光电路元件的制作方法

1.本公开涉及具有光波导的光电路元件。
2.本技术基于2020年10月2日申请于日本的特愿2020-167655号主张优先权，并将其内容引用于此。


背景技术：

3.随着因特网的普及，通信量飞跃性地增大，光纤通信的重要性非常高。光纤通信将电信号转换成光信号，并通过光纤传送光信号，具有宽频带、低损失、噪声抵抗力强等的特征。
4.作为将电信号转换成光信号的方式，已知由半导体激光器进行的直接调制方式和使用了光调制器的外部调制方式。直接调制不需要光调制器而低成本，但高速调制具有极限，在高速且长距离的用途中通常使用外部光调制方式。
5.作为光调制器，在铌酸锂单晶基板的表面附近通过ti(钛)扩散而形成有光波导的光调制器被实用化。40gb/s以上的高速的光调制器被商用化，但是具有总长为10cm左右较长这样的大的缺点。
6.对此，在专利文献1中公开有一种光波导元件，其具备截面由具有脊形状的脊部构成的波导，脊部由第一部分和第二部分的组合构成，具有在第二部分的上表面形成有第一部分的两级脊结构，将第二脊宽设为第一脊宽的5倍以上。
7.这样的结构的光波导元件可以小型化，但是由于光波导元件的小型化，在向光波导导入光的光出射器与光波导的端部之间使光轴对准的调芯工序中，容易产生未与光波导耦合的光成分。这样的光成分在光波导元件内的光波导以外的部分中传播，在端面多重反射后，一部分被输入到光检测器，存在容易产生所谓的杂散光的问题。光波导元件内传播的杂散光会妨碍光检测器的调芯，成为连接损失增大或连接不良的原因。特别是在使用可见光作为光源的情况下，光波导变小，因此，杂散光产生的影响大。
8.为了使这样的光波导元件内的杂散光不射向光检测器，例如在专利文献2中公开有一种光集成电路元件，在对光进行导波的波导部以外的位置设置贯通光波导层的槽部，该槽部的侧面相对于与元件表面垂直的面倾斜。在该专利文献2所公开的光集成电路元件中还公开了，以至少覆盖槽部的侧面的方式，形成吸收光波导层中传播的光的物质。
9.现有技术文献
10.专利文献
11.专利文献1：日本专利第6369147号公报。
12.专利文献2：日本特开平11-52154号公报。


技术实现要素：

13.发明所要解决的问题
14.但是，在专利文献2所公开的技术中，阻止杂散光的槽部形成于比基板的表面靠上
部，因此，虽然对在包层中传播的杂散光的遮断具有效果，但存在不能够阻止在基板中传播的杂散光这样的问题。
15.本公开的技术是考虑到这种情况而研发的，其目的在于，提供能够防止在光电路元件的包含基板的部分中传播的杂散光向外部出射的光电路元件。
16.用于解决问题的技术手段
17.本公开的一方式中，提供一种光电路元件，其具有基板、形成于所述基板的一个面的光波导层和重叠地形成于所述光波导层的保护层，所述光波导层具有使光传播的光波导，从所述保护层的表面向所述基板形成有到达比所述一个面深的位置的槽部，具备至少覆盖所述槽部的底面和侧面的光吸收层。
18.发明效果
19.根据本公开的技术，能够提供可防止在光电路元件的包含基板的部分中传播的杂散光向外部出射的光电路元件。
附图说明
20.图1是从上方观察本发明第一实施方式的光电路元件时的俯视图。
21.图2是沿着图1的a－a’线剖切的剖视图。
22.图3是沿着图1的b－b’线剖切的剖视图。
23.图4是表示槽部的另一形状例的剖视图。
24.图5是表示光吸收层的另一形成例的剖视图。
25.图6是从上方观察本发明第二实施方式的光电路元件时的俯视图。
26.图7是从上方观察本发明第三实施方式的光电路元件时的俯视图。
27.图8是从上方观察本发明第四实施方式的光电路元件时的俯视图。
28.图9是沿着图8的c－c’线剖切的剖视图。
