寄生电容减小的显示面板及其制造方法与流程

本公开涉及显示面板，更具体而言，涉及在选通线和数据线的交叉部出现的寄生电容减小的显示面板。另外，本发明涉及用于将在选通线和数据线的交叉部出现的寄生电容减小的制造显示面板的方法。

背景技术：

由于对诸如移动电话、个人数字助理(pda)和笔记本计算机之类的各种便携式电子设备所需的小型显示设备的需求与对大型高质量显示设备的需求一起增加，因此对平板显示设备的需求越来越多。平板显示设备的示例包括液晶显示(lcd)设备、有机发光二极管(oled)显示设备、等离子体显示设备、场致发射显示(fed)设备和真空荧光显示(vfd)设备。在这些平板显示设备当中，液晶显示设备因为大规模生产技术水平、设备驱动容易以及能够实现高质量图像而正在吸引人们注意并得到广泛使用。

液晶显示设备的操作原理利用包括光学各向异性和偏振的液晶分子的物理特性。液晶分子细而长，并且在分子排列中表现出方向性。液晶中的分子排列的方向可以通过向液晶施加电场而改变。如果适当地调节液晶中的分子排列的方向，则液晶的分子排列可以改变，并且穿过液晶的光由于光学各向异性特性而可以在分子排列的方向上被折射，因此能够通过液晶显示来表达图像信息。当前，由薄膜晶体管(tft)形成的单位像素以及连接至单位像素以传输信号的选通线和数据线以矩阵形式排列的有源矩阵液晶显示设备由于其优异的分辨率和视频显示能力而吸引了最多的注意力。

然而，随着液晶显示设备的尺寸变得越来越大并且设备分辨率变得越来越高，向像素传输信号的选通线和数据线的交叉部增多，这导致在交叉部中出现的寄生电容增加。

[现有技术参考]

[专利文献]

韩国未审专利公开no.2004-0044588(2004年5月31日)

技术实现要素：

根据本公开，提供了一种使在选通线和数据线的交叉部中出现的寄生电容减小的显示面板和制造该显示面板的方法。

附加方面将在随后的描述中部分地阐述，并且将部分地从该描述变得清楚，或者可以通过实践所提供的示例性实施方式而获知。

根据示例性实施方式的一个方面，一种显示面板包括：多条选通线，所述多条选通线形成在基板上；绝缘层，所述绝缘层形成在所述多条选通线上；以及多条数据线，所述多条数据线形成在所述绝缘层上以越过所述多条选通线，从而导致产生交叠区域，在所述交叠区域中，所述多条数据线与所述多条选通线在水平方向上交叉但是与所述多条选通线在竖直方向上间隔开。按照所述多条选通线和所述多条数据线的宽度在所述交叠区域中比在非交叠区域中窄的方式来形成所述多条选通线和所述多条数据线。

所述显示面板可以进一步包括：设备部分，各设备部分布置在由所述多条选通线中的一条选通线和所述多条数据线中的一条数据线限定的空间中并且连接至所述多条选通线中的所述一条选通线和所述多条数据线中的所述一条数据线。

所述显示面板可以进一步包括：辅助选通线，所述辅助选通线从所述多条选通线中的所述一条选通线延伸以将所述多条选通线中的所述一条选通线连接至所述设备部分；以及辅助数据线，所述辅助数据线从所述多条数据线中的所述一条数据线延伸以将所述多条数据线中的所述一条数据线连接至所述设备部分。

每个所述设备部分都可以包括：栅极，所述栅极从所述辅助选通线延伸；设备绝缘层，所述设备绝缘层覆盖所述栅极的上部并且与所述绝缘层一体地形成为单个结构；设备半导体层，所述设备半导体层在每个所述交叠区域中与形成在所述多条数据线中的所述一条数据线和所述多条选通线中的所述一条选通线之间的半导体层一起形成在所述设备绝缘层上；以及数据电极，所述数据电极在所述设备半导体层上从所述辅助数据线延伸。

所述显示面板可以进一步包括保护层，所述保护层覆盖所述多条数据线、所述辅助数据线和所述设备部分。

根据另一个示例性实施方式的一个方面，一种制造显示面板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成多条选通线；在所述多条选通线上形成绝缘层；以及在所述绝缘层上将多条数据线形成为越过所述多条选通线，从而导致产生交叠区域，在所述交叠区域中，所述多条数据线与所述多条选通线在水平方向上交叉但是与所述多条选通线在竖直方向上间隔开。在形成所述多条选通线和所述多条数据线时，所述多条选通线和所述多条数据线的宽度被形成为在所述交叠区域中比在非交叠区域中窄。

在根据本公开的显示面板中，所述多条选通线和所述多条数据线的宽度形成为在所述交叠区域中比在非交叠区域中窄，以减小每个所述交叠区域的面积，从而能够减小在所述交叠区域中出现的寄生电容。

