EUV光刻掩膜版的制作方法

euv光刻掩膜版
技术领域
1.本技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种euv光刻掩膜版。


背景技术：

2.由于在半导体产业中越来越高的集成密度，光刻掩模不得不在晶片上成像越来越小的结构。为了考虑该趋势，光刻设备的曝光波长移位至越来越短的波长。将可能用极紫外(euv)范围(优选但不一定在6nm至15nm的范围内)中的波长来操作未来光刻系统。euv波长范围对未来光刻系统的束路径中的光学元件的精度提出了极高的要求。在所有可能性中，光学元件、并且因此还有光刻掩模可以是反射式光学元件。
3.euv掩模包括基板，设置在基板上的反射层，以及设置在反射层上的吸收体结构，其由吸收图案元件和/或相移图案元件制成。在光掩模的情况下，重要的是光掩模上的吸收体结构的图案元件恰好将由半导体部件的设计预先确定的结构元件成像到晶片上的光刻胶中。
4.但是目前的euv光刻掩膜版的稳定性较差，不仅在清洗过程中，其反射层容易与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应，形成碳膜，导致掩膜版表面反射率的降低，且吸收体结构与其下方的反射层之间的附着力较低，导致吸收体结构变形，最终都将影响半导体器件的图案化工艺。


技术实现要素：

5.针对上述问题，本技术提供了一种euv光刻掩膜版，解决了现有技术中euv光刻掩膜版稳定性较差影响图案化工艺的技术问题。
6.本技术提供一种euv光刻掩膜版，包括：
7.基板；
8.位于所述基板上方的反射层；
9.位于所述反射层上方的微晶玻璃层；
10.位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。
11.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，还包括：
12.位于所述微晶玻璃层与所述反射层之间的帽盖层。
13.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述帽盖层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面。
14.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述帽盖层的上表面。
15.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面覆盖部分所述帽盖层的上表面；
16.所述吸收体层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。
17.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，还包括：
18.位于所述吸收体层与所述微晶玻璃层之间的帽盖层。
19.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面；
20.所述帽盖层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。
21.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述反射层包括多个交替堆叠设置的硅层和钼层。
22.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，所述吸收体层包括依次在所述微晶玻璃层上方叠层设置的缓冲层、吸收层和抗反射层。
23.根据本技术的实施例，可选地，上述euv光刻掩膜版中，还包括：
24.位于所述基板下方的导电层。
25.与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
26.本技术提供一种euv光刻掩膜版，包括基板；位于所述基板上方的反射层；位于所述反射层上方的微晶玻璃层；位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。通过在反射层上方设置微晶玻璃层，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层，避免在清洗时反射层与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层的反射率受到影响，或者可以增强吸收体层与其下方的膜层之间的附着力，提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
附图说明
27.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
28.图1是本技术一示例性实施例示出的一种euv光刻掩膜版的剖面结构示意图；
29.图2是本技术一示例性实施例示出的另一种euv光刻掩膜版的剖面结构示意图；
30.图3是本技术一示例性实施例示出的另一种euv光刻掩膜版的剖面结构示意图；
31.图4是本技术一示例性实施例示出的另一种euv光刻掩膜版的剖面结构示意图；
32.在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制；
33.其中，附图标记如下：
34.101-基板；102-反射层；1021-硅层；1022-钼层；103-微晶玻璃层；104-吸收体层；1041-缓冲层；1042-吸收层；1043-抗反射层；105-导电层；106-帽盖层。
具体实施方式
35.以下将结合附图及实施例来详细说明本技术的实施方式，借此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本技术实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本技术的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
36.应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/
