电压对比量测标记的制作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月11日提交的美国申请62/597,413、于2017年12月12日提交的美国申请62/597,933和于2018年9月6日提交的美国申请62/727,925的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及半导体器件制造期间的套刻量测，并且更具体地涉及用于基于电压对比来测量两层的对准误差和临界尺寸的量测标记。
背景技术：
光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将图案化装置(其替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在ic的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光至目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束对图案进行扫描且同时同步地平行或反平行于该方向对衬底进行扫描，来照射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底上。
在光刻工艺中，期望频繁地对所产生的结构进行测量，例如以进行工艺控制和验证。通常，测量或确定结构的一个或多个参数，例如，形成在衬底中或上的连续层之间的套刻误差。有多种量测技术用于对在光刻工艺中形成的微观结构进行测量。这种工具的一个示例是被开发用于光刻领域的光学散射仪。该装置将辐射束引导到衬底的表面上的目标上，并且测量重定向辐射的一个或多个属性，例如，单个反射角下的强度与波长的关系；一个或多个波长下的强度与反射角的关系；或偏振角与反射角的关系，以获取一组数据，从该组数据中可以确定目标的感兴趣属性。感兴趣属性的确定可以通过各种技术来执行，诸如通过迭代方法(诸如严格耦合波分析或有限元方法、库搜索和主成分)来重构目标结构。
但是，随着ic组件的物理尺寸继续减小到亚100纳米或甚至亚10纳米，光学散射仪逐渐变得不称职，因为它的分辨率受到光的波长的限制。由于光学分辨率和装置尺寸的这种差异，即，由于光学测试结构具有与装置结构不同的节距，因此需要将非零偏移应用于测量结果。通常，必须基于手动校准测量或使用其他复杂方法来估计非零偏移。
技术实现要素：
本公开的实施例涉及电压对比量测标记。在一些实施例中，提供了一种测量标记。该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
在一些实施例中，提供了一种测量标记。该测量标记包括具有第一节距的第一特征的第一阵列和具有第二节距的第二特征的第二阵列，第一阵列和第二阵列布置在衬底上的两个连续层中。该测量标记被配置用于确定第一特征相对于相关联的第二特征之间的套刻值，或者被配置用于当使用电压对比成像方法而被成像时确定第一特征或第二特征的临界尺寸值。
在一些实施例中，提供了一种系统。该系统包括粒子束工具，其用于扫描测量标记并且检测来自测量标记的散射电子。该系统还包括与粒子束工具耦合的控制器。该控制器包括电路系统以：根据检测到的散射电子生成电压对比图像；并且根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
在一些实施例中，提供了一种方法。该方法包括用带电粒子束扫描测量标记的第一测试结构集合，并且检测来自该测量标记的散射电子。该方法还包括根据检测到的散射电子生成电压对比图像。该方法还包括根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
在一些实施例中，提供了一种存储指令的非暂态计算机可读介质，该指令在由一个或多个处理器执行时引起处理器执行一种方法。该方法包括用带电粒子束扫描测量标记的第一测试结构集合，并且检测来自该测量标记的散射电子。该方法还包括根据检测到的散射电子生成电压对比图像。该方法还包括根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
附图说明
图1是示出与本公开的实施例相一致的示例性光刻设备的示意图。
图2是示出与本公开的实施例相一致的示例性光刻单元的示意图。
图3是示出与本公开的实施例相一致的示例性光学量测工具的示意图。
图4是示出与本公开的实施例相一致的示例性电子束工具的示意图。
图5是示出与本公开的实施例相一致的衬底对电子束照射的电压对比响应的示意图。
图6是示出与本公开的实施例相一致的电压对比量测标记的示意图。
图7是示出与本公开的实施例相一致的电压对比量测标记的示意图。
图8是示出与本公开的实施例相一致的图7所示的标记中的经编程的套刻偏移和cd变化的示意图。
图9是示出与本公开的实施例相一致的组合的电压对比和光学量测标记的示意图。
图10是示出根据本公开实施例的组合的电压对比和光学标记中的特征的示意图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中示出。以下描述参考附图，其中除非另外表示，否则不同附图中的相同数字表示相同或相似的元素。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现并不代表与本发明相一致的所有实现。相反，它们仅是与如所附权利要求中所述的与本发明有关的各方面相一致的装置和方法的示例。
设备的物理尺寸减小的同时电子设备的增强的计算能力可以通过显著增加ic芯片上的诸如晶体管、电容器、二极管等电路组件的封装密度来实现。例如，在智能电话中，ic芯片(即，拇指指甲的大小)可以包括超过20亿个晶体管，每个晶体管的大小小于人类头发的1/1000。毫不奇怪，半导体ic制造是一个复杂的过程，需要数百个单独的步骤。即使一步出错，也可能极大地影响最终产品的功能。
特别地，随着尺寸的减小，掩模层的数目可以增加并且需要被对准的特征(线、切口等)的尺寸继续缩小。例如，在10或7nm下，可能有80或更多个掩模层，而在28nm下有40个层。如果这些层未被精确测量，则被图案化、沉积和蚀刻的特征可能无法在层之间很好地对齐。
在本公开的一个方面，提供了一种利用电压对比效应的套刻标记(诸如图6所示的套刻标记60)，以用于测量两个相邻层之间的套刻偏移、以及每个层上的特征的临界尺寸(cd)。套刻标记的准确度由形成在套刻标记上的图案的分辨率确定。因此，可以通过具有低分辨率但是高吞吐量的电子束工具来扫描套刻标记。
在整个本公开中使用，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果声明设备可以包括a或b，则除非另有明确说明或不可行，否则设备可以包括a或b或a和b。作为第二示例，如果声明设备可以包括a、b或c，则除非另有明确说明或不可行，否则设备可以包括a、b或c、a和b、a和c、b和c或a和b和c。
图1是示出与本公开的实施例相一致的示例性光刻设备la的示意图。参考图1，光刻设备la包括：源收集器模块so；照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射束b(例如，euv辐射)；支撑件(例如，掩模台)mt，其被构造为支撑图案化装置(例如，掩模或掩模版)ma并且连接到被配置为精确地定位图案化装置的第一定位器pm；衬底台(例如，晶片台)wt，其被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)w并且连接到被配置为精确地定位衬底的第二定位器pw；以及投射系统(例如，折射投射系统)ps，其被配置为通过图案化装置ma将赋予辐射束b的图案投射到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。
照射系统il可以包括用于定向、成形或控制辐射的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件、或其任何组合。
图案化装置支撑结构以取决于图案化装置的取向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如，图案化装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案化装置。图案化装置支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化装置。例如，图案化装置支撑结构可以是可以根据需要是固定的或可移动的框架或台子。图案化装置支撑结构可以确保图案化装置处于期望的位置，例如相对于投射系统。图案化装置可以被称为掩模版或掩模。
图案化装置可以是用于在其横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不精确地对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，在图案包括相移特征或所谓的辅助特征时。通常，赋予辐射束的图案将对应于在诸如集成电路等器件中的目标部分中产生的特定功能层。
图案化装置可以是透射的或反射的。图案化装置的示例包括掩模、可编程镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括各种掩模类型(诸如二元、交替相移和衰减相移)、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以个体地倾斜，以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予图案，该辐射束由反射镜矩阵反射。
投影系统可以是任何类型的投射系统，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统、或其任何组合，以视情况而定用于所使用的曝光辐射或其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。投影系统可以被称为投影透镜。
如此处所描绘的，该设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射掩模)。
光刻设备la可以是具有两个(双级)或更多个台(例如，两个或更多个衬底台、两个或更多个图案化装置支撑结构、或衬底台和量测台)的类型。在这样的“多级”机器中，可以并行使用附加的台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，同时将一个或多个其他台用于曝光。
光刻设备la也可以是如下这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投射系统与衬底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻设备中的其他空间，例如，在掩模与投射系统之间。浸没技术在本领域中用于增加投射系统的数值孔径是公知的。浸没并不一定表示诸如衬底等结构必须淹没在液体中，而是仅表示在曝光期间液体位于投射系统与衬底之间。
