测量方法和设备与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月06日提交的美国申请第62/515,921号的优先权，该申请通过引用以其整体并入本文。

本说明书涉及用于测量的方法和设备。

背景技术：

光刻设备是将期望的图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可用于集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，可以使用图案化装置(备选地称为掩模或掩模版)来生成在ic的个体层上待形成的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描器中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底上。

技术实现要素：

制造装置(诸如，半导体装置)通常涉及使用大量制造工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成装置的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、刻蚀、化学机械抛光和离子注入来制造和处理这种层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个装置，并且然后将其分离成个体装置。该装置制造工艺可以视为图案化工艺。图案化工艺涉及用于在衬底上提供图案的图案化步骤(诸如使用光刻设备的光学和/或纳米压印光刻术)，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备的抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、使用刻蚀设备使用图案进行刻蚀等。此外，图案化工艺中通常涉及一个或多个量测工艺。

在图案化工艺期间在各种步骤处使用量测工艺来监控和控制该工艺。例如，量测工艺用于测量衬底的一个或多个特性，诸如在图案化工艺期间在衬底上形成的特征的相对位置(例如，配准、重叠、对准等)或尺寸(例如，线宽、临界尺寸(cd)、厚度等)，使得例如可以根据一个或多个特性来确定图案化工艺的性能。如果一个或多个特性是不可接受的(例如，超出(多个)特性的预定范围)，则可以使用一个或多个特性的测量来更改图案化工艺的一个或多个参数，使得通过图案化工艺制造的另外的衬底具有(多个)可接受的特性。

随着光刻术和其他图案化工艺技术的发展，功能元件的尺寸不断减小，而每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数目在数十年中稳定增加。同时，在重叠、临界尺寸(cd)等方面对精度的要求变得越来越严格。在图案化工艺中将不可避免地产生误差，诸如重叠误差、cd误差等。例如，成像误差可能由光学像差、图案化装置加热、图案化装置误差和/或衬底加热产生，并且可以在例如重叠误差、cd误差等方面进行表征。另外地或备选地，可以在图案化工艺的其他部分中引入误差，诸如在刻蚀、显影、烘烤等中引入误差，并且类似地可以在例如重叠误差、cd误差等方面表征误差。这些误差可能直接在装置的功能方面导致问题，包括装置无法工作或功能装置的一个或多个电气问题。

如上所提及，在图案化工艺中，期望频繁地对所创建的结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。通常测量或确定结构的一个或多个参数，例如结构的临界尺寸、在衬底内或上形成的连续层之间的重叠误差等。存在用于对在图案化工艺中形成的微观结构进行测量的各种技术。进行这种测量的各种工具是已知的，这些工具包括但不限于扫描电子显微镜(sem)，其通常用于测量临界尺寸(cd)。sem具有高分辨能力，并且能够分辨大约30nm或更小、20nm或更小、10nm或更小或5nm或更小的特征。半导体装置的sem图像通常用于半导体制造中，以观察在装置层级下发生的情况。

(诸如，从装置结构的sem图像中提取的)测量信息可以用于工艺建模、现有模型校准(包括重新校准)、缺陷检测、估计、表征或分类、产率估计、工艺控制或监控等。

在一个实施例中，提供了一种方法，其包括：获得使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的轮廓的模拟；通过硬件计算机系统确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置，该位置与对应评估点在图案的设计布局上的位置在空间上相关联；以及通过硬件计算机系统产生与评估点在所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息，其中，与该空间方位对应的信息被配置用于确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，该测量图像上的该评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联。

在一个实施例中，提供了一种方法，其包括：获得与评估点在使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在该图案的设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息；获得图案的至少一部分的测量图像；通过硬件计算机系统并基于空间方位信息，确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，测量图像上的评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联；以及基于确定的位置输出空间参数信息。

在一个方面中，提供了一种制造装置的方法，其中，使用图案化工艺将装置图案应用到一系列衬底上，方法包括使用本文中所描述的方法评估使用图案化工艺形成的图案化结构并根据该方法的结果控制对衬底中的一个或多个衬底进行图案化工艺。在一个实施例中，在衬底中的至少一个衬底上形成图案化结构，并且方法包括根据该方法的结果控制用于后续衬底的图案化工艺。

在方面中，提供了一种非暂态计算机程序产品，其包括机器可读指令，该机器可读指令被配置为使处理器引起本文中所描述的方法的执行。

在一个方面中，提供了一种检查系统。系统包括：如本文中所描述的检查设备；以及包括如本文中所描述的非暂态计算机程序产品的分析引擎。在一个实施例中，检查设备包括电子束检查设备。在一个实施例中，系统进一步包括光刻设备，该光刻设备包括支撑结构和投影光学系统，该支撑结构被配置为保持图案化装置以调制辐射束的支撑结构，该投影光学系统被布置为将经调制的辐射束投影到辐射敏感衬底上。

附图说明

现在将仅通过示例的方式，参考附图描述实施例，其中：

图1示意性地描绘了光刻设备的一个实施例；

图2示意性地描绘了光刻单元或簇的一个实施例；

图3示意性地描绘了扫描电子显微镜(sem)的一个实施例；

图4示意性地描绘了电子束检查设备的一个实施例；

图5描绘了用于建模和/或模拟图案化工艺的至少一部分的示例流程图；

图6描绘了用于模型校准的示例流程图；

图7示意性地描绘了根据方法的一个实施例分析的图案的一个实施例；

图8描绘了评估点(ep)分析方法的示例流程图；

图9示意性地描绘了根据方法的一个实施例分析的图案的一部分的一个实施例；以及

图10示意性地描绘了根据方法的一个实施例分析的图案的一部分的一个实施例。

具体实施方式

在详细描述实施例之前，呈现可以实施实施例的示例环境是有益的。

图1示意性地描绘了光刻设备la。设备包括：

-照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射束b(例如，duv辐射或euv辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)mt，其被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)ma，并且被连接到第一定位器pm，该第一定位器pm被配置为根据某些参数准确地定位图案化装置；

-衬底台(例如，晶片台)wta，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w，并且被连接到第二定位器pw，该第二定位器被配置为根据某些参数准确地定位衬底；以及

-投影系统(例如，折射投影透镜系统)ps，其被配置为将由图案化装置ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学组件(诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学组件)或其任何组合，以用于对辐射进行定向、成形或控制。

图案化装置支撑结构以取决于图案化装置的定向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如图案化装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案化装置。图案化装置支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化装置。例如，图案化装置支撑结构可以是框架或台，其可以根据需要固定或可移动。图案化装置支撑结构可以确保图案化装置例如相对于投影系统处于期望位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以视为与更通用的术语“图案化装置”同义。

本文中使用的术语“图案化装置”应该广义地解释为是指可用于向辐射束在其横截面中赋予图案诸如以在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应当注意，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则向辐射束赋予的图案可能不完全与衬底的目标部分中的期望图案对应。通常，向辐射束赋予的图案将与在目标部分中创建的装置中的特定功能层(诸如集成电路)对应。

图案化装置可以是透射型的或反射型的。图案化装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻术中是众所周知的，并且包括各种掩模类型，诸如二进制、交替型相移和衰减相移以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以个体地倾斜以在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予图案，该图案由反射镜矩阵反射。

本文中使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖任何类型的投影系统(包括折射型、反射型、折反射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统)或其任何组合，以适合于使用的曝光辐射或其他因素(诸如使用浸没液体或使用真空)。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以视为与更通用的术语“投影系统”同义。

如本文所描绘，设备属于透射型(例如，采用透射掩模)。备选地，设备可以属于反射型(例如，采用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

光刻设备可以属于具有两个(双载物台)或更多个台(例如两个或更多个衬底台、两个或更多个图案化装置支撑结构、或衬底台和量测台)的类型。在这种“多载物台”机器中，可以并行地使用附加的台，或者可以在一个或多个其他台用于图案传递的同时对一个或多个台实施准备步骤。

光刻设备也可以属于这样的类型，其中，衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统与衬底之间的空间。还可以将浸没液体应用到光刻设备中的其他空间，例如在掩模与投影系统之间的空间。用于增加投影系统的数值孔径的浸没技术在本领域中是众所周知的。如本文中使用的术语“浸没”并不意味着结构(诸如衬底)必须浸入液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统与衬底之间。

参照图1，照射器il接收来自辐射源so的辐射束。例如当该源是准分子激光器时，该源和光刻设备可以是单独的实体。在这种情况下，源不视为形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束递送系统bd从源so传递到照射器il。在其他情况下，例如当该源是汞灯时，该源可以是光刻设备的整体部分。如果需要，则源so和照射器il以及束递送系统bd一起可以被称为辐射系统。

