1.本公开涉及一种发光装置、光测量装置以及图像形成装置。
背景技术：2.日本专利特开2020-126980号公报中记载了一种发光装置，包括：基材，被搭载于配线基板上；发光元件阵列，设在所述基材上；第一导电图案，与所述发光元件阵列连接，沿着所述发光元件阵列的侧面而设在所述基材的表面，且具有与所述发光元件阵列相向的区域即相向区域、与越过所述相向区域而延伸的延伸区域；以及多个贯穿构件，连接于所述相向区域与所述延伸区域，且贯穿至所述基材的背面侧。
技术实现要素：3.本公开的课题在于，抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
4.根据本公开的第一方案，提供一种发光装置，包括：具有朝向一方向的面和朝向与所述面为相反侧的另一面的构件；发光部，配置在相对于所述构件的所述面侧，伴随发光而发热，且刚性比所述构件低；以及加热部，配置在相对于所述构件的所述另一面侧，从所述另一面侧对所述构件进行加热。
5.根据本公开的第二方案，所述发光装置还包括：探测部，探测所述构件的温度；以及控制部，基于所述探测部的探测结果来控制所述加热部。
6.根据本公开的第三方案，所述探测部对相对于所述构件的所述另一面侧的温度进行探测。
7.根据本公开的第四方案，所述探测部进一步对相对于所述构件的所述面侧的温度进行探测。
8.根据本公开的第五方案，所述加热部在与所述一方向交叉的交叉方向上的位置与所述发光部重合。
9.根据本公开的第六方案，所述发光部被安装于所述面。
10.根据本公开的第七方案，所述发光部相对于所述面而隔开，且经由连接部而安装于所述面。
11.根据本公开的第八方案，所述连接部是在一个发光部中彼此隔开间隔而配置有多个，在所述发光部与所述面之间形成有间隙。
12.根据本公开的第九方案，所述加热部在与所述一方向交叉的交叉方向上的位置与所述连接部重合。
13.根据本公开的第十方案，所述加热部沿着与所述一方向交叉的交叉方向而彼此隔开间隔地配置有多个。
14.根据本公开的第十一方案，所述构件以及所述发光部沿与所述一方向交叉的交叉方向延伸。
15.根据本公开的第十二方案，所述发光部沿着所述交叉方向而呈锯齿状地配置有多
个，
16.所述发光部在所述交叉方向上的其中一侧的端部与相邻的另一发光部在所述交叉方向上的另一侧的端部在所述交叉方向上的位置重合。
17.根据本公开的第十三方案，所述发光装置还包括：配置在相对于所述发光部而规定的相对位置的另一零件，所述发光部或所述另一零件中的至少其中任一者被安装于所述构件。
18.根据本公开的第十四方案，提供一种光测量装置，包括：所述发光装置，其中所述另一零件是受光部，所述受光部接收从所述发光部对在所述一方向上隔开的物体发光并从所述物体反射的光；以及形状确定部，基于所述受光部所接收的光来确定所述物体的三维形状。
19.根据本公开的第十五方案，提供一种图像形成装置，包括：像保持体；所述发光装置，使光在经带电的像保持体上成像而形成静电潜像，且所述加热部被安装于所述构件；以及显影装置，对所述像保持体的静电潜像进行显影而形成图像。
20.(效果)
21.根据所述第一方案，与仅在构件与发光部之间配置有加热部的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
22.根据所述第二方案，与基于发光部的发光量来控制加热部的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
23.根据所述第三方案，能够基于另一面侧的温度探测结果而利用控制部来控制加热部。
24.根据所述第四方案，能够基于面侧以及另一面侧各自的温度探测结果而利用控制部来控制加热部。
25.根据所述第五方案，与加热部的整体在交叉方向上相对于发光部而偏离的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
26.根据所述第六方案，与发光部未被安装于面的结构相比，既能促进发光部的散热，又能抑制伴随构件的热变形造成的发光部的变形。
27.根据所述第七方案，与发光部的整个面被直接安装于构件的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
28.根据所述第八方案，与在发光部与面之间的整个空间配置有连接部的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
29.根据所述第九方案，与加热部的整体在交叉方向上相对于连接部而偏离的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
30.根据所述第十方案，与包括在交叉方向上与发光部整体重合的加热部的结构相比，能够使发光装置轻量化。
31.根据所述第十一方案，能够抑制下述情况，即，伴随发光部的发热，沿交叉方向延伸的构件以翘曲的方式发生热变形。
32.根据所述第十二方案，在发光部呈锯齿状配置的结构中，与仅在构件与发光部之间配置有加热部的结构相比，能够抑制伴随发光部的发热造成的构件的热变形。
33.根据所述第十三方案，在构件关联于发光部以及另一零件的相对位置的结构中，
能够抑制伴随构件的热变形造成的发光部与另一零件的相对位置的变化。
