显示装置的制作方法

1.本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种显示装置。


背景技术：

2.将感测器(如光感测器)设置在显示面板内时，感测器易受到杂散光照射，影响感测器感测图像。


技术实现要素：

3.本揭露提供一种显示装置，其可减少杂散光对于感测器的影响。
4.根据本揭露的一些实施例，显示装置包括背光模块以及显示面板。显示面板设置在背光模块上且包括两个基板、感测器以及光遮蔽元件。感测器设置在两个基板之间。光遮蔽元件至少部分环绕感测器。光遮蔽元件的高度大于感测器的高度。
5.根据本揭露的另一些实施例，显示装置包括背光模块以及显示面板。显示面板设置在背光模块上且包括两个基板、感测器以及光遮蔽元件。感测器设置在两个基板之间。光遮蔽元件的部分延伸至感测器以及背光模块之间，且光遮蔽元件的部分的延伸长度大于或等于感测器的高度。
6.为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
7.图1至图10分别是根据本揭露的多个实施例的显示装置的局部剖面示意图；
8.图11至图14分别是根据本揭露的多个实施例的显示装置的局部俯视示意图。
具体实施方式
9.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露。须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只示出电子装置/显示装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
10.本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为
…”
之意。
11.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层“上”或“连接”另一个元件或膜层时，所述元件或膜
层可以直接在所述另一元件或膜层上或直接连接到所述另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
12.本文中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
13.在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”、“接触”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
14.在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭露涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
15.本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot led，可包括qled、qdled)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
16.本揭露的显示装置例如是非自发光显示装置，但不限于此。非自发光显示装置可包括液晶显示装置，但不以此为限。下文将以液晶显示装置作为显示装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
17.图1至图10分别是根据本揭露的多个实施例的显示装置的局部剖面示意图。图11至图14分别是根据本揭露的多个实施例的显示装置的局部俯视示意图。
18.请参照图1，显示装置1可包括背光模块10以及显示面板12。背光模块10可用以提供照明光束至显示面板12。举例来说，背光模块10可包括直下式背光模块或侧入式背光模块，于此不加以限制。
19.显示面板12设置在背光模块10上，以接收来自背光模块10的照明光束。以液晶显示面板为例，显示面板12可包括第一基板结构120、设置在第一基板结构120上的第二基板结构122以及设置在第一基板结构120以及第二基板结构122之间的液晶层124。
20.第一基板结构120可为元件阵列基板结构。尽管未示出于图1，第一基板结构120可包括基板以及设置在基板上的线路、元件(如开关元件)、电极、和/或其他适当的层或元件等，但不以此为限。
21.第二基板结构122可为彩色滤光基板结构。尽管未示出于图1，第二基板结构122可