照射器il可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器ad。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器il可以包括各种其他组件，诸如积分器in和聚光器co。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束b入射到图案化装置(例如掩模)ma上，该图案化装置被保持在图案化装置支撑件(例如掩模台mt)上，并且辐射束b由图案化装置来图案化。在横穿图案化装置(例如掩模)ma之后，辐射束b穿过投影系统ps，该投影系统将束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如干涉测量装置、线性编码器、2-d编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台wta，例如以将不同目标部分c定位在辐射束b的路径中。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(在图1中未明确示出)可以用于例如在从掩模库中机械取回之后或在扫描期间相对于辐射束b的路径准确地定位图案化装置(例如掩模)ma。通常，可以借助于长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)来实现图案化装置支撑件(例如掩模台)mt的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第一定位器pm的一部分。类似地，可以使用长冲程模块和短冲程模块来实现衬底台wta的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第二定位器pw的一部分。在步进器(与扫描器相反)的情况下，图案化装置支撑件(例如掩模台)mt可以仅连接到短冲程致动器，或可以固定。

可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案化装置(例如掩模)ma和衬底w。尽管如图示的衬底对准标记占据专用的目标部分，但是这些衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(将这些称为划道对准标记)。类似地，在将超过一个管芯设置在图案化装置(例如掩模)ma上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。在装置特征之中，小的对准标记还可以被包括在管芯内，在这种情况下，期望标记尽可能小并且与相邻特征相比不需要任何不同的图案化或其他工艺条件。下文进一步描述检测对准标记的对准系统的实施例。

所描绘的设备可以在以下模式中的至少一种中使用：

-在步进模式中，图案化装置支撑件(例如掩模台)mt和衬底台wta基本保持静止，同时向辐射束赋予的整个图案被一次性投影到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台wta在x和/或y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分c。在步进模式中，曝光场的最大大小限制了在单次静态曝光中成像的目标部分c的大小。

-在步进模式中，同步扫描图案化装置支撑件(例如掩模台)mt和衬底台wta，同时向辐射束赋予的图案被投影到目标部分c上(即，单次动态曝光)。衬底台wta相对于图案化装置支撑件(例如掩模台)mt的速度和方向可以由投影系统ps的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大大小限制了单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

-在另一模式中，图案化装置支撑件(例如掩模台)mt基本保持静止，从而保持可编程图案化装置，并且在向辐射束赋予的图案被投影到目标部分c上的同时，衬底台wta被移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台wta的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案化装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置(诸如，如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

还可以采用关于上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

光刻设备la属于所谓的双载物台类型，其具有两个台wta、wtb(例如，两个衬底台)和两个站——曝光站和测量站——在该两个站之间可以交换这些台。例如，当在一个台上的衬底在曝光站处被曝光时，另一衬底可以在测量站处被负载到另一衬底台上，并且实施各种准备步骤。准备步骤可以包括：使用水平传感器ls来映射衬底的表面控制；以及使用对准传感器as来测量对准标记在衬底上的位置，两个传感器都由参考框架rf支撑。如果位置传感器if在其处于测量站以及曝光站处时无法测量台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够跟踪台在两个站处的位置。作为另一示例，当一个台上的衬底在曝光站处被曝光时，没有衬底的另一台在测量站处等待(在该处可选地可能发生测量活动)。该另一台具有一个或多个测量装置，并且可以可选地具有其他工具(例如清洁设备)。当衬底已经完成曝光时，没有衬底的台移动到曝光站以执行例如测量，而具有衬底的台移动到卸载该衬底且负载另一衬底的位置(例如测量站)。这些多台布置能够显着增加设备的吞吐量。

如图2中所示，光刻设备la可以形成光刻单元lc(有时还被称为光刻装置或光刻簇)的一部分，该光刻单元还包括用以在衬底上执行一个或多个图案前转印工艺和图案后转印工艺的设备。通常，这些包括用以沉积抗蚀剂层的一个或多个旋涂器sc、用以显影图案化的抗蚀剂的一个或多种显影剂de、一个或多个激冷板ch和一个或多个烘烤板bk。衬底处理器或机械手ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，将其在不同的处理装置之间移动，并将其递送到光刻设备的进料台lb。这些装置(通常统称为轨道)处于轨道控制单元tcu的控制下，轨道控制单元本身由监督控制系统scs进行控制，该监督控制系统还经由光刻控制单元lacu控制光刻设备。由此，可以操作不同设备以使吞吐量和处理效率最大化。

为了使由图案化工艺处理(例如曝光)的衬底能够被正确且一致地处理，期望检查经处理的衬底以测量一个或多个性质，诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(cd)等。如果检测到误差，则可以例如在改变图案化工艺的设计或改变用于设计图案化工艺的工具、控制执行的图案化工艺等方面对图案化工艺进行调整。

检查设备可以用于这种测量。检查设备用于确定衬底的一个或多个性质，并且具体用于确定不同衬底或同一衬底的不同层的一个或多个性质如何在层与层之间和/或遍及单个衬底和/或遍及不同衬底(例如从一个衬底到另一衬底)变化。检查设备可以整合到光刻设备la或光刻单元lc中，或可以是独立装置。

用以确定衬底的一个或多个性质的检查设备可以采取各种不同的形式。例如，检查设备可以使用光子电磁辐射来照射衬底并检测由衬底重定向的辐射；这种检查设备可以称为明场检查设备。明场检查设备可以使用具有例如在150nm-900nm的范围内的波长的辐射。检查设备可以是基于图像的，即，拍摄衬底的图像；和/或基于衍射的，即，测量衍射辐射的强度。检查设备可以检查产品特征(例如，使用衬底待形成的集成电路的特征或掩模的特征)和/或检查特定的测量目标(例如，重叠目标、聚焦/剂量目标、cd量规图案等)。

例如，半导体晶片的检查通常使用基于光学元件的子分辨率工具(明场检查)来进行。但是，在一些情况下，待测量的某些特征太小而不能使用明场检查有效地测量。例如，对半导体装置的特征中的缺陷进行明场检查可能是具有挑战性的。此外，随着时间的流逝，使用图案化工艺制得的特征(例如，使用光刻术制得的半导体特征)正在变小，并且在许多情况下，特征的密度也在增加。因此，使用并且期望更高分辨率的检查技术。示例检查技术是电子束检查。电子束检查涉及将电子束聚焦在待检查的衬底上的小斑点上。通过在检查的衬底的区域上提供束与衬底之间的相对运动(在下文中称为扫描电子束)并利用电子检测器收集次级和/或背散射电子来形成图像。然后，处理图像数据以例如标识缺陷。

因此，在一个实施例中，检查设备可以是电子束检查设备(例如，与扫描电子显微镜(sem)相同或相似)，其产生在衬底上曝光或转印的结构(例如，装置的一些或全部结构，诸如集成电路)的图像。图3示意性地描绘了电子束检查设备200的一个实施例。从电子源201发射的初级电子束202由聚光器透镜203会聚，并且然后穿过束偏转器204、exb偏转器205和物镜206，以在焦点处在衬底台101上辐照衬底100。

当用电子束202辐照衬底100时，从衬底100生成次级电子。次级电子由exb偏转器205偏转，并由次级电子检测器207检测。二维电子束图像可以通过与以下同步地检测从样品生成的电子而获得：例如由束偏转器204对电子束的二维扫描，或由束偏转器204在x或y方向上对电子束202的重复扫描，以及衬底台101使衬底100在x或y方向中的另一个上的连续移动。由此，在一个实施例中，电子束检查设备具有由角度范围限定的电子束的视场，电子束检查设备可以将电子束提供到该角度范围中(例如，偏转器204可以提供电子束202的角度范围)。因此，视场的空间范围是电子束的角度范围可以撞击到表面上的空间范围(其中，该表面可以是静止的，或可以相对于该场移动)。

由次级电子检测器207检测到的信号由模拟/数字(a/d)转换器208转换为数字信号，并且该数字信号被发送至图像处理系统300。在一个实施例中，图像处理系统300可以具有存储器303，以存储全部或部分数字图像以供处理单元304处理。处理单元304(例如，专门设计的硬件、或硬件和软件的组合、或包括软件的计算机可读介质)被配置为将数字图像转换或处理为表示数字图像的数据集。在一个实施例中，处理单元304被配置或编程为引起本文中所描述的方法的执行。进一步地，图像处理系统300可以具有存储介质301，存储介质301被配置为将数字图像和对应数据集存储在参考数据库中。显示装置302可以与图像处理系统300连接，使得操作员可以在图形用户界面的帮助下进行装备的必要操作。