参考图1，照射器il从辐射源so接收辐射束。源和光刻设备可以是分开的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，认为源没有形成光刻设备的一部分并且辐射束借助于束传输系统bd从源so传递到照射器il，束传输系统bd包括例如合适的定向镜或扩束器。在其他情况下，源可以是光刻设备的一体部分，例如当源是水银灯时。源so和照射器il以及束传输系统bd(如果需要)可以称为辐射系统。
照射器il可以包括用于调节辐射束的角度强度分布的调节器ad。通常，可以调节照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和内部径向范围(通常分别称为外部σ和内部σ)。另外，照射器il可以包括各种其他组件，诸如积分器in和会聚器co。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束b入射在图案化装置(例如，掩模)ma上并且由图案化装置图案化，该图案化装置(例如，掩模)ma被保持在图案化装置支撑件(例如，掩模台mt)上。在穿过图案化装置(例如，掩模)ma之后，辐射束b穿过投射系统ps，投射系统ps将束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如，干涉测量装置、线性编码器、2d编码器或电容传感器)，衬底台wta可以精确地移动，例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束b的路径精确地定位图案化装置(例如，掩模)ma，例如，在从掩模库机械取回之后，或者在扫描期间。通常，图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt的移动可以借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现，该长行程模块和短行程模块形成第一定位器pm的一部分。类似地，衬底台wta的移动可以使用长行程模块和短行程模块来实现，该长行程模块和短行程模块形成第二定位器pw的一部分。在步进器的情况下(与扫描仪相反)，图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。
图案化装置(例如，掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。在本公开中，“掩模”和“目标”可互换使用。尽管如图所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些称为划线对准标记)。类似地，在图案化装置(例如，掩模)ma上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。小的对准标记也可以被包括在管芯内，在装置特征之中，在这种情况下，期望标记尽可能小并且不需要与相邻特征不同的任何成像或处理条件。下面将进一步描述检测对准标记的对准系统。
所描绘的设备可以用于以下模式中的至少一种：
1.在步进模式下，图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt和衬底台wta保持基本静止，同时被赋予至辐射束的整个图案一次性被投射到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台wta在x和/或y方向上偏移，从而可以暴露不同的目标部分c。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分c的尺寸。
2.在扫描模式下，图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt和衬底台wta被同步地扫描，同时被赋予至辐射束的图案被投射到目标部分c上(即，单次动态曝光)。衬底台wta相对于图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt的速度和方向可以通过投射系统ps的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式下，曝光场的最大尺寸限制了单个动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在另一种模式下，图案化装置支撑件(例如，掩模台)mt保持基本静止，以保持可编程图案化装置，并且移动或扫描衬底台wta，同时将被赋予至辐射束的图案投射到目标部分c上。在该模式中，通常，采用脉冲辐射源，并且在扫描期间在每次移动衬底台wta之后或者在连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案化装置。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置的无掩模光刻，诸如上述类型的可编程反射镜阵列。
也可以采用上述使用模式的组合或变体或完全不同的使用模式。
光刻设备la是所谓的双级类型，其具有两个台wta、wtb(例如，两个衬底台)和两个站(曝光站和测量站)，台可以在两个站之间被交换。例如，当在曝光站处对一个台上的衬底进行曝光时，可以在测量站处将另一衬底装载到另一衬底台上并且执行各种准备步骤。准备步骤可以包括：使用水平传感器ls来绘制衬底的表面控制图，以及使用对准传感器as来测量对准标记在衬底上的位置，这两个传感器由参考框架rf支撑。如果位置传感器if在台位于测量站和曝光站处时无法测量台的位置，则可以提供第二位置传感器，以在这两个站处跟踪台的位置。作为另一示例，当在一个台上的衬底在曝光站处正被曝光时，没有衬底的另一台在测量站处等待(在该处可能发生测量活动)。该另一台具有一个或多个测量装置，并且可以可选地具有其他工具(例如，清洁设备)。当衬底已经完成曝光时，没有衬底的台移动到曝光站以执行例如测量，而具有衬底的台移动到卸载衬底并且装载另一衬底的位置(例如，测量站)。这些多台布置使得能够显著增加设备的吞吐量。
图1所示的光刻设备la可以形成光刻单元的一部分，有时也称为光刻单元或光刻簇，其包括用于对衬底执行一个或多个曝光前工艺和曝光后工艺的设备。图2是示出与本公开的实施例相一致的示例性光刻单元lc的示意图。参考图2，光刻单元lc可以包括用于沉积抗蚀剂层的一个或多个旋涂机sc、用于使曝光的抗蚀剂显影的一个或多个显影剂de、一个或多个冷却板ch、以及一个或多个烘烤板bk。衬底处理机或机械手ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同的处理装置之间移动衬底，并且将衬底传送到光刻设备的装载台lb。通常被统称为轨道的这些装置处于轨道控制单元tcu的控制下，该轨道控制单元tcu本身由监督控制系统scs控制，监督控制系统scs还经由光刻控制单元lacu控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以使吞吐量和处理效率最大化。
为了使由光刻设备曝光的衬底正确且一致地曝光，期望检查曝光的衬底以测量一种或多种属性。这些属性可以包括后续层之间的套刻误差、线宽、临界尺寸(cd)等。此外，如下所述，检查可以用于得出工艺参数，诸如侧壁角度不平衡。如果检测到错误，则可以对一个或多个后续衬底的曝光进行调节，尤其是在检查应当尽快且足够快地进行以使同一批次的另一衬底仍被曝光的情况下。另外，可以将已经曝光的衬底剥离并且重新加工(以提高产量)或丢弃，从而避免在已知有缺陷的衬底上进行曝光。在仅衬底的一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对那些良好的目标部分进行进一步的曝光。另一种可能性是调节后续工艺步骤的设置以补偿误差，例如可以调节修整蚀刻步骤的时间以补偿由光刻工艺步骤导致的衬底到衬底cd的变化。
检查设备用于确定衬底的一个或多个属性，尤其是确定不同衬底或同一衬底的不同层的一个或多个属性如何因层而异或跨衬底地变化。检查设备可以被集成到光刻设备la或光刻单元lc中，或者可以是独立设备。为了能够进行最快速测量，期望检查设备在曝光之后立即测量曝光的抗蚀剂层中的一种或多种属性。然而，抗蚀剂中的潜像具有非常低的对比度(抗蚀剂的已经暴露于辐射的部分与未暴露于辐射的部分之间的折射率仅有很小的差异)，并且并非所有检查设备都具有足够的灵敏度对潜像进行有用的测量。因此，可以在曝光后烘烤步骤(peb)之后进行测量，该曝光后烘烤步骤通常是在经曝光的衬底上执行的第一步骤并且会增加抗蚀剂的曝光部分与未曝光部分之间的对比度。在该阶段，抗蚀剂中的图像可以被称为半潜像。也可以对经显影的抗蚀剂(此时已经除去了抗蚀剂的曝光部分或未曝光部分)图像进行测量，或者也可以在图案转印步骤(诸如蚀刻)之后进行测量。后一种可能性限制了对有缺陷的衬底进行返工的可能性，但是仍可以提供有用的信息，例如，出于工艺控制的目的。
在公开的实施例中，检查设备可以是光学量测工具，诸如散射仪。图3是示出与本公开的实施例相一致的示例性散射仪10的示意图。参考图3，散射仪10包括将辐射投射到衬底106上的宽带(白光)辐射投影仪102。反射的辐射被传递到光谱仪检测器104，光谱仪检测器104测量反射的辐射的光谱110(即，强度与波长的关系的测量)。根据该数据，可以通过与散射仪10通信的控制器30来重构如下的结构或轮廓，该结构或轮廓产生检测到的光谱。例如，控制器30可以通过严格耦合波分析和非线性回归或者通过与如图3的底部所示的模拟光谱库进行比较来重构结构或轮廓。一般而言，对于重构，结构的一般形式是已知的，并且从对结构的制造工艺的了解来假定一些参数，仅剩下一些结构参数需要根据散射测量数据来确定。在各个实施例中，散射仪10可以被配置为法向散射仪或斜入射散射仪。
光学量测工具的分辨率受到光的波长(通常为几百纳米)的限制。在所公开的实施例中，检查设备还可以是能够分辨到小于纳米的带电粒子(例如，电子)束显微镜，诸如扫描电子显微镜(sem)。图4是示出与所公开的实施例相一致的示例性电子束工具20的示意图。如图4所示，电子束工具20包括电动载物台200和由电动载物台200支撑以保持要检查的晶片203的晶片保持器202。电子束工具20还包括复合物镜204、电子检测器206(其包括电子传感器表面206a和206b)、物镜孔208、会聚透镜210、束限制孔212、枪孔214、阳极216和阴极218，这些中的一个或多个可以与电子束工具20的光轴270对准。
在一些实施例中，复合物镜204可以包括改进的摆动减速浸入物镜(soril)，该soril包括极靴204a、控制电极204b、偏转器或一组偏转器204c、以及激励线圈204d。电子束工具20可以另外包括能量色散x射线光谱仪(eds)检测器(未示出)，以表征晶片上的材料。
