技术特征：1.一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：
第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；
至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第二子目标的底层光栅具有第三节距且所述第二子目标的顶部光栅具有第四节距。
2.根据权利要求1所述的目标，其中所述第一节距与所述第三节距相同。
3.根据权利要求1所述的目标，其中所述第三节距与所述第四节距相同。
技术总结一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第二子目标的底层光栅具有第三节距且所述第二子目标的顶部光栅具有第四节距。
技术研发人员：M·范德斯卡;O·V·兹维尔;帕特里克·华纳
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2019.12.04
技术公布日：2021.07.23