包括基板以及设置在基板上的遮光层、滤光层、电极和/或其他适当的层或元件等，但不以此为限。在一些实施例中，滤光层、或遮光层可设置在第一基板结构120中的基板上。
22.为了使读者能容易了解及附图的简洁，图2至图10仅示意性示出显示装置中背光模块以及第一基板结构两者的局部区域，其他未示出的结构请参照图1的说明，于下便不再重述。
23.请参照图2，显示装置1a可包括两个基板(如第一基板结构120a的基板1200以及图1中第二基板结构122的基板)、感测器1202以及光遮蔽元件1204。
24.两个基板可用以承载元件和/或膜层。举例来说，两个基板各自的材质可包括玻璃、塑胶、其他适当的材料、或上述的组合，但不以此为限。
25.感测器1202可设置在两个基板之间。感测器1202可用以接收光束。举例来说，感测器1202可用以接收按压在显示装置1a上的手指所反射的光束，以利后续指纹识别，但不以此为限。感测器1202可包括光感测器(photodetector)，例如pin接面型光电二极管或pn接面型光电二极管，但不以此为限。在一实施例中，感测器1202可包含p型半导体层、n型半导体层及低掺杂半导体层，低掺杂半导体层可位于p型半导体层与n型半导体层之间，但不限于此。
26.光遮蔽元件1204至少部分环绕感测器1202，以减少杂散光对于感测器1202的影响(例如：降低感测器1202所接收到的杂散光)。在一些实施例中，光遮蔽元件1204可包括光吸收元件、光反射元件或上述的组合。在本实施例中，如图2所示，光遮蔽元件1204可包括光反射元件，但不限于此。举例来说，用以电性连接感测器1202的下电极el可作为光遮蔽元件1204。通过下电极el将朝向感测器1202入射的杂散光反射，可减少杂散光对于感测器1202的影响。
27.在下电极el作为光遮蔽元件1204的架构下，光遮蔽元件1204可包含部分p1及部分p2，部分p1可环绕感测器1202，部分p2可进一步延伸至感测器1202以及背光模块10之间，其中光遮蔽元件1204的部分p2与感测器1202接触且为电的良导体。举例来说，部分p2的材质可包括金属、合金、其他适当的导体、其他适当的遮光材料、或上述的组合，但不以此为限。部分p1和/或部分p2可为单层或多层结构，但不限于此。在某些实施例中，光遮蔽元件1204的材料也可包含透明导电材料(例如氧化铟锡)及遮光材料的组合，但不限于此。
28.在本实施例中，如图2所示，部分p1以及部分p2彼此连接。部分p1以及部分p2可由同一道图案化制程形成且可由相同的材质形成，以简化制程，但不以此为限。在其他实施例中，部分p1以及部分p2可彼此分离、由不同道图案化制程形成和/或由不同的材质形成。
29.在一些实施例中，如图2所示，光遮蔽元件1204的高度h1204可大于感测器1202的高度h1202，以阻挡来自高处的杂散光。光遮蔽元件1204的高度h1204可定义为第一基板结构120a中某一平面(低于光遮蔽元件1204以及感测器1202的平面，如基板1200的上表面s1200)至光遮蔽元件1204的顶面s1204(例如：光遮蔽元件1204最远离上表面s1200的表面)在显示装置1a的厚度方向z上的最大距离。同理，感测器1202的高度h1202可定义为所述平面(如基板1200的上表面s1200)至感测器1202的顶面s1202(例如：感测器1202最远离上表面s1200的表面)在显示装置1a的厚度方向z上的最大距离。在其他实施例中，可将光遮蔽元件1204的底面与顶面s1204之间的最大距离定义为光遮蔽元件1204的高度，同时将光遮蔽元件1204的底面与感测器1202的顶面s1202之间的最大距离定义为感测器1202的高度，但
不限于此。使光遮蔽元件1204的高度h1204大于感测器1202的高度h1202的方法可包括在显示装置1a的一个或多个绝缘层(如绝缘层1222)中形成凹陷c，且将光遮蔽元件1204设置在凹陷c中，其中光遮蔽元件1204的部分p2可设置在凹陷c的底部上，而光遮蔽元件1204的部分p1可设置在凹陷c的侧壁上。此外，可将感测器1202设置在凹陷c中且在光遮蔽元件1204上，例如将感测器1202设置在光遮蔽元件1204的部分p2上，使得光遮蔽元件1204的高度h1204大于感测器1202的高度h1202，但不限于此。在某些实施例中，绝缘层1222可包含有机绝缘层，但不限于此。
