半透半反显示面板中的阵列基板及半透半反显示面板的制作方法

1.本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种半透半反显示面板中的阵列基板及半透半反显示面板。


背景技术：

2.半透半反液晶显示装置具有功耗低、环境适应性强的特点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动显示设备。
3.现有半透半反显示面板中的阵列基板在制作时，需经过如图1所示的多道工序，制作工序多且复杂，产品良率低。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种半透半反显示面板中的阵列基板及半透半反显示面板，以解决阵列基板及显示面板产品制作工序复杂、产品良率低的技术问题。
5.为解决上述问题，第一方面，本实用新型公开了一种半透半反显示面板中的阵列基板，所述阵列基板包括：
6.衬底基板；
7.像素结构层，包括设置于所述衬底基板上的栅电极、半导体层、源漏电极、公共电极及像素电极，其中，所述公共电极与所述栅电极或所述源漏电极同层设置；
8.反射层，包括反射基底及设置于所述反射基底上的反射膜层，所述反射基底及所述反射膜层设置于所述像素结构层远离所述衬底基板的一侧且与所述像素电极对应设置，所述反射膜层的面积小于所述像素电极的面积。
9.在一实施例中，所述反射基底包括镜面反射区及漫反射区。
10.在一实施例中，所述反射基底包括基体及形成于所述基体部分表面上的凸起结构，所述凸起结构形成所述漫反射区。
11.在一实施例中，所述基体及所述凸起结构为透光树脂。
12.在一实施例中，所述透光树脂为聚甲基丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯或聚碳酸酯。
13.在一实施例中，所述反射膜层的材料为铝或钼。
14.在一实施例中，所述半导体层的材料为非晶硅、低温多晶硅或氧化铟镓锌。
15.在一实施例中，所述衬底基板为玻璃基板或柔性基板。
16.在一实施例中，每个所述像素电极包括至少两个导电块，相邻两个所述导电块间电连接，所述反射层覆盖至少一个所述导电块。
17.本实用新型提供的半透半反显示面板中的阵列基板，通过将公共电极与栅电极或源漏电极同层设置，可简化阵列基板的制作工序及结构，从而有效提高阵列基板产品良率，降低产品制作成本。另外，通过设置反射层并改进反射基底结构，使得阵列基板产品在强光环境及弱光环境中均具有良好的可读性，且能够有效拓宽阵列基板产品的显示视角，提升
阵列基板产品的使用性能。
18.第二方面，本实用新型公开了一种半透半反显示面板，包括第一方面中所述的阵列基板，以及与所述阵列基板相对设置的对向基板。
19.本实用新型提供的显示面板中，通过将阵列基板中的公共电极与栅电极或源漏电极同层设置，可简化阵列基板的制作工序及结构，从而能够简化显示面板的制作工序及结构，进而有效提高显示面板的产品良率，降低产品制作成本。另外，通过在阵列基板中设置反射层并改进反射基底结构，使得采用此阵列基板的显示面板产品在强光环境及弱光环境中均具有良好的可读性，且能够有效拓宽显示面板产品的显示视角，提升显示面板产品的使用性能。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为现有技术中阵列基板的像素结构层及反射层的分解示意图；
22.图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图；
23.图3为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的像素结构层及反射层的分解示意图；
24.图4为本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的像素结构层及反射层的分解示意图；
25.图5为图4所示阵列基板的俯视图。
26.主要元件符号说明：
27.1、衬底基板；2、栅电极；3、第一绝缘层；4、半导体层；5、源漏电极；6、公共电极；7、过孔；8、第二绝缘层；9、像素电极；10、反射基底；11、反射膜层；101、基体；102、凸起结构；901、导电块；902、狭缝。
具体实施方式
28.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
29.需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以是直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
30.第一方面，本实用新型公开了一种半透半反显示面板中的阵列基板。如图2、图3和