附图说明

为了更好地理解该公开，现在将参照附图描述以示例方式给出的本公开的各种形式，在附图中：

图1是示出了根据本公开的实施方式的显示面板的平面图；

图2是示出了在根据本公开的实施方式的显示面板中选通线与数据线交叉的交叠区域的截面图；

图3是示出了根据本公开的实施方式的显示面板的设备部分的截面图；

图4是示出了制造根据本公开的实施方式的显示面板的方法的流程图；以及

图5是示出了根据本公开的另一实施方式的显示面板的平面图。

这里描述的附图仅用于举例说明之目的，并且不是为了以任何方式限制本公开的范围。

[附图标记描述]

10：基板21、121：选通线

22：辅助选通线23：栅极

31：绝缘层32：设备绝缘层

41：半导体层42：设备半导体层

51、151：数据线52：辅助数据线

53：数据电极61、62：保护层

100、200：显示面板

具体实施方式

在如下描述和附图中，将仅仅描述理解本公开的实施方式所必需的部分，为了简单起见，将可能使本公开的主题内容模糊不清的公知功能或构造的描述省略。

在如下描述和所附权利要求中使用的术语和措辞未必以普通意义或字典含义进行解释，而是可以在这里适当地限定以用作以可能最佳方式描述本公开的术语。这些术语和措辞应该被解释为与本公开的技术构思一致的含义和概念。在本说明书中描述的实施方式和附图中所示的构造仅仅是本公开的优选实施方式，并且不是为了限制本公开的技术构思。因此，应该理解，可能存在替换在本申请提交时的示例性实施方式的各种等同物和修改。

特别地，术语“水平地交叉”或“与……水平地交叉”在这里用来指代当从上方观看时两个构件彼此交叉的位置关系。

术语“竖直地间隔开”或“与……竖直地间隔开”在这里用来指代当从侧面或前面观看时两个构件间隔开的位置关系。

下面将参照附图详细地描述本公开的示例性实施方式。

图1是示出了根据本公开的实施方式的显示面板的平面图，图2是示出了在根据本公开的实施方式的显示面板中选通线与数据线交叉的交叠区域的截面图，而图3是示出了根据本公开的实施方式的显示面板的设备部分的截面图。

参照图1至3，根据本公开的实施方式的显示面板100包括多条选通线21、绝缘层31、半导体层41和多条数据线51。显示面板100进一步包括设备部分50，每个设备部分50都布置在由多条选通线21中的一条选通线和多条数据线51中的一条数据线限定的空间中并且连接至对应的选通线21和对应的数据线51。

多条选通线21可以形成在基板10上。也就是说，多条选通线21可以被构图成间隔开预定距离从而彼此平行的多个行。

多条选通线21可以将选通驱动器(未示出)输出的显示扫描信号顺序地输送至设备部分50。

绝缘层31可以形成在多条选通线21上以将多条数据线51与多条选通线21绝缘。该绝缘层31可以沿着每条选通线21形成或者可以在多条选通线21在基板10上构图的状态下形成在基板10的整个表面上。

半导体层41可以形成在绝缘层31上。这里，半导体层41可以形成在多条选通线21上以与选通线21在竖直方向上间隔开特定距离，并且用作形成多条数据线51的位置基准，这允许将多条数据线51垂直于多条选通线21布置。换言之，半导体层41可以形成在多条选通线21与多条数据线51水平交叉的每个交叠区域a中。

在多条选通线21与多条数据线51交叉的交叠区域a中形成在多条选通线21中的每条选通线与多条数据线51中的对应一条数据线之间的半导体层41可以扩宽交叠区域a中的每条选通线21和对应数据线51之间的间隙。

由于半导体层41增加了多条选通线21中的每条选通线21与对应数据线51之间的距离，因此半导体层41减小了在交叠区域a中出现的寄生电容。

换言之，半导体层41增加了交叠区域a中的多条选通线21和多条数据线51之间的距离，从而减小了从多条选通线21流到多条数据线51和从多条数据线51流到多条选通线21的漏电流。

半导体层41可以与设备半导体层42一起形成在下文将描述的设备部分50中。也就是说，当在设备部分50中形成设备半导体层42时，半导体层41可以与设备半导体层42一起形成。因而，半导体层41可以容易地形成而无需使用单独的附加掩模。

多条数据线51可以形成绝缘层31上以越过半导体层41。此外，多条数据线51可以形成为垂直于多条选通线21。

这里，每两条相邻的选通线21和垂直于这两条相邻选通线21的每两条相邻的数据线51可以定义或限定矩形空间。设备部分50可以形成在该矩形空间中。

根据本公开的实施方式的显示面板100可以进一步包括从选通线21延伸以将选通线21连接至设备部分50的辅助选通线22和从数据线51延伸以将数据线51连接至设备部分50的辅助数据线52。

