显示面板的制作方法

本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有破孔的显示面板。

背景技术：

随着显示技术的发展，除了显示品质的提升外，也开启了显示面板的多元化应用。设计出可应用于不同使用情境的显示面板已成为相关厂商的开发常态。近年来，举凡智能手表、运动手环或其他可穿戴式电子装置更能体现出显示面板应用于日常生活中的无限可能。也因此，这类电子装置所搭载的显示面板除了环境耐受性的高规格要求外，攸关品味的外观设计更成为产品开发的重要一环。为了达到不同的外观设计，显示面板的异形(freeform)切割技术逐渐成为相关厂商的必备技术。

在产品的设计之初，为了让显示面板与其他构件间的配合关系达到最佳化，可于显示区边缘或内部设计出相应于其他构件外形的开孔。举例而言，应用在智能手表的显示面板需具有被显示区所围绕的破孔，方能使表芯的指针穿设于显示面板。然而，为了确保封装良率，邻设于破孔周边的驱动电路走线需针对封装区域进行回避设计。如此，显示面板的可显示区域势必缩减。因此，如何在确保显示面板的封装良率下，增加可显示区域的范围并提升其外观的设计裕度为相关厂商的开发重点。

技术实现要素：

本发明提供一种显示面板，其信号线的可布局空间较大。

本发明提供一种显示面板，其封装良率高且具有较佳的操作可靠性。

本发明的显示面板，包括基板、多个像素结构、多条第一信号线、多条第二信号线、多条信号转接线、绝缘层以及封胶图案。基板具有封装区、围绕封装区的显示区以及位于封装区与显示区之间的转接区。多个像素结构、多条第一信号线以及多条第二信号线设置于显示区中，且每一像素结构电性连接于对应的一条第一信号线与对应的一条第二信号线。多条信号转接线与封胶图案设置于封装区，且封胶图案重叠于这些信号转接线。信号转接线的热膨胀系数小于第一信号线的热膨胀系数。绝缘层设置于多条第一信号线与多条第二信号线之间。绝缘层具有重叠于转接区的多个接触窗，且多条第一信号线通过这些接触窗与多条信号转接线电性连接。

本发明的显示面板，包括基板、多个像素结构、第一信号线、多条第二信号线、信号转接线以及封胶图案。基板具有封装区与围绕封装区的显示区。多个像素结构、第一信号线以及多条第二信号线设置于显示区中，且每一像素结构电性连接于第一信号线与对应的一条第二信号线。信号转接线设置于封装区，且电性连接于第一信号线。信号转接线的热膨胀系数介于4.8(10^-6/k)至14.2(10^-6/k)之间。封胶图案设置于封装区，且重叠于信号转接线。

基于上述，在本发明一实施例的显示面板中，于封装区设有重叠于封胶图案的信号转接线，且用以驱动像素结构的第一信号线电性连接于信号转接线。据此，显示面板可将驱动信号自显示区的第一信号线传递至位于封装区的信号转接线，或者是将驱动信号自封装区的信号转接线传递至位于显示区的第一信号线，以确保显示面板的可显示区域的最大化。另外，在本发明另一实施例的显示面板中，通过使信号转接线的热膨胀系数介于4.8(10^-6/k)至14.2(10^-6/k)之间，可避免信号转接线于封装制程中因高温而产生剥离并导致封装失效，有助于提升显示面板的封装良率与操作可靠性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的显示面板的上视示意图。

图2是图1的显示面板的剖面示意图。

图3及图4分别是图1的显示面板的两局部区域的放大示意图。

图5是本发明另一实施例的像素结构的等效电路图。

图6是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图7是本发明另一实施例的显示面板的局部区域的上视示意图。

其中，附图标记

10、11：显示面板

10a：破孔

100、100a：像素驱动层

101、102：基板

110：栅绝缘层

115a、115b、120a、122a：接触窗

120、130：绝缘层

121、122：子绝缘层

130s：上表面

140：平坦层

150：隔离结构层

150a：凹槽

170：金属图案层

175：金属线

175s、tls：缝隙

181、182：栅极驱动电路

200：封胶图案

c：电容器

ce：共用电极

de：漏极

d1、d2：方向

dr：显示区

es：发光结构

eml：发光层

etl：空穴传输层

g：栅极

hil：空穴注入层

htl：空穴传输层

pe：像素电极

pl：电源线

ps：间隙物

px、px-a：像素结构

s、s1：间距

sc：半导体图案

se：源极

sl1～sl4：第一信号线～第四信号线

sr：封装区

t、t1～t3：主动元件

tl、tl-a：信号转接线

tla：直线段部

tlb：弯曲段部

tr：转接区

w、w1、w2：宽度

i、ii：区域

具体实施方式

本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依量测性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件也可以存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」可为二元件间存在其它元件。