图4示意性地示出了检查设备的另一实施例。系统用于检查样品载物台88上的样品90(诸如衬底)，并且包括带电粒子束生成器81、聚光器透镜模块82、探针形成物镜模块83、带电粒子束偏转模块84、次级带电粒子检测器模块85和图像形成模块86。

带电粒子束生成器81生成初级带电粒子束91。聚光器透镜模块82会聚生成的初级带电粒子束91。探针形成物镜模块83将会聚的初级带电粒子束聚焦到带电粒子束探针92中。带电粒子束偏转模块84横跨固定在样品载物台88上的样品90上的感兴趣区域的表面扫描形成的带电粒子束探针92。在一个实施例中，带电粒子束生成器81、聚光器透镜模块82和探针形成物镜模块83或其等效设计、替代方案或其任何组合一起形成带电粒子束探针生成器，该带电粒子束探针生成器生成扫描的带电粒子束探针92。

次级带电粒子检测器模块85在样品表面被带电粒子束探针92轰击时，检测从样品表面发射的次级带电粒子93(也许还与来自样品表面的其他反射或散射的带电粒子一起)，以生成次级带电粒子检测信号94。图像形成模块86(例如计算装置)与次级带电粒子检测器模块85耦合，以从次级带电粒子检测器模块85接收次级带电粒子检测信号94，并且因此形成至少一个扫描图像。在一个实施例中，次级带电粒子检测器模块85和图像形成模块86或其等效设计、替代方案或其任何组合一起形成图像形成设备，该图像形成设备根据检测到的从样品90发射的次级带电粒子形成扫描图像，该样品90被带电粒子束探针92轰击。

在一个实施例中，监控模块87被耦合到图像形成设备的图像形成模块86，以对图案化工艺进行监控、控制等和/或使用从图像形成模块86接收的样品90的扫描图像来导出用于图案化工艺设计、控制、监控等的参数。因此，在一个实施例中，监控模块87被配置或编程为引起本文中所描述的方法的执行。在一个实施例中，监控模块87包括计算装置。在一个实施例中，监控模块87包括计算机程序，以提供本文中的功能并且被编码在形成监控模块87或安置在监控模块87内的计算机可读介质上。

在一个实施例中，如同图3的使用探针来检查衬底的电子束检查工具，与诸如图3中描绘的cdsem相比，图4的系统中的电子电流明显更大，使得探测斑点足够大，以使检查速度可以很快。然而，由于大的探测斑点，所以分辨率可能不如cdsem高。

可以处理来自例如图3和/或图4的系统的sem图像以提取轮廓，这些轮廓描述图像中的表示装置结构的物体的边缘。然后，通常在用户限定的切割线上经由度量(诸如cd)来量化这些轮廓。由此，通常，经由度量(诸如在提取的轮廓上测量的边缘与边缘的距离(cd)或图像之间的简单像素差)来比较和量化装置结构的图像。

现在，除在图案化工艺中测量衬底之外，通常还期望使用一种或多种工具来产生例如可用于对图案化工艺进行设计、控制、监控等的结果。为此，可以提供一种或多种工具，用于对图案化工艺的一个或多个方面进行计算上控制、设计等，诸如图案化装置的图案设计(包括例如添加子分辨率辅助特征或光学邻近效应校正)、图案化装置的照射等。因此，在用于对涉及图案化的制造工艺在计算上进行控制、设计等的系统中，主要制造系统组件和/或工艺可以由各种功能模块来描述。具体地，在一个实施例中，可以提供一个或多个数学模型，其描述图案化工艺的一个或多个步骤和/或设备(通常包括图案转印步骤)。在一个实施例中，可以使用一个或多个数学模型来执行图案化工艺的模拟，以使用由图案化装置提供的测量或设计图案来模拟图案化工艺如何形成图案化衬底。

在图5中图示了用于建模和/或模拟图案化工艺(例如，光刻设备中的光刻术)的部分的示例性流程图。如将理解，这些模型可以表示不同的图案化工艺，并且不需要包括下文所描述的全部模型。源模型500表示图案化装置的照射的光学特性(包括辐射强度分布、带宽和/或相位分布)。源模型500可以表示照射的光学特性，这些光学特性包括但不限于数值孔径设置、照射西格玛(σ)设置以及任何特定的照射形状(例如离轴辐射形状，诸如环形、四极、偶极等)，其中σ(或西格玛)是照射器的外部径向范围。

投影光学元件模型510表示投影光学元件的光学特性(包括由投影光学元件引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)。投影光学元件模型510可以表示投影光学元件的光学特性，包括像差、失真、一个或多个折射率、一个或多个物理大小、一个或多个物理尺寸等。

图案化装置模型模块120捕获设计特征如何在图案化装置的图案中布置，并且可以包括图案化装置的详细物理性质的表示，如例如在美国专利第7,587,704号中所描述。模拟的目的是例如准确地预测边缘放置和cd，然后可以将边缘放置和cd与装置设计进行比较。装置设计通常定义为opc前的图案化装置布局，并且将以标准化数字文件格式(诸如gdsii或oasis)提供。

设计布局模型520表示设计布局(例如，与集成电路、存储器、电子装置等的特征对应的装置设计布局)的光学特性(包括由给定的设计布局引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)，这是图案化装置上或由图案化装置形成的特征的布置的表示。设计布局模型520可以表示物理图案化装置的一个或多个物理性质，如例如在美国专利第7,587,704号中所描述，该案以全文引用的方式并入。由于可以改变在光刻投影设备中使用的图案化装置，因此期望将图案化装置的光学性质与至少包括照射和投影光学元件的光刻投影设备的其余部分的光学性质分开。

可以从源模型500、投影光学元件模型510和设计布局模型520模拟空中图像530。空中图像(ai)是衬底层级下的辐射强度分布。光刻投影设备的光学性质(例如，照射、图案化装置和投影光学元件的性质)决定了空中图像。

衬底上的抗蚀剂层由空中图像曝光，并且空中图像作为其中的潜在“抗蚀剂图像”(ri)转印到抗蚀剂层。抗蚀剂图像(ri)可以定义为抗蚀剂在抗蚀剂层中的溶解度的空间分布。可以使用抗蚀剂模型540从空中图像530模拟抗蚀剂图像550。抗蚀剂模型可以用于从空中图像计算抗蚀剂图像，其示例可以在美国专利申请公开号us2009-0157360中找到，其公开内容以全文引用的方式并入本文中。抗蚀剂模型通常描述在抗蚀剂曝光、曝光后烘烤(peb)和显影期间发生的化学过程的效果，以便例如预测在衬底上形成的抗蚀剂特征的轮廓，并且因此抗蚀剂模型通常仅与抗蚀剂层的这种性质(例如，在曝光、曝光后烘烤和显影期间发生的化学过程的效果)有关。在一个实施例中，抗蚀剂层的光学性质(例如，折射率、膜厚度、传播和偏振效应)可以被捕获为投影光学元件模型510的一部分。

因此，通常，光学模型与抗蚀剂模型之间的联系是抗蚀剂层内的模拟空中图像强度，其由辐射投影到衬底上、在抗蚀剂界面处的折射和抗蚀剂膜堆叠中的多次反射引起。通过吸收入射能量，将辐射强度分布(空中图像强度)转变为潜在的“抗蚀剂图像”，其通过扩散过程和各种负载效应进一步修改。对于全芯片应用而言足够快的有效模拟方法通过二维空中(和抗蚀剂)图像来近似抗蚀剂堆叠中的实际3维强度分布。

在一个实施例中，可以使用抗蚀剂图像作为图案后转印工艺模型模块150的输入。图案后转印工艺模型150限定一个或多个抗蚀剂后显影工艺(例如刻蚀、显影等)的性能。

图案化工艺的模拟可以例如预测抗蚀剂和/或刻蚀图像中的轮廓、cd、边缘放置(例如边缘放置误差)等。由此，模拟的目的是准确地预测例如印刷图案的边缘放置和/或空中图像强度斜率和/或cd等。可以将这些值与预期设计进行比较，以例如校正图案化工艺、标识预测在何处出现缺陷等。预期设计通常被定义为opc前的设计布局，其可以在标准化数字文件格式(诸如gdsii或oasis或其他文件格式)提供。

由此，模型系统阐释描述了整个过程的大多数(如果不是全部的话)已知物理和化学，并且每个模型参数期望与不同的物理或化学效应对应。由此，模型系统阐释设定了模型可用于模拟整个制造过程的程度的上限。

本文中所描述的一个或多个模型在图案化工艺的复杂的微调步骤(诸如应用于照射、投影系统和/或图案化装置设计的微调步骤)中的应用。这些包括例如但不限于数值孔径的优化、相干设置的优化、定制的照射方案、在图案化装置中或上使用相移特征、图案化装置布局中的光学邻近效应校正、在图案化装置布局中的子分辨率辅助特征的放置或通常定义为“分辨率增强技术”(ret)的其他方法。

