一种低触控负载的像素结构的制作方法

1.本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种低触控负载的像素结构。


背景技术：

2.现有像素结构透光区的像素电极往往采用米字形的结构，亦即透光区由很多条状的像素电极组成，每条像素电极之间具有狭缝间隔，由于狭缝部分没有电极，因此电场强度较弱，从而引起部分穿透率的损失，降低了现实质量。
3.申请号为【cn201410041106.6】的中国专利，其内容为：一种像素结构及其制作方法和显示面板，所述像素结构的制作方法包括步骤：在基板上形成一图案化的第一金属层；在基板上形成一平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。
4.上述对比文件中虽然增加金属厚度，减少走线阻值，并新增平坦绝缘层，避免厚金属的高低地形影响后制程的膜层覆盖性，但是，上述对比文件中通过增加金属厚度，使整体厚度增加，会影响实际的使用，而且上述对比文件中，并不能提升触控灵敏度喝噪声比，使用效果一般，所以，我们提出一种低触控负载的像素结构，以解决上述问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种低触控负载的像素结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种低触控负载的像素结构，包括半导体层，所述半导体层的底面固定连接绝缘层一，所述绝缘层一的底面固定连接金属层一，所述半导体层的一侧设置金属层二，所述半导体层的上表面固定连接绝缘层二，所述绝缘层二的上表面固定连接绝缘层三，所述绝缘层三的上表面固定连接金属层三，所述金属层三的上表面固定连接金属层四，所述金属层四的左右两侧及金属层三的上表面分别固定连接绝缘层四，所述金属层四的上表面固定连接ito共电极，所述ito共电极和金属层四的上表面固定连接绝缘层五，所述绝缘层五的上表面固定连接ito画素电极。
7.优选的，所述半导体层的上表面与绝缘层二的底面固定连接，所述半导体层与金属层二的上表面平齐，方便对半导体层固定，同时将半导体层和金属层二设置在同一水平面，方便二者使用。
8.优选的，所述ito画素电极设置在绝缘层五上表面左右两侧对称的位置，所述绝缘层五底面紧贴ito共电极和金属层四的上表面，方便与外界电线连接，以便整体正常使用。
9.优选的，所述金属层四和绝缘层四的形状相同，所述ito共电极设置为两个，并分别设置在金属层四上表面的左右两侧对称的位置，通过将ito共电极设置在金属层四的上表面，能够降低触控讯号的阻值负载。
10.优选的，所述金属层三的设置在两个绝缘层四之间的位置，两个所述绝缘层四包裹金属层三，能够减少金属层三与金属层四的接触面积，避免影响使用。
11.优选的，所述绝缘层二包裹半导体层和金属层二，所述绝缘层二的一端底面与绝缘层一的上表面固定连接，通过绝缘层一和绝缘层二对半导体层包裹，能够保护半导体层，避免受到损坏，影响使用。
12.本发明的技术效果和优点：一种低触控负载的像素结构，透过新增金属层四作为 ito 共电极之间相连的桥梁，金属层与ito 共电极直接连接，以降低触控讯号传递的阻值，并将触控讯号线与ito 共电极之间绝缘层四，减少寄生电容，可有效降低触控讯号的负载，提升触控灵敏度。
附图说明
13.图1为本发明的俯视结构示意图；图2为本发明侧剖结构示意图；图3为发明主剖结构示意图。
14.图中：1、半导体层；2、绝缘层一；3、金属层一；4、金属层二；5、绝缘层二；6、金属层三；7、金属层四；8、绝缘层四；9、ito共电极；10、绝缘层五；11、ito画素电极；12、绝缘层三。
具体实施方式
15.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
16.本发明提供了如图1
‑
3所示的一种低触控负载的像素结构，包括半导体层1，所述半导体层1的底面固定连接绝缘层一2，所述绝缘层一2的底面固定连接金属层一3，所述半导体层1的一侧设置金属层二4，所述半导体层1的上表面固定连接绝缘层二5，通过在半导体层1的上下表面分别设置绝缘层二5和绝缘层一2，能够对半导体层1保护，避免半导体层1受到损坏，同时将半导体层1与金属层二4设置在同一水平面，方便半导体层1与金属层二4连接，以便整体正常使用所述绝缘层二5的上表面固定连接绝缘层三12，所述绝缘层三12的上表面固定连接金属层三6，所述金属层三6的上表面固定连接金属层四7，所述金属层四7的左右两侧及金属层三6的上表面分别固定连接绝缘层四8，所述金属层四7的上表面固定连接ito共电极9，所述ito共电极9和金属层四7的上表面固定连接绝缘层五10，所述绝缘层五10的上表面固定连接ito画素电极11，通过将金属层四7安装在ito共电极9的下方，能够降低触控讯号的阻值负载，同时在金属层三6和金属层四7之间设置绝缘层四8，降低各电极对触控讯号产生的寄生电容，减少电容耦合效应，有利于提升主动笔讯号的噪声比。
17.所述半导体层1的上表面与绝缘层二5的底面固定连接，所述半导体层1与金属层二4的上表面平齐。所述ito画素电极11设置在绝缘层五10上表面左右两侧对称的位置，所述绝缘层五10底面紧贴ito共电极9和金属层四7的上表面。所述金属层四7和绝缘层四8的形状相同，所述ito共电极9设置为两个，并分别设置在金属层四7上表面的左右两侧对称的位置。
18.所述金属层三6的设置在两个绝缘层四8之间的位置，两个所述绝缘层四8包裹金
属层三6。所述绝缘层二5包裹半导体层1和金属层二4，所述绝缘层二5的一端底面与绝缘层一2的上表面固定连接。
19.具体使用时，为了不降低像素开口，故将金属层三6的触控讯号线配置在数据线上方，并新增金属层四7设置在ito共电极9的下方，且二者为直接连接，此为利用低阻值的金属来取代高阻值与ito共电极9的讯号串接，可有效降低触控讯号的阻值负载。
20.如图二所示，触控讯号的电容负载大致可分为金属层三6触控讯号线与ito共电极9对自身像素各电极的寄生电容，以及自身触控的ito画素电极11与其他触控金属层三6或ito共电极9之间的寄生电容，其中又以金属层三6及ito共电极9对各电极的寄生电容影响最大，且主动笔受不同触控讯号之间的电容影响较为关注，故针对此部分的触控讯号的负载做改善。
21.如图三所示，将位于金属层三6触控讯号线与金属层四7或ito共电极9之间的绝缘层四8改用较低介电常数的材料取代，可有效降低各电极对触控讯号产生的寄生电容，减少电容耦合效应，有利于提升主动笔讯号的噪声比，该装置能够降低触控讯号的寄生电容及ito串连阻值，以提升触控讯号的灵敏度。
22.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。