通过在阳极216与阴极218之间施加电压，从阴极218发射初级电子束220。初级电子束220穿过枪孔214和电子束限制孔212，这两者均可以确定进入会聚透镜210的电子束的电流，会聚透镜210位于束限制孔212下方。会聚透镜210在束进入物镜孔208之前聚焦初级电子束，以设置在进入复合物镜204之前电子束的电流。
复合物镜204可以将初级电子束220聚焦到晶片203上以进行检查，并且可以在晶片203的表面上形成探测点222。偏转器204c偏转初级电子束220以扫描晶片203上的探测点222。例如，在扫描过程中，可以控制偏转器204c，以在不同时间点将初级电子束220依次偏转到晶片203的顶表面的不同位置上，以提供用于晶片203的不同部分的图像重构的数据。此外，还可以控制偏转器204c，以将初级电子束偏转到晶片203的不同侧上的特定位置处，不同结点(tiepoint)处，以提供用于该位置处的晶片结构的立体图像重构的数据。此外，在一些实施例中，阳极216和阴极218可以被配置为生成多个初级电子束220，并且电子束工具104可以包括多个偏转器204c以将多个初级电子束220同时投射到晶片203的不同部分/不同侧。
当将电流施加到励磁线圈204d上时，将在晶片表面区域中生成轴向对称(即，围绕光轴270对称)的磁场。可以将晶片203的被初级电子束220扫描的一部分浸没在磁场中。将不同的电压施加到晶片203、磁性物镜204a和控制电极204b上，以在晶片表面附近生成轴向对称的延迟电场(retardingelectricfield)。电场减小了初级电子束220在与晶片203碰撞之前撞击在晶片表面附近的能量。与极靴204a电隔离的控制电极204b控制晶片上的轴向对称电场，以防止晶片的微电弧作用并且确保适当的束与轴向对称的磁场一起聚焦在晶片表面。
在晶片203接收初级电子束220时，次级电子束230可以从晶片203的一部分被发射。次级电子束230可以被电子检测器206的传感器表面206a和206b接收。电子检测器206可以生成表示次级电子束230的强度的信号(例如，电压、电流等)，并且向与电子检测器206通信的控制器30提供信号。次级电子束230的强度可以根据晶片203的外部或内部结构而变化。此外，如上所述，初级电子束220可以被投射到晶片203的顶表面的不同位置上、或者在特定位置处被投射到晶片203的不同侧上，以生成具有不同强度的次级电子束230。因此，通过将次级电子束230的强度与晶片203的位置进行映射，控制器30可以重构反映晶片203的内部或外部结构的图像。
此外，尽管图4示出了电子束工具20使用单个初级电子束，但是可以预期，电子束工具20也可以是使用多个初级电子束的多束检查工具。本申请不限制在电子束工具20中使用的初级电子束的数目。
与本公开相一致，电子束工具可以用于基于衬底对电子束照射的电压对比响应(voltage-contrastresponse)来测量套刻未对准和临界尺寸。图5是示出与本公开的实施例相一致的电压对比响应模型的示意图。参考图5，测试结构52被显影在衬底50的顶部上。测试结构52包括由绝缘材料55隔开的多个特征53、54。当电子束工具20扫描测试结构52的表面时，控制器30可以生成测试结构的电压对比图像56。特征53短接到地，并且不会保留正电荷。这样，特征53可以排斥更多的次级电子，并且将在电压对比图像上呈现为亮区域。相反，特征54与地断开，并且将具有正电荷积累，这导致特征54排斥较少的次级电子，并且因此在电压对比图像上呈现为较暗。
前面的描述已经描述了导致对应特征呈现为较亮的短路条件的存在、以及导致对应特征呈现为较暗的开路条件的存在。然而，对于本领域技术人员很清楚的是，取决于测试结构的实际处理或电子束工具的设置，明暗外观可以改变或者甚至颠倒。
图6是示出与本公开的实施例相一致的电压对比量测标记的示意图。图6的左侧示出了套刻标记60的俯视图。套刻标记60包括多个测试结构62以用于在两个不同方向上确定两个晶片层之间的配准误差，诸如边缘放置误差。尽管图6的左侧仅示出了在顶层(在下文中也称为“当前层”或“第一层”)中的测试结构，但是可以预期，紧接在顶层之下的第二层(下文中也称为“先前层”)也包括多个测试结构62。此外，尽管图6的左侧仅示出了以3×3矩阵布置的九个测试结构62，但是可以预期，所公开的套刻标记可以包括所需要的数目的测试结构62。
在所示的实施例中，测试结构62是正方形的，并且可以具有类似于电子束工具的像素尺寸的尺寸，以便增加检查吞吐量。测试结构62在空间上彼此分开，使得它们不与第二层的相邻测试结构的部分重叠。如上所述，测试结构62被配置为提供两个方向(诸如彼此正交的x和y方向)上的套刻信息。每个测试结构62包含周期性结构(未示出)，该周期性结构包括以隔开的行和列布置的特征。
图6的右侧示出了测试结构62对电子束照射的电压对比响应。测试结构62中的周期性特征由导电材料制成。在一些实施例中，导电材料可以是金属，包括但不限于铜、钨、镍、钴、钽和氮化钛。在一些实施例中，导电材料可以是半导体，包括但不限于晶体硅、多晶硅、非晶硅和硅锗。不同晶片层中的特征可以使用相同类型的导电材料或不同类型的导电材料。当当前层(即，顶层)中的特征连接到先前层(即，下层)中的特征时，对应测试结构62将在套刻标记60的电压对比图像上示出为亮区域。相反，当当前层中的特征与先前层中的特征断开时，对应测试结构62将在电压对比图像上示出为暗区域。如上所述，可以使测试结构62的尺寸类似于或等于电子束工具20的像素尺寸，使得电压对比图像的一个像素对应于该测试结构62。这样，检查吞吐量可以得到改进。
在公开的实施例中，测试结构62被编程为具有不同的套刻偏移值，即，x/y值。例如，如图6的左侧所示，测试结构62可以分别在x和y方向上具有变化的套刻偏移值。基于套刻偏移值和电压对比图像，可以更准确地确定套刻误差。
所公开的套刻标记也可以用于测量临界尺寸。图7是示出与本公开的实施例相一致的电压对比量测套刻标记70的示意图。类似于套刻标记60，标记70包括多个测试结构72。然而，与标记60不同，测试结构72被设计为在y方向上具有变化的临界尺寸值。每个测试结构72包含周期性结构(未示出)，该周期性结构包括以隔开的行和列布置的特征。周期性特征可以被配置为具有各种尺寸、形状和分布。此外，特征的节距可以在测试结构72上变化，以便分离邻近效应或随机效应。
图7示出了一种情形，其中各种套刻偏移或临界尺寸可能导致当前层和先前层中的特征被连接或断开，从而导致不同的电压对比响应。这样，标记70可以用于同时测量临界尺寸和x方向上的套刻误差。上面的示例仅用于说明目的。应当理解，所公开的标记可以被配置为具有套刻过程窗口值和临界尺寸值的任何合适的组合。例如，一个标记可以包括多个相邻的测试结构，以跟踪不对称的临界尺寸或套刻过程窗口。
所公开的套刻标记可以与电子扫描工具(例如，电子束工具20)的低分辨率模式一起使用，同时甚至仍然实现准确的套刻测量/cd测量。这是因为，套刻测量/cd测量的准确度由套刻标记的特征的分辨率控制。通常，最先进的电子束工具使用1-2nm的光斑大小来执行高分辨率成像。但是，较小的光斑大小以及因此较小的束电流需要较长的扫描时间，并且因此会降低系统的吞吐量。由于所公开的套刻标记对电子束工具的分辨率不太敏感，因此可以与扫描速率很高的光斑尺寸为约20nm像素、200nm像素或甚至2μm的电子束工具一起使用，以推断亚纳米套刻。特别地，较大的光斑尺寸允许较高的束电流，这可以产生具有足够信噪比和对比度分辨率的图像。套刻标记的图像上形成的明暗图案可以准确地反映套刻值和cd值。因此，所公开的套刻标记允许同时实现高分辨率成像和高束电流，从而允许高扫描速度，以提高系统吞吐量。
图8是示出与本公开的实施例相一致的套刻标记70中的经编程的套刻偏移和cd变化的示意图。参考图8，套刻标记70可以被编程为具有沿x方向的套刻变化和沿y方向的cd变化。变化范围是从零点几纳米(例如，0.5纳米)到几纳米。这样，标记70可以在设备级别上测量套刻变化和cd。
在一些实施例中，可以将不同的标记集成到单个“多图案”标记中。这表示，多个掩模的交互可以具有复杂的套刻和临界尺寸交互，所有这些都可以通过在特定套刻偏移或cd偏移中的不同掩模的组合来研究。多图案化标记可以用于通过组合多个光刻步骤而产生的单个导体层，这通常用在22nm以下的器件中。
与本公开相一致，过程窗口可以被表征为二维套刻-cd图中的区域(area)或域(region)。当晶片在过程窗口内以套刻-cd状态曝光时，由晶片制成的芯片通常将起作用，而当晶片在过程窗口之外以套刻-cd状态曝光时，由晶片制成的芯片通常不会起作用。
此外，由于电路设计内的不同图案可能具有不同的过程窗口，因此进一步限制了光刻处理的过程窗口。这些差异可能包括最佳焦平面位置的偏移、最佳曝光的偏移、最佳套刻位置的偏移、以及所允许的聚焦或曝光范围的变化。不同的图案也可能具有不同的成功打印标准。尽管对于某些非关键特征，cd偏差最高可以达到+/-15％，但是最关键结构的公差可能只有其一半。不同图案的故障模式也可能非常不同。有些图案可能由于过度的cd变化而被认为是不可接受的，其他图案可能由于其侧壁轮廓的过度变化而被认为是不可接受的，而另外一些其他图案可能发生线端拉回(lineendpullback)或拐角变圆。由于邻近结构的交互，灾难性的图案失效也是可能的。如果将给定特征作为隔离结构进行打印，则可以接受的cd变化可能会在不同的局部环境中导致桥接、缩颈或其他不可接受的图案变化。
在一些实施例中，可以使用随机算法来分别调节套刻(或节距)变化和cd变化以量化过程窗口。套刻变化和cd变化的分布可以与晶片芯片成品率图相关。例如，统计分析可以用于提取如下的信息，该信息关于哪个套刻变化或cd变化是关键的产量限制因素或与产量波动或偏移的某些特征高度相关。
在一些实施例中，可以将所确定的过程窗口作为反馈提供给光刻工艺控制系统，该光刻工艺控制系统提供有关光刻工艺如何执行的数据，例如，所有特征的cd和层对准是否在规格之内、以及哪些工艺条件参数应当被调节并且调节多少以便保持光刻工艺和曝光工具处于最佳操作条件。如本公开中使用的，“工艺条件参数”是指任何曝光工具参数或光刻工艺参数。工艺条件参数也可以被称为光刻工艺的“输入参数”。可以重复该反馈过程以确保光刻过程受到严格控制。
所公开的电压对比标记要求在蚀刻、填充和抛光当前层之后执行测量，并且因此可能导致获取套刻或cd信息的延迟。为了解决这个问题，本公开还提供了组合的电压对比和光学量测标记。图9是示出与本公开的实施例相一致的组合的电压对比和光学量测标记90的示意图。参考图9，标记90可以包括多个电压对比测试结构92，该电压对比测试结构92的配置与测试结构62(图6)和72(图7)的配置相似。这样，电子束工具20可以扫描测试结构92并且获取测试结构92的电压对比响应，以确定套刻信息和临界尺寸信息。