或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
37.应理解，空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
38.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
39.这里参考作为本技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本技术的实施例。这样，可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制备导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本技术的范围。
40.为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本技术提出的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。
41.实施例一
42.如图1所示，本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，包括基板101、反射层102、微晶玻璃层103、吸收体层104和导电层105。
43.其中，基板101的材料包括低热膨胀系数的材料，可以包括低热膨胀系数的石英、电介质材料、玻璃材料或半导体材料。
44.反射层102位于基板101上方。反射层102包括多个在基板101上方交替堆叠设置的硅层1021和钼层1022。
45.在一些情况下，反射层102的最上面一层为硅层1021。
46.在一些情况下，反射层102中的钼层1022可以用其它具有大质量数的元素，例如钻(co)、镍(ni)、钨(w)、(re)、锌(zn)或依(ir)等金属层替换。
47.微晶玻璃层103位于反射层102上方。
48.微晶玻璃是指加有晶核剂(或不加晶核剂)的特定组成的基础玻璃，在一定温度制度下进行晶化热处理，在玻璃内均匀地析出大量的微小晶体，形成致密的微晶相和玻璃相
的多相复合体。通过控制微晶的种类数量、尺寸大小等，可以获得透明微晶玻璃、热膨胀系数为零的微晶玻璃。
49.本技术实施例中，微晶玻璃层103的热膨胀系数为零。
50.高度晶化微晶玻璃的晶粒尺寸可以控制在几十纳米以内，得到超细颗粒结构。在锂铝硅透明微晶玻璃中，由于充分核化，基础玻璃中形成大量的钛酸锆晶核，β-石英固溶体晶相在晶核上外延生长，形成平均晶粒尺寸约60nm均匀的超细颗粒结构。由于晶粒尺寸远小于可见光波长，并且β-石英固溶体的双折射率较低，该微晶玻璃透光率很高。
51.本技术实施例中，微晶玻璃层103的下表面完全覆盖反射层102的上表面。通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，保护反射层，避免在进行清洗时，反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，提升器件图案化工艺的稳定性。
52.吸收体层104位于微晶玻璃层103上方的，吸收体层104用于定义掩膜版的掩膜图案。吸收层104的下表面覆盖部分微晶玻璃层103的上表面。
53.本技术实施例中，微晶玻璃层103位于吸收体层104和反射层102之间，可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，同样也能提升euv光刻掩膜版的稳定性，提升器件图案化工艺的稳定性。
54.吸收体层104包括依次在微晶玻璃层103上方叠层设置的缓冲层1041、吸收层1042和抗反射层1043。
55.缓冲层1041的材料包括石英(sio2)、氮氧化硅(sion)、钌(ru)、铬(cr)和氮化铬(crn)中的至少一种。
56.吸收层1042的材料包括、铬(cr)、氮化钛(tin)和氮化钽(tan)中的至少一种。
57.抗反射层1043的材料包括氮氧化钽(taon)。
58.euv光刻过程中，euv光从吸收体层104所在一侧入射，吸收体层104位置处的euv光被吸收层1042吸收，吸收体层104镂空位置处的euv光穿过微晶玻璃层103入射到反射层表面，经反射层102表面反射回来，照射到器件或晶圆表面，从而实现图案化工艺，吸收体层104的形状也就是目标图案的形状。
59.导电层105位于基板101下方，即基板101的背面。
60.基板101上方多层膜层的形成，导致基板101内部的应力比较大，以造成掩膜版的弯曲变形，而基板101背面导电层105的设置，可以缓冲基板101的应力，防止掩膜版的弯曲变形。
61.本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层102，避免在清洗时反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，还可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，从而提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
62.实施例二
63.如图2所示，本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，包括基板101、反射层102、微晶玻璃层103、帽盖层106、吸收体层104和导电层105。
64.其中，基板101的材料包括低热膨胀系数的材料，可以包括低热膨胀系数的石英、
电介质材料、玻璃材料或半导体材料。
65.反射层102位于基板101上方。反射层102包括多个在基板101上方交替堆叠设置的硅层1021和钼层1022。
66.在一些情况下，反射层102的最上面一层为硅层1021。
67.在一些情况下，反射层102中的钼层1022可以用其它具有大质量数的元素，例如钻(co)、镍(ni)、钨(w)、(re)、锌(zn)或依(ir)等金属层替换。
68.微晶玻璃层103位于反射层102上方。
69.微晶玻璃是指加有晶核剂(或不加晶核剂)的特定组成的基础玻璃，在一定温度制度下进行晶化热处理，在玻璃内均匀地析出大量的微小晶体，形成致密的微晶相和玻璃相的多相复合体。通过控制微晶的种类数量、尺寸大小等，可以获得透明微晶玻璃、热膨胀系数为零的微晶玻璃。
