一种光线调制结构及其制备方法、显示装置与流程

[0001]
本申请涉及光线调制技术领域，尤其涉及一种光线调制结构及其制备方法、显示装置。


背景技术：

[0002]
胆甾相液晶(chlc)因具有宽波反射光电特性，广泛应用于反射型显示器件、激光防护、军事红外隐身等多个领域。chlc的分子排列方式呈多层结构，层内各分子长轴依靠端基作用相互平行，层间分子指向失连续均匀偏转，形成螺旋结构。当螺旋轴与入射光平行时，chlc具有选择性光反射特性，与chlc螺旋结构旋向相同、中心波长λ0＝n
×
p、反射波宽δλ＝δn
×
p的圆偏振光会被反射，而其余波段的光将透过，其中，n和δn分别为液晶的平均折射率和双折射率，p为chlc的螺距。然而，单一螺距的chlc选择性反射入射光的波长范围较窄，目前，现有技术采用如下方法拓宽反射波长范围：层叠法、光/热诱导分子扩散法、或者外场刺激手性材料浓度变化或螺旋扭曲力变化法。但是，层叠法会发生光散射和光吸收，影响光效。光/热诱导分子扩散法仅适用于含有特定官能团的液晶。外场刺激手性材料浓度变化或螺旋扭曲力变化法仅适用于含手性材料的液晶。综上，现有技术拓宽反射波长范围的方法影响光效或仅适用于特定条件的液晶材料。


技术实现要素：

[0003]
本申请实施例提供了一种光线调制结构及其制备方法、显示装置，用以拓宽光线调制结构反射波长范围。
[0004]
本申请实施例提供的一种光线调制结构，所述光线调制结构包括：相对设置的显示基板和对向基板，位于所述显示基板和所述对向基板之间的液晶层和透明介电挡墙；
[0005]
所述光线调制结构划分为多个光线调制单元；
[0006]
每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极；所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；所述驱动电路被配置为控制所述第一电极部形成电场；
[0007]
每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；
[0008]
在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度不相等；
[0009]
每一所述光线调制单元中，所述液晶层包括胆甾相液晶；所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。
[0010]
在一些实施例中，每一所述光线调制单元中包括多个所述第一透明介电挡墙，所
述第一透明介电挡墙与所述第一电极部一一对应。
[0011]
在一些实施例中，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度逐渐减小。
[0012]
在一些实施例中，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0013]
在一些实施例中，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙在所述第一方向上的宽度积逐渐减小。
[0014]
在一些实施例中，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0015]
在一些实施例中，在垂直于显示基板所在平面的方向上，所述第一透明介电挡墙的截面的形状为三角形。
[0016]
在一些实施例中，所述三角形底边长度范围为0.6微米～1微米，所述三角形在垂直所述显示基板所在平面的方向上的高度为3微米～5微米。
[0017]
在一些实施例中，所述透明介电挡墙在所述显示基板所在平面的正投影的形状为网格状；所述第一透明介电子挡墙沿第二方向延伸，所述透明介电挡墙还包括：与所述第一透明介电子挡墙连接且沿所述第一方向延伸的第二透明介电子挡墙，所述第一方向和所述第二方向交叉。
[0018]
在一些实施例中，所述第一电极部在所述显示基板所在平面的正投影的形状为条形，所述第一电极部沿所述第二方向延伸；
[0019]
所述第一电极部在所述显示基板所在平面的正投影与所述第一透明介电子挡墙在所述显示基板所在平面的正投影存在交叠。
[0020]
在一些实施例中，所述透明介电挡墙的材料包括：透明丙烯酸。
[0021]
本申请实施例提供的一种光线调制结构的制备方法，所述方法包括：
[0022]
制作显示基板和对向基板；其中，所述光线调制结构划分为多个光线调制单元，每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极，所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；
[0023]
在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙以及液晶层；其中，每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙，所述液晶层包括胆甾相液晶，所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。