图5所示，上述阵列基板包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的像素结构层及反射层。像素结构层包括设置于衬底基板1上的栅电极2、半导体层4、源漏电极5、公共电极6及像素电极9，其中，公共电极6与栅电极2同层设置，或与源漏电极5同层设置(图中未示出)。反射层包括反射基底10及设置于反射基底10上的反射膜层11，反射基底10及反射膜层11设置于像素结构层远离衬底基板1的一侧且与像素电极9对应设置，反射膜层11的面积小于像素电极9的面积，其中，像素电极9为透明电极。
31.本实用新型提供的阵列基板中，公共电极6可与栅电极2或源漏电极5同层设置，即公共电极6可与栅电极2材料相同且由一道工序制成，或者，公共电极6可与源漏电极5材料相同且由一道工序制成，可节省一道光罩工艺。采用上述结构设计，能够简化阵列基板的制作工序，减少阵列基板上金属层及绝缘层的层数，在保证产品宽视角、高对比度的前提下，还能够提高产品良率，降低产品制作成本。
32.需要说明的是，像素结构层中还包括与栅电极2同层设置的多条扫描线及与源漏电极5同层设置的多条数据线，多条扫描线及多条数据线划分出多个子像素区域，每个子像素区域中均设有由栅电极2、源漏电极5和半导体层4构成的薄膜晶体管，薄膜晶体管中的漏极连接像素电极9，且公共电极6与像素电极9至少部分重叠以构成存储电容。其中，每个子像素区域又包括透射区和反射区。
33.另外，像素结构层中还包括绝缘层，绝缘层设置于相邻两电极层之间，使相邻两电极层间电性绝缘。具体地，如图3所示，栅电极2与源漏电极5间设有第一绝缘层3，源漏电极5及像素电极9间设有第二绝缘层8。
34.本实用新型提供的阵列基板中，如图3和图5所示，衬底基板1上设有反射层，反射层包括反射基底10及反射膜层11，反射膜层11与像素电极9对应设置，且反射膜层11在像素电极9上的投影面积小于像素电极9的面积，以形成半透半反式结构。这样，未覆盖反射膜层11的部分可透过背光源射出的内部光线、覆盖反射膜层11的部分可反射照射于反射层的外部光线。半透半反式产品显示效果好，强光环境及弱光环境中均具有良好的可读性，且强光环境下采用反射模式(关掉背光模组)，能够有效减少电能消耗。
35.为提高反射层的反射效果，在本实用新型提供的一个实施例中，反射基底10包括镜面反射区及漫反射区。外部平行光线照射于反射基底10的镜面反射区时，以平行光线射出；外部平行光线照射于反射基底10的漫反射区时，朝向各个方向射出。在反射基底10上同时形成镜面反射区及漫反射区，可保证反射层的反射效果，同时经漫反射区反射出的光线角度多样，能够有效拓宽显示视角，提升产品显示性能。
36.进一步地，反射基底10的结构不唯一。
37.例如，在一实施例中，如图2和图3所示，反射基底10包括基体101及形成于基体101部分表面上的凸起结构102，凸起结构102形成漫反射区。外部平行光线照射于基体101表面平滑位置处时，以平行光线射出；外部光线照射于基体101表面的凸起结构102时，朝向各个方向射出。可选地，如图3所示，凸起结构102可以为多组圆形凸起，多组圆形凸起形成漫反射区，相邻圆形凸起之间的区域形成镜面反射区；或者，凸起结构102还可以为多组平行设置的条状凸起，具体可根据实际情况进行设计，在此不作限定。
38.如图3所示，基体101上留有未形成凸起结构102的平面区域(a箭头所示区域)，后续制作显示面板时，该平面区域可用于抵接设置于基板间的透明支撑柱或透明支撑台，同
时该平面区域也可作为镜面反射区的一部分。
39.需要说明的是，上述结构的反射基底10可通过一道工序制成，也可通过多道工序制成，且镜面反射区及漫反射区的大小比例可根据实际情况进行设定。
40.或者，在一些实施例中，反射基底10可以包括基体101及分散设置于基体101内部的反射粒子，其中，反射粒子具备较高的反射率，可对光进行漫反射。可选地，反射粒子可以为纳米金属氧化物粒子。
41.本实用新型提供的阵列基板中，为保证像素电极9的使用效果，反射基底10需要采用透过率较高的透光绝缘材质制成。例如，反射基底10的基体101及凸起结构102可以为透光树脂；或者，反射基底10还可以为透光玻璃等，具体可根据实际情况进行设计，在此不作限定。
42.可选地，透光树脂可为聚甲基丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯或聚碳酸酯中的任意一种。上述材质透过率大，对光吸收较少，能够降低光能损耗，保证产品的显示亮度。
43.本实用新型提供的阵列基板中，反射膜层11的类型不唯一。例如，反射膜层11可以为金属反射膜层11，金属反射膜层11的反射率较高，能够更好地反射外部光线。可选地，反射膜层11的材料可以为铝或钼。
44.可以理解，在一些实施例中，根据制备工艺及制备成本等要求不同，反射膜层11还可由其它材质制成，具体可根据实际情况进行设计，在此不作限定。
45.本实用新型提供的阵列基板中，半导体层4的材质不唯一。例如，半导体层4的材料可以为非晶硅，非晶硅制作工艺简单，产品良率较高；或者，半导体层4的材料可以为低温多晶硅，低温多晶硅分辨率高，产品性能高；或者，半导体层4的材料还可以为氧化铟镓锌，氧化铟镓锌成本低，制作工艺简单。