此外，标记90可以包括多个光学测试结构94。图10是示出与本公开的实施例相一致的光学测试结构94中的特征的示意图。参考图10，四个光学测试结构94紧密地放置在一起，使得它们全部在散射仪10的视场内(例如，在由散射仪10的照射束形成的测量点内)。因此，四个光学测试结构94可以被散射仪10同时照射并且同时成像。每个光学测试结构94包括形成光栅的多个主要特征，主要特征的节距由散射仪10的灵敏度确定。也就是说，通常，节距由光学量测工具散射仪10的光学系统确定。这样，主要特征的节距通常约为几百纳米。由主要特征形成的光栅可以具有被不同地偏置的套刻偏移，以便于测量不同晶片层之间的套刻。如图10所示，由主要特征形成的光栅的取向也可以不同，以便在x和y方向上衍射传入辐射。尽管在图10中示出了四个光栅，但是另一实施例可以包括更大的矩阵以获取期望准确度。例如，可以使用九个测试结构94的3×3阵列。
本文中描述的测试结构94可以是例如被设计用于与量测工具(诸如
仍然参考图10，测试结构94中的主要特征可以进一步被分成多个周期性的子特征，子特征的节距由电子束20的灵敏度确定。例如，子特征的节距可以设置在10-200纳米之间。这样，子特征可以被电子束工具20扫描并且以设备分辨率提供电压对比响应。可以选择子特征的节距，使得针对每个这样的结构，套刻范围被测量。此外，子特征可以被配置为二维的，例如在x和y方向上均具有节距。
如上所述，可以将单个标记(例如，标记90)设计为用于电压对比和光学测量。基于电压对比标记的测量可以用于校准基于光学测量的测量，反之亦然。光学测量可以在adi(开发后检查)处执行。电压对比测量可以在蚀刻和抛光之后执行。因此，标记90在进一步处理标记之后允许adi套刻以及过程窗口和该窗口内的位置的光学测量。这种组合可以测量过程窗口，同时还可以进行晶片返工。
可以使用以下第一组条款进一步描述实施例。对第一组条款中的条款的引用是对同一组条款中的条款的引用。
1.一种测量标记，包括：
显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征，
其中所述测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
2.根据条款1所述的测量标记，其中当所述第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电压。
3.根据条款1和2中任一项所述的测量标记，其中当所述第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电压。
4.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合被配置为表达沿着所述衬底的表面在第一方向上的套刻信息。
5.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为在所述第一方向上具有变化的节距值。
6.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的套刻信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据条款6所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
8.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的临界尺寸信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
9.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者在所述第二方向上具有变化的临界尺寸值。
10.根据条款9所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
11.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在一方向上的临界尺寸信息。
12.根据条款11所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者在所述一方向上具有变化的临界尺寸值。
13.根据条款1至12中任一项所述的测量标记，其中所述测量标记是包括所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的掩模。
14.根据条款1至13中任一项所述的测量标记，还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由光学量测工具的灵敏度确定的多个第三周期性特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四周期性特征。
15.根据条款14所述的测量标记，其中所述第三测试结构集合和所述第四测试结构集合中的至少一者被定位在与所述光学量测工具的视场相对应的周界内。
16.根据条款14和15中任一项所述的测量标记，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为多个子特征，所述多个子特征的节距由电子束工具的灵敏度确定。
17.根据条款16所述的测量标记，其中所述第三特征的子特征是所述第一周期性特征，并且其中所述周期性特征的子特征是所述第二周期性特征。
18.根据条款14所述的套刻标记，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
19.根据条款1至18中任一项所述的套刻标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括半导体。
20.根据条款19所述的套刻标记，其中所述半导体包括晶体硅、多晶硅、非晶硅和硅锗中的至少一种。
21.根据条款1至18中任一项所述的套刻标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括金属。
22.根据条款21所述的套刻标记，其中所述金属包括铜、钨、镍、钴、钽和氮化钛中的至少一种。
23.一种测量标记，包括：
具有第一节距的第一特征的第一阵列和具有第二节距的第二特征的第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列布置在衬底上的两个连续的层中，其中所述测量标记被配置用于确定所述第一特征相对于相关联的第二特征之间的套刻值，或者被配置用于当使用电压对比成像方法而被成像时确定所述第一特征或所述第二特征的临界尺寸值。
24.根据条款23所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距是不同的。
25.根据条款23和24中任一项所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距沿着所述衬底的表面在一个方向或两个方向上变化。
26.根据条款23至25中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征的占空比和所述第二特征的占空比中的至少一个被配置为具有变化的值。
27.根据条款23至26中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征中的至少一个第一特征包括子特征的子阵列。
28.根据条款23至27中任一项所述的测量标记，所述第一特征的第一阵列和所述第二特征的第二阵列中的至少一者被配置为具有变化的临界尺寸。
29.一种系统，包括：
电子束工具，用于扫描根据条款1所述的测量标记并且用于检测来自所述测量标记的散射电子；以及
控制器，与所述电子束工具耦合并且被配置为：
根据所检测到的散射电子生成电压对比图像；以及
根据所生成的电压对比图像确定套刻值和/或临界尺寸值。
30.根据条款29所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
31.根据条款29和30中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路。
32.根据条款29至31中任一项所述的系统，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的套刻偏移值。
33.根据条款29至32中任一项所述的系统，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的套刻偏移值，所述第二方向不同于所述第一方向。
34.根据条款33所述的系统，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
35.根据条款32至34中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值来确定套刻信息。
36.根据条款32所述的系统，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者在不同于所述第一方向的第二方向上具有变化的临界尺寸值。
37.根据条款36所述的系统，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
38.根据条款36和37中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像来确定临界尺寸信息。
39.根据条款38中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像来确定临界尺寸信息。
40.根据条款29至39中任一项所述的系统，还包括：
光学量测工具，用于扫描根据条款14所述的测量标记；以及
所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像和所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
41.根据条款40所述的系统，其中：
多个第三周期性特征和多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由电子束工具的灵敏度确定的多个周期性子特征；
所述电子束工具还被配置为在所述第二层的蚀刻之后扫描所述第四测试结构集合并且检测被所述第四测试结构集合散射的电子；以及
所述控制器还被配置为：基于所述电子束工具的输出，来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
42.根据条款43所述的系统，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
43.根据条款29至43中任一项所述的系统，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括半导体。
44.根据条款43所述的系统，其中所述半导体包括晶体硅、多晶硅、非晶硅和硅锗中的至少一种。