70.本技术实施例中，微晶玻璃层103的热膨胀系数为零。
71.高度晶化微晶玻璃的晶粒尺寸可以控制在几十纳米以内，得到超细颗粒结构。在锂铝硅透明微晶玻璃中，由于充分核化，基础玻璃中形成大量的钛酸锆晶核，β-石英固溶体晶相在晶核上外延生长，形成平均晶粒尺寸约60nm均匀的超细颗粒结构。由于晶粒尺寸远小于可见光波长，并且β-石英固溶体的双折射率较低，该微晶玻璃透光率很高。
72.本技术实施例中，通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，保护反射层102，避免在进行清洗时，反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，提升器件图案化工艺的稳定性。
73.本技术实施例中，帽盖层106位于微晶玻璃层103与反射层102之间。
74.帽盖层106的材料包括钌(ru)，帽盖层106一方面用于增加微晶玻璃层103与反射层102之间的附着力，另一方面用于对反射层102进一步防护，但是为了进一步防止帽盖层106层与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，所以将帽盖层106设置于微晶玻璃层103与反射层102之间。
75.本技术实施例中，帽盖层106的下表面完全覆盖反射层102的上表面，微晶玻璃层103的下表面完全覆盖帽盖层106的上表面。
76.吸收体层104位于微晶玻璃层103上方的，吸收体层104用于定义掩膜版的掩膜图案。吸收层104的下表面覆盖部分微晶玻璃层103的上表面。
77.本技术实施例中，微晶玻璃层103位于吸收体层104和帽盖层106之间，可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，同样也能提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
78.吸收体层104包括依次在微晶玻璃层103上方叠层设置的缓冲层1041、吸收层1042和抗反射层1043。
79.缓冲层1041的材料包括石英(sio2)、氮氧化硅(sion)、钌(ru)、铬(cr)和氮化铬(crn)中的至少一种。
80.吸收层1042的材料包括、铬(cr)、氮化钛(tin)和氮化钽(tan)中的至少一种。
81.抗反射层1043的材料包括氮氧化钽(taon)。
82.euv光刻过程中，euv光从吸收体层104所在一侧入射，吸收体层104位置处的euv光
被吸收层1042吸收，吸收体层104镂空位置处的euv光穿过微晶玻璃层103入射到反射层表面，经反射层102表面反射回来，照射到器件或晶圆表面，从而实现图案化工艺，吸收体层104的形状也就是目标图案的形状。
83.导电层105位于基板101下方。
84.基板101上方多层膜层的形成，导致基板101内部的应力比较大，以造成掩膜版的弯曲变形，而基板101背面导电层105的设置，可以缓冲基板101的应力，防止掩膜版的弯曲变形。
85.本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，保护反射层102，避免在清洗时反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，提升器件图案化工艺的稳定性。
86.实施例三
87.如图3所示，本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，包括基板101、反射层102、微晶玻璃层103、帽盖层106、吸收体层104和导电层105。
88.其中，基板101的材料包括低热膨胀系数的材料，可以包括低热膨胀系数的石英、电介质材料、玻璃材料或半导体材料。
89.反射层102位于基板101上方。反射层102包括多个在基板101上方交替堆叠设置的硅层1021和钼层1022。
90.在一些情况下，反射层102的最上面一层为硅层1021。
91.在一些情况下，反射层102中的钼层1022可以用其它具有大质量数的元素，例如钻(co)、镍(ni)、钨(w)、(re)、锌(zn)或依(ir)等金属层替换。
92.微晶玻璃层103位于反射层102上方。
93.微晶玻璃是指加有晶核剂(或不加晶核剂)的特定组成的基础玻璃，在一定温度制度下进行晶化热处理，在玻璃内均匀地析出大量的微小晶体，形成致密的微晶相和玻璃相的多相复合体。通过控制微晶的种类数量、尺寸大小等，可以获得透明微晶玻璃、热膨胀系数为零的微晶玻璃。
94.本技术实施例中，微晶玻璃层103的热膨胀系数为零。
95.本技术实施例中，帽盖层106位于微晶玻璃层103与反射层102之间。
96.帽盖层106的材料包括钌(ru)，帽盖层106一方面用于增加微晶玻璃层103与反射层102之间的附着力，另一方面用于对反射层102进一步防护。
97.吸收体层104位于微晶玻璃层103上方的，吸收体层104用于定义掩膜版的掩膜图案。
98.本技术实施例中，微晶玻璃层103的下表面覆盖部分帽盖层106的上表面；吸收体层104的下表面完全覆盖微晶玻璃层103的上表面。
99.本技术实施例中，微晶玻璃层103位于吸收体层104和帽盖层106之间，可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，同样也能提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
100.吸收体层104包括依次在微晶玻璃层103上方叠层设置的缓冲层1041、吸收层1042和抗反射层1043。
101.缓冲层1041的材料包括石英(sio2)、氮氧化硅(sion)、钌(ru)、铬(cr)和氮化铬(crn)中的至少一种。
102.吸收层1042的材料包括、铬(cr)、氮化钛(tin)和氮化钽(tan)中的至少一种。
103.抗反射层1043的材料包括氮氧化钽(taon)。
104.euv光刻过程中，euv光从吸收体层104所在一侧入射，吸收体层104位置处的euv光被吸收层1042吸收，吸收体层104镂空位置处的euv光穿过微晶玻璃层103入射到反射层表面，经反射层102表面反射回来，照射到器件或晶圆表面，从而实现图案化工艺，吸收体层104的形状也就是目标图案的形状。