[0024]
在一些实施例中，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0025]
在所述显示基板上依次涂覆丙烯酸以及纳米压印胶；
[0026]
采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶，形成所述纳米压印胶的图案；
[0027]
采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙的图案；
[0028]
将形成所述透明介电挡墙的所述显示基板和所述对向基板进行对盒工艺。
[0029]
在一些实施例中，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0030]
在所述对向基板上依次涂覆丙烯酸以及纳米压印胶；
[0031]
采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶，形成所述纳米压印胶的图案；
[0032]
采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙的图案；
[0033]
将形成所述透明介电挡墙的所述对向基板和所述显示基板进行对盒工艺。
[0034]
本申请实施例提供的一种液晶装置，所述液晶装置包括本申请实施例提供的光线调制结构。
[0035]
本申请实施例提供的光线调制结构及其制备方法、液晶装置，在显示基板和对向基板之间设置透明介电挡墙，该透明介电挡墙包括与第一控制电极中的第一电极部对应的第一透明介电子挡墙，在第一方向上，第一透明介电子挡墙在第一高度具有第一宽度，第一透明介电子挡墙在第二高度具有第二宽度，且第一宽度和第二宽度不相等。从而当对第一电极部提供电压时，在垂直于显示基板所在平面方向上，第一高度的第一透明介电子挡墙与第二高度的第一透明介电子挡墙对第一电极部形成的电场的影响程度不同，在第一方向上第一透明介电子挡墙宽度越小，第一透明介电子挡墙对第一电极部形成电场阻碍越小，而电场强度越大，chlc退螺旋程度越明显，chlc螺距也随之增大，因此可以通过设置如上所述的第一透明介电子挡墙使得chlc螺距呈梯度分布，从而可以实现光线调制结构反射波长范围拓宽。并且，可以根据光线调制结构不同应用场景对反射波长范围的要求，调节对第一电极部施加的电压大小，改变反射波长范围。
附图说明
[0036]
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]
图1为本申请实施例提供的一种光线调制结构的结构示意图；
[0038]
图2为本申请实施例提供的另一种光线调制结构的结构示意图；
[0039]
图3为本申请实施例提供的又一种光线调制结构的结构示意图；
[0040]
图4为本申请实施例提供的又一种光线调制结构的结构示意图；
[0041]
图5为本申请实施例提供的又一种光线调制结构的结构示意图；
[0042]
图6为本申请实施例提供的又一种光线调制结构的结构示意图；
[0043]
图7为本申请实施例提供的一种光线调制结构的制备方法的示意图；
[0044]
图8为本申请实施例提供的另一种光线调制结构的制备方法的示意图；
[0045]
图9为本申请实施例提供的又一种光线调制结构的制备方法的示意图。
具体实施方式
[0046]
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0047]
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0048]
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
[0049]
本申请实施例提供了一种光线调制结构，如图1所示，所述光线调制结构包括：相对设置的显示基板1和对向基板2，位于所述显示基板1和所述对向基板2之间的液晶层3和透明介电挡墙4；
[0050]
所述光线调制结构划分为多个光线调制单元；
[0051]
每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板1上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极5，所述第一控制电极5包括：多个电连接的第一电极部6；所述驱动电路被配置为控制所述第一电极部6形成电场；
[0052]
每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙4包括：至少一个第一透明介电子挡墙7；每一所述第一透明介电子挡墙7与一个所述第一电极部6对应；
[0053]
在垂直于显示基板所在平面方向z上，所述第一透明介电子挡墙7具有第一高度h1和第二高度h2；在第一方向x上，所述第一透明介电子挡墙7在所述第一高度h1具有第一宽度n1，所述第一透明介电子挡墙7在所述第二高度h2具有第二宽度n2，所述第一宽度n1和所述第二宽度n2不相等；
[0054]