此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件的「下」侧的元件将被定向在其它元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件「下方」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此，示例性术语「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

现将详细地讲述本发明的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

图1是本发明一实施例的显示面板的上视示意图。图2是图1的显示面板的剖面示意图。图3及图4分别是图1的显示面板的两局部区域的放大示意图。特别说明的是，图3及图4分别对应于图1的区域i与区域ii，且为清楚呈现起见，图1省略了图2的基板102、第三信号线sl3、栅绝缘层110、主动元件t、绝缘层120、绝缘层130、平坦层140、隔离结构层150、发光结构es、间隙物ps以及共用电极ce，且图4省略了图1的封胶图案200。

请参照图1及图2，显示面板10包括两基板101、102与像素驱动层100。像素驱动层100设置于基板101与基板102之间，且基板101具有封装区sr与围绕封装区sr的显示区dr。在本实施例中，显示面板10还可包括贯穿两基板101、102与像素驱动层100的破孔10a，其中显示区dr可围绕破孔10a，且封装区sr位于破孔10a与显示区dr之间。举例来说，破孔10a于基板101上的垂直投影轮廓可以是圆形。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，破孔于基板101上的垂直投影轮廓也可以是多边形、或其他合适的外形。需说明的是，本实施例的破孔10a数量是以一个为例进行示范性地说明，而本发明所属技术领域中具通常知识者应理解的是，显示面板的破孔数量、形状及配置关系可依实际需求而调整。

进一步而言，显示面板10还包括封胶图案200。封胶图案200设置于封装区sr，且夹设于像素驱动层100与基板102之间。在本实施例中，封胶图案200围绕显示面板10的破孔10a，且封胶图案200于基板101上的垂直投影可以是圆环状，亦即，封胶图案200邻近于破孔10a的一侧壁于基板101上的垂直投影轮廓(即内轮廓)可共形于破孔10a于基板101上的垂直投影轮廓，但本发明不以此为限。在其他实施例中，封胶图案200于基板101上的垂直投影轮廓(例如内轮廓或外轮廓)也可不共形于破孔10a于基板101上的垂直投影轮廓。

需要特别说明的是，封胶图案200的配置用以接合像素驱动层100与基板102。在本实施例中，形成封胶图案200的方法(即封装制程)可包括于封装区sr进行封胶材料层(例如玻璃料层)的涂布以及进行高温烧结(sintering)的步骤以形成封胶图案200，其中高温烧结的步骤是利用激光照射玻璃料层(即封胶材料层)使其固化成封胶图案200，且烧结过程中的温度可高达400℃以上。在本实施例中，封胶图案200的材料可以是玻璃胶(glassfrit)，且玻璃胶的材质可包括氧化锰(mnox)、氧化锌(zno)与氧化镁(mgo)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，封胶图案200的材料也可包括压克力树脂(acrylicresin)、环氧树脂(epoxyresin)、感光型(photo-sensitive)高分子材料、或其他合适的密封材料。

另一方面，像素驱动层100包括多条第一信号线sl1、多条第二信号线sl2与多个像素结构px，设置于显示区dr。每一像素结构px电性连接于对应的一条第一信号线sl1与对应的一条第二信号线sl2。在本实施例中，多条第一信号线sl1可沿方向d1排列于基板101上，且在方向d2上延伸。多条第二信号线sl2可沿方向d2排列于基板101上，且在方向d1上延伸。亦即，第一信号线sl1可相交于第二信号线sl2。另一方面，多个像素结构px可围绕破孔10a而设置。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，显示面板也可仅在破孔的局部周边附近设有像素结构px，亦即，多个像素结构px也可不围绕破孔10a而设置。

在本实施例中，第一信号线sl1可以是数据线(dataline)，第二信号线sl2可以是扫描线(scanline)，且基于导电性的考量，信号线(例如第一信号线sl1与第二信号线sl2)的材料一般使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第一信号线sl1与第二信号线sl2也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。