30.依据不同的需求，显示装置1a还可包括其他元件或膜层。以图2为例，除了基板1200、感测器1202、光遮蔽元件1204以及绝缘层1222之外，显示装置1a的第一基板结构120a还可包括遮光层1206、绝缘层1208、半导体层1210、闸绝缘层1212、第一导电层1214、绝缘层1216、第二导电层1218、绝缘层1220、绝缘层1224、绝缘层1226、绝缘层1228、绝缘层1230、绝缘层1232、第一透光导电层1234、绝缘层1236以及第二透光导电层1238，但不以此为限。第一基板结构120a可依需求而增加或减少一个或多个元件或膜层。上述绝缘层可包含有机绝缘层或无机绝缘层。上述绝缘层可为单层或多层结构，在多层结构的实施例中，绝缘层可包含有机绝缘层及无机绝缘层的堆叠结构，但不限于此。
31.遮光层1206可设置在基板1200上。举例来说，遮光层1206的材质可包括金属、合金、黑色矩阵、其他适合的材料(例如光反射材料或光吸收材料)、或上述的组合，但不以此为限。遮光层1206可为图案化膜层。举例来说，遮光层1206可包括多个遮光图案p1206(图2仅示意性示出一个)，但不以此为限。
32.绝缘层1208可设置在遮光层1206以及基板1200上。绝缘层1208可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1208的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。
33.半导体层1210可设置在绝缘层1208上，且半导体层1210可通过绝缘层1208而与遮光层1206分离/电性绝缘。举例来说，半导体层1210的材质可包括多晶硅、非晶硅、金属氧化物、或其组合，但不以此为限。在本实施例中，半导体层1210例如为多晶硅半导体层，且半导体层1210可包括多个半导体图案ch(图2仅示意性示出一个)。半导体图案ch可包括通道区r1、低掺杂区r21、低掺杂区r22、源极区r3以及汲极区r4，其中低掺杂区r21位于通道区r1以及源极区r3之间，且低掺杂区r22位于通道区r1以及汲极区r4之间。在一些实施例中，第一基板结构120可包含多个半导体层，例如包含硅半导体层(例如多晶硅、或非晶硅)及金属氧化物半导体层，附图仅示意性地示出一半导体层。
34.多个半导体图案ch以及多个遮光层1206在显示装置1a的厚度方向z上可重叠。若未特别说明，则本揭露的“重叠”可包涵完全重叠及部分重叠。通过将遮光层1206设置在背光模块10与半导体层1210之间，遮光层1206可遮蔽(例如反射或吸收)朝向半导体层1210入射的光束，进而有助于降低来自背光模块10的光束对于半导体层1210的影响。
35.闸绝缘层1212可设置在半导体层1210以及绝缘层1208上。在一实施例中，绝缘层1212可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1212的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。
36.第一导电层1214可设置在闸绝缘层1212上，且第一导电层1214可通过闸绝缘层1212而与半导体层1210分离/电性绝缘。举例来说，第一导电层1214的材质可包括金属、合
金或上述的组合，但不以此为限。第一导电层1214可为图案化膜层。举例来说，第一导电层1214可包括多个栅极ge(图2仅示意性示出一个)以及其他线路(如图11所示的多条扫描线sl)，但不以此为限。多个栅极ge以及多个半导体图案ch在显示装置1a的厚度方向z上重叠。
37.应理解，尽管图2示意性示出顶栅极式开关元件，但第一基板结构120a中开关元件的种类可依需求改变，而不以图2所显示的为限。举例来说，在其他未示出的实施例中，第一基板结构120a中的开关元件也可包括底栅极式开关元件或双栅极式开关元件。在底栅极式开关元件或双栅极式开关元件的架构下，可选择性省略遮光层1206或可减少遮光层1206的面积，但不限于此。
38.绝缘层1216可设置在第一导电层1214以及闸绝缘层1212上。在一实施例中，绝缘层1216可为无机绝缘层、或有机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1216的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。