29.图10是从上方观察本发明第五实施方式的光电路元件时的俯视图。
30.图11是表示本发明第六实施方式的马赫-曾德尔型的光调制器(光电路元件)的俯视图。
具体实施方式
31.以下，参照附图对应用了本公开的一实施方式的光电路元件进行说明。此外，以下所示的实施方式是为了更好地理解发明的宗旨而具体说明的方式，只要没有特别说明，就不限定本公开。另外，以下的说明中使用的附图为了容易理解本公开的特征，方便起见，有时将成为主要部分的部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
32.(第一实施方式)
33.图1是从上方观察本发明第一实施方式的光电路元件时的俯视图。图2是沿着图1的a－a’线剖切的剖视图。图3是沿着图1的b－b’线剖切的剖视图。
34.第一实施方式的光电路元件10具有光波导14，例如，从光波导14的输入端部in入射的光(入射光)在光波导14中传播后，从输出端部out出射(出射光)。在光波导14的输入端部in例如只要接近地配置光源(光出射器)s即可。
35.光电路元件10具有基板11、重叠地形成于该基板11的一个面11a的波导层12、以及
重叠地形成于该波导层12的保护层13。在波导层12形成有光波导14，其具备截面具有脊形状(凸形状)的脊部17。
36.脊部17从波导层12的表面12a突出，且沿着光波导14延伸。
37.这样的脊部17只要通过与波导层12相同的材料例如铌酸锂(linbo3)一体形成即可。
38.脊部17的截面形状只要是能够对光进行导波的形状，其形状就没有限定，例如也可以是穹顶状、三角形状、矩形状。此外，在本实施方式中，通过脊部17，在波导层12中形成光波导14，但也可以是如下结构，特别是以不形成从波导层12的表面12a突出那样的脊部17的方式在波导层12中形成光波导14。例如，通过向由铌酸锂构成的波导层12掺杂钛(ti)等，也能够形成没有脊部的光波导14。
39.波导层12例如优选由铌酸锂(linbo3)的膜构成。铌酸锂具有大的电光常数，适合作为光调制器等光学器件的构成材料。以下，对将波导层12设为铌酸锂膜时的本发明的结构进行详细地说明。
40.作为基板11，只要折射率低于铌酸锂膜，就没有特别限定，但优选能够使铌酸锂膜作为外延膜来形成的基板。作为基板11的一例，优选为蓝宝石单晶基板或硅单晶基板。单晶基板的结晶方位没有特别限定。
41.构成波导层12的铌酸锂膜具有相对于各种结晶方位的单晶基板，容易作为c轴取向的外延膜形成的性质。c轴取向的铌酸锂膜具有三次对称的对称性，因此，期望基底的单晶基板也具有相同的对称性，在蓝宝石单晶基板的情况下，优选为c面的基板，在硅单晶基板的情况下，优选为(111)面的基板。
42.在此，外延膜是相对于基底的基板或基底膜的结晶方位对齐地取向的膜。在将膜面内设为x－y面，且将膜厚方向设为z轴时，结晶在x轴、y轴及z轴方向上均对齐地取向。例如，通过进行首先基于2θ－θx射线衍射的取向位置处的峰强度的确认和接着进行极点的确认，能够确认为外延膜。
43.具体而言，首先进行基于2θ－θx射线衍射的测定时，需要作为目标的面以外的所有的峰强度为作为目标的面的最大峰强度的10％以下，优选为5％以下。例如，在铌酸锂的c轴取向外延膜中，(00l)面以外的峰强度为(00l)面的最大峰强度的10％以下，优选为5％以下。(00l)是对(001)和(002)等的等效的面总称的表示。
44.接着，在极点测定中，需要观察到极点。在上述的第一取向位置处的峰强度的确认条件中，仅表示一方向上的取向性，即使得到上述的第一条件，在结晶取向在面内不对齐的情况下，x射线的强度在特定角度位置不高，观察不到极点。铌酸锂为三方晶系的结晶结构，因此，单晶中的linbo3(014)的极点成为3个。已知在铌酸锂膜的情况下，以c轴为中心进行180
