1.一种装置，其特征在于：包括：层的堆叠，其支撑在支撑膜上并限定像素电极阵列和电路系统，经由所述电路系统每一像素电极能够经由在所述像素电极阵列外部的导体独立地寻址；以及透射导体，其在所述像素电极的区域中的所述层的堆叠下面的第一导体层级处支撑在所述支撑膜上；其中所述导体是透光的，且在所述第一导体层级内连接到在所述像素电极阵列外部的导体。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：在所述像素电极阵列外部的所述导体在所述堆叠内通过导体材料连接到第二导体层级。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述透射导体针对在400和800nm之间的所有波长展现大体上相同的透射比。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述透射导体针对可见光谱中的一些波长展现大体高于所述可见光谱中的其它波长的透射比。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：所述透射导体包括：在红色区域中展现主透射峰值的至少一个透射导体；在蓝色区域中展现主透射峰值的至少一个透射导体；以及在蓝色区域中展现主透射峰值的至少一个透射导体。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述层的堆叠包含：源极-漏极导体图案，其限定源极导体阵列和漏极导体阵列；以及半导体沟道材料，其在沟道区域中连接所述源极和漏极导体，在所述沟道区域中，所述源极和漏极导体最近处；并且其中所述装置在所述第一导体层级处在所述沟道区域中另外包括不透射导体，其中所述不透射导体在所述可见光谱内大体上不透射。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述不透射导体在所述第一导体层级内与所述透射导体隔离。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述不透射导体和透射导体在所述第一导体层级内彼此接触。
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述透射导体包括一种或多种导电金属氧化物材料，且所述不透射导体包括一种或多种金属材料。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其特征在于：所述不透射导体包括一种或多种金属材料，并且限定周期性纳米孔阵列。
11.一种操作根据前述权利要求中任一项所述的装置的方法，其特征在于：包括向所述透射导体施加一个或多个电压，所述一个或多个电压促进所述透射导体与所述像素电极的电容耦合。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：包括：向所有透射导体施加共同电压，所述共同电压促进所述透射导体与所述像素电极的电容耦合。
13.一种操作根据权利要求1至10中任一项所述的装置的方法，其特征在于：包括使用所述透射导体来增加所述像素电极的存储电容。