作为示例，光学邻近效应校正(opc)解决了以下事实：衬底上的印刷特征的最终大小和放置将不只是图案化装置上的对应特征的大小和放置的函数。针对典型的电子装置设计上存在的小特征大小和高特征密度，给定特征的具体边缘的位置将在一定程度上受到其他相邻特征的存在或不存在的影响。在一个实施例中，这些邻近效应由来自超过一个特征的辐射的耦合引起。在一个实施例中，邻近效应由在通常在光刻曝光之后的曝光后烘烤(peb)、抗蚀剂显影和刻蚀期间的扩散和其他化学效应引起。

为了帮助确保根据给定装置设计的要求在衬底上生成特征，应当利用复杂的数值模型来预测邻近效应，并且在装置的成功制造变为可能之前将校正或预失真应用于图案化装置的设计。这些修改可以包括边缘位置或线宽的移位或偏置和/或一个或多个辅助特征的应用，该一个或多个辅助特征不旨在印刷自身但将影响相关联的主要特征的性质。

考虑到芯片设计中通常存在的数百万个特征，基于模型的图案化工艺设计的应用需要良好的工艺模型和大量的计算资源。然而，基于模型的设计的应用通常不是一门精确的科学，而是一种迭代过程，该迭代过程并不总是解决装置设计的所有可能的弱点。因此，opc后的设计(即，在通过opc和任何其他ret的所有图案修改的应用之后的图案化装置布局)应该通过设计检查(例如，使用校准的数值过程模型进行的密集的全芯片模拟)来验证，以便减少在图案化装置的制造中内置设计缺陷的可能性。

然而，有时模型参数可能由于例如测量和读取误差而不准确，并和/或系统中可能存在其他瑕疵。通过对模型参数的精确校准，可以完成极其准确的模拟。因此，由于计算图案化工艺评估应涉及精确描述图案化工艺的稳健模型，因此应使用此种模型的校准程序来实现在适用工艺窗口内有效、稳健和准确的模型。

为了能够校准计算模型(并且可选地，为了将由光刻设备曝光的衬底正确且一致地曝光)，期望使用检查设备对印刷在衬底上的图案进行各种测量。在一些实施例中，检查设备可以是扫描电子显微镜(sem)，其产生曝光或转印到衬底上的一个或多个结构(例如，一个或多个测试(或校准)图案或与装置的结构中的一些或全部结构对应的一个或多个图案)的图像。

因此，在一个实施例中，校准通过以下来完成：在衬底上印刷一定数目的一维和/或二维量规图案(例如，量规图案可以是专门指定的测量图案，或可以是如印刷在衬底上的设计装置图案的装置部分)，并在印刷的图案上执行测量。更具体地，那些一维量规图案是具有变化的节距和cd的线空间图案，并且二维量规图案通常包括线端、接触件和/或sram(静态随机存取存储器)图案。然后将这些图案成像到衬底上，并测量所得衬底cd或接触孔(还被称为过孔或芯片通孔)能量。然后，原始量规图案及其衬底测量一起用于确定模型参数，该模型参数使模型预测值与衬底测量之间的差异减小或最小化。在一个实施例中，一个或多个量规或校准图案可以不与装置中的结构对应。但是，一个或多个量规或校准图案与装置中的一个或多个图案具有足够的相似性，以允许准确预测一个或多个装置图案。

如上文所描述的示例模型校准工艺在图6中图示。该过程从设计布局600开始，该设计布局可以包括量规和可选的其他测试图案，该设计布局可以呈标准格式(诸如gdsii或oasis)。接下来，在610处，设计布局用于生成图案化装置布局，其可以呈标准格式(诸如gdsii或oasis)，并且可以包括opc或其他ret特征。然后，在一个实施例中，采取两条分离的路径以用于模拟和测量。

在模拟路径中，在步骤630中，使用图案化装置布局和模型620来创建模拟抗蚀剂图像。模型620提供了用于计算光刻术的图案化工艺的模型，并且校准工艺旨在使模型620尽可能准确，使得计算光刻术结果同样是准确的。在步骤640中，然后将模拟抗蚀剂图像用于确定预测的临界尺寸(cd)等。

在测量路径中，图案化装置布局610与物理掩模(例如，掩模版)一起使用或用于形成物理掩模(例如，掩模版)，然后在650处将物理掩模成像到衬底上。用于图案化衬底的图案化工艺(例如，用于光学光刻术的na、焦点、剂量、照射源等)与旨在在模型620中被捕获的工艺相同。然后在660处在实际图案化的衬底上执行测量(例如，使用量测工具(诸如sem等)，这产生了测量的cd、轮廓等。

在670处，在来自660的测量与来自640的预测值之间进行比较。如果比较确定预测值匹配预定误差阈值内的测量，则在690处将该模型视为已成功校准。否则，对模型620进行改变，并重复步骤630、640和670，直到使用模型620生成的预测值匹配在预定阈值内的测量为止。在一个实施例中，模型包括opc模型。虽然下文中的描述将集中于作为实施例的opc模型，但是该模型可以是不同于opc模型或除opc模型之外的模型。

如上文所描述，例如出于模型校准或出于其他目的，从衬底上的形成的图案的图像(例如，使用电子束生成的图像，诸如sem图像)中提取几何参数(诸如cd)的值。例如，如上文所提及，针对模型校准，可以使用量规图案。

参照图7，描绘了各种形式的图案(例如量规图案)的示意图。图7图示了大体上椭圆形的图案720的图像，该图案从例如标称矩形的设计布局700在衬底上产生(例如，如指定为在衬底上产生)。虽然将大体上椭圆形的图案720的边界描绘为轮廓，但是该边界不必是轮廓，而是该边界可以是表示图案720的边缘的像素数据(即轮廓尚未提取出来)。进一步地，图7中的图案是从衬底突出的椭圆形，其中，图案720的内部高于紧接在边界外部的点。然而，图案720不必是突出物，而可以是沟槽型结构；在这种情况下，图案720的内部在图案720的边界的紧靠外部的区域的下方。如果图案720是沟槽，则标称矩形设计布局700可以更小并且通常在图案720的内部中。

在图案的图像中，规定并评估了量规。在一个实施例中，量规是图案上的评估位置，以确定几何参数(诸如cd、边缘位置等)的值。可以出于图案化工艺的设计、控制等、图案化工艺的设备或用于图案化工艺的设计、控制等的工具的目的来使用量规的值。在一个具体示例中，量规的值用于例如opc模型的校准。因此，在那种情况下，opc模型的校准有效地旨在创建使与量规相关联的误差最小化的模型。虽然此处具体描述了确定用于模型校准的量规值的一个实施例，但是应当理解，量规值的确定可以用于各种目的。

在图7中，示例量规图示为虚构线770，其叠加在测量的图案的形状的边界(例如轮廓)上，即，在x方向上的cd的量规770。如将理解，可以规定许多其他量规(例如，更多的在x方向上的量规和在y方向上的量规)。量规770有时称为切割线，并且因此便于图案上的选定“切割”的测量距离。切割线通常在x和/或y方向上对准，并且在一些情况下在某一角度上对准。另一示例量规是评估点(ep)760。ep760不一定需要线(如切割线)上的另一对应点。通常从衬底图案轮廓收集量规770或ep760(即，处理图案图像以创建轮廓，并且然后在期望的ep处从轮廓提取ep处的边缘位置)。

量规被定位于图案布局中的特定斑点处，并且基本上表示图案的边界处的点。期望地，选择多个量规来表示图案的形状，但是量规的数目受限于例如吞吐量问题和收益递减(例如，尽管更多量规将提供更高的准确度，但是不能提供多得多的准确度)。的确，对于任何给定的opc模型，都做出了数千种不同的测量和/或形状，因此，在所测量的任何衬底上都存在多种形状，并且如果这些形状将报告值，其中这些值与当信息与量规位置对应时实际opc模型希望具有的值对应，则所有这些形状都应该被很好地测量。

由于模型校准围绕图案设计布局(例如多边形)的每个边缘进行，因此针对先进技术节点，评估点(ep)可以提供比切割线更全面的图案边界采样，并且由此使得能够改进模型校准。如上文所提及，ep和/或量规的评估通常涉及从图案的图像中提取图案的轮廓(例如，使用本领域已知的轮廓提取技术)，该轮廓能够表示衬底图案。

然而，轮廓提取会引入伪像和/或误差，这是因为用以提取轮廓的算法可能不能完全确定围绕图案的整个形状的轮廓。这种伪像和/或误差会影响模型的准确度。类似地，应用于轮廓的平滑技术会类似地引入伪像和/或误差。

