紫外线激光装置和电子器件的制造方法与流程

本公开涉及紫外线激光装置和电子器件的制造方法。

背景技术：

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350pm～400pm。因此，在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2004-62006号公报

6、专利文献2：日本特开昭61-141189号公报

7、专利文献3：日本特表2011-517066号公报

技术实现思路

1、本公开的一个观点的紫外线激光装置具有：振荡级激光器，其输出紫外线波长的线偏振的脉冲激光；放大器，其对脉冲激光进行放大并输出；以及光隔离器，其被配置于振荡级激光器与放大器之间的光路上，光隔离器具有：第1法拉第转子，其通过第1方向的磁场使从振荡级激光器输出的脉冲激光的偏振方向向第1旋转方向旋转第1角度；第1偏振片，其被配置成针对从第1法拉第转子输出的脉冲激光的归一化透射率成为0.9以上；第2法拉第转子，其通过与第1方向相反的方向即第2方向的磁场，使透过第1偏振片后的脉冲激光的偏振方向向与第1旋转方向相反的方向即第2旋转方向旋转第2角度；以及第2偏振片，其被配置成针对从第2法拉第转子输出的脉冲激光的归一化透射率成为0.9以上。

2、本公开的另一个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：使用紫外线激光装置生成由放大器放大后的激光，将放大后的激光输出到曝光装置，在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，紫外线激光装置具有：振荡级激光器，其输出紫外线波长的线偏振的脉冲激光；放大器，其对脉冲激光进行放大并输出；以及光隔离器，其被配置于振荡级激光器与放大器之间的光路上，光隔离器具有：第1法拉第转子，其通过第1方向的磁场使从振荡级激光器输出的脉冲激光的偏振方向向第1旋转方向旋转第1角度；第1偏振片，其被配置成针对从第1法拉第转子输出的脉冲激光的归一化透射率成为0.9以上；第2法拉第转子，其通过与第1方向相反的方向即第2方向的磁场，使透过第1偏振片后的脉冲激光的偏振方向向与第1旋转方向相反的方向即第2旋转方向旋转第2角度；以及第2偏振片，其被配置成针对从第2法拉第转子输出的脉冲激光的归一化透射率成为0.9以上。

技术特征：

1.一种紫外线激光装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

3.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

4.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

5.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

6.根据权利要求5所述的紫外线激光装置，其中，

7.根据权利要求5所述的紫外线激光装置，其中，

8.根据权利要求5所述的紫外线激光装置，其中，

9.根据权利要求5所述的紫外线激光装置，其中，

10.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

11.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

12.根据权利要求11所述的紫外线激光装置，其中，

13.根据权利要求11所述的紫外线激光装置，其中，

14.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

15.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

16.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

17.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

18.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

19.根据权利要求1所述的紫外线激光装置，其中，

20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：

技术总结
本公开的一个观点的紫外线激光装置在振荡级激光器与放大器之间的光路上配置有光隔离器，该振荡级激光器输出紫外线波长的线偏振的脉冲激光，该放大器对脉冲激光进行放大并输出。光隔离器具有：第1法拉第转子，其通过第1方向的磁场使从振荡级激光器输出的脉冲激光的偏振方向向第1旋转方向旋转第1角度；第1偏振片，其被配置成使从第1法拉第转子输出的脉冲激光以0.9以上的归一化透射率透过；第2法拉第转子，其通过与第1方向相反的方向的磁场使透过第1偏振片后的脉冲激光的偏振方向向与第1旋转方向相反的方向旋转第2角度；以及第2偏振片，其被配置成使从第2法拉第转子输出的脉冲激光以0.9以上的归一化透射率透过。

技术研发人员：田丸裕基,三浦泰祐,安原亮
受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15