进一步而言，像素驱动层100还包括多条信号转接线tl与绝缘层120。这些信号转接线tl设置于封装区sr，且在基板101的法线方向上重叠于封胶图案200。绝缘层120设置于第一信号线sl1与信号转接线tl之间。在本实施例中，信号转接线tl可具有两个直线段部tla与一个弯曲段部tlb。弯曲段部tlb连接于两直线段部tla之间，且弯曲段部tlb于基板101上的垂直投影可共形于破孔10a(或者是封胶图案200)于基板101上的垂直投影轮廓，但本发明不以此为限。在其他实施例中，信号转接线tl也可以具有其他合适外形的延伸路径，且此延伸路径在基板101上的垂直投影也可不共形于破孔10a(或者是封胶图案200)于基板101上的垂直投影轮廓。

请参照图2及图3，基板101还可具有位于显示区dr与封装区sr之间的转接区tr。绝缘层120具有位于转接区tr的多个接触窗120a，且多条第一信号线sl1的一部分可由显示区dr延伸至转接区tr，并通过这些接触窗120a与多条信号转接线tl电性连接。换句话说，由显示区dr延伸至转接区tr一侧的一部分第一信号线sl1可通过位于封装区sr的多条信号转接线tl电性连接于由显示区dr延伸至转接区tr另一侧的另一部分第一信号线sl1。据此，可避免部分的第一信号线sl1为了回避破孔10a而占用额外的配置空间，导致显示区dr的可显示区域缩小，亦即，可确保显示面板的可显示区域的最大化。

在本实施例中，信号转接线tl与第二信号线sl2的材质可相同；也就是说，信号转接线tl与第二信号线sl2可形成于同一膜层，但本发明不以此为限。需说明的是，在本实施例中，用以将第一信号线sl1与对应的一条信号转接线tl电性连接的接触窗120a数量是以三个为例进行示范性地说明，并不代表本发明以图式揭示内容为限。

值得一提的是，重叠于封胶图案200的信号转接线tl的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion，cte)小于第一信号线sl1的热膨胀系数。举例来说，信号转接线tl的材质可包括钼(molybdenum)，而第一信号线sl1的材质可包括铝(aluminum)。更进一步来说，信号转接线tl的热膨胀系数可介于4.8(10^-6/k)至14.2(10^-6/k)之间。据此，可有效避免信号转接线tl于上述封装制程中因高温(例如400℃以上的温度)而产生剥离(peeling)并导致封装失效，有助于提升显示面板10的封装良率与可靠性(reliability)。

由图4可知，信号转接线tl在方向d1上具有宽度w，且任两相邻的信号转接线tl之间在方向d1上都具有间距s，其中信号转接线tl的宽度w可介于3μm至25μm之间，任两相邻的信号转接线tl之间的间距s可介于1μm至50μm之间。在本实施例中，信号转接线tl的宽度w相对于任两相邻的信号转接线tl之间的间距s的比值可介于0.5至3之间。从另一观点来说，每两相邻的信号转接线tl之间都设有缝隙tls，且这些缝隙tls所占区域于基板101上的垂直投影面积相对于这些缝隙tls所占区域与定义这些缝隙tls的多条信号转接线tl于基板101上的垂直投影总面积的百分比值可介于25％至60％。如此，可提高信号转接线tl于高温烧结步骤中的散热效果，并增加封胶图案200的固化率(conversionrate)，有助于进一步提升显示面板10的封装良率与可靠性。

请参照图2，像素结构px可包括主动元件t以及电性连接于主动元件t的像素电极pe。主动元件t包括源极se、漏极de、栅极g以及半导体图案sc，其中半导体图案sc电性连接于源极se与漏极de之间，且源极se与漏极de可分别与第一信号线sl1与像素电极pe电性连接。在本实施例中，像素电极pe可以是反射式电极，反射式电极包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，像素电极pe也可以是光穿透式电极，穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。

在本实施例中，主动元件t的栅极g可选择性地设置在半导体图案sc的上方，也就是说，主动元件t为顶部栅极型薄膜晶体管(top-gatetft)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，主动元件t的栅极g也可设置在半导体图案sc的下方，也就是说，主动元件t也可以是底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gatetft)。另一方面，在本实施例中，主动元件t可以是低温多晶硅薄膜晶体管(lowtemperaturepoly-siliconthinfilmtransistor，ltpstft)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，主动元件t也可以是非晶硅薄膜晶体管(amorphoussilicontft，a-sitft)、微晶硅薄膜晶体管(micro-sitft)或金属氧化物晶体管(metaloxidetransistor)。