34.根据所述第十四方案，在包括受光部以及形状确定部的结构中，能够提高形状确定部对物体形状的确定精度。
35.根据所述第十五方案，与对构件进行加热的加热部件未安装于构件的结构相比，既能抑制对构件的加热对显影装置以及像保持体造成的影响，又能抑制伴随发光部的发热造成的图像形成不良。
附图说明
36.图1是表示第一实施方式的发光装置的结构的平面图。
37.图2是表示第一实施方式的发光装置的结构的正面图。
38.图3是表示第一实施方式的发光装置的硬件结构的框图。
39.图4是表示第二实施方式的图像形成装置的结构的概略正面图。
40.图5是表示第二实施方式的曝光装置的结构的正面图。
41.图6是表示第二实施方式的曝光装置的结构的侧面剖面图。
42.图7是从上方观察第二实施方式的曝光装置的平面图。
43.图8是从下方观察第二实施方式的曝光装置的平面图。
44.图9是表示第二实施方式的曝光装置的硬件结构的框图。
45.图10是表示第三实施方式的发光装置的结构的正面图。
46.图11是表示第三实施方式的光测量装置的结构的平面剖面图。
47.图12是表示第三实施方式的光测量装置的硬件结构的框图。
48.图13是表示第三实施方式的光测量装置的变形例的平面剖面图。
49.图14是表示第三实施方式的光测量装置的变形例的平面剖面图。
50.图15是表示执行温差控制程序而针对发光部的温度变化来控制加热部的温度时的各部位的时间与温度的关系的图表。
51.图16是表示执行温度控制程序而针对发光部的温度变化来控制加热部的温度时的各部位的时间与温度的关系的图表。
具体实施方式
52.〔第一实施方式〕
53.使用图1至图3来说明本公开的第一实施方式的发光装置10。
54.另外，以下所示的说明中，如图1所示，对于发光装置10，将发光装置10的发光方向记载为装置上下方向中的上方向，将与装置上下方向正交并且彼此正交的两方向分别记载为装置纵深方向以及装置宽度方向。而且，图中，将装置上下方向(铅垂方向)、装置宽度方向(水平方向)、装置纵深方向(水平方向)分别记载为h方向、w方向、d方向。而且，在需要区分装置上下方向、装置宽度方向、装置纵深方向各自的其中一侧与另一侧的情况下，将从上侧俯视发光装置10时的上侧记载为-d侧、下侧记载为+d侧、右侧记载为+w侧、左侧记载为-w侧、里侧记载为-h侧、跟前侧记载为+h侧。
55.第一实施方式的发光装置10是朝向+h侧发光的装置。换言之，发光装置10是朝向+h侧照射光的装置。如图1以及图2所示，发光装置10包括基材20、发光部70以及加热部30。而
且，发光装置10还包括探测部40与控制部50(省略图示)。控制部50控制各部的动作。关于控制部50的详细将后述。
56.基材20是沿着d-w平面且具有朝向+h侧的上表面22以及朝向-h侧的下表面24的矩形板。上表面22为面的一例。下表面24为另一面的一例。基材20为构件的一例。基材20例如为不锈钢等的金属制的块体，刚性比后述的发光部70高。
57.另外，本实施方式中的基材20只要刚性比发光部70高，则并不限于由金属块体所形成。例如，基材20也可由金属板所形成，而且，还可由树脂材料所形成。
58.(发光部)
59.发光部70具有朝向+h侧发光的功能。本实施方式中的发光部70是将面发光型半导体激光(垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel))元件安装于配线基板上者，且被安装在基材20的上表面22(参照图2)。即，发光部70被配置在相对于基材20的上表面22侧。如图1所示，发光部70从装置上下方向观察时呈比基材20小的矩形状。而且，发光部70的刚性比基材20低。具体而言，基材20的h方向的弯曲刚性比发光部70高，且w方向以及d方向的拉伸、压缩刚性比发光部70高。发光部70被安装于基材20，由此，与单品时相比，所述各方向的刚性增加。
60.发光部70是由控制部50来控制其动作。而且，发光部70伴随发光而发热。伴随发光部70的发光而产生的热传导至基材20的上表面22，由此来散热。换言之，发光部70经由基材20来散热，由此来抑制过热。进一步换言之，发光部70伴随发光而使基材20的上表面22加热。
61.(加热部)
62.加热部30是被安装于基材20的下表面24，具有通过通电来对下表面24进行加热的功能的薄板状的电气式加热器。即，加热部30具有从下表面24侧对基材20进行加热的功能。而且，加热部30被配置在相对于基材20的下表面24侧。加热部30从装置上下方向观察时，呈比基材20小且比发光部70大的矩形状，且以发光部70位于加热部30的内侧的方式而配置。即，加热部30在水平方向上的位置与发光部70重合。具体而言，加热部30在装置宽度方向上的位置与发光部70重合。进而，加热部30在装置宽度方向上的位置与发光部70的一部分重合。而且，加热部30在装置纵深方向上的位置与发光部70重合。进而，加热部30在装置纵深方向上的位置与发光部70的一部分重合。加热部30是由控制部50来控制其动作。
63.(探测部)
64.探测部40具有对基材20的温度进行探测的功能。如图2所示，探测部40是包含上侧探测部42与下侧探测部44而构成。上侧探测部42是被安装于基材20的上表面22的温度传感器，具有对基材20的上表面22的温度进行探测的功能。即，探测部40对基材20的上表面22侧的温度进行探测。下侧探测部44是被安装于基材20的下表面24的温度传感器，具有对基材20的下表面24的温度进行探测的功能。即，探测部40对基材20的下表面24侧的温度进行探测。