45.根据条款29至43中任一项所述的系统，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括金属。
46.根据条款45所述的系统，其中所述金属包括铜、钨、镍、钴、钽和氮化钛中的至少一种。
47.一种方法，包括：
由电子束工具扫描测量标记，并且由所述电子束工具检测从所述测量标记散射的电子，所述测量标记包括：
显影在邻近衬底的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征；以及
由控制器基于所检测到的电子生成所述第二测试结构集合的电压对比图像；以及
由所述控制器基于所述电压对比图像确定所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合之间的连接性。
48.根据条款47所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
49.根据条款47和48中任一项所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路。
50.根据条款47至49中任一项所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的套刻偏移值。
51.根据条款50所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的套刻偏移值，所述第二方向不同于所述第一方向。
52.根据条款51所述的方法，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
53.根据条款50至52中任一项所述的方法，还包括：
由所述控制器基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值确定套刻信息。
54.根据条款50所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的临界尺寸值，所述第二方向不同于所述第一方向。
55.根据条款54所述的方法，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
56.根据条款54和55中任一项所述的方法，还包括：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
55.根据条款47至49中任一项所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的临界尺寸。
56.根据条款55所述的方法，还包括：
由所述控制器基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
57.根据条款47至56中任一项所述的方法，其中：
所述测量标记还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第三特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四特征；以及
所述方法还包括：
在所述第二层的显影检查之后，由所述光学量测工具扫描所述第四测试结构集合，并且由所述光学量测工具检测从所述第四测试结构集合散射的光；以及
由所述控制器基于所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
58.根据条款57所述的方法，其中：
所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由电子束工具的灵敏度确定的多个周期性子特征；以及
所述方法还包括：
在所述第二层的蚀刻之后，由所述电子扫描工具扫描所述第四测试结构集合，并且由所述电子束工具检测由所述第四测试结构集合散射的电子；以及
由所述控制器基于所述电子束工具的输出，来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
59.根据条款57所述的方法，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
60.根据条款47至59中任一项所述的方法，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括半导体。
61.根据条款60所述的方法，其中所述半导体包括晶体硅、多晶硅、非晶硅和硅锗中的至少一种。
62.根据条款47至59中任一项所述的方法，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括金属。
63.根据条款64所述的方法，其中所述金属包括铜、钨、镍、钴、钽和氮化钛中的至少一种。
64.一种存储指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由一个或多个处理器执行时引起所述处理器执行方法，所述方法包括：
接收电子束工具的输出，其中所述电子束工具扫描测量标记并且检测从所述测量标记散射的电子，所述测量标记包括：
显影在设置在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征；以及
基于所述电子束工具的输出生成所述第二测试结构集合的电压对比图像；以及
基于所述电压对比图像确定所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合之间的连接性。
65.根据条款64所述的介质，其中所述方法还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
66.根据条款64和65所述的介质，其中所述方法还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电压时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路。
67.根据条款64至66中任一项所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的套刻偏移值。
68.根据条款67所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的套刻偏移值，所述第二方向不同于所述第一方向。
69.根据条款68所述的介质，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
70.根据条款67至69中任一项所述的介质，其中所述方法还包括：
基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值确定套刻信息。
71.根据条款70所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的每个在不同于所述第一方向的第二方向上具有变化的临界尺寸值。
72.根据条款71所述的介质，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
73.根据条款10和71中任一项所述的介质，其中所述方法还包括：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
74.根据条款64至66中任一项所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的临界尺寸值。
75.根据条款74中任一项所述的介质，其中所述方法还包括：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
76.根据条款64至75中任一项所述的介质，其中：
所述测量标记还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第三特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四特征；以及
所述方法还包括：
接收所述光学量测工具的输出，其中在所述第二层的显影检查之后，所述光学量测工具扫描所述第四测试结构集合并且检测从所述第四测试结构集合散射的光；以及
基于所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
77.根据条款76所述的介质，其中：
所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由电子束工具的灵敏度确定的多个子特征；以及
所述方法还包括：
接收所述电子扫描工具的输出，其中在所述第二层的蚀刻之后，所述电子扫描工具扫描所述第四测试结构集合并且检测由所述第四测试结构集合散射的电子；以及
基于所述电子束工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
可以使用以下第二组条款进一步描述实施例。对第二组条款中的条款的引用是对同一组条款中的条款的引用。
1.一种测量标记，包括：
显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征，
其中所述测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
2.根据条款1所述的测量标记，其中当所述第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电荷累积。
3.根据条款1和2中任一项所述的测量标记，其中当所述第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电荷累积。
4.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合被配置为表达沿着所述衬底的表面在第一方向上的套刻信息。
5.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为在所述第一方向上具有变化的节距值。
6.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的套刻信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据条款6所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
8.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的临界尺寸信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