举例而言，形成主动元件t的方法可包括以下步骤：于基板101上依序形成半导体图案sc、栅绝缘层110、栅极g、绝缘层120、源极se与漏极de，其中源极se通过形成在栅绝缘层110及绝缘层120的接触窗115a与半导体图案sc电性连接，漏极de通过形成在栅绝缘层110及绝缘层120的接触窗115b与半导体图案sc电性连接，但本发明不以此为限。在本实施例中，栅极g、信号转接线tl与第二信号线sl2(绘示于图3)的材质可选择性地相同，源极se、漏极de与第一信号线sl1的材质可选择性地相同；也就是说，栅极g、信号转接线tl与第二信号线sl2可形成于同一膜层，源极se、漏极de与第一信号线sl1可形成于同一膜层。

在本实施例中，像素驱动层100还可包括依序堆叠于绝缘层120上的绝缘层130与平坦层140。绝缘层130可覆盖主动元件t的源极se、漏极de与绝缘层120的部分表面。特别说明的是，像素驱动层100通过绝缘层130的上表面130s与封胶图案200连接。另一方面，像素电极pe设置于平坦层140上，且贯穿平坦层140与绝缘层130以电性连接主动元件t的漏极de。在本实施例中，栅绝缘层110、绝缘层120与绝缘层130的材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。另外，平坦层140的材质可以是有机绝缘材料，有机绝缘材料可包括聚亚酰胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，pvp)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，pva)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，ptfe)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)。

进一步而言，显示面板10还可包括设置在像素驱动层100上的发光结构es、隔离结构层150以及共用电极ce。隔离结构层150覆盖平坦层140的部分表面与像素电极pe的部分表面，且具有重叠于像素电极pe的凹槽150a，其中发光结构es可设置于凹槽150a内。另一方面，显示面板10还可选择性地包括多个间隙物ps。多个间隙物ps设置于隔离结构层150上，且配置用以支撑基板102。在本实施例中，隔离结构层150的材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(pet)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或上述的组合。

在本实施例中，发光结构es可包括在像素电极pe上依序堆叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml以及电子传输层etl。共用电极ce覆盖隔离结构层150的部分表面与多个间隙物ps，且延伸至凹槽150a内以覆盖电子传输层etl。当显示面板10被致能(enabled)时，像素电极pe与共用电极ce之间因分别具有高电位与接地电位而产生电流，致使发光结构es发出用以显示画面的影像光束。亦即，在本实施例中，显示面板10可以是有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)面板、微发光二极管(microlightemittingdiode，microled)面板或次毫米发光二极管(minilightemittingdiode，miniled)面板，但本发明不以此为限。在其他实施例中，显示面板也可以是液晶显示面板(liquidcrystaldisplaypanel，lcdpanel)。

请参照图1及图3，在本实施例中，为了不占用额外的配置空间，部分的第二信号线sl2(即延伸路径通过封装区sr的第二信号线sl2)并未针对封装区sr(或者是破孔10a)进行回避设计。因此，显示面板10还可包括第一栅极驱动电路181与第二栅极驱动电路182，其中一部分的第二信号线sl2可电性连接于第一栅极驱动电路181，而另一部分的第二信号线sl2可电性连接于第二栅极驱动电路182。特别说明的是，在第二信号线sl2的延伸方向(即方向d1)上，延伸路径通过封装区sr的一部分第二信号线sl2(例如位于封装区sr靠近第一栅极驱动电路181一侧的第二信号线sl2)可电性连接于第一栅极驱动电路181，而延伸路径通过封装区sr的另一部分第二信号线sl2(例如位于封装区sr靠近第二栅极驱动电路182一侧的第二信号线sl2)可电性连接于第二栅极驱动电路182。也就是说，在本实施例中，显示面板10可采用双边栅极驱动的方式进行操作，以避免部分的第二信号线sl因其延伸路径需回避封装区sr(或破孔10a)而占用额外的配置空间，导致显示区dr的可显示区域缩小，亦即，可确保显示面板的可显示区域的最大化。

以下将列举另一实施例以详细说明本发明，其中相同的构件将标示相同的符号，并且省略相同技术内容的说明，省略部分请参考前述实施例，以下不再赘述。

图5是本发明另一实施例的像素结构的等效电路图。图6是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。图7是本发明另一实施例的显示面板的局部区域的上视示意图。需说明的是，为清楚呈现起见，图7仅绘示出图6的像素驱动层100a的信号转接线tl-a与金属图案层170。

请参照图5及图6，本实施例的显示面板11与前述实施例的显示面板10的主要差异在于：像素结构、信号线以及信号转接线的配置方式不同。在本实施例中，像素结构px-a可选择性地包括三个主动元件t与一个电容器c，亦即，本实施例的像素结构px-a以3t1c的架构为例进行示范性的说明，但本发明不以此为限。在其他实施例中，像素结构也可以是1t1c的架构、2t1c的架构、3t2c的架构、4t1c的架构、4t2c的架构、5t1c的架构、5t2c的架构、6t1c的架构、或6t2c的架构、7t1c的架构或是任何可能的架构。