°
旋转的结晶以对称地结合的所谓双晶状态外延生长。在该情况下，三个极点成为对称地结合了两个的状态，因此，极点成为6个。另外，在(100)面的硅单晶基板上形成有铌酸锂膜的情况下，基板成为4次对称，因此，可观测到4
×
3＝12个极点。此外，在本实施方式中，以双晶状态外延生长的铌酸锂膜也包含于外延膜。
45.构成波导层12的铌酸锂膜的组成为lixnbayoz。a表示li、nb、o以外的元素。x为0.5～1.2，优选为0.9～1.05。y为0～0.5。z为1.5～4，优选为2.5～3.5。作为a的元素，具有k、na、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、ti、zr、hf、v、cr、mo、w、fe、co、ni、zn、sc、ce等，也可以是2种以
上的组合。
46.期望构成波导层12的铌酸锂膜的膜厚为2μm以下。
47.当膜厚为此以上的厚度时，担心难以形成高质量的膜。在铌酸锂膜的膜厚过薄的情况下，铌酸锂膜中的光的封闭变弱，担心光在基板或缓冲层漏出的所谓的杂散光增大。即使对铌酸锂膜施加电场，光波导(1a、1b)的有效折射率的变化也可能变小。因此，期望铌酸锂膜为使用的光的波长的1/10程度以上的膜厚。
48.作为构成波导层12的铌酸锂膜的形成方法，期望利用溅射法、cvd法、溶胶凝胶法等膜形成方法。c轴与构成基板11的单晶基板的主面垂直地取向，通过与c轴平行地施加电场，光学折射率与电场成比例地变化。在使用蓝宝石作为构成基板11的单晶基板的情况下，能够使铌酸锂膜直接在蓝宝石单晶基板上外延生长。
49.在使用硅作为构成基板11的单晶基板的情况下，经由包层(未图示)，通过外延生长形成铌酸锂膜。作为包层(未图示)，使用折射率比铌酸锂膜低、适于外延生长的材料。例如，当使用y2o3作为包层(未图示)时，能够形成高质量的铌酸锂膜。
50.此外，作为构成波导层12的铌酸锂膜的形成方法，还已知有将铌酸锂单晶基板研磨得薄的方法。虽然该方法具有得到与单晶相同的特性之类的优点，但难以加工2μm以下的膜厚的薄膜。如上所述，在本发明中，通过成膜来形成铌酸锂膜，因此具有量产性，大口径化也是容易的。
51.保护层13覆盖包含脊部17的波导层12的上表面。保护层13的材料没有特别限定，但能够使用具有比波导层12的折射率小的折射率的材质，例如氧化硅(sio2)及氧化铝(al2o3)等。
52.另外，除此之外，作为保护层13，也可以使用例如氟化镁(mgf2)、氧化镧(la2o3)、氧化锌(zno)、氧化铪(hfo2)、氧化镁(mgo)、氧化钇(y2o3)、氟化钙(caf2)、氧化铟(in2o3)等、或者它们的混合物。
53.保护层13的厚度例如只要为0.2～1μm程度即可。此外，在本实施方式中，保护层13覆盖波导层12的上表面整体，但也可以被构图为仅选择性地覆盖形成于波导层12的光波导14的上表面附近。
54.在光电路元件10形成有槽部15。在本实施方式中，槽部15形成于在波导层12形成的光波导14的两侧的一部分。本实施方式的槽部15在俯视基板的一个面时形成为矩形，例如长方形。另外，槽部15作为光电路元件10的厚度方向(层叠方向)t的截面形状以成为倒梯形的方式形成，槽部15的侧面15a以成为相对于厚度方向t倾斜的倾斜面的方式形成。
55.槽部15从保护层13的表面13a向着基板11形成为到达比基板11的一个面11a深的位置。即，槽部15的底面15b形成于从基板11的一个面11a进入基板的内部的位置，基板11在该槽部15的形成部分成为向厚度方向t凹陷的形状。