9.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者在所述第二方向上具有变化的临界尺寸值。
10.根据条款9所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
11.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在一方向上的临界尺寸信息。
12.根据条款11所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为具有变化的临界尺寸值。
13.根据条款1至12中任一项所述的测量标记，还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由光学量测工具的灵敏度确定的多个第三周期性特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四周期性特征。
14.根据条款13所述的测量标记，其中所述第三测试结构集合和所述第四测试结构集合中的至少一者被定位在与所述光学量测工具的视场相对应的周界内。
15.根据条款13和14中任一项所述的测量标记，其中所述光学量测工具被配置为执行基于图像的套刻测量或基于衍射的套刻测量。
16.根据条款13至15中任一项所述的测量标记，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由粒子束工具的灵敏度限制的多个子特征。
17.根据条款16所述的测量标记，其中所述多个子特征被配置为具有变化的节距。
18.根据条款16和17中任一项所述的测量标记，其中所述多个子特征被配置为在不同的方向上具有分段和节距。
19.根据条款1至18中任一项所述的测量标记，其中多个测量标记被集成到一个多重图案化标记中，所述多个测量标记被配置为具有变化的套刻偏移或临界尺寸偏移。
20.根据条款16所述的测量标记，其中所述第三特征的子特征是所述第一周期性特征，并且其中所述周期性特征的子特征是所述第二周期性特征。
21.根据条款14所述的测量标记，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
22.根据条款1至21中任一项所述的测量标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括半导体。
23.根据条款22所述的测量标记，其中所述半导体包括晶体硅、多晶硅、非晶硅和硅锗中的至少一种。
24.根据条款1至21中任一项所述的测量标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括金属。
25.根据条款24所述的测量标记，其中所述金属包括铜、钨、镍、钴、钽和氮化钛中的至少一种。
26.一种测量标记，包括：
具有第一节距的第一特征的第一阵列和具有第二节距的第二特征的第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列布置在衬底上的两个连续的层中，其中所述测量标记被配置用于确定所述第一特征相对于相关联的第二特征之间的套刻值，或者被配置用于当使用电压对比成像方法而被成像时确定所述第一特征或所述第二特征的临界尺寸值。
27.根据条款26所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距是不同的。
28.根据条款26和27中任一项所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距沿着所述衬底的表面在一个方向或两个方向上变化。
29.根据条款26至28中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征的占空比和所述第二特征的占空比中的至少一个被配置为具有变化的值。
30.根据条款26至29中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征中的至少一个第一特征包括子特征的子阵列。
31.根据条款26至30中任一项所述的测量标记，所述第一特征的第一阵列和所述第二特征的第二阵列中的至少一者被配置为具有变化的临界尺寸。
32.一种系统，包括：
粒子束工具，用于扫描测量标记并且用于检测来自所述测量标记的散射电子；以及
控制器，与所述粒子束工具耦合并且被配置为：
根据所检测到的散射电子生成电压对比图像；以及
根据所生成的电压对比图像确定套刻值和/或临界尺寸值。
33.根据条款32所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
当所述电压对比图像示出所述标记的第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述标记的第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
34.根据条款32和33中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
当所述电压对比图像示出所述标记的第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述标记的第一测试结构集合处于开路。
35.根据条款33至34中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值来确定套刻信息。
36.根据条款35所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像来确定临界尺寸信息。
37.根据条款32至36中任一项所述的系统，还包括：
用于扫描所述测量标记的光学量测工具；以及
所述控制器还被配置为基于所述电压对比图像和所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
38.根据条款37所述的系统，其中所述控制器还被配置为基于所述粒子束工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
39.根据条款38中任一项所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
经由所述光学量测工具测量所述测量标记，以确定在光刻时或在刻蚀之后所述第一层和所述第二层的套刻偏移；
经由所述粒子束工具测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；
基于所述光学量测工具的测量结果和所述粒子束工具的测量结果确定掩模的临界尺寸和套刻值。
40.一种方法，包括：
由粒子束工具扫描测量标记，并且由所述粒子束工具检测从所述测量标记散射的电子，所述测量标记包括：
显影在邻近衬底的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征；以及
由控制器基于所检测到的电子生成所述第二测试结构集合的电压对比图像；以及
由所述控制器基于所述电压对比图像确定所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合之间的连接性。
41.根据条款40所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
42.根据条款40和41中任一项所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路。
43.根据条款40至42中任一项所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的套刻偏移值。
44.根据条款43所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的套刻偏移值，所述第二方向不同于所述第一方向。
45.根据条款44所述的方法，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
46.根据条款43至45中任一项所述的方法，还包括：
由所述控制器基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值确定套刻信息。
47.根据条款43所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的临界尺寸值，所述第二方向不同于所述第一方向。
48.根据条款47所述的方法，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
49.根据条款47和48中任一项所述的方法，还包括：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
50.根据条款40至52中任一项所述的方法，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的临界尺寸。
51.根据条款50所述的方法，还包括：
由所述控制器基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
52.根据条款40至51中任一项所述的方法，其中：
所述测量标记还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第三特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四特征；以及
所述方法还包括：
在所述第二层的显影检查之后，由所述光学量测工具扫描所述第四测试结构集合，并且由所述光学量测工具检测从所述第四测试结构集合散射的光；以及
由所述控制器基于所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
53.根据条款52所述的方法，其中：
所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由粒子束工具的灵敏度确定的多个周期性子特征；以及
所述方法还包括：
在所述第二层的蚀刻之后，由所述电子扫描工具扫描所述第四测试结构集合，并且由所述粒子束工具检测由所述第四测试结构集合散射的电子；以及
由所述控制器基于所述粒子束工具的输出，来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
54.根据条款52所述的方法，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
55.根据权利要求53和54中任一项所述的方法，还包括
经由所述光学量测工具测量所述测量标记，以确定在光刻时或在刻蚀之后所述第一层和所述第二层的套刻偏移；