另外或备选地，为了提高轮廓提取的质量，衬底图案图像质量应当较高，并且因此可以捕获图案的更多图像帧并将其一起平均化，以获得提取轮廓的更高质量图案图像。不幸地，捕获的帧越多，入射电子束辐射对衬底图案的破坏越大。这由于从图像中确定轮廓而导致附加的误差，该图像包括来自严重受损的图案特征的数据。

另外或备选地，轮廓通常构造有围绕图案边界的比每个图案的ep采样所需要的位置点多得多的位置点。例如，通常针对整个图案边界提取轮廓。但是，即使具有那些额外可用的位置点，由于轮廓位置点可能不与所有期望的ep位置对应，仍然经常需要插值以提供期望的ep位置。

因此，用于ep量规评估的轮廓提取可能会产生大的轮廓数据文件、用于轮廓提取的长的计算时间和/或由于例如轮廓提取中和/或来自插值的伪像/误差的ep位置误差。

因此，期望提供一种用于确定图案图像上的ep位置并获得ep位置处的几何参数的值的改进的技术。

在一个实施例中，在考虑之中的(并且使用例如图案的设计布局来生成的)图案的所模拟的轮廓用于有效地预生成ep位置。然后，预生成的ep位置用于标识形成的图案的至少一部分的图像上的相关联ep位置。在一个实施例中，在不从图像中提取轮廓的情况下确定图像ep位置。在一个实施例中，与预生成的ep位置有关的数据用于指导图案的图像的测量。根据图像ep位置，可以从图像确定与图像ep位置处的ep相关联的空间位置或尺寸。

在一个实施例中，检查工具(诸如电子束检查设备)根据来自图像的预生成的ep位置来测量ep(例如，确定其在坐标系中的空间位置或测量与其相关联的尺寸)，例如直接地而不进行轮廓提取或进行减少的轮廓提取。在一个实施例中，检查设备可以有效地实时地对每个图像进行图像测量，并且因此在成像时间之上不会有附加的吞吐量影响。在一个实施例中，可以通过不必执行轮廓提取或仅在一个或多个选择部分处执行轮廓提取来减少吞吐量。另外或备选地，通过对图像进行直接测量(即，在不对测量的部分进行轮廓提取的情况下对图像进行测量)，与轮廓提取所需的图像帧数相比，可以需要图案的更少图像帧，并且测量可以更接近真实的图案(即，对图案的损坏比获得轮廓提取的更大数目的图像帧所需要的更小)。另外或备选地，由于可能需要捕获更少的图像帧(具体地针对大图像和/或大量图案)，可以显着提高图像采集吞吐量。

图8是确定图案图像上的ep位置并获得ep位置处的几何参数的值的方法的实施例的流程图。在800处，在用于在衬底上产生图案的图案化工艺的一个或多个标称处理条件下获得图案的模拟目标轮廓。在一个实施例中，基于如在衬底上形成的图案的设计布局来确定模拟目标轮廓。在一个实施例中，设计布局呈多边形的形式；在那种情况下，设计布局将是目标多边形。虽然将关于目标多边形描述实施例，但是实施例通常适用于图案的任何设计布局。在一个实施例中，运行模拟以获得模拟目标轮廓。在一个实施例中，可以使用如相对于图5所描述的模拟模型。

再次参照图7，描绘了模拟目标轮廓的示意性示例以及目标多边形。如图7中所见，描绘了目标多边形700以及模拟目标轮廓710。如将理解，形成的图案通常将不精确匹配目标多边形，并且在此处通过与目标多边形相比将模拟目标轮廓圆化来示出。进一步地，形成的图案通常可能不具有与目标多边形相同的横截面尺寸，并且在此处通过与目标多边形相比模拟目标轮廓的收缩来示出。如将理解，模拟目标轮廓不需要如示意性描绘来圆化，和/或不需要具有较小的横截面尺寸。

目标多边形将具有位于目标多边形边界上或处的一个或多个ep。通常，将沿着目标多边形边界规定多个ep。目标多边形的ep的位置可以由用户选择或自动确定。在一个实施例中，可以沿着目标多边形的边界均匀地规定多个ep。在一个实施例中，可以为多边形的至少一拐角规定ep。在一个实施例中，可以为目标多边形的每个拐角规定ep。在一个实施例中，与沿多边形的笔直部分相比，为拐角规定了更大的ep浓度。在一个实施例中，为目标多边形规定的ep的数目是5或更多、10或更多、20或更多或50或更多。

在810处，在具有模拟目标轮廓和目标多边形的情况下，基于目标多边形确定一个或多个ep的标称模拟目标轮廓上的位置。即，相对于目标多边形限定了一个或多个ep，并且针对相对于目标多边形限定的每个这种ep，在模拟目标轮廓上确定对应的ep位置。例如，如图7中所示，在目标多边形700上限定一个或多个ep730，并且针对每个ep730，在模拟目标轮廓710上确定ep位置740。虽然在图7中标记了3组对应的ep730和ep740，但是在图7中示出了目标多边形上和模拟目标轮廓上的对应ep的另外的示例组。

虚拟线750帮助描绘ep730和ep740的位置之间的空间关系。在一个实施例中，与相关联的ep730对应的ep740的位置是在模拟目标轮廓710上与ep730的位置最近的位置。即，在ep730与模拟目标轮廓710之间找到了基本上最短的距离，并且该位置变为ep740的位置。由此，在一个实施例中，ep730与ep740之间的线750的部分是基本上最短的距离。在一个实施例中，可以从最短距离的90％到最短距离的110％的范围内选择基本上最短的距离。在一个实施例中，ep740的位置与模拟目标轮廓710上的位置对应，在该位置处，虚拟线(例如，线750)穿过ep730，该虚拟线基本上垂直于最接近ep730的模拟目标轮廓710的一部分的切线或基本上垂直于该部分的侧面。在一个实施例中，基本上垂直可以选自从80°到110°中。

因此，从相关联的ep730确定的ep740的位置在ep730和740的位置之间建立了空间方位。虚拟线750帮助描绘该空间方位。如下文将进一步详细描述，ep760在图案的测量图像上的位置将使用该空间方位来确定，例如通过沿着该空间方位定位测量图案图像的外围来确定。

在820处，产生关于空间方位的信息以用于确定ep在测量图案图像上的位置。因此，在一个实施例中，针对相对于目标多边形限定的每个感兴趣ep，提供了关于该ep的空间方位的电子信息。在一个实施例中，为测量图案图像的坐标系规定信息。在一个实施例中，在gds、gdsii或oasis坐标系中规定信息。在一个实施例中，在检查设备的坐标系中为图像规定信息。在必要时，在一个实施例中，关于空间方位的信息包括关于图案的标识信息，以使检查设备能够定位如在衬底上形成的图案(与ep信息有关的图案)或将该图案定位在包括图案的衬底的图像中。

在一个实施例中，关于空间方位的信息包括每个ep730和相关联的ep740的位置。使用ep730和ep740的位置，可以计算空间方位方向。在一个实施例中，空间方位方向包括方向的角度、斜率或其他表示。在一个实施例中，该信息包括ep730和/或ep740的位置以及空间方位方向(例如角度)。在图7中将空间方位方向的示例示出为角度θ。

在830处，获得在标称条件下通过图案化工艺在衬底上形成的图案的图像。在一个实施例中，通过用电子束的测量来获得图像。在一个实施例中，图像是sem图像。在一个实施例中，在针对ep从图像中获得几何参数的值之前，将图像与目标多边形(例如目标多边形700)和/或图案的所模拟的轮廓(例如模拟目标轮廓710)的坐标系对准。在一个实施例中，在针对ep从图像中获得几何参数的值之前，将图像与gds、gdsii或oasis坐标系对准，这可以通过例如检查设备的管芯到数据库(d2db)功能进行。

在一个实施例中，获得图像包括使用检查设备(诸如如相对于图3和/或图4所描述的设备)测量在衬底上形成的图案。在一个实施例中，形成的图案的测量由关于空间方位的信息指导。这是在沿着空间方位方向的与提供空间方位信息的一个或多个ep中的每个ep对应的区域处具体测量图案的实施例。例如，如果需要，可以在检查设备的坐标系中确定ep730和/或ep740相对于相关联的形成的图案的位置，并且然后可以在距ep730和/或ep740相对于形成的图案的该位置的阈值距离内并沿着空间方位方向(其可以例如通过检查设备从关于ep730和ep740的位置的信息中确定，或被包括在空间方位信息中)进行测量。在一个实施例中，指导的测量包括检查设备在图案的区域处获得额外的测量信息。在一个实施例中，指导的测量包括检查设备在图案的区域处但不在图案上的其他位置处获得测量信息。