105.导电层105位于基板101下方。
106.基板101上方多层膜层的形成，导致基板101内部的应力比较大，以造成掩膜版的弯曲变形，而基板101背面导电层105的设置，可以缓冲基板101的应力，防止掩膜版的弯曲变形。
107.本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，通过在吸收体层104下方设置微晶玻璃层103，增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，从而提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
108.实施例四
109.如图4所示，本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，包括基板101、反射层102、微晶玻璃层103、帽盖层106、吸收体层104和导电层105。
110.其中，基板101的材料包括低热膨胀系数的材料，可以包括低热膨胀系数的石英、电介质材料、玻璃材料或半导体材料。
111.反射层102位于基板101上方。反射层102包括多个在基板101上方交替堆叠设置的硅层1021和钼层1022。
112.在一些情况下，反射层102的最上面一层为硅层1021。
113.在一些情况下，反射层102中的钼层1022可以用其它具有大质量数的元素，例如钻(co)、镍(ni)、钨(w)、(re)、锌(zn)或依(ir)等金属层替换。
114.微晶玻璃层103位于反射层102上方。
115.微晶玻璃是指加有晶核剂(或不加晶核剂)的特定组成的基础玻璃，在一定温度制度下进行晶化热处理，在玻璃内均匀地析出大量的微小晶体，形成致密的微晶相和玻璃相的多相复合体。通过控制微晶的种类数量、尺寸大小等，可以获得透明微晶玻璃、热膨胀系数为零的微晶玻璃。
116.本技术实施例中，微晶玻璃层103的热膨胀系数为零。
117.高度晶化微晶玻璃的晶粒尺寸可以控制在几十纳米以内，得到超细颗粒结构。在锂铝硅透明微晶玻璃中，由于充分核化，基础玻璃中形成大量的钛酸锆晶核，β-石英固溶体晶相在晶核上外延生长，形成平均晶粒尺寸约60nm均匀的超细颗粒结构。由于晶粒尺寸远小于可见光波长，并且β-石英固溶体的双折射率较低，该微晶玻璃透光率很高。
118.本技术实施例中，通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，保护反射层102，避免在进行清洗时，反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，提升器件图案化工艺的稳定性。
119.本技术实施例中，帽盖层106位于微晶玻璃层103上方，吸收体层104位于帽盖层106上方，即帽盖层106位于微晶玻璃层103与吸收体层104之间。
120.微晶玻璃层103的下表面完全覆盖反射层102的上表面，帽盖层106的下表面完全覆盖微晶玻璃层103的上表面。
121.帽盖层106的材料包括钌(ru)，帽盖层106用于增加微晶玻璃层103与吸收体层104之间的附着力，提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
122.吸收体层104位于帽盖层106上方的，吸收体层104用于定义掩膜版的掩膜图案。吸收层104的下表面覆盖部分帽盖层106的上表面。
123.本技术实施例中，微晶玻璃层103和帽盖层106位于吸收体层104和反射层102之间，可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，同样也能提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
124.吸收体层104包括依次在微晶玻璃层103上方叠层设置的缓冲层1041、吸收层1042和抗反射层1043。
125.缓冲层1041的材料包括石英(sio2)、氮氧化硅(sion)、钌(ru)、铬(cr)和氮化铬(crn)中的至少一种。
126.吸收层1042的材料包括、铬(cr)、氮化钛(tin)和氮化钽(tan)中的至少一种。
127.抗反射层1043的材料包括氮氧化钽(taon)。
128.euv光刻过程中，euv光从吸收体层104所在一侧入射，吸收体层104位置处的euv光被吸收层1042吸收，吸收体层104镂空位置处的euv光穿过微晶玻璃层103入射到反射层表面，经反射层102表面反射回来，照射到器件或晶圆表面，从而实现图案化工艺，吸收体层104的形状也就是目标图案的形状。
129.导电层105位于基板101下方。
130.基板101上方多层膜层的形成，导致基板101内部的应力比较大，以造成掩膜版的弯曲变形，而基板101背面导电层105的设置，可以缓冲基板101的应力，防止掩膜版的弯曲变形。
131.本技术实施例提供一种euv光刻掩膜版，通过在反射层102上方设置微晶玻璃层103，以及在微晶玻璃层103与吸收体层104之间设置帽盖层106，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层102，避免在清洗时反射层102与清洗液中的水分子或者c-h化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层102的反射率受到影响，或者可以增强吸收体层104与其下方的膜层之间的附着力，提升euv光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
132.虽然本技术所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本技术而采用的实施方式，并非用以限定本技术。任何本技术所属技术领域内的技术人员，在不脱离本技术所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本技术的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。