每一所述光线调制单元中，所述液晶层3包括胆甾相液晶(chlc)8；chlc8位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。在具体实施时，第一方向x与第一电极部的延伸方向以及第一透明介电子挡墙的延伸方向垂直。
[0055]
本申请实施例提供的光线调制结构，在显示基板和对向基板之间设置透明介电挡墙，该透明介电挡墙包括与第一控制电极中的第一电极部对应的第一透明介电子挡墙，在第一方向上，第一透明介电子挡墙在第一高度具有第一宽度，第一透明介电子挡墙在第二高度具有第二宽度，且第一宽度和第二宽度不相等，从而当对第一电极部提供电压时，在垂直于显示基板所在平面方向上，第一高度的第一透明介电子挡墙与第二高度的第一透明介电子挡墙对第一电极部形成的电场的影响程度不同，在第一方向上第一透明介电子挡墙宽度越小，第一透明介电子挡墙对第一电极部形成电场阻碍越小，而电场强度越大，chlc退螺旋程度越明显，chlc螺距也随之增大，因此可以通过设置如上所述的第一透明介电子挡墙使得chlc螺距呈梯度分布，从而可以实现光线调制结构反射波长范围拓宽。并且，可以根据光线调制结构不同应用场景对反射波长范围的要求，调节对第一电极部施加的电压大小，改变反射波长范围。
[0056]
在一些实施例中，如图2、图3所示，每一所述光线调制单元中包括多个所述第一透明介电挡墙，所述第一透明介电挡墙与所述第一电极部一一对应。
[0057]
需要说明的是，图2、图3中以一个光线调制单元为例对本申请实施例提供的光线调制结构进行举例说明。图1例如可以是沿图2中aa
’
的截面图。
[0058]
在一些实施例中，如图1所示，第一高度h1与阵列基板之间的距离大于第二高度h2与阵列基板之间的距离，第一宽度n1大于第二宽度n2。
[0059]
在一些实施例中，如图1所示，在所述对向基板2指向所述显示基板1的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙7在所述第一方向上的宽度积逐渐减小。
[0060]
需要说明的是，第一电极部形成的电场，在靠近显示基板附近的电场强度较强，靠近对向基板附近的电场强度较弱。本申请实施例提供的光线调制结构，由于在对向基板指向显示基板方向上，第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度逐渐减小，由于在第一方向上第一透明介电子挡墙宽度越小，第一透明介电子挡墙对第一电极部形成电场阻碍越小，而电场强度越大，从而越靠近显示基板，电场强度越大，chlc退螺旋程度越明显，chlc螺距也随之增大。还可以进一步增强靠近显示基板附近的电场强度，减弱靠近对向基板附近的电场强度，chlc螺距梯度分布范围更广，可以进一步拓宽光线调制结构的反射波长范围。
[0061]
即在对向基板指向显示基板方向上，第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度逐渐减小的情况下，在所述对向基板指向所述显示基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0062]
当然，在一些实施例中，如图4所示，第一高度h1与阵列基板之间的距离大于第二高度h2与阵列基板之间的距离，第一宽度n1小于第二宽度n2。
[0063]
在一些实施例中，如图4所示，在所述显示基板1指向所述对向基板2的方向上，至少所述第一透明介电子挡墙7在所述第一方向上的宽度逐渐减小。
[0064]
本申请实施例提供的光线调制结构，由于在显示基板指向对向基板方向上，在第一方向上第一透明介电子挡墙的宽度越小，第一透明介电子挡墙对第一电极部形成电场阻碍越小，而电场强度越大。因此，在显示基板指向对向基板的方向上，当第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度逐渐减小时，越靠近对向基板，电场强度越大，chlc退螺旋程度越明显，chlc螺距也随之增大。
[0065]
即在显示基板指向对向基板方向上，第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度逐渐减小的情况下，在所述显示基板指向所述对向基板的方向上，所述胆甾相液晶的螺距逐渐增大。
[0066]
在一些实施例中，如图1、图4所示，在垂直于所述显示基板所在平面的方向z上，第一透明介电子挡墙7的截面的形状为三角形。
[0067]
在一些实施例中，所述三角形底边长度范围为0.6微米～1微米，所述三角形在垂直所述显示基板所在平面的方向上的高度为3微米～5微米。
[0068]
在一些实施例中，三角形的底边长度与三角形在垂直所述显示基板所在平面的方向上的高度比为5。
[0069]
在一些实施例中，如图2所示，所述透明介电挡墙4在所述显示基板1所在平面的正投影的形状为网格状；所述第一透明介电子挡墙7沿第二方向y延伸，所述透明介电挡墙4还包括：与所述第一透明介电子挡墙7一体连接且沿第一方向x延伸的第二透明介电子挡墙9，所述第一方向x和所述第二方向y交叉。
[0070]
在一些实施例中，如图2所示，第一方向x和第二方向y垂直。