39.第二导电层1218可设置在绝缘层1216上。在一实施例中，第二导电层1218可通过绝缘层1216而与第一导电层1214分离/电性绝缘。举例来说，第二导电层1218的材质可包括金属、合金或上述的组合，但不以此为限。第二导电层1218可为图案化膜层。举例来说，第二导电层1218可包括多个源极se(图2仅示意性示出一个)、多个汲极(未示出)以及其他线路(如图11所示的多条数据线dl)，但不以此为限。每一个源极se可贯穿绝缘层1216以及绝缘层1212而与对应的源极区r3接触。类似地，每一个汲极(未示出)可贯穿绝缘层1216以及绝缘层1212而与对应的汲极区r4接触。
40.绝缘层1220可设置在第二导电层1218以及绝缘层1216上。在一实施例中，绝缘层1220可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1220的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。绝缘层1220可具有暴露出源极se的贯孔th1。
41.绝缘层1222可设置在绝缘层1220上。在一实施例中，绝缘层1222可为有机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1222的材质可包括压克力树脂、感光树脂、聚酰亚胺(polyimide)、聚合物(polymer)或上述的组合，但不以此为限。绝缘层1222的凹陷c可暴露出绝缘层1220的贯孔th1。
42.绝缘层1224可设置在绝缘层1222上。绝缘层1224可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1224的材质可包括氧化硅、氮化硅、或上述的组合，但不以此为限。绝缘层1224可具有贯孔th2，贯孔th2可暴露出凹陷c。在一实施例中，光遮蔽元件1204可设置在绝缘层1224上且可通过贯孔th2、凹陷c和/或贯孔th1而与对应的源极se接触。
43.绝缘层1226可设置在光遮蔽元件1204以及绝缘层1224上。在一实施例中，绝缘层1226可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1226的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。绝缘层1226可具有暴露出局部光遮蔽元件1204的开口a。感测器1202可通过开口a而与光遮蔽元件1204接触/电性连接。
44.绝缘层1228设置在感测器1202以及绝缘层1226上。在一实施例中，绝缘层1228可为有机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1228的材质可包括压克力树脂、感光树脂、聚酰亚胺、聚合物或上述的组合，但不以此为限。
45.绝缘层1230以及绝缘层1232可依序设置在绝缘层1228上。在一实施例中，绝缘层1230以及绝缘层1232可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1230以及绝缘层1232的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。
46.第一透光导电层1234可设置在绝缘层1232上。举例来说，第一透光导电层1234的材质可包括金属氧化物(如氧化铟锡)、石墨烯或金属网格，但不以此为限。第一透光导电层1234可为图案化膜层。举例来说，第一透光导电层1234可包括多个触控元件tp(图2仅示意性示出一个)以及其他线路(未示出，如多条导线)，但不以此为限。
47.绝缘层1236可设置在第一透光导电层1234以及绝缘层1232上。在一实施例中，绝缘层1236可为无机绝缘层，但不以此为限。举例来说，绝缘层1236的材质可包括氧化硅、氮化硅或上述的组合，但不以此为限。
48.第二透光导电层1238可设置在绝缘层1236上，且第二透光导电层1238可通过绝缘层1236而与第一透光导电层1234分离/电性绝缘。举例来说，第二透光导电层1238的材质可包括金属氧化物(如氧化铟锡)、石墨烯或金属网格，但不以此为限。第二透光导电层1238可为图案化膜层。举例来说，第二透光导电层1238可包括多个像素电极pe(图2仅示意性示出三个)以及其他线路(未示出，如多条导线)，但不以此为限。
49.请参照图3，显示装置1b与图2的显示装置1a的主要差异如下所述。在显示装置1b的第一基板结构120b中，除了光遮蔽元件(例如下电极el)之外，光遮蔽元件1204b还包括光遮蔽元件ab。举例来说，光遮蔽元件ab的材质可包括光反射材料或光吸收材料(例如黑色树脂或其他可吸光的材质)，但不限于此。光遮蔽元件ab可通过贯孔th3而与下电极el接触/连接。在一实施例中，贯孔th3可贯穿绝缘层1236、绝缘层1232、绝缘层1230以及绝缘层1228并延伸进绝缘层1226中而暴露出局部下电极el，但不限于此。