56.此外，在本实施方式中，槽部15的侧面15a成为相对于厚度方向t以规定的倾斜角度θ倾斜的倾斜面，但例如如图4所示，也能够作为光电路元件10的厚度方向t的截面形状，以成为矩形的方式形成槽部15，槽部15的侧面15a以成为沿着厚度方向t的垂直面的方式形成。
57.从基板11的一个面11a沿着厚度方向t挖入的槽部15的基板11部分的深度、即基板11的一个面11a与槽部15的底面的间隙d只要根据在光波导14中传播的光的波长设定即可。
即，间隙d只要被设定成在光波导14中传播的光的波长的一半以上即可。例如，在光波导14中传播的光的波长为520nm的情况下，只要以间隙d成为260nm以上的方式形成槽部15即可。
58.在这样的两个槽部15彼此之间，从槽部15的底面15b起，基板11、在脊部17形成有光波导14的波导层12以及保护层13形成为以狭窄的宽度呈堰堤状延伸。
59.在槽部15形成有覆盖该槽部15的底面15b和侧面15a的光吸收层16。在本实施方式中，光吸收层16形成为除了覆盖槽部15的底面15b及侧面15a之外，还覆盖保护层13的表面13a。此外，光吸收层16也可以是不覆盖保护层13的表面13a的结构。
60.光吸收层16由吸收光波导14中传播的光的材料构成。光吸收层16的构成材料能够根据光波导14中传播的光的波长来选择。例如，在光波导14中传播的光为可见光线的情况下，能够使用可以吸收、遮断可见光波长范围的光的材料，例如包含c、si、ge、花青系化合物、偶氮系化合物、二苯基甲烷系化合物、三苯基甲烷系化合物等的可见光吸收色素的树脂材料、in、ga等半导体、ti、ni、cr、fe、nb、ta、zn、w、mo或由其合金构成的氧化物或氮化物等。另外，例如，在光波导14中传播的光为红外线的情况下，能够使用可以吸收、遮断红外光波长范围的光的材料，例如包含花青系化合物、二亚铵系化合物、方酸菁系化合物等的红外线吸收色素的树脂材料等。
61.光吸收层16只要以成为能够吸收例如50％以上的入射到光吸收层16的杂散光p的厚度的方式形成即可，由此，杂散光p能够在通过形成于槽部15的一侧面15a的光吸收层16和形成于另一侧面15a的光吸收层16的期间被吸收。
62.光吸收层16除了如本实施方式那样以规定的厚度形成于槽部15的底面15b及侧面15a以外，例如，也能够如图5所示形成。在图5中，以填埋包含底面15b及侧面15a的槽部15整体的方式形成光吸收层16。通过设为这样的结构，能够更进一步可靠地吸收杂散光p。
63.根据以上的各种结构的第一实施方式的光电路元件10，例如，在向光波导14导入光的光源(光出射器)s与光波导14的输入端部in之间使光轴对准的调芯工序中，有时会产生未与光波导14耦合的光成分。这样的未与光波导14耦合的光成分成为光电路元件10内的光波导14以外的部分，例如成为在基板11的一个面11a侧附近及保护层13中传播的杂散光p。在本实施方式的光电路元件10中，当这样的杂散光p到达槽部15的形成位置时，该杂散光p被光吸收层16吸收。
64.特别是槽部15沿着厚度方向t形成至比基板11的一个面11a深的位置，因此，在基板11的一个面11a侧附近传播的杂散光p被形成于槽部15的光吸收层16可靠地吸收。
65.通过这样的槽部15和形成于该槽部15的光吸收层16，吸收、遮断杂散光p，由此，杂散光p不会输入配置于光波导14的输出端部out的光检测器(省略图示)。由此，能够防止在调芯工序中妨碍光检测器的调芯而使连接损失增大或产生连接不良。
66.此外，遮断杂散光p也能够通过适当地设定槽部15的侧面15a的倾斜角度θ来进行。例如，在杂散光p从保护层13向槽部15的空间(空气层)入射的情况下，当空气的折射率设为1，将保护层13的折射率设为约3.5时，通过该折射率差，在保护层13与空气界面的杂散光p的入射角为15
