技术总结
本发明公开了一种宽光谱抗反射增透结构及其制备工艺及光栅。本发明的宽光谱抗反射增透结构中包括：衬底，还包括设置于所述衬底至少一侧表面的若干锥状抗反射结构，锥状抗反射结构的底部横向尺寸为20～150nm，分布密度为3～20根/um2，若干锥状抗反射结构在不同高度范围内的数量百分比分布为：100nm以下:0％～5％，100nm～150nm:50％～60％，150nm～200nm:25％～35％，200nm～260nm:10％～20％。本发明产品在更宽的波长范围内具有更优异的抗反射性能。
技术研发人员：毛海央;杨宇东;杨帅;陈大鹏
受保护的技术使用者：无锡物联网创新中心有限公司
技术研发日：2019.12.09
技术公布日：2020.03.27