在840处，执行对一个或多个ep在测量的图案图像上的位置的确定。如果需要，将图像与空间方位信息的坐标系对准，例如与gds、gdsii或oasis坐标系对准，或与模拟图案轮廓对准(例如，通过可以在数学上将模拟目标轮廓与图像中形成的图案的广义形状对准的计算机图像处理技术来对准)，或与空间分布的ep730和/或ep740的集合的位置对准(例如，通过可以在数学上将空间分布的ep730和/或ep740与图像中形成的图案的广义形状对准的计算机图像处理技术来对准)。可以使用检查设备的管芯到数据库(d2db)能力来完成对准。

为了确定一个或多个ep在测量的图案图像上的位置，将在空间方位信息中所包括的或从空间方位信息中得出的空间方位方向与相关联的ep在模拟目标轮廓上的位置和/或相关联的ep在目标多边形上的位置一起使用。在一个实施例中，在空间方位信息不包括空间方位方向的情况下，可以从在空间方位信息中所包括的ep在模拟目标轮廓上的位置和相关联的ep在目标多边形上的位置来计算空间方位方向。

具体地，为了确定一个或多个ep在测量的图案图像上的位置，确定或标记在图像坐标系中相关联的ep在模拟目标轮廓上的位置和/或从相关联的ep在目标多边形上的位置，并且沿着从图像坐标系中相关联ep在模拟目标轮廓上的位置和/或从图像坐标系中相关联ep在目标多边形上的位置的空间方位方向来分析图像，以标识沿着空间方位方向在何处截取图案的边界。因此，在一个实施例中和在图7的上下文中，结果有效地确定虚拟线750与测量的图案图像720的边界的交点，以标识ep760在图案图像720上在该交叉点处的位置。当然，不需要在图像上画线来完成标识该交点。相反，可以沿着从图像坐标系中的ep730和/或图像坐标系中的ep740的位置的方向750应用数据处理技术，以标识图案图像720的边界到达的位置。用以标识边界的图像数据处理技术可以是出于该目的的任何现有技术或未来技术。在一个实施例中，可以将已知的测量算法(例如cd测量算法)和相关联的阈值用于例如切割线量规确定。例如，在一个实施例中，图像数据处理可以评估像素数据的值的梯度，并标识该梯度超过或满足某个阈值(例如，最大梯度或在该最大值的10％内)的边界。这种技术可以将边界标识为图案的边缘的上斜率或下斜率中的某个位置(例如，大约在斜率的中间或在斜率上距底部约10％-30％的位置)。

该确定的实际示例在图9中描绘。图9示出了图案的一部分的图像。示出了图案的测量边界920以及目标多边形700的适用部分(在该示例中示出为参考，并且不必“绘制”在图像上)。在该示例中，使用的空间方位信息是ep740的位置(即，ep在模拟目标轮廓上的位置)以及空间方位角，在该示例中由虚拟线750表示。虽然为方便起见，此处仅标记了ep740的单个位置，但是很明显，图9描绘了沿边界920的各个点处的ep740的多个其他位置。进一步地，在该示例中，这些线并不能精确地穿过ep740，仅使得可以在视觉上看到ep740。实际上，空间方位角将穿过相应的ep740。

然后，可以看出，虚拟线750与测量的图案图像720的边界的交点标识ep760在图案图像720上在该交叉点处的位置。可以处理沿着虚拟线750的像素数据以标识图案的边缘/边界的位置，在这种情况下，该位置被确定为标记了ep760的位置。可以使用算法(诸如，对像素数据的梯度进行分析，并且然后在梯度数据满足或超过与该梯度数据相关联的某个阈值的位置处标识ep760的位置)来完成该数据处理。因此，在一个实施例中，基于参考位置(例如，ep730和/或ep740)和标识图案的边界的阈值来确定在图像上的ep位置(例如，与gds、gdsii或oasis坐标系对准)。

在一个实施例中，如上文所论述，ep760在图案图像720上在该交叉点处的标识位置可以表示ep760的测量。由此，在一个实施例中，可以从图像(例如，在与目标多边形和/或模拟目标轮廓对准之后，诸如通过与gds、gdsii或gds坐标系对准)基于某种测量方法(例如，已知测量算法(例如cd测量算法)和用于例如切割线量规确定的相关联阈值)直接确定图案在衬底上的ep位置。

在一个实施例中，ep760在图案图像720的轮廓上的位置可以是ep760的测量。例如，在一个实施例中，可以在ep760在图案图像720上的标识位置处或附近获得图像的轮廓，并且ep760的测量是ep760在轮廓上的位置。在一个实施例中，图像的轮廓不涵盖图案的整个边界。在一个实施例中，获得轮廓以便包括ep760在图案图像720上的标识位置，以便能够避免插值。

如将理解，可以相对于沿着图案的边界的所有ep740(使用其相应的空间方位信息)执行该分析，以获得沿着图案720的周长的ep760的测量的值。当然，ep740的位置、虚拟线750和/或ep760的位置不需要“绘制”在图像上。相反，可以对图像数据进行数学处理以实现相同的效果。

可选地，可以确定ep740的位置与其相关联的ep760的测量之间的距离。在一个实施例中，距离是ep740的位置与ep760的测量之间的欧几里得(euclidean)距离。在一个实施例中，该距离表示边缘放置误差(epe)。

可选地，参照图10，可以获得ep760的位置的“平均”确定。图10示出了针对同一图案的多个不同实例的图案图像720的边界的一部分。在一个实施例中，图案可以是接触孔图案，并且因此多个实例可以是在衬底上形成的接触孔图案的各种实例。

在一个实施例中，可以通过针对图案的至少一部分的多个不同实例中的每个实例确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置来获得ep760的位置的“平均”确定。然后，位置可以基于确定的位置(例如，位置的平均值)的数学组合。例如，如图10中所示，虚拟线750相对于ep740关于图案的所模拟的轮廓限定的位置延伸。虚拟线750在ep760的各个位置处截取图案图像720的多个实例。在一个实施例中，可以将ep760的那些确定的位置数学地组合以产生ep760的位置的单个值。在一个实施例中，该组合可以是平均值或其他统计组合。

在一个实施例中，可以通过将图案的至少一部分的不同实例的图像组合成图案的至少一部分的“单个”图像来获得ep760的位置的“平均”确定。然后可以使用例如相对于ep740相对于图案的所模拟的轮廓限定的位置延伸的虚拟线750，从该组合图像确定ep760的位置。

当然，ep760的该标识位置可以表示ep760的测量，或ep760在图案图像720的轮廓上的位置可以是ep760的测量。当然，可以使用ep760的位置的“平均”确定来确定ep740的位置与其相关联的ep760的测量之间的距离。

在850处，输出ep空间参数信息。在一个实施例中，ep空间参数信息是电子信息，其包括用于所分析的一个或多个ep的值。在一个实施例中，ep空间参数信息包括ep760的一个或多个位置的测量。在一个实施例中，一个或多个位置可以是例如图像的坐标系或某一其他坐标系中的笛卡尔坐标。在一个实施例中，ep空间参数信息包括一个或多个ep740位置与其相关联的一个或多个ep760的测量之间的距离。在一个实施例中，ep空间参数信息可以基于如上文所论述的“平均”确定。

在860处，ep空间参数信息可以用于工艺建模、模型校准(包括重新校准)、缺陷检测、估计、表征或分类、产率估计、工艺控制或监控、图案化工艺设计等。

因此，这种ep技术可以通过例如减少数据分析时间来使得能够更快地确定ep数据。例如，可以几乎实时地进行测量和分析。

另外或备选地，在一个实施例中，结果可以已经用例如如此对准图像的gds、gdsii和/或oasis参考点进行映射。这可以促进例如模型校准，其中，例如模型与这种坐标系对准。

另外或备选地，ep技术可以避免从图像中提取一些或全部轮廓，该轮廓提取会引入伪像和/或误差。

另外或备选地，ep技术可以避免或减少用电子束照射所拍摄的图案的图像帧的数目，并且由此提高结果的质量。这是因为额外的帧对图案造成了损坏，并且在随后的图像帧中测量了这种损坏。

另外或备选地，由于可以使用和确定选择的ep位置，因此ep技术可以减少采样点的数目和/或减少对插值的需求。

因此，ep技术可以帮助避免轮廓提取(和相关联的大轮廓数据文件)、减少计算时间和/或减少由于例如轮廓提取中和/或来自插值的伪像/错误的ep位置误差。

在一个实施例中，提供了一种方法，其包括：获得使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的轮廓的模拟；通过硬件计算机系统确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置，该位置与对应评估点在图案的设计布局上的位置在空间上相关联；以及通过硬件计算机系统产生与评估点在所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息，其中，与该空间方位对应的信息被配置用于确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，该测量图像上的该评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联。