[0071]
需要说明的是，图2仅示出透明介电挡墙4以及液晶层在显示基板上的投影。
[0072]
本申请实施例提供的光线调制结构，透明介电挡墙在陈列基板上的正投影的形状为网格状，透明介电挡墙还包括与第一透明介电子挡墙一体连接的第二透明介电子挡墙，第一透明介电子挡墙与第二透明介电子挡墙的延伸方向交叉，从而可以避免仅设置第一透明介电子挡墙出现倒伏风险。
[0073]
在一些实施例中，不同高度的第二透明介电子挡墙在第二方向上的宽度相同。
[0074]
在一些实施例中，不同高度的第二透明介电子挡墙在第二方向上的宽度不同。
[0075]
例如，在一些实施例中，如图5所示，在对向基板2指向显示基板1的方向上，第二透明介电子挡墙9在第二方向y上的宽度逐渐减小。或者，在一些实施例中，如图6所示，在显示基板1指向对向基板2的方向上，第二透明介电子挡墙9在第二方向y上的宽度逐渐减小。图5、图6例如可以是沿图2中bb
’
的截面图。
[0076]
在具体实施时，不同高度的第二透明介电子挡墙在第二方向上的宽度变化，可以与不同高度的第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度变化一致。
[0077]
例如，在一些实施例中，在对向基板指向显示基板的方向上，第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度和第二透明介电子挡墙在第二方向上的宽度均逐渐减小。或者，在一些实施例中，在显示基板指向对向基板的方向上，第一透明介电子挡墙在第一方向上的宽度和第二透明介电子挡墙在第二方向上的宽度均逐渐减小。
[0078]
在一些实施例中，如图5、图6所示，第二透明介电挡墙在垂直于所述显示基板所在平面的截面的形状为三角形。
[0079]
在一些实施例中，所述第一电极部在所述显示基板上的正投影的形状为条形，所述第一电极部沿所述第二方向延伸；
[0080]
所述第一电极部在所述显示基板所在平面的正投影与所述第一透明介电子挡墙在所述显示基板所在平面的正投影存在交叠。
[0081]
需要说明的是，由于显示基板与对向基板相对设置，第一电极部在显示基板所在平面和对向基板所在平面的正投影的图案相同，透明介电挡墙在显示基板所在平面和对向基板所在平面的正投影的图案相同，为了便于示出第一电极部的形状以及位置，以第一电极部和透明介电挡墙在对向基板所在平面的正投影为例进行举例说明。如图3所示，第一电极部6在对向基板2所在平面的正投影的形状为条形，第一电极部6沿第二方向y延伸；第一电极部6在对向基板2所在平面的正投影与第一透明介电子挡墙7在对向基板2所在平面的正投影存在交叠。
[0082]
在一些实施例中，如图3所示，在第一方向x上，第一电极部6的宽度大于第一透明介电挡墙7的最大宽度。
[0083]
在一些实施例中，如图3所示，第一透明介电子挡墙7在对向基板2所在平面的正投影落入第一电极部6在对向基板2所在平面的正投影内。
[0084]
在一些实施例中，显示基板可以是阵列基板，显示基板中的驱动电路包括薄膜晶体管，以及电连接薄膜晶体管和第一控制电极的连接引线。在具体实施时，连接引线与薄膜晶体管的源漏电极层同层设置，且与薄膜晶体管的漏极电连接，第一控制电极中的各第一电极部与连接引线电连接。
[0085]
在一些实施例中，显示基板还包括：位于第一控制电极背离液晶层一侧的第二控
制电极。
[0086]
在具体实施时，第二控制电极可以是整面设置，或者，第二控制电极包括多个相互间隔的子电极。
[0087]
需要说明的是，本申请实施例提供的光线调制结构，可以应用于激光防护或红外隐身等非显示领域。当光线调制结构应用于非显示领域，无论是否对光线调制结构施加电压，光线调制结构均可以对光线实现反射。当不对光线调制结构施加电压，chlc呈螺旋排列，可以对光线实现反射，此种情况，如果光线调制结构的反射波长范围满足所需的应用条件，可以不对光线调制结构施加电压。如果不对光线调制结构施加电压的情况，光线调制结构的反射波长范围无法满足需要，则需要对光线调制结构施加电压调控其反射波长范围。当对光线调制结构施加电压，即对第一控制电极和第二控制电极施加电压，chlc保持螺旋排列，并可以对第一控制电极施加的电压进行调节，来调控chlc的螺距，从而调控chlc反射波长范围，以使光线调制结构的反射波长范围满足所需应用场景。由于本申请实施例提供的光线调制结构可以拓宽反射波长范围，从而当光线调制结构应用于非显示领域时，可以实现更好的防护作用或隐身作用。
[0088]
光线调制结构应用于非显示领域时，对向基板例如可以包括黑矩阵，且不包括彩色色阻。
[0089]
当然光线调制结构也可以应用于显示领域，作为液晶显示面板。当光线调制结构作为液晶显示面板时对向基板例如可以包括黑矩阵和彩色色阻，彩色色阻例如包括：红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻。
[0090]
由于本申请实施例共的光线调制结构可以拓宽反射波长范围，当光线调制结构应用于显示领域作为液晶显示面板时，可以实现拓宽显示产品反射色域，可以提高对比度，提高显示效果。
[0091]