°
程度以上时，在界面产生全反射。杂散光p向槽部15的侧面15a的入射角成为15
°
以上是侧面15a的倾斜角度θ为
±
15
°
以上的情况，此时，杂散光p的反射率成为100％，杂散光p完全被反射到光电路元件10的上侧或下侧而被除去。
67.(第二实施方式)
68.接着，对本发明第二实施方式的光电路元件进行说明。此外，在以下的实施方式中，对于与上述的第一实施方式同样的结构标注相同的编号，并省略重复的说明。
69.图6是从上方观察本发明第二实施方式的光电路元件时的俯视图。
70.本实施方式的光电路元件20沿着光波导14的延长方向，在光波导14的两侧，分别相互隔开间隔地形成有多个槽部(本实施方式中，5个)25a、25b、25c、25d、25e。在俯视基板11的一个面11a(参照图2)时，各个槽部25a～25e形成为彼此相同形状的矩形(长方形)。
71.在该实施方式中，以槽部25a与槽部25b的间隔g1、槽部25b与槽部25c的间隔g2、槽部25c与槽部25d的间隔g3、槽部25d与槽部25e的间隔g4全部不同的方式形成槽部25a～25e。
72.另外，任意的槽部25a～25e彼此的间隔之和形成为与其他任意的槽部25a～25e彼此的间隔之和不同。例如，间隔g1+间隔g3之和的值与间隔g2+间隔g4之和的值不同。另外，例如，间隔g2+间隔g3+间隔g4之和的值与间隔g1+间隔g3+间隔g4之和的值不同。
73.当以彼此等间隔地规则排列多个槽部25a～25e时，担心加强规则地反射的杂散光，但通过本实施方式那样使彼此相邻的槽部25a～25e彼此的间隔不同，能够防止杂散光被规则地反射而相互加强，通过多个槽部25a～25e和覆盖这些槽部的光吸收层16，能够可靠地吸收、遮断杂散光p。
74.(第三实施方式)
75.接着，对本发明第三实施方式的光电路元件进行说明。此外，在以下的实施方式中，对于与上述的第一实施方式同样的结构标注相同的编号，并省略重复的说明。
76.图7是从上方观察本发明第三实施方式的光电路元件时的俯视图。
77.本实施方式的光电路元件30沿着光波导14的延长方向，在光波导14的两侧，分别以彼此等间隔地隔开形成有多个槽部(本实施方式中，5个)35a、35b、35c、35d、35e。在俯视基板11的一个面11a(参照图2)时，各个槽部25a～25e形成为矩形(长方形)。
78.在该实施方式中，以槽部35a～槽部35e各自的沿着光波导14的延长方向的宽度w1～w5完全不同的方式，形成槽部35a～35e。
79.另外，任意的槽部35a～35e的宽度w1～w5彼此之和形成为与其他任意的槽部35a～35e的宽度w1～w5彼此之和不同。例如，宽度w1+宽度w3之和的值与宽度w2+宽度w4之和的值不同。另外，例如，宽度w1+宽度w3+宽度w5之和的值与宽度w1+宽度w2+宽度w4之和的值不同。
80.当多个槽部35a～35e的宽度彼此相等时，担心杂散光被规则地反射而被加强，但是通过本实施方式那样使彼此相邻的槽部35a～35e的宽度不同，能够防止杂散光被规则地反射而被相互加强，通过多个槽部35a～35e和覆盖这些槽部的光吸收层16，能够可靠地吸收、遮断杂散光p。
81.(第四实施方式)
82.接着，对本发明的第四实施方式的光电路元件进行说明。此外，在以下的实施方式中，对于与上述的第一实施方式同样的结构标注相同的编号，并省略重复的说明。
83.图8是从上方观察本发明第四实施方式的光电路元件时的俯视图。图9是沿着图8的c－c’线剖切的剖视图。
84.在本实施方式的光电路元件40中，光波导14由直线状延伸的直线部14l和从该直