在一个实施例中，通过评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置是作为轮廓与对应评估点在设计布局上的位置之间的基本上最短距离的所模拟的轮廓上的位置，使评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置在空间上相关联。在一个实施例中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和/或对应评估点在设计布局上的位置、以及评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的方向。在一个实施例中，方向包括角度或斜率。在一个实施例中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和对应评估点在设计布局上的位置。在一个实施例中，方法进一步包括：获得在衬底上形成的图案的至少一部分的测量图像；基于空间方位信息确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，测量图像上的评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联；以及基于确定的位置输出空间参数信息。在一个实施例中，方法进一步包括：确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和与图案的至少一部分的测量图像上的评估点相关联的测量之间的距离，并且其中，空间参数信息包括确定的距离。在一个实施例中，方法进一步包括：基于空间参数信息执行表示图案化工艺的至少一部分的数学模型的校准。在一个实施例中，方法进一步包括执行计算机模拟以产生图案的所模拟的轮廓。

在一个实施例中，提供了一种方法，其包括：获得与评估点在使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在该图案的设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息；获得图案的至少一部分的测量图像；通过硬件计算机系统并基于空间方位信息，确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，测量图像上的评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联；以及基于确定的位置输出空间参数信息。

在一个实施例中，评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置是作为轮廓与对应评估点在设计布局上的位置之间的基本上最短距离的所模拟的轮廓上的位置。在一个实施例中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和/或对应评估点在设计布局上的位置、以及评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的方向。在一个实施例中，方向包括角度或斜率。在一个实施例中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和对应评估点在设计布局上的位置。在一个实施例中，方法进一步包括：确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和与图案的至少一部分的测量图像上的评估点相关联的测量之间的距离，并且其中，空间参数信息包括确定的距离。在一个实施例中，方法进一步包括执行计算机模拟以产生图案的所模拟的轮廓。在一个实施例中，方法进一步包括：基于空间参数信息执行表示图案化工艺的至少一部分的数学模型的校准。在一个实施例中，针对图案的至少一部分的多个不同实例来确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，并且空间参数信息基于所确定的位置的数学组合，或其中，图案的至少一部分的测量图像是图案的至少一部分的不同实例的图像的组合。

一个实施例可以包括一种计算机程序，该计算机程序包含机器可读指令的一个或多个序列，其使得能够实践如本文中所描述的方法。例如，该计算机程序可以被包括在图1-图4中的任何一个的设备中或在其内。还可以提供其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。在例如任何图1-图4中所示出的类型的现有设备已经投入生产和/或使用的情况下，实施例可以通过提供更新的计算机程序产品来实现，以使设备的处理器执行如本文中所描述的方法。

可以使用以下条项来进一步描述实施例：

1.一种方法，包括：

获得使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的轮廓的模拟；

通过硬件计算机系统确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置，该位置与对应评估点在图案的设计布局上的位置在空间上相关联；以及

通过硬件计算机系统产生与在评估点在所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息，其中，与该空间方位对应的信息被配置用于确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，该测量图像上的该评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联。

2.根据条项1的方法，其中，通过评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置是作为轮廓与对应评估点在设计布局上的位置之间的基本上最短距离的所模拟的轮廓上的位置，评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置在空间上相关联。

3.根据条项1或条项2的方法，其中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和/或对应评估点在设计布局上的位置、以及评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的方向。

4.根据条项4的方法，其中，方向包括角度和斜率。

5.根据条项1至4的方法，其中，与空间方位对应的信息包括评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和对应评估点在设计布局上的位置。

6.根据条项1至5中任一项的方法，进一步包括：

获得在衬底上形成的图案的至少一部分的测量图像；基于空间方位信息确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，测量图像上的评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联；以及

基于确定的位置输出空间参数信息。

7.根据条项6的方法，进一步包括确定评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和与图案的至少一部分的测量图像上的评估点相关联的测量之间的距离，并且其中，空间参数信息包括确定的距离。

8.根据条项6或条项7的方法，进一步包括基于空间参数信息执行表示图案化工艺的至少一部分的数学模型的校准。

9.根据条项1至8中任一项的方法，进一步包括执行计算机模拟以产生图案的所模拟的轮廓。

10.一种方法，包括：

获得与评估点在使用图案化工艺在衬底上待形成的图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在图案的设计布局上的位置之间的空间方位对应的电子信息；

获得图案的至少一部分的测量图像；

通过硬件计算机系统并基于空间方位信息，确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，测量图像上的评估点与设计布局上的对应评估点在空间上相关联；以及

基于确定的位置输出空间参数信息。

11.根据条项10的方法，其中，评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置是作为在轮廓与对应评估点在设计布局上的位置之间的基本上最短距离的所模拟的轮廓上的位置。

12.根据条项10或条项11的方法，其中，与空间方位对应的信息包括：评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和/或对应评估点在设计布局上的位置、以及评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置与对应评估点在设计布局上的位置之间的方向。

13.根据条项12的方法，其中，方向包括角度和斜率。

14.根据条项10至13的方法，其中，与空间方位对应的信息包括评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和对应评估点在设计布局上的位置。

15.根据条项10至14中任一项的方法，进一步包括确定在评估点在图案的所模拟的轮廓上的位置和与图案的至少一部分的测量图像上的评估点相关联的测量之间的距离，并且其中，空间参数信息包括确定的距离。

16.根据条项10至15中任一项的方法，进一步包括执行计算机模拟以产生图案的所模拟的轮廓。

17.根据条项10或条项16中任一项的方法，进一步包括基于空间参数信息执行表示图案化工艺的至少一部分的数学模型的校准。

18.根据条项10至17中任一项的方法，其中，针对图案的至少一部分的多个不同实例来确定评估点在图案的至少一部分的测量图像上的位置，并且空间参数信息基于确定的位置的数学组合，或

其中，图案的至少一部分的测量图像是图案的至少一部分的不同实例的图像的组合。

19.一种制造装置的方法，其中，装置图案使用图案化工艺被应用到一系列衬底上，方法包括：使用根据条项1至18中任一项的方法评估使用图案化工艺形成的图案化结构、并根据方法的结果控制对衬底中的一个或多个衬底进行图案化工艺。

20.一种包括机器可读指令的非暂态计算机程序产品，该机器可读指令被配置为使处理器执行根据条项1至19中任一项的方法。

21.一种检查系统，其包括：

检查设备；以及

分析引擎，其包括根据条项20的非暂态计算机程序产品。

22.根据条项21的系统，其中，检查设备包括电子束检查设备。

23.根据条项21或条项22的系统，其进一步包括光刻设备，该光刻设备包括支撑结构和投影光学系统，支撑结构被配置为保持图案化装置以调制辐射束，投影光学系统被布置为将经调制的辐射束投影到辐射敏感衬底上。

本发明的一个实施例可以采取计算机程序或者数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式，该计算机程序包含引起执行如本文中所公开的方法的机器可读指令的一个或多个序列，该数据存储介质具有在其中存储的这种计算机程序。进一步地，机器可读指令可以在两个或更多计算机程序中实现。两个或更多计算机程序可以被存储在一个或多个不同的存储器和/或数据存储介质上。

当由位于光刻设备的至少一个组件内的一个或多个计算机处理器读取一个或多个计算机程序时，本文中所描述的任何控制器可以各自操作或可组合地操作。控制器可以各自或组合地具有用于接收、处理和发送信号的任何合适的配置。一个或多个处理器被配置为与控制器中的至少一个控制器通信。例如，每个控制器可以包括用于执行计算机程序的一个或多个处理器，这些计算机程序包括用于上文所描述的方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质和/或用以接收这种介质的硬件。因此，(多个)控制器可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令进行操作。

尽管上面可能已经在光学光刻术的上下文中具体参考了实施例的使用，但是将理解，本发明的实施例可以在其他应用(例如压印光刻术)中使用，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案化装置中的形貌限定了在衬底上创建的图案。可以将图案化装置的形貌压入供应给衬底的抗蚀剂层中，接着通过应用电磁辐射、热量、压力或其组合来使抗蚀剂固化。将图案化装置从抗蚀剂中移出，在抗蚀剂固化之后在其中留下图案。

尽管在本文中可以具体参考ic的制造，但是应该理解，本文中的描述具有许多其他可能的应用。例如，本说明书可以用于综合光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、微机电系统(mems)、液晶显示器面板、薄膜磁头等中。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，应将本文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用视为可分别与更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”互换。