每个设备部分50都可以布置在由两条相邻选通线21和两条相邻数据线51形成的矩形空间中，并且可以连接至选通线21和数据线51。

设备部分50可以包括栅极23、设备绝缘层32、设备半导体层42和数据电极53。

栅极23从连接至选通线21的辅助选通线22延伸。数据电极53从连接至数据线51的辅助数据线52延伸，与栅极23交叠，并且包括源极和漏极。设备半导体层42形成在数据电极53的源极和漏极之间。设备绝缘层32可以形成在栅极23和数据电极53之间。这里，栅极10可以与选通线21一起构图，并且数据电极53可以与数据线51一起构图。另外，设备半导体层42可以与半导体层41一起构图。

另外，根据本公开的实施方式的显示面板100可以进一步形成在多条选通线21、多条数据线51或设备部分50上的保护层61和62。

现在将更详细地描述制造根据本公开的实施方式的显示面板的方法。

图4是示出了制造根据本公开的实施方式的显示面板的方法的流程图。

参照图4，根据制造根据本公开的实施方式的显示面板的方法，可以首先在操作s10中在基板上形成多条选通线。具有彼此间隔开预定距离的多个行的形状的选通线可以通过在基板上沉积选通线并且选择性地去除选通线源图案而形成。多条选通线可以将由选通驱动器输出的显示扫描信号输送至设备部分。

在操作s10中形成栅极的同时，可以与选通线一起形成设备部分中的栅极。

在操作s20中，在形成有多条选通线的基板上形成绝缘层。该绝缘层可以将多条数据线与多条选通线绝缘。

在操作s30中，在绝缘层上(具体地，在多条选通线与多条数据线交叉的交叠区域上)形成半导体层。也就是说，半导体源(semiconductorsource)被沉积在绝缘层上并且被选择性地构图和去除以形成多条选通线与多条数据线交叉的交叠区域。

此时，可以在操作s30中与半导体层一起形成设备半导体层。也就是说，半导体层和设备半导体层可以通过使用同一掩模同时形成。

在多条选通线与多条数据线交叉的交叠区域中形成在多条选通线和多条数据线之间的半导体层可以起到扩宽每个交叠区域中的选通线和对应数据线之间的距离的作用。

增加了多条选通线中的每条选通线和多条数据线中的每条数据线之间的距离的半导体层减小了在交叠区域中出现的寄生电容。

换言之，由于半导体层增加了交叠区域中多条选通线和多条数据线之间的距离，因此减小了从多条选通线流到多条数据线51和从多条数据线流到多条选通线的漏电流。

当在设备部分中形成设备半导体层时，半导体层可以与设备半导体层一起形成在设备部分中。因而，半导体层可以容易地形成而无需使用单独的附加掩模。

接下来，在操作s40中，可以在绝缘层上形成多条数据线。这里，多条数据线可以形成为越过半导体层并且垂直于多条选通线。越过绝缘层上的半导体层的多条数据线可以通过将数据线源(datalinesource)沉积在绝缘层上以及半导体层上并且将数据线源选择性地构图和去除而形成。

此时，可以在形成多条数据线的同时将设备部分的数据电极与多条数据线一起形成。

在操作s50中，在多条选通线、多条数据线或设备部分上形成保护层。

现在将参照附图描述根据本发明的另一实施方式的显示面板。

图5是示出了根据本公开的另一实施方式的显示面板的平面图。

参照图5，除了多条选通线和多条数据线之外，根据本公开的另一实施方式的显示面板200具有与根据本公开的实施方式的在图1至图3中所示的显示面板100基本相同的构造。因此，给对应部件指定相同的附图标记，并且为了简单起见将省略其描述。

根据当前实施方式的显示面板200可以包括形成在基板10上的多条选通线121、绝缘层31、半导体层41和多条数据线151。

在根据当前实施方式的显示面板200中，多条选通线121和多条数据线151形成为使得选通线121和数据线151的宽度在交叠区域中比在非交叠区域中窄。

可以在对选通线121和数据线151构图的过程中将交叠区域中的选通线121和数据线151的线宽度与非交叠区域中的选通线121和数据线151的线宽度区分开。由于交叠区域中的线宽减小，因此在根据本公开的当前实施方式的显示面板200中，交叠区域中出现的寄生电容可以进一步减小。

本公开的描述在本质上仅仅是示例性的，因而，不脱离本公开的主旨的那些变化也旨在本公开的范围内。不应该将这些变化视为偏离本公开的精神和范围。因而，本领域技术人员将理解，在不脱离由随后权利要求限定的精神和范围的情况下可以进行各种形式和细节上的修改。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年1月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0009800的优先权，该专利申请通过引用被全部结合在本文中。