在本实施例中，像素驱动层100a还可包括第三信号线sl3、第四信号线sl4与电源线pl，且像素结构px-a的三个主动元件t分别为第一主动元件t1、第二主动元件t2以及第三主动元件t3。举例来说，第一主动元件t1可以是开关主动元件(switchtft)，第二主动元件t2可以是驱动主动元件(drivetft)，第三主动元件t3可以是感测主动元件(sensetft)。另一方面，第三信号线sl3可以是扫描线(scanline)，第四信号线sl4可以是感测线(senseline)。

详细而言，第一主动元件t1可电性连接于第一信号线sl1、第二信号线sl2、电容器c以及第二主动元件t2。第二主动元件t2可电性连接于电容器c、第三主动元件t3以及发光结构es，且可通过电源线pl与高电压源(未绘示)电性连接。第三主动元件t3可电性连接于第三信号线sl3、第四信号线sl4、发光结构es以及电容器c。在本实施例中，基于导电性的考量，第三信号线sl3、第四信号线sl4与电源线pl的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第三信号线sl3、第四信号线sl4与电源线pl也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。

进一步而言，如图6所示，像素驱动层100a的绝缘层120可以是第一子绝缘层121与第二子绝缘层122的堆叠层，且第三信号线sl3设置于第一子绝缘层121与第二子绝缘层122之间。在本实施例中，信号转接线tl-a与第三信号线sl3的材质可选择性地相同；也就是说，信号转接线tl-a与第三信号线sl3可形成于同一膜层，且第一信号线sl1可通过第二子绝缘层122的接触窗122a与信号转接线tl-a电性连接。值得一提的是，在本实施例中，第三信号线sl3的材质可包括钼(molybdenum)。

请参照图6及图7，在本实施例中，像素驱动层100a还可选择性地包括设置于封装区sr的金属图案层170，且金属图案层170与栅极g可形成于同一膜层。换句话说，金属图案层170与信号转接线tl-a为不同膜层。在本实施例中，金属图案层170可以是沿方向d1排列的多条金属线175，且这些金属线175在基板101的法线方向上不重叠于多条信号转接线tl-a。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，金属图案层在基板101的法线方向上也可部分地重叠于多条信号转接线。

由图7可知，多条信号转接线tl-a与多条金属线175可在方向d1上交替排列。信号转接线tl-a与金属线175在方向d1上分别具有第一宽度w1与第二宽度w2，且相邻的信号转接线tl-a与金属线175之间在方向d1上具有第一间距s1，其中第一宽度w1与第二宽度w2可介于3μm至25μm之间，且第一间距s1可介于1μm至50μm之间。在本实施例中，信号转接线tl-a的第一宽度w1实质上可等于金属线175的第二宽度w2，且第一宽度w1(或第二宽度w2)与第一间距s1的比值可介于0.5至3之间。

从另一观点而言，由于任相邻的信号转接线tl-a与金属线175之间设有缝隙175s，且这些缝隙175s所占区域于基板101上的垂直投影面积相对于多条信号转接线tl-a、多条金属线175与多个缝隙175s所占区域于基板101上的垂直投影总面积的百分比值可介于25％至60％。据此，可提高信号转接线tl-a于高温烧结步骤中的散热效果，并增加封胶图案200的固化率(conversionrate)，进而提升显示面板11的封装良率与可靠性。值得一提的是，通过金属图案层170的配置，可增加任两相邻的信号转接线tl-a之间在方向d1上的间距s，有助于降低任两相邻的信号转接线tl-a之间发生电性短路(或者是静电炸伤)的风险。

综上所述，在本发明一实施例的显示面板中，于封装区设有重叠于封胶图案的信号转接线，且用以驱动像素结构的第一信号线电性连接于信号转接线。据此，显示面板可将驱动信号自显示区的第一信号线传递至位于封装区的信号转接线，或者是将驱动信号自封装区的信号转接线传递至位于显示区的第一信号线，以确保显示面板的可显示区域的最大化。另外，在本发明另一实施例的显示面板中，通过信号转接线的热膨胀系数介于4.8(10^-6/k)至14.2(10^-6/k)之间，可避免信号转接线于封装制程中因高温而产生剥离并导致封装失效，有助于提升显示面板的封装良率与操作可靠性。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。