线部14l弯曲的弯曲部14r构成。
85.而且，在两处的直线部14l，在直线部14l的两侧分别形成多个槽部45、45
……
，该槽部45的内表面(侧面、底面)被光吸收层16覆盖。
86.另外，在光波导14的直线部l1与弯曲部14r的连接部分向与弯曲部14r的弯曲方向分开的方向延伸的、直线部l1的假想延长线q1上，也形成多个槽部45、45
……
，该槽部45的内表面(侧面、底面)被光吸收层16覆盖。
87.根据这种结构的光电路元件40，当光波导14中传播的光从直线部l1进入弯曲部14r时，沿着该弯曲部14r弯曲，与之相对，基板11及保护层13中传播的杂散光p在弯曲部14r的形成位置未弯曲而直接直线前进。然后，该直线前进的杂散光p被形成于直线部l1的假想延长线q1上的多个槽部45、45
……
和覆盖这些槽部的光吸收层16吸收。因此，根据本实施方式的光电路元件40，在光波导14的弯曲部14r的形成位置直线前进的杂散光p不会出射至光电路元件40的外部，能够防止在例如调芯工序中妨碍光检测器的调芯而使连接损失增大或产生连接不良。
88.(第五实施方式)
89.接着，对本发明第五实施方式的光电路元件进行说明。此外，在以下的实施方式中，对于与上述的第四实施方式同样的结构标注相同的编号，并省略重复的说明。
90.图10是从上方观察本发明第五实施方式的光电路元件时的俯视图。
91.在本实施方式的光电路元件50中，光波导14由直线状延伸的直线部14l和从该直线部14l弯曲的弯曲部14r构成。
92.而且，在两处的直线部14l，在直线部14l的两侧分别形成多个槽部45、45
……
，该槽部45的内表面(侧面、底面)被光吸收层16覆盖。
93.另外，沿着光波导14的弯曲部14r的弯曲外周，形成弯曲的多个槽部55、55
……
，该槽部55的内表面(侧面、底面)被光吸收层16覆盖。
94.根据这种结构的光电路元件50，当光波导14中传播的光从直线部l1进入弯曲部14r时，沿着该弯曲部14r弯曲，与之相对，基板11及保护层13中传播的杂散光p在弯曲部14r的形成位置未弯曲而直接直线前进。然后，该直线前进的杂散光p被沿着弯曲部14r的弯曲外周形成的弯曲的多个槽部55、55
……
和覆盖这些槽部的光吸收层16吸收。
95.作为一例，根据本实施方式的结构，例如，在将入射于光波导14的光的波长设为520nm，且由si膜形成光吸收层16的情况下，si的光吸收系数为1.35
×
105cm
－1
，因此，即使光吸收层16的厚度为100nm，通过将槽部55排列5个，在杂散光透射分别形成于该5个槽部55的光吸收层16的全部的期间，也能够使杂散光衰减至入射前的强度的约26％程度。
96.因此，根据本实施方式的光电路元件50，在光波导14的弯曲部14r的形成位置直线前进的杂散光p不会出射至光电路元件40的外部，能够防止在例如调芯工序中妨碍光检测器的调芯而使连接损失增大或产生连接不良。
97.(第六实施方式)
98.接着，对本发明第六实施方式的光电路元件进行说明。此外，在以下的实施方式中，对于与上述的第一实施方式同样的结构标注相同的编号，并省略重复的说明。在本实施方式中，作为光电路元件的一例，对马赫-曾德尔型的光调制器进行说明。
99.图11是表示本发明第六实施方式的马赫-曾德尔型的光调制器(光电路元件)的俯
视图。
100.光调制器(光电路元件)60是对由光波导14形成的马赫-曾德尔干涉计施加电压来调制光波导14内传播的光的器件。光波导14在分支部e1、e2被分支成两个光波导14s1、14s2，成为在光波导14s1、14s2上分别设置一个、即设置有两个第一电极67a、67b的双电极结构。