经由所述粒子束工具测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；
基于所述光学量测工具的测量结果和所述粒子束工具的测量结果确定掩模的临界尺寸和套刻值。
56.根据权利要求53所述的方法，其中所述多个子特征被配置为具有变化的节距。
57.根据权利要求53和56中任一项所述的方法，其中所述多个子特征被配置为在不同的方向上具有分段和节距。
58.根据条款40至57中任一项所述的方法，其中多个测量标记被集成到一个多重图案化标记中，所述多个测量标记被配置为具有变化的套刻偏移或临界尺寸偏移。
59.一种非暂态计算机可读介质，存储由设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备执行方法的指令集，所述方法包括：
接收粒子束工具的输出，其中所述粒子束工具被配置用于扫描测量标记，并且被配置用于检测从所述测量标记散射的电子，所述测量标记包括：
显影在设置在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征；以及
基于所述粒子束工具的输出生成所述第二测试结构集合的电压对比图像；以及
基于所述电压对比图像确定所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合之间的连接性。
60.根据条款59所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有低电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合中的一个第一测试结构形成短路。
61.根据条款59和60所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
当所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的一个第二测试结构具有高电荷累积时，确定所述一个第二测试结构与所述第一测试结构集合处于开路。
62.根据条款59至61中任一项所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的套刻偏移值。
63.根据条款62所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第二方向上具有变化的套刻偏移值，所述第二方向不同于所述第一方向。
64.根据条款63所述的介质，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
65.根据条款62至64中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述电压对比图像和所述套刻偏移值确定套刻信息。
66.根据条款65所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的每个在不同于所述第一方向的第二方向上具有变化的临界尺寸值。
67.根据条款66所述的介质，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
68.根据条款66和67中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
69.根据条款59至61中任一项所述的介质，其中所述第一测试结构集合和所述第二测试结构集合中的至少一者被配置为沿着所述衬底的表面在第一方向上具有变化的临界尺寸值。
70.根据条款69中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
71.根据条款59至70中任一项所述的介质，其中：
所述测量标记还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第三特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四特征；以及
所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
接收所述光学量测工具的输出，其中在所述第二层的显影检查之后，所述光学量测工具扫描所述第四测试结构集合并且检测从所述第四测试结构集合散射的光；以及
基于所述光学量测工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
72.根据条款71所述的介质，其中：
所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为节距由粒子束工具的灵敏度确定的多个子特征；以及
所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
接收所述电子扫描工具的输出，其中在所述第二层的蚀刻之后，所述电子扫描工具扫描所述第四测试结构集合并且检测由所述第四测试结构集合散射的电子；以及
基于所述粒子束工具的输出来确定套刻信息和临界尺寸信息中的至少一项。
73.根据条款72所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
经由所述光学量测工具测量所述测量标记，以确定在光刻时或在刻蚀之后所述第一层和所述第二层的套刻偏移；
经由所述粒子束工具测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；
基于所述光学量测工具的测量结果和所述粒子束工具的测量结果，确定掩模的临界尺寸和套刻值。
74.根据条款72所述的介质，其中所述多个子特征被配置为具有变化的节距。
75.根据条款72和74中任一项所述的介质，其中所述多个子特征被配置为在不同的方向上具有分段和节距。
76.根据条款59至75中任一项所述的介质，其中多个测量标记被集成到一个多重图案化标记中，所述多个测量标记被配置为具有变化的套刻偏移或临界尺寸偏移。
可以使用以下第三组条款进一步描述实施例。对第三组条款中的条款的引用是对同一组条款中的条款的引用。
1.一种测量标记，包括：
显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征；以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合，所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征，
其中所述测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
2.根据条款1所述的测量标记，其中当所述第二测试结构集合中的特定测试结构与所述第一测试结构集合中的特定测试结构形成短路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的所述特定测试结构具有低电荷累积。
3.根据条款1和2中任一项所述的测量标记，其中当所述第二测试结构集合中的特定测试结构与所述第一测试结构集合中的特定测试结构处于开路时，所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的所述特定测试结构具有高电荷累积。
4.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的多个测试结构和所述第二测试结构集合中的多个测试结构的组合被配置为表达沿着所述衬底的表面在第一方向上的套刻信息。
5.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构被配置为在所述第一方向上具有变化的节距值。
6.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构和所述第二测试结构集合中的多个测试结构的所述组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的套刻信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据条款6所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
8.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构和所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构的所述组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的临界尺寸信息，所述第二方向不同于所述第一方向。
9.根据条款4所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构在所述第二方向上具有变化的临界尺寸值。
10.根据条款9所述的测量标记，其中所述第二方向与所述第一方向正交。
11.根据条款1至3中任一项所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合的多个测试结构和所述第二测试结构集合的多个测试结构的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在一方向上的临界尺寸信息。
12.根据条款11所述的测量标记，其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构被配置为具有变化的临界尺寸值。
13.根据条款1至12中任一项所述的测量标记，还包括：
显影在所述第一层中的第三测试结构集合，所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括节距由光学量测工具的灵敏度确定的多个第三周期性特征；以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合，所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括节距由所述光学量测工具的灵敏度确定的多个第四周期性特征。
14.根据条款13所述的测量标记，其中所述第三测试结构集合的多个测试结构或所述第四测试结构集合的多个测试结构被定位在与所述光学量测工具的视场相对应的周界内。
15.根据条款13和14中任一项所述的测量标记，其中所述光学量测工具被配置为执行基于图像的套刻测量或基于衍射的套刻测量。
16.根据条款13至15中任一项所述的测量标记，其中所述多个第三周期性特征或所述多个第四周期性特征中的每个进一步被分割为多个子特征，所述多个子特征具有由粒子束工具的灵敏度限制的节距。
17.根据条款16所述的测量标记，其中所述多个子特征被配置为具有变化的节距。
18.根据条款16和17中任一项所述的测量标记，其中所述多个子特征被配置为在不同的方向上具有分段或节距。