本文所指的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层应用到衬底上并使曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具。进一步地，可以对衬底进行超过一次的处理，例如，以便创建多层ic，使得本文中所使用的术语衬底还可以指已经包含多个已处理层的衬底。

除非另外特别提及，否则本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(uv)辐射(例如，具有或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(euv)辐射(例如，具有5nm-20nm的范围内的波长)以及粒子束(诸如，离子束或电子束)。

注意，术语“掩模”、“掩模版”、“图案化装置”在本文中可互换利用。同样，本领域技术人员将认识到，特别是在光刻模拟/优化的情况下，术语“掩模”/“图案化装置”和“设计布局”可以互换使用，如在光刻模拟/优化中一样，不必使用物理图案化装置，但可以使用设计布局来表示物理图案化装置。

如本文中所使用的术语“投影光学元件”应广义地解释为涵盖各种类型的光学系统，例如包括折射型光学元件、反射型光学元件、孔径和折反射型光学元件。术语“投影光学元件”还可以包括根据这些设计类型中的任一种操作的组件，以用于共同地或单个地定向、成形或控制辐射的投影束。术语“投影光学元件”可以包括光刻投影设备中的任何光学组件，而不管光学组件位于光刻投影设备的光路上的何处。投影光学元件可以包括：用于在辐射穿过图案化装置之前对来自源的辐射进行成形、调整和/或投影的光学组件、和/或用于在辐射穿过图案化装置之后对辐射进行成形、调整和/或投影的光学组件。投影光学元件通常不包括源和图案化装置。

在系统或过程的优化过程中，系统或过程的品质因数可以表示为成本函数。优化过程归结为寻找对成本函数进行优化(例如，最小化或最大化)的系统或过程的一组参数(设计变量)的过程。根据优化的目标，成本函数可以具有任何合适的形式。例如，成本函数可以是相对于这些特性的预期值(例如理想值)的系统或过程的某些特性(评估点)的偏差的加权均方根(rms)；成本函数还可以是这些偏差中的最大值(即最差偏差)。本文中的术语“评估点”应广义地解释为包括系统或过程的任何特性。由于系统或过程的实现的实用性，系统或过程的设计变量可以被限制在有限范围内和/或相互依赖。在光刻设备或图案化工艺的情况下，约束通常与硬件的物理性质和特性(诸如可调范围和/或图案化设备可制造性设计规则)相关联，并且评估点可以包括衬底上的抗蚀剂图像或图案上的物理点以及非物理特性(诸如，剂量和焦点)。

如本文中所使用的术语“优化(optimizing/optimization)”是指或意指调整图案化工艺设备、图案化工艺的一个或多个步骤等，使得图案化的结果和/或工艺具有期望的特性，诸如在衬底上的设计布局的转印的更高准确性、更大的工艺窗口等。由此，如本文中所使用的术语“优化”是指或意指：标识与针对这些一个或多个参数的一个或多个值的初始集合相比在至少一个相关度量中提供改进(例如，局部最优)的一个或多个参数的一个或多个值的过程。应相应地解释“最优”和其他相关术语。在一个实施例中，可以迭代地应用优化步骤以提供一个或多个度量的进一步改进。

在框图中，将图示的组件描绘为离散的功能块，但是实施例不限于如图示组织本文中所描述的功能的系统。由每个组件提供的功能可以由与当前所描绘不同地组织的软件或硬件模块来提供，例如，可以将这种软件或硬件混合、结合、复制、分解、分布(例如，在数据中心内或在地理上)或以其他方式不同地组织。本文中所描述的功能可以由执行在有形的、非暂态的机器可读介质上存储的代码的一个或多个计算机的一个或多个处理器来提供。在一些情况下，第三方内容递送网络可以托管通过网络传达的一些或全部信息，在据说供应或以其他方式提供信息(例如内容)的程度，可以通过发送指令以从内容递送网络中取回该信息来提供信息。

除非另外明确陈述，否则从讨论中显而易见的是，应理解，贯穿本说明书，利用术语(诸如“处理”、“计算(computing)”、“运算(calculating)”、“确定”等)的论述是指特定设备(诸如专用计算机或类似的专用电子处理/计算装置)的动作或过程。

读者应该理解，本申请描述了数个发明。申请人没有将这些发明分成多个独立的专利申请，而是将这些发明分组到单个文件中，因为其相关主题可以使申请过程更加经济。但是这种发明的独特优点和方面不应该混为一谈。在一些情况下，实施例解决了本文中提及的所有缺陷，但是应当理解，本发明是独立有用的，并且一些实施例仅解决了这种问题的子集，或提供了其他未提及的益处，这些益处对于审阅本公开的本领域技术人员而言是显而易见的。由于成本约束，本文中公开的一些发明可能目前没有要求保护，并且可能在以后的申请中要求保护，诸如在继续申请中或通过修改本权利要求书要求保护。类似地，由于篇幅所限，本文件的发明部分的摘要或发明内容都不应被视为包含所有这种发明或这种发明的所有方面的全面列举。

应该理解，说明书和附图并非旨在将本发明限制为所公开的具体形式，相反，其意图是涵盖落入如由所附权利要求书所定义的本发明的精神和范围内的所有修改、等效物和替代物。

鉴于本说明书，本发明的各个方面的修改和替代实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，本说明书和附图仅应解释为说明性的，并且其目的是为了教导本领域技术人员实施本发明的一般方式。应该理解，本文中示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。可以用元件和材料代替本文中说明和描述的元件和材料，可以颠倒或省略部件和过程，可以独立地利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征，所有这些对于在受益于本发明的本说明书之后的本领域的技术人员而言将显而易见。在不脱离如所附权利要求书中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文中所描述的元件做出改变。本文中所使用的标题仅出于组织目的，并且并不意味着用于限制本说明书的范围。

如贯穿本申请所使用，词语“可以”以允许的意义(即，意味着有可能)而不是强制性的意义(即，意味着必须)使用。词语“包括(include/including/includes)”等意味着包括但不限于。如贯穿本申请所使用，除非内容另外明确地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指示物。由此，例如，尽管针对一个或多个元件使用其他术语和短语，诸如“一个或多个”，但对“一个”元件或“一”元件的参考包括两个或更多元件的组合。除非另外指示，否则术语“或”是非排他性的，即涵盖“和”和“或”二者。描述条件关系的术语(例如，“响应于x，而y”、“在x时，y”、“如果x，则y”，“当x时，y”等)涵盖因果关系，其中，前提条件是必要的因果条件，前提条件是充分的因果条件，或前提条件是结果的必然因果条件，例如，“状态x在条件y获得时发生”与“x仅在y时发生”和“x在y和z时发生”通用。这种条件关系不限于在前提条件获得之后立即发生的结果，这是由于一些结果可能会延迟，并且在条件语句中，前提条件与其结果相关，例如，前提条件与随后发生的可能性有关。除非另外指示，否则将多个属性或功能映射到多个对象(例如，执行步骤a、b、c和d的一个或多个处理器)的语句涵盖了以下两者：映射到所有这种对象的所有这种属性或功能、以及映射到属性或功能的子集的属性或功能的子集(例如，所有处理器各自执行步骤a-d，以及其中处理器1执行步骤a、处理器2执行步骤b和步骤c的一部分以及处理器3执行步骤c的一部分和步骤d的情况)。进一步地，除非另外指示，否则一个值或动作是“基于”另一条件或值的语句既涵盖条件或值是唯一因素的情况，又涵盖条件或值是多个因素中的一个因素的情况。除非另外指示，否则不应将某个集合的“每个”实例具有某一属性的语句理解为排除其中更大集合的一些另外相同或相似成员不具有该属性的情况，即，每个不一定意味着每一个。

在某些美国专利、美国专利申请或其他材料(例如文章)已经以引用的方式并入的程度上，这种美国专利、美国专利申请和其他材料的文本仅在这种材料与本文中阐述的语句和附图之间不存在冲突的程度上以引用的方式并入。在这种冲突的情况下，在这种以引用的方式并入的美国专利、美国专利申请和其他材料中的任何这种冲突文本在本文中都未具体地以引用的方式并入。

上文描述旨在说明性而非限制性的。由此，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以在不脱离下文所阐述的权利要求书的范围的情况下，对如所描述的本发明进行修改。例如，一个或多个实施例的一个或多个方面可以适当地与一个或多个其他实施例的一个或多个方面组合或代替该一个或多个方面。因此，基于本文中呈现的教导和指导，这种适应和修改旨在属于所公开的实施例的等效物的含义和范围内。应该理解，本文中的措词或术语是出于举例说明而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导进行解释。本发明的宽度和范围不应受上述示例性实施例中的任何一例限制，而是应该只根据以下权利要求书和其等效物来进行限定。