone)掩模的图案化制程，本实施例采用半调式掩模的图案化制程成熟，能形成高度理想且变异小的第一间隙物152、第二间隙物154及遮光图案层156，而有助于显示面板1000的量产。在本实施例中，第一间隙物152、第二间隙物154及遮光图案层156是一体成型的，而第一间隙物152、第二间隙物154及遮光图案层156的材料可为相同的遮光材料，例如：黑色光致抗蚀剂等，但本发明不以此为限。

请参照图2、图3及图4，在本实施例中，遮光图案层156至少用以遮蔽多条扫描线gl。举例而言，在本实施例中，遮光图案层156可完全地遮蔽扫描线gl，而不完全地遮蔽数据线dl。详言之，遮光图案层156可遮蔽部分的数据线dl(例如：为数据线dl的一部分的源极s)，而不遮蔽数据线dl的其它部分。换言之，遮光图案层156可选择性地不重叠于数据线dl的一部分dl-1，与遮光图案层156不重叠的数据线dl的一部分dl-1在第一基板上110的垂直投影位于相邻两条扫描线gl在第一基板110上的两个垂直投影之间。简言之，如图2所示，在本实施例中，基于优化开口率的考量，遮光图案层156可具有遮蔽扫描线gl、主动元件t及开孔190a的横向部，而不具有能完全遮蔽数据线dl的纵向部。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，遮光图案层156也可兼具分别遮蔽扫描线gl及数据线dl的横向部及纵向部。

图5为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。图6为图5的像素阵列基板的上视示意图。为清楚表达起见，图6省略图5的彩色滤光层170的示出的。图7为本发明另一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局(layout)上视示意图。特别是，图7对应于图6的第一间隙物152所在的区域r1，图5对应于图7的剖线ⅰ-ⅰ’。图8为本发明另一实施例的像素阵列基板的部分区域的布局上视示意图。特别是，图8对应于图6的第二间隙物154所在的区域r2，图5对应于图8的剖线ⅱ-ⅱ’。

请参照图5至图8，显示面板1000’与前述的显示面板1000类似，因此相同或相似的元件以相同或相似的标号表示。显示面板1000’包括像素阵列基板110’。像素阵列基板110’包括第一基板110、主动元件层120、像素电极层130、辅助导电层140’、第一间隙物152以及第二间隙物154。主动元件层120配置于第一基板110上。像素电极层130配置于第一基板110上且与主动元件层120电性连接。辅助导电层140’配置于主动元件层120上。第一间隙物152配置于辅助导电层140’上，第一间隙物152在垂直投影方向z上与辅助导电层140’重叠。第二间隙物154配置于主动元件层120上，第二间隙物154在垂直投影方向z上与辅助导电层140’不重叠。第一间隙物152的顶点152a与第一基板110的距离d1大于第二间隙物154的顶点154a与第一基板110的距离d2。

与前述的显示面板1000不同的是，显示面板1000’的辅助导电层140’及共用电极层190’的膜层顺序与显示面板1000的辅助导电层140及共用电极层190的膜层顺序不同。具体而言，如图5所示，在本实施例中，共用电极层190’位于辅助导电层140’与主动元件层120之间。详言之，在本实施例中，绝缘层194覆盖共用电极层190’且具有开孔194b，辅助导电层140’配置于绝缘层194上且填入开孔194b以和共用电极层190’电性连接。请参照图5及图7，举例而言，在本实施例中，辅助导电层140’可具有由第三延伸部146向外延伸的第四延伸部148，绝缘层194的开孔194b可选择性地设置在数据线dl上方，辅助导电层140’的第四延伸部148可填入位于数据线dl上方的开孔194b，以使辅助导电层140’与共用电极层190’电性连接；但本发明不以此为限，在其它实施例中，辅助导电层140’与共用电极层190’也可通过设置在其它适当位置的开孔194b彼此电性连接。显示面板1000’具有与显示面板1000类似的技术效果与优点，于此便不再重述。

图9为本发明又一实施例的显示面板的像素阵列基板的上视示意图。图9的像素阵列基板100”与图2的像素阵列基板100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的标号表示，两者的主要差异在于：像素阵列基板100”的辅助导电层140”与像素阵列基板100的辅助导电层140不同。详言之，在图2的实施例中，除了在第二间隙物154设置处以外，辅助导电层140几乎覆盖所有数据线dl及扫描线gl。在图9的实施例中，与遮光图案层156不重叠的数据线dl的一部分dl-1在第一基板上110的垂直投影位于相邻两条扫描线gl在第一基板110上的两个垂直投影之间，而辅助导电层140”可不覆盖至少一条数据线dl的一部分dl-1。

此外，需说明的是，图1至图9所绘的第一间隙物152和第二间隙物154的形状仅是用以举例说明本发明的实施例而非用以限制本发明，第一间隙物152和第二间隙物154的形状可视实际需求设计之。

综上所述，本发明一实施例的显示面板的像素阵列基板包括第一基板、主动元件层、像素电极层、辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物。第一间隙物及第二间隙物皆配置于主动元件层上。第一间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层重叠。第二间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层不重叠。因此，即便第一间隙物本身的高度与第二间隙物本身的高度实质上相等，第一间隙物的顶点与第一基板的距离会大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离，第一间隙物与辅助导电层的堆迭结构可视为维持间隙(cellgap)的主间隙物，而第二间隙物可视为副间隙物。由于形成上述的辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物的制程成熟且稳定，因此显示面板易量产。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。