50.请参照图4，显示装置1c与图3的显示装置1b的主要差异如下所述。在显示装置1c的第一基板结构120c中，光遮蔽元件ab可未与下电极el接触/连接。此外，光遮蔽元件ab可通过贯孔th3’而与绝缘层1224接触/连接。贯孔th3’可贯穿绝缘层1236、绝缘层1232、绝缘层1230、绝缘层1228以及绝缘层1226而暴露出绝缘层1224。
51.请参照图5，显示装置1d与图2的显示装置1a的主要差异如下所述。在显示装置1d的第一基板结构120d中，光遮蔽元件1204d可包括延伸至感测器1202以及背光模块10之间的部分p2且可不包括环绕感测器1202的部分p1(参照图2)。
52.在一实施例中，光遮蔽元件1204d的部分p2可设置在绝缘层1224上且延伸进贯孔th2、凹陷c以及贯孔th1中而与对应的源极se接触。此外，光遮蔽元件1204d的部分p2的高度(即，光遮蔽元件1204d的高度h1204)可小于感测器1202的高度h1202，但不限于此。
53.另外，光遮蔽元件1204d的部分p2的延伸长度l1204可大于或等于感测器1202的厚度t1202，以降低自背光模块10射出的光束直接照射到感测器1202的机率。部分p2的延伸长度l1204可定义为部分p2的边缘e1204至感测器1202的边缘e1202之间的最短距离。感测器1202的厚度t1202可定义为感测器1202在显示装置1a的厚度方向z上的最大厚度。
54.请参照图6，显示装置1e与图5的显示装置1d的主要差异如下所述。在显示装置1e的第一基板结构120e中，除了光遮蔽元件(下电极el)之外，光遮蔽元件1204e还可包括光遮蔽元件ab。举例来说，光遮蔽元件ab的材质可包括光反射材料或光吸收材料(例如黑色树脂或其他可吸光的材质)。光遮蔽元件ab可通过贯孔th3而与下电极el接触/连接。贯孔th3可贯穿绝缘层1236、绝缘层1232、绝缘层1230以及绝缘层1228并延伸进绝缘层1226中而暴露出局部下电极el。在其他未示出的实施例中，图6的贯孔th3可替换成图4的贯孔th3’，且光遮蔽元件ab可通过贯孔th3’而与绝缘层1224接触/连接，但不限于此。
55.请参照图7，显示装置1f与图5的显示装置1d的主要差异如下所述。显示装置1f的第一基板结构120f还包括第四导电层1240。第四导电层1240的材质可包括金属、合金或上述的组合，但不以此为限。
56.在一实施例中，第四导电层1240可设置在绝缘层1230上且可为图案化膜层。举例来说，第四导电层1240可包括多条信号走线w(图7仅示意性示出两条)以及其他线路(未示出)，但不以此为限。每一条信号走线w可通过贯穿绝缘层1230以及绝缘层1228的贯孔th4而与绝缘层1226接触/连接。此外，信号走线w可通过绝缘层1226而与下电极el所在的第三导电层分离/电性绝缘，但不限于此。信号走线w、位于信号走线w下的下电极el以及两者之间的绝缘层1226可构成一电容。在一些实施例中，此电容可作为感测器1202的存储电容，以弥补因面积不足所造成的存储电容不足的问题。在其他未示出的实施例中，贯孔th4可进一步延伸至绝缘层1226中而暴露出局部下电极el，且信号走线w可通过贯孔th4而与下电极el接触/连接，以遮蔽更多的杂散光。
57.在本实施例中，下电极el以及信号走线w可皆为光反射元件，因此可皆作为光遮蔽元件1204f。在由下电极el以及信号走线w所组成的光遮蔽元件1204f中，下电极el可设置在感测器1202以及背光模块10之间，而可用以阻挡来自低处(靠近基板1200侧)的杂散光；另一方面，信号走线w环绕感测器1202，而可用以阻挡来自高处(靠近像素电极pe侧)的杂散光。
58.请参照图8，显示装置1g与图7的显示装置1f的主要差异如下所述。在显示装置1g的第一基板结构120g中，除了光遮蔽元件(下电极el以及信号走线w)之外，光遮蔽元件1204g还可包括光遮蔽元件ab。举例来说，光遮蔽元件ab例如为光吸收元件。光遮蔽元件ab的材质可包括黑色树脂或其他可吸光的材质。光遮蔽元件ab可通过贯孔th5而与信号走线w接触/连接。贯孔th5可贯穿绝缘层1236以及绝缘层1232并延伸进贯孔th4中而暴露出局部信号走线w。在图8的架构下，贯孔th4也可进一步延伸至绝缘层1226中而暴露出局部下电极el，且信号走线w可通过贯孔th4而与下电极el接触/连接。
