技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，所述金属光致抗蚀剂层是两种或更多种金属元素的合金层；将所述金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以通过改变所述合金层的曝光部分的相态来形成潜在图案；以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影所述潜在图案，以形成图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中：在所述选择性曝光之前，所述合金层是非晶层，并且所述选择性曝光将所述合金层的曝光部分改变为结晶或多晶。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光化辐射是极紫外线辐射。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述合金层包括选自于由以下各项组成的组的两项或更多项：ag、cd、in、sn、sb、te、cs、au、hg、tl、pb、bi、po和at。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述合金层包括sn和选自于由以下各项组成的组的一项或多项：sb、in、te和ag。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属光致抗蚀剂层通过原子层沉积ald、化学气相沉积cvd或物理气相沉积pvd被沉积在所述靶层之上。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属光致抗蚀剂层通过使用靶以溅射方式进行pvd而被沉积在所述靶层之上，所述靶包括具有与所述合金层相同的元素成分的合金。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属光致抗蚀剂层通过使用两个或更多个靶以溅射方式进行pvd而被沉积在所述靶层之上，所述两个或更多个靶与所述合金层的所述两种或更多种金属元素相对应。9.一种制造半导体器件的方法，包括：在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层；将所述金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案；以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影所述潜在图案，以形成图案，其中，所述金属光致抗蚀剂层包括两层或更多层，第一层由第一金属元素制成，第二层由不同于所述第一金属元素的第二金属元素制成，并且所述选择性曝光将所述两层或更多层的曝光部分转换成所述第一金属元素和所述第二金属元素的合金层。10.一种制造半导体器件的方法，包括：在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层；将所述金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案；以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影所述潜在图案，以形成图案，其中，所述金属光致抗蚀剂层包括一个或多个金属或金属合金层，并且所述一个或多个金属或金属合金层包括选自于由以下各项组成的组的两项或更多项：ag、in、sn、sb和te。
技术总结
本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。态。态。
技术研发人员：訾安仁 何俊智 郑雅如 张庆裕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.20
技术公布日：2021/9/9