101.这种光调制器60利用终端电阻69将两个第一电极67a、67b和第二电极68a、68b、68c连接，作为行波电极发挥作用。将第二电极68a、68b、68c设为接地电极，从光调制器60的第一电极67a、67b的输入侧64a、64b输入绝对值相同且正负不同的相位相对于两个第一电极67a、67b没有偏离的所谓的互补信号。构成基板的铌酸锂膜具有电光效应，因此，通过对光波导14s1、14s2赋予的电场，光波导(14s1、14s2)的折射率分别如+δn、－δn那样变化，光波导(14s1、14s2)间的相位差变化。通过该相位差的变化，从光调制器60的输出侧d2的光波导14s4输出被强度调制的信号光。
102.在这种结构的光调制器60中，在输入侧d1的光波导14s3的两侧、输出侧d2的光波导14s4的两侧、分支部e1的内侧、分支部e2的外侧、及光波导14s1的弯曲部e3、e4的外侧、光波导14s2的弯曲部e5、e6的外侧分别形成槽部65、65
……
。另外，这些槽部65、65
……
的内表面(侧面、底面)被光吸收层(省略图示)覆盖。
103.通过这种结构，在光调制器60的光波导14s1～14s4的各部产生的杂散光被槽部65、65
……
及光吸收层吸收、遮断。因此，杂散光不会向光调制器60的外部出射，能够防止由信号光以外的光(杂散光)引起的误动作。
104.(结构例)
105.作为一结构例，一种光电路元件，其具有基板、形成于所述基板的一个面的光波导层和重叠地形成于所述光波导层的保护层，其中，所述光波导层具有使光传播的光波导，从所述保护层的表面向所述基板形成有到达比所述一个面深的位置的槽部，具备至少覆盖所述槽部的底面和侧面的光吸收层。
106.作为一结构例，所述光吸收层以填埋所述槽部整体的方式形成。
107.作为一结构例，所述槽部沿着所述基板的一个面相互隔开间隔地形成有多个。
108.作为一结构例，所述槽部以相互大致平行地延伸的方式形成有三个以上，以任意的相邻的所述槽部彼此的间隔与其他任意的相邻的所述槽部彼此的间隔不同的方式形成所述槽部。
109.作为一结构例，所述槽部以相互大致平行地延伸的方式形成有四个以上，以任意的所述槽部彼此的间隔之和与其他任意的所述槽部彼此的间隔之和不同的方式形成所述槽部。
110.作为一结构例，以任意的所述槽部的宽度与相邻的所述槽部的宽度不同的方式形成所述槽部。
111.作为一结构例，所述槽部以相互大致平行地延伸的方式形成有三个以上，以任意的所述槽部的宽度之和与其他任意的所述槽部的宽度之和不同的方式形成所述槽部。
112.作为一结构例，所述光波导具有从直线部弯曲的弯曲部，所述槽部以与所述直线部的假想延长线交叉的方式配置。
113.作为一结构例，所述光波导具有从直线部弯曲的弯曲部，所述槽部形成为以沿着
所述弯曲部的方式弯曲地延伸。
114.作为一结构例，所述光波导层含有铌酸锂。
115.作为一结构例，所述光波导为脊型。
116.作为一结构例，所述光吸收层由si构成。
117.以上，说明了本公开的技术的一实施方式，但该实施方式是作为例子而提示的方式，不是用来限定发明的范围。该实施方式能够以其他各种形式实施，能够在不脱离发明宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。该实施方式及其变形包含于发明的范围或宗旨时，同样包含于权利要求书所记载的发明和其均等的范围内。
118.附图标记说明
119.10
…
光电路元件
120.11
…
基板
121.12
…
波导层
122.13
…
保护层
123.14
…
光波导
124.15
…
槽部
125.15a
…
侧面
126.15b
…
底面
127.16
…
光吸收层
128.17
…
脊部。