59.请参照图9，显示装置1h与图8的显示装置1g的主要差异如下所述。在显示装置1h的第一基板结构120h中，除了光遮蔽元件(下电极el以及信号走线w)之外，光遮蔽元件1204h还可包括光遮蔽元件ab。光遮蔽元件ab可通过贯孔th6而与信号走线w接触/连接。贯孔th6可贯穿绝缘层1236并延伸进绝缘层1232中而暴露出局部信号走线w。在图9的架构下，贯孔th4也可进一步延伸至绝缘层1226中而暴露出局部下电极el，且信号走线w可通过贯孔th4而与下电极el接触/连接。举例来说，光遮蔽元件ab的材质可包括光反射材料或光吸收材料(例如黑色树脂或其他可吸光的材质)。
60.请参照图10，显示装置1i与图7的显示装置1f的主要差异如下所述。在一实施例中，在显示装置1i的第一基板结构120i中，绝缘层1228’可仅设置在感测器1202及其周围，且绝缘层1228’的表面可例如呈现弧形或其他适当的形状，但不限于此。在其他实施例中，绝缘层1228’也可与绝缘层1230为同一层，例如经由沉积制程及微影蚀刻制程形成如图10的结构，而没有绝缘层1228’与绝缘层1230之间的界面。信号走线w可覆盖在绝缘层1228’上且具有暴露出感测器1202的开口aw。开口aw的尺寸可视需要而定，于此不加以限制。在某些实施例中，开口aw的最大宽度可等于或小于感测器1202的最大宽度，但不限于此。在其他实施例中，开口aw的最大宽度可大于感测器1202的最大宽度(请见后续图11至图14)，但不限
于此。开口aw的最大宽度可介于感测器1202的最大宽度的0.6倍至1.5倍，例如0.9倍、或1.2倍，但不限于此。
61.信号走线w可通过贯孔th7而与下电极el接触/连接。贯孔th7可贯穿绝缘层1230并延伸进绝缘层1226中而暴露出局部下电极el。举例来说，在此架构下，由于绝缘层1228’设计改为半球状设计，使得形成贯孔th7时可无须考虑绝缘层1228’的厚度，仅需考虑绝缘层1230以及部分的绝缘层1226的厚度，因此可有效缩减贯孔th7的尺寸，进而提升像素开口率，但不限于此。在其他未示出的实施例中，贯孔th7也可仅贯穿绝缘层1230并暴露出局部绝缘层1226，且信号走线w可通过贯孔th7而与绝缘层1226接触/连接。
62.在图10的架构下，下电极el以及信号走线w可共同作为光遮蔽元件1204i。在光遮蔽元件1204i中，下电极el可用以阻挡靠近基板1200侧的杂散光；另一方面，信号走线w可用以阻挡射往感测器1202的侧边以及从靠近像素电极pe侧而来的杂散光。
63.为了使读者能容易了解及附图的简洁，图11至图14仅示意性示出显示装置中第一基板结构的局部区域(包括多个开口区r以及感测器1202所在的区域)，其他未示出的结构(如各像素中的开关元件、与感测器1202电性连接的开关元件或其他线路)请参照上述说明，于下便不再重述。开口区r可对应像素。
64.请参照图11至图14，感测器1202可设置在相邻两条扫描线sl之间，但不限于此。除了下电极el以及信号走线w之外，光遮蔽元件还可包括遮光图案w’。信号走线w以及遮光图案w’可同属于第四导电层1240，但不限于此。在一些实施例中，如图11及图12所示，遮光图案w’可环绕感测器1202。在其他实施例中，如图13及图14所示，遮光图案w’可设置在感测器1202面向多个开口区r的相对侧，以降低来自多个开口区r的杂散光对于感测器1202的影响。在一些实施例中，如图11及图13所示，信号走线w以及遮光图案w’可彼此相连。在其他实施例中，如图12及图14所示，信号走线w以及遮光图案w’可彼此分离。
65.综上所述，在本揭露的实施例中，通过光遮蔽元件来阻挡杂散光，进而减少杂散光对于感测器的影响。在一些实施例中，可利用感测器的下电极作为光遮蔽元件。在一些实施例中，可设置光吸收元件来阻挡来自高处的杂散光。
66.以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
67.虽然本揭露的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更改、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例中的特征的替换、修改、组合、和/或、重组。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。