当本申请实施例提供的光线调制结构作为液晶显示面板时，在一些实施例中，对向基板还包括：第三控制电极。
[0092]
在具体实施时，第三控制电极可以是整面设置，或者，第三控制电极包括多个相互间隔的子电极。
[0093]
需要说明的是，当光线调制结构作为液晶显示面板时，一个光线调制单元例如可以是一个子像素单元。第一控制电极例如可以是像素电极，第二控制电极和第三控制电极可以是公共电极。
[0094]
在具体实施时，对第一控制电极和第三控制电极施加电压，从而在第一控制电极与第三控制电极形成电场的区域，chlc竖直排列，该区域无法对光线反射，呈暗态。对第一控制电极和第二控制电极施加电压，在第一控制电极与第二控制电极形成电场的区域，chlc螺旋排列，该区域可以实现对光线反射，呈亮态。并且，可以根据对色域和对比度的要求，对第一控制电极施加的电压进行调节，来调控chlc的螺距，从而调控chlc反射波长范围，以使光线调制结构的反射波长范围满足所需条件。
[0095]
在一些实施例中，所述透明介电挡墙的材料包括：透明丙烯酸。
[0096]
当然，透明介电挡墙也可以包括其他透明介电材料。
[0097]
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种光线调制结构的制备方法，如图7所示，所述方法包括：
[0098]
s101、制作显示基板和对向基板；其中，所述光线调制结构划分为多个光线调制单元，每一所述光线调制单元包括：位于所述显示基板上的驱动电路，以及与所述驱动电路电连接的第一控制电极，所述第一控制电极包括：多个电连接的第一电极部；
[0099]
s102、在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙以及液晶层；其中，每一所述光线调制单元中，所述透明介电挡墙包括：至少一个第一透明介电子挡墙，所述液晶层包括胆甾相液晶，所述胆甾相液晶位于沿所述第一方向排列的所述第一电极部之间；每一所述第一透明介电子挡墙与一个所述第一电极部对应；在垂直于显示基板所在平面方向上，所述第一透明介电子挡墙具有第一高度和第二高度；在所述第一方向上，所述第一透明介电子挡墙在所述第一高度具有第一宽度，所述第一透明介电子挡墙在所述第二高度具有第二宽度；所述胆甾相液晶的螺距在所述第一电极部形成的电场作用下呈梯度分布。
[0100]
在一些实施例中，如图8所示，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0101]
s1021、在所述显示基板1上依次涂覆丙烯酸10以及纳米压印胶11；
[0102]
s1022、采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶11，形成所述纳米压印胶11的图案；
[0103]
s1023、对所述丙烯酸10采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙4的图案；
[0104]
s1024、将形成所述透明介电挡墙4的所述显示基板1和所述对向基板2进行对盒工艺。
[0105]
在一些实施例中，如图9所示，在所述显示基板和对向基板之间形成透明介电挡墙，具体包括：
[0106]
s1021、在所述对向基板2上依次涂覆丙烯酸10以及纳米压印胶11；
[0107]
s1022、采用纳米压印工艺处理所述纳米压印胶11，形成所述纳米压印胶11的图案；
[0108]
s1023、对所述丙烯酸10采用刻蚀工艺形成所述透明介电挡墙4的图案；
[0109]
s1024、将形成所述透明介电挡墙4的所述对向基板2和所述显示基板1进行对盒工艺。
[0110]
基于同一发明构思，本申请实施还例提供了一种显示装置，显示装置包括本申请实施例提供的光线调制结构。
[0111]
本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述光线调制结构的实施例，重复之处不再赘述。
[0112]
综上所述，本申请实施例提供的光线调制结构及其制备方法、显示装置，在显示基板和对向基板之间设置透明介电挡墙，该透明介电挡墙包括与第一控制电极中的第一电极部对应的第一透明介电子挡墙，在第一方向上，第一透明介电子挡墙在第一高度具有第一宽度，第一透明介电子挡墙在第二高度具有第二宽度，且第一宽度和第二宽度不相等。从而当对第一电极部提供电压时，在垂直于显示基板所在平面方向上，第一高度的第一透明介电子挡墙与第二高度的第一透明介电子挡墙对第一电极部形成的电场的影响程度不同，在第一方向上第一透明介电子挡墙宽度越小，第一透明介电子挡墙对第一电极部形成电场阻
碍越小，而电场强度越大，chlc退螺旋程度越明显，chlc螺距也随之增大，因此可以通过设置如上所述的第一透明介电子挡墙使得chlc螺距呈梯度分布，从而可以实现光线调制结构反射波长范围拓宽。并且，可以根据光线调制结构不同应用场景对反射波长范围的要求，调节对第一电极部施加的电压大小，改变反射波长范围。
[0113]
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。