本发明属于半导体领域,具体涉及一种利用h线激光直写机进行i线su8系列光刻胶曝光的方法。
背景技术:
mems传感器涉及电子、机械、物理学、生物学等诸多学科和技术,具有广阔的前景,因此近些年来发展一直较为迅速。随着mems传感器的发展,对mems工艺提出的要求也越来越高。
mems(微机电系统)工艺是在半导体工艺基础上发展起来的,但又存在其不兼容之处。典型mems工艺流程为:清洗、旋涂、前烘、光刻、显影、坚膜、离子束刻蚀/沉积、去胶。其中尤以光刻工艺最为关键。
光刻机按曝光方式常分为两类:曝光机和激光直写机。曝光机常用于工业化生产,而科研院校以激光直写机的使用居多。激光直写机以其对应的光源分为三类:365nm的i线直写机、405nm的h线直写机、436nm的g线直写机。三种直写机各有优缺点,大部分机构只含有其中一种,而h线、g线直写机能量低于i线直写机,因此部分i线光刻胶的光刻工艺在只配备有h线、g线直写机的实验室将无法完成。
光刻胶的种类繁多,su8光刻胶是一款被广泛使用的mems光刻胶。su8光刻胶拥有诸多优异性能,可制造数百nm至1000nm厚、深宽比可达50的mems微结构,而这些优点正好符合了mems领域的需求。
su8光刻胶是一种近紫外线光刻胶,尤以i线为主。当直写机能量低于i线直写机能量时,将不能对其进行光刻并成功显影。
技术实现要素:
本发明的目的是提供一种h线激光直写机用多次光刻方法实现i线su8系列光刻胶曝光并成功显影的方法。
本发明技术方案如下:一种利用h线激光直写机进行i线su8系列光刻胶曝光的方法,包括如下步骤:
(a)在覆盖有功能层的衬底上涂覆su8系列光刻胶,所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面;
(b)对涂覆有su8系列光刻胶的样品进行曝光前烘烤工艺;
(c)将烘烤后的样品置于激光直写机样品台,并设定曝光条件,对su8系列光刻胶进行多次曝光;
(d)对多次曝光后的su8系列光刻胶进行显影。
进一步的,所述曝光次数为25-35次。
进一步的,所述su8系列光刻胶为su8-1030或su8-1040。
进一步的,所述激光直写机为德国海德堡公司的dwl66+。
进一步的,所述步骤d利用波长为405nm的h线激光直写机实现所需光源波长为365nm的i线su8光刻胶的光刻显影。
本发明重点关注关键工艺:光刻。su8系列光刻胶是具有厚度范围广、深宽比高等优良属性,使其在半导体领域和mems领域均被广泛应用。但su8是一类i线光刻胶,所对应光刻机曝光波长需达到365nm,是能量最高的,只可通通过i线光刻机进行曝光。本发明通过利用h线激光直写机对i线su8光刻胶原位进行多次曝光(25-35次),最终曝光后成功显影出光刻图形。
本发明的优点如下:在只配备有h线激光直写机的实验室,通过多次重复光刻的方式完成了i线su8系列光刻胶的曝光和显影。整个设计工艺步骤简单,缩短了科研开发的周期,节约了开发成本,且安全可靠。
附图说明
图1为本发明方法的的流程示意图;
图2为本发明所用样品光刻前剖面示意图;
图3为本发明所用样品光刻过程剖面示意图;
图4为本发明所用样品光刻后剖面示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的h线激光直写机多次光刻实现i线su8系列光刻胶曝光的方法作进一步说明。根据下面的说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更加清楚。需说明的是,附图是采用较为简化的形式以辅助说明实施例的。
实施例中激光直写机为德国海德堡公司的dwl66+。
实施例1
如图1所示,h线激光直写机多次光刻实现i线su8系列光刻胶曝光的方法包括:
a、在覆盖有功能层的衬底上涂覆su8系列光刻胶,所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面;
b、对涂覆有su8系列光刻胶的样品在热板上进行曝光前烘烤工艺(采用现有工艺)。该工艺在热板上进行,首先由20℃缓慢升温至65℃,保持65℃恒定10min,继续缓慢升温至95℃,维持95℃下恒定15min;
c、将烘烤后的样品置于激光直写机样品台,并设定曝光条件,对su8系列光刻胶进行多次曝光;
d、对多次曝光后的su8系列光刻胶进行显影。利用波长为405nm的h线激光直写机实现所需光源波长为365nm的i线su8光刻胶的光刻显影。
具体的,请结合参考图2-4,是本发明实施例的h线激光直写机多次光刻实现i线su8系列光刻胶曝光所形成的器件的剖面示意图。
如图2所示,在表面淀积有功能层2的衬底1上涂覆光刻胶3,所述光刻胶3完整覆盖于功能层2表面。其中,所述衬底材料1可以是硅、锗、锗硅衬底、三五族化合物衬底或其它常用的半导体或mems衬底。本实施例中采用的是硅衬底。旋涂工艺条件与su8系列光刻胶正常一次曝光所用工艺条件一致:静态涂胶后,首先由1rpm/s缓慢加速至3000rpm/s,保持3000rpm/s转速恒定40s,缓慢由3000rpm/s降速至1rpm/s,加速与降速加速度均为100rpm/s2。
功能层2既可以是一层金属层,也可以是一层非金属层,或者是金属层非金属层形成的复合多层结构,也可以无此功能层,而将光刻胶3直接覆盖于衬底1上。本实例中采用的是gmr磁性多层膜。
光刻胶3为未经过曝光的i线su8系列光刻胶中的一种。本实例中采用的是su8-1030。
接着,如图3所示,选择激光直写机对经过前烘工艺的光刻胶3特定区域进行多次曝光,所述直写机光源为405nm。具体的,在对所述光刻胶3进行曝光过程中,所使用曝光能量设定为最大,所使用的曝光次数为25次,以使得需要曝光的特定区域的光刻胶3与光源4充分反应。本实施例中使用激光直写机为海德堡dwl66+。
同时,在本实施例中,所使用激光直写机光源4出口与所述光刻胶3之间无阻挡物,即光刻胶3可以无遮挡地接受来自直写机的光线,最终充分曝光。
接着如图4所示,对曝光后的光刻胶3进行显影,在2b中被曝光的特定区域的光刻胶被保留,未被曝光的其他区域的光刻胶溶于显影液中。所述显影液与su8系列光刻胶正常一次曝光所用显影液一致,显影条件也一致。
实施例2
与实施例1不同之处在于:所使用的曝光次数为30次。光刻胶3采用su8-1040。
实施例3
与实施例1不同之处在于:所使用的曝光次数为35次。
本发明采用25-35次的曝光次数,是因为曝光次数在25次以上才可以实现,在25-35次之间效果较好,35次以上次数曝光,显影后效果不佳,而在25次以下曝光,显影后无图像,表示未成功曝光
本发明通过使用h线激光直写机对i线su8系列光刻胶进行多次曝光,最终成功显影。克服了h线激光直写机光源能量太小,不足以使i线su8系列光刻胶充分曝光的缺点,缩短了科研开发周期,降低了生产成本,安全可靠。