46.本实用新型提供的阵列基板中，衬底基板1的类型不唯一。根据产品设计需求不同，衬底基板1可以为玻璃基板、石英基板、透明树脂基板或柔性基板，具体可根据实际情况进行设计，在此不作限定。
47.本实用新型提供的阵列基板中，如图5所示，像素电极9包括至少两个导电块901，相邻两导电块901间存在狭缝902且相邻两导电块901通过导电材料电连接，公共电极6与狭缝902相对应，形成mva结构。制作反射层时，反射层覆盖至少一个导电块901。其中，覆盖有反射层的导电块901可作为反射电极，未覆盖反射层的导电块901可作为透射电极。
48.可选地，如图2、图3和图5所示，像素电极9可包括3个导电块901，其中，反射层设置于其中一个导电块901上。可以理解，在一些实施例中，根据使用场景及设计要求不同，反射层的大小及导电块901的数量均可调，具体可根据实际情况进行设计，在此不作限定。
49.根据源漏电极5层结构不同，晶体管包括如图3所示的马蹄型晶体管和如图4所示的工字型晶体管，但不限于此。以下以工字型晶体管为例，说明本实用新型提供的阵列基板的制作工序。
50.如图2所示，为采用工字型晶体管的阵列基板的结构示意图，图3为该阵列基板的像素结构层及反射层的分解示意图，该阵列基板制作时包括以下步骤：s1、通过溅射在衬底基板1表面制作第一金属层，并通过光刻使第一金属层图案化，以形成栅电极2图形和公共电极6图形。s2、通过溅射或化学沉积在第一金属层一侧制作第一绝缘层3，第一绝缘层3可为sio2、sinx、sinxo。s3、通过溅射或化学沉积在第一绝缘层3一侧制作半导体层4，并通过
光刻使半导体层图案化，以形成半导体层4图形。s4、通过溅射在半导体层4一侧制作第二金属层，并通过光刻使第二金属层图案化，以形成源漏电极5图形。s5、通过溅射或化学沉积在第二金属层一侧制作第二绝缘层8，并通过光刻第二绝缘层8上制作过孔7，第二绝缘层8可为sio2、sinx、sinxo。s6、通过溅射在第二绝缘层8一侧制作第三金属层，并通过光刻使第三金属层图案化，以形成像素电极9图形、驱动线路。s7、在第三金属层一侧涂布透明树脂，并通过光刻形成反射基底10。s8、通过溅射在反射基底10一侧制作第四金属层，并通过光刻使第四金属层图案化，以形成反射膜层11图形。
51.综上，本实用新型提供的半透半反显示面板中的阵列基板，通过将公共电极6与栅电极2或源漏电极5同层设置，可简化阵列基板的制作工序及结构，从而有效提高阵列基板产品良率，降低产品制作成本。另外，通过设置反射层并改进反射基底10结构，使得阵列基板产品在强光环境及弱光环境中均具有良好的可读性，且能够有效拓宽阵列基板产品的显示视角，提升阵列基板产品的使用性能。
52.第二方面，本实用新型还公开了一种半透半反显示面板，包括第一方面中的阵列基板，以及与该阵列基相对设置的对向基板，阵列基板及对向基板间填充有液晶。其中，阵列基板包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的像素结构层及反射层；像素结构层包括设置于衬底基板1上的栅电极2、半导体层4、源漏电极5、公共电极6及像素电极9，且公共电极6与栅电极2或源漏电极5同层设置；反射层包括反射基底10及设置于反射基底10上的反射膜层11，反射基底10及反射膜层11设置于像素结构层远离衬底基板1的一侧且与像素电极9对应设置，反射膜层11的面积小于像素电极9的面积。
53.本实用新型提供的显示面板中，阵列基板中的公共电极6可与栅电极2或源漏电极5同层设置，即公共电极6可与栅电极2材料相同且由一道工序制成，或者，公共电极6可与源漏电极5材料相同且由一道工序制成，可节省一道光罩工艺。采用上述结构设计，能够简化阵列基板的制作工序及结构，从而能够简化显示面板的制作工序及结构，进而有效提高显示面板的产品良率，降低产品制作成本。
54.本实用新型提供的显示面板中，阵列基板的衬底基板1上还设有反射层，反射层包括反射基底10及反射膜层11，反射膜层11与像素电极9对应设置，且反射膜层11在像素电极9上的投影面积小于像素电极9的面积，以形成半透半反式结构，这样，未覆盖反射膜层11的部分可透过背光源射出的内部光线、覆盖反射膜层11的部分可反射照射于反射层的外部光线。半透半反式产品显示效果好，强光环境及弱光环境中均具有良好的可读性，且强光环境下采用反射模式(关掉背光模组)，能够有效减少电能消耗。
55.进一步地，反射基底10包括基体101及形成于基体101表面的凸起结构102，凸起结构102形成漫反射区。外部平行光线照射于基体101表面平滑位置处时，以平行光线射出；外部光线照射于基体101表面的凸起结构102时，朝向各个方向射出。采用上述结构设计，还能够有效拓宽显示面板产品显示视角，提升显示面板产品显示性能。
56.以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。