一种抗静电af镀层材料及其制备方法
技术领域
[0001]
本发明属于镀层材料技术领域，具体涉及一种抗静电af镀层材料及其制备方法。
背景技术：
[0002]
在光学镀膜领域，二氧化硅是最常用的光学镀膜材料，但是随着科技的发展和生活水平的提高，常规的单一的二氧化硅镀膜材料不能满足更多更高的市场要求，如产品的使用需要具有防指纹、防油污的要求，此外，还有些产品需要具有抗静电的作用。因此，急需一种抗静电af镀层材料及其制备方法。
技术实现要素：
[0003]
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种抗静电af镀层材料及其制备方法。
[0004]
本发明提供了如下的技术方案：
[0005]
一种抗静电af镀层材料，包括如下重量份的组分：纳米二氧化硅40-80重量份、氟化物30-60重量份、二氧化钛10-15重量份、氟化石墨0-0.5重量份和纳米抗静电材料0.1-5重量份。
[0006]
优选的，所述氟化物为氟化镁、氟化钙、氟化钡中的一种或多种的混合物。
[0007]
优选的，所述氟化物为氟化镁。
[0008]
优选的，所述纳米抗静电材料为纳米氧化锌、纳米氧化银和纳米碳化硅的混合物，该混合物中各组分的重量组成为：纳米氧化锌40-60％、纳米氧化银40-60％和纳米碳化硅5-20％。
[0009]
一种抗静电af镀层材料的制备方法，包括如下步骤：
[0010]
s1、按照组成配比，准备好各原料；
[0011]
s2、按照配比将纳米二氧化硅和氟化物进行混合，混合均匀，然后在800-1100℃下进行烧结3-6h，然后在1260℃以上进行真空融化3-6h，得到预处理后的混合物；
[0012]
s3、待s2步骤中所制得的预处理后的混合物冷却后，依次向其中加入二氧化钛、氟化石墨和纳米抗静电材料，混合均匀。
[0013]
本发明的有益效果是：
[0014]
本发明的镀层材料可用于对玻璃、金属等制品上进行镀膜，该镀层材料适应性广，所制备的镀膜具有较好的防指纹、防油污等效果，且镀层材料中还掺杂有纳米抗静电材料，有助于提高镀膜的抗静电效果，此外镀层材料还含有少量氟化石墨，能够起到提高润滑性的作用。
具体实施方式
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实施例1
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一种抗静电af镀层材料，包括如下重量份的组分：纳米二氧化硅45重量份、氟化镁
40重量份、二氧化钛14重量份、氟化石墨0.2重量份和纳米抗静电材料0.8重量份，所述纳米抗静电材料为纳米氧化锌、纳米氧化银和纳米碳化硅的混合物，该混合物中各组分的重量组成为：纳米氧化锌50％、纳米氧化银40％和纳米碳化硅10％。
[0017]
实施例2
[0018]
一种抗静电af镀层材料，包括如下重量份的组分：纳米二氧化硅50重量份、氟化镁38重量份、二氧化钛11重量份、氟化石墨0.2重量份和纳米抗静电材料0.8重量份，所述纳米抗静电材料为纳米氧化锌、纳米氧化银和纳米碳化硅的混合物，该混合物中各组分的重量组成为：纳米氧化锌45％、纳米氧化银45％和纳米碳化硅10％。
[0019]
实施例3
[0020]
一种抗静电af镀层材料，包括如下重量份的组分：纳米二氧化硅50重量份、氟化镁33.5重量份、二氧化钛15重量份、氟化石墨0.3重量份和纳米抗静电材料1.2重量份，所述纳米抗静电材料为纳米氧化锌、纳米氧化银和纳米碳化硅的混合物，该混合物中各组分的重量组成为：纳米氧化锌40％、纳米氧化银45％和纳米碳化硅15％。
[0021]
上述实施例1-3所对应的抗静电af镀层材料的制备方法，包括如下步骤：
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s1、按照实施例1-3中的组成配比，准备好各原料；
[0023]
s2、按照配比将纳米二氧化硅和氟化物进行混合，混合均匀，然后在800℃下进行烧结3h，然后在1260℃以上进行真空融化3h，得到预处理后的混合物；
[0024]
s3、待s2步骤中所制得的预处理后的混合物冷却后，依次向其中加入二氧化钛、氟化石墨和纳米抗静电材料，混合均匀。
[0025]
采用玻璃基板，分别利用实施例1-3所制得的镀层材料以及常规的二氧化硅材料对玻璃基板进行镀膜，镀膜条件为：镀膜机直径1100mm，材料在镀膜时的蒸发速度为10a
°
/s，玻璃基板温度为200℃，与常规的二氧化硅镀膜相比，实施例1-3所对应镀膜的防油污性能、防指纹性能和抗静电性都有了较大的改善。
[0026]
本发明的镀层材料可用于对玻璃、金属等制品上进行镀膜，该镀层材料适应性广，所制备的镀膜具有较好的防指纹、防油污性等效果，且镀层材料中还掺杂有纳米抗静电材料，有助于提高镀膜的抗静电效果，此外镀层材料还含有少量氟化石墨，能够起到提高润滑性的作用。
[0027]
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。