19.根据条款1至18中任一项所述的测量标记，其中多个测量标记被集成到一个多重图案化标记中，并且其中所述多个测量标记被配置为具有变化的套刻偏移或临界尺寸偏移。
20.根据条款16所述的测量标记，其中所述第三周期性特征的子特征是所述第一周期性特征，并且所述第四周期性特征的子特征是所述第二周期性特征。
21.根据条款14所述的测量标记，其中所述多个第三周期性特征和所述多个第四周期性特征分别由所述第一导电材料和所述第二导电材料制成。
22.根据条款1至21中任一项所述的测量标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括半导体。
23.根据条款22所述的测量标记，其中所述半导体包括晶体硅、多晶硅、非晶硅或硅锗中的任何一种。
24.根据条款1至21中任一项所述的测量标记，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每个包括金属。
25.根据条款24所述的测量标记，其中所述金属包括铜、钨、镍、钴、钽或氮化钛中的任何一种。
26.一种测量标记，包括：
具有第一节距的第一特征的第一阵列和具有第二节距的第二特征的第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列布置在衬底上的两个连续的层中，其中所述测量标记被配置确定所述第一特征相对于相关联的第二特征之间的套刻值，或者被配置当使用电压对比成像方法而被成像时确定所述第一特征的临界尺寸值或所述第二特征的临界尺寸值。
27.根据条款26所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距是不同的。
28.根据条款26和27中任一项所述的测量标记，其中所述第一节距和所述第二节距沿着所述衬底的表面在一个方向或两个方向上变化。
29.根据条款26至28中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征的占空比或所述第二特征的占空比被配置为具有变化的值。
30.根据条款26至29中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征包括子特征的子阵列。
31.根据条款26至30中任一项所述的测量标记，其中所述第一特征的第一阵列的多个测试结构或所述第二特征的第二阵列的多个测试结构被配置为具有变化的临界尺寸。
32.一种系统，包括：
粒子束工具，用于扫描测量标记并且用于检测来自所述测量标记的次级电子；以及
控制器，与所述粒子束工具耦合的，所述控制器包括电路系统以：
根据所检测到的次级电子生成电压对比图像；以及
根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
33.根据条款32所述的系统，其中确定所述套刻值或所述临界尺寸值包括确定所述套刻值和所述临界尺寸值。
34.根据条款32和33中任一项所述的系统，其中所述控制器包括电路系统以：
当所述电压对比图像示出测量标记的第一测试结构集合中的特定测试结构具有低电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构形成短路。
35.根据条款32至34中任一项所述的系统，其中所述控制器包括电路系统以：
当所述电压对比图像示出测量标记的第一测试结构集合中的特定测试结构具有高电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构处于开路。
36.根据条款32至35中任一项所述的系统，其中所述控制器包括用于基于所述测量标记的所述电压对比图像或所述套刻偏移值来确定套刻信息的电路系统。
37.根据条款36所述的系统，其中所述控制器包括用于基于所述电压对比图像来确定临界尺寸信息的电路系统。
38.根据条款32至37中任一项所述的系统，还包括：
用于扫描所述测量标记的光学量测工具；以及
其中所述控制器还包括用于基于所述电压对比图像或所述光学量测工具的输出来确定套刻信息或临界尺寸信息的电路系统。
39.根据条款38所述的系统，其中所述控制器还包括用于以下操作的电路系统：
在晶片的显影后检查期间，经由所述光学量测工具测量所述测量标记，以确定衬底上的第一层和第二层的套刻偏移；
在所述晶片的蚀刻或抛光之后，经由所述粒子束工具测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；以及
基于所述光学量测工具的测量结果或所述粒子束工具的测量结果，确定所述衬底上的掩模的临界尺寸或套刻值。
40.根据条款39所述的系统，其中所述控制器还包括电路系统以：
基于所述套刻值或所述临界尺寸值确定掩模未对准数据；以及
将所述掩模未对准数据发送给与所述控制器耦合的光刻设备。
41.根据条款32至40中任一项所述的系统，其中所述控制器还包括电路系统以：
基于所述套刻信息或所述临界尺寸信息确定光刻过程窗口。
42.一种方法，包括：
用带电粒子束扫描测量标记的第一测试结构集合，并且检测来自所述测量标记的次级电子；
根据所检测到的次级电子生成电压对比图像；以及
根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
43.根据条款42所述的方法，其中确定所述套刻值或所述临界尺寸值包括确定所述套刻值和所述临界尺寸值。
44.根据条款42和43中任一项所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述测量标记的所述第一测试结构集合中的特定测试结构具有低电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构形成短路。
45.根据条款42至44中任一项所述的方法，还包括：
当所述电压对比图像示出所述测量标记的所述第一测试结构集合中的特定测试结构具有高电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构处于开路。
46.根据条款42至45中任一项所述的方法，还包括：
基于所述测量标记的所述电压对比图像或所述套刻偏移值确定套刻信息。
47.根据条款42至46中任一项所述的方法，还包括：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
48.根据条款42至47中任一项所述的方法，还包括：
用光束扫描所述测量标记，并且检测从所述测量标记散射的光；
根据所检测到的散射光生成光学图像；以及
基于所述电压对比图像或所述光学图像确定套刻信息或临界尺寸信息。
49.根据条款48所述的方法，还包括：
在晶片的显影后检查期间，用所述光束测量所述测量标记以基于所述光学图像，来确定衬底上的第一层和第二层的套刻偏移；
在所述晶片的蚀刻或抛光之后，用所述带电粒子束测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；以及
基于通过所述光束获取的测量结果或所述带电粒子束获取的测量结果，来确定所述衬底上的掩模的临界尺寸或套刻值。
50.根据条款42至49中任一项所述的方法，还包括：
基于所述套刻值或所述临界尺寸值确定掩模未对准数据；以及
基于所述掩模未对准数据调节光刻工艺参数。
51.根据条款42至50中任一项所述的方法，还包括：
基于所述套刻信息或所述临界尺寸信息确定光刻过程窗口。
52.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集由设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备执行方法，所述方法包括：
用带电粒子束扫描测量标记的第一测试结构集合，并且检测来自所述测量标记的次级电子；
根据所检测到的次级电子生成电压对比图像；以及
根据所生成的电压对比图像确定套刻值或临界尺寸值。
53.根据条款52所述的介质，其中确定所述套刻值或所述临界尺寸值包括确定所述套刻值和所述临界尺寸值。
54.根据条款52和53中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
当所述电压对比图像示出所述测量标记的所述第一测试结构集合中的特定测试结构具有低电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构形成短路。
55.根据条款52至54所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
当所述电压对比图像示出所述测量标记的所述第一测试结构集合中的特定测试结构具有高电荷累积时，确定所述第一测试结构集合中的所述特定测试结构与所述测量标记的第二测试结构集合中的特定测试结构处于开路。
56.根据条款52至55中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述测量标记的所述电压对比图像或所述套刻偏移值确定套刻信息。
57.根据条款52至56中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述电压对比图像确定临界尺寸信息。
58.根据条款52至57中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
用光束扫描所述测量标记，并且检测从所述测量标记散射的光；
根据所检测到的散射光生成光学图像；以及
基于所述电压对比图像或所述光学图像确定套刻信息或临界尺寸信息。
59.根据条款58所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
在晶片的显影后检查期间，利用光束测量测量标记，以基于光学图像确定衬底上的第一层和第二层的套刻偏移；
在所述晶片的蚀刻或抛光之后，用所述带电粒子束测量所述测量标记，以基于所述电压对比图像确定所述第一层与所述第二层之间的连接性；以及
基于通过所述光束获取的测量结果或所述带电粒子束获取的测量结果，来确定所述衬底上的掩模的临界尺寸或套刻值。
60.根据条款52至59中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述套刻值或所述临界尺寸值确定掩模未对准数据；以及
基于所述掩模未对准数据调节光刻工艺参数。
61.根据条款52至60中任一项所述的介质，其中所述指令集由所述设备的一个或多个处理器可执行以引起所述设备进一步执行：
基于所述套刻信息或所述临界尺寸信息确定光刻过程窗口。
应当理解，本发明不限于上面已经描述并且在附图中示出的确切构造，并且在不脱离本发明范围的情况下可以进行各种修改和改变。意图在于，本发明的范围应当仅由所附权利要求书限制。
- 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞！