一种WPCW管结构的制作方法

本发明涉及数字ic技术领域，具体来说，涉及一种wpcw管结构。

背景技术：

ic就是半导体元件产品的统称，ic按功能可分为：数字ic、模拟ic、微波ic及其他ic。数字ic就是传递、加工、处理数字信号的ic，是近年来应用最广、发展最快的ic品种，可分为通用数字ic和专用数字ic。通用ic：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器(dram)、微处理器(mpu)及微控制器(mcu)等，反映了数字ic的现状和水平。专用ic(asic)：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。

目前市场上普遍使用的数字ic单元为mos管，通过基本单元的组合形成基本电路结构再将基本电路结构组合成拥有目标功能的芯片电路，目前现有的技术存在寄生效应、发热、电迁移效应、容易受到电磁干扰的问题。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现要素：

针对相关技术中的问题，本发明提出一种wpcw管结构，通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种wpcw管结构，包括衬底，所述衬底上设有化合物参杂。

进一步的，所述化合物参杂为光致发光参杂或光致变色参杂。

进一步的，所述衬底为二氧化硅、半导体或聚合物。

本发明的有益效果：

本发明通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的连接示意图；

图3是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的场景示意图一；

图4是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的场景示意图二；

图5是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的场景示意图三；

图6是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的应用示意图；

图7是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的应用平面示意图；

图8是根据本发明实施例的一种wpcw管结构的应用电路示意图。

图中：

1、衬底；2、化合物参杂。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

根据本发明的实施例，提供了一种wpcw管结构。

如图1-2所示，根据本发明实施例的wpcw管结构，包括衬底1，所述衬底1上设有化合物参杂2。

借助于上述技术方案，通过衬底1结合化合物参杂2，以光为信号，没有使用电信号时的寄生效应和电迁移效应，直接产生影响的部件是参有光致变色化合物的基本单元，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

其中，所述化合物参杂2为光致发光参杂或光致变色参杂。

其中，所述衬底1为二氧化硅、半导体或聚合物。

另外，具体的，如图3所示，化合物参杂2可为变色化合物参杂；

如图4所示，化合物参杂2可为发光化合物参杂；

如图5所示，化合物参杂2可为混合化合物参杂。

另外，通过wpcw(waveguidephotosensitivecompoundwaveguide)即波导-光敏化合物-波导管结构，通过以二氧化硅、半导体材料或聚合物为衬底，用光致变色化合物以传统芯片工艺，在芯片上做出类似mos即金属-氧化物-半导体场效应管的结构，可以用于组成如与门、或门、非门、编码器、译码器、等数字单元。

具体的，如图6-图8所示，由基本单元组成的二四译码器，通过紫外光和红色可见光为信号的二四译码器。

综上所述，借助于本发明的上述技术方案，通过衬底1结合化合物参杂2，以光为信号，没有使用电信号时的寄生效应和电迁移效应，直接产生影响的部件是参有光致变色化合物的基本单元，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种wpcw管结构，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设有化合物参杂(2)。

2.根据权利要求1所述的wpcw管结构，其特征在于，所述化合物参杂(2)为光致发光参杂或光致变色参杂。

3.根据权利要求1所述的wpcw管结构，其特征在于，所述衬底(1)为二氧化硅、半导体或聚合物。

技术总结
本发明公开了一种WPCW管结构，包括衬底，所述衬底上设有化合物参杂。本发明通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

技术研发人员：王亚非
受保护的技术使用者：王亚非
技术研发日：2020.06.16
技术公布日：2020.09.22