65.图3是表示发光装置10的硬件结构的框图。发光装置10中，发光部70、加热部30、探测部40与控制部50经由总线可相互通信地连接。
66.(控制部)
67.如图3所示，控制部50是包含处理器(中央处理器(central processing unit，
cpu))51、只读存储器(read only memory，rom)52、随机存取存储器(random access memory，ram)53以及贮存器54而构成。cpu51为中央运算处理单元，执行各种程序，或者控制各部。即，cpu51从rom52或贮存器54读出程序，将ram53作为作业区域来执行程序。cpu51通过记录在rom52或贮存器54中的程序来进行所述各结构的控制以及各种的运算处理。本实施方式中，在rom52或贮存器54中，保存有温差控制程序，所述温差控制程序使加热部30运行，以使由探测部40探测到的上表面22侧的温度与下表面24侧的温度之间的温差变小。通过所述程序，控制部50具有基于探测部40的探测结果来控制加热部30的功能。另外，图15中，作为一例，表示了下述图表，所述图表表示执行温差控制程序而相对于发光部70的温度来控制加热部30的温度时的各部位的时间(经过时间)与温度的关系。
68.另外，本实施方式中，是使加热部30运行，以使上表面22侧的温度与下表面24侧的温度之间的温差变小，但本公开并不限定于此结构。例如，在另一实施方式中，也可在rom52或贮存器54中保存使加热部30运行以使基材20的温度成为规定的目标温度的温度控制程序，通过所述程序，控制部50控制加热部30，以使基材20的温度成为规定的目标温度。另外，图16中，作为一例，表示了下述图表，所述图表表示执行温度控制程序而相对于发光部70的温度来控制加热部30的温度时的各部位的时间(经过时间)与温度的关系。
69.rom52保存各种程序以及各种数据。ram53作为作业区域来暂时存储程序或数据。贮存器54包含硬盘驱动器(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid state drive，ssd)，保存包含操作系统的各种程序以及各种数据。
70.＜作用以及效果＞
71.接下来，对第一实施方式的光学装置10的作用以及效果进行说明。另外，本说明中，在记载相对于第一实施方式的比较形态时，在使用与发光装置10同样的零件等的情况下，直接使用所述零件等的符号以及名称来进行说明。
72.首先，对发光部70被配置在相对于基材20的上表面22侧的发光装置进行说明。所述发光装置中，当发光部70发光时，因伴随发光部70的发光引起的发热，基材20的上表面22侧的部分受到加热而热膨胀。与此相对，基材20的较上表面22侧的部分而相对于发光部70隔开的下表面24侧的部分，与上表面22侧的部分相比，难以因发光部70而受到加热，因而难以热膨胀。因此，在发光部70被配置在相对于基材20的上表面22侧的发光装置中，当发光部70发光时，因伴随发光部70的发光造成的发热，基材20发生热变形。
73.另一方面，本实施方式的发光装置10包括被配置在相对于基材20的下表面24侧的加热部30，由此，能够通过加热部30来对基材20的下表面24侧的部分进行加热。由此，发光装置10能够使基材20的上表面22侧的部分与下表面24侧的部分分别利用发光部70与加热部30进行加热而使它们热膨胀。因此，发光装置10能够抑制伴随发光部70的发热造成的基材20的热变形。尤其，发光装置10与仅在基材20与发光部70之间配置有加热部30的结构相比，能够抑制伴随发光部70的发热造成的基材20的热变形。
74.而且，本实施方式的发光装置10还包括：探测部40，对基材20的温度进行探测；以及控制部50，基于探测部40的探测结果来控制加热部30。由此，本实施方式的发光装置10与基于发光部70的发光量来控制加热部30的结构相比，能够基于探测部40的探测结果来调整加热部30的加热量。因而，本实施方式的发光装置10与基于发光部70的发光量来控制加热部30的结构相比，能够抑制伴随发光部70的发热造成的基材20的热变形。
75.而且，本实施方式的发光装置10中，探测部40具有对基材20的下表面24的温度进行探测的下侧探测部44。因而，本实施方式的发光装置10能够基于基材20的下表面24侧的温度探测结果而利用控制部50来控制加热部30。
76.而且，本实施方式的发光装置10中，探测部40还具有对基材20的上表面22的温度进行探测的上侧探测部42。因而，本实施方式的发光装置10能够基于基材20的上表面22侧以及下表面24侧各自的温度探测结果而利用控制部50来控制加热部30。
77.而且，本实施方式的发光装置10中，加热部30在水平方向上的位置与发光部70重合。由此，发光装置10能够利用加热部30来对基材20的下表面24进行加热，以使得相对于伴随发光部70的发光所造成的基材20的上表面22侧的加热范围而在装置上下方向变得对称。因而，本实施方式的发光装置10与加热部30的整体在水平方向上相对于发光部70而偏离的结构相比，能够抑制伴随发光部70的发热造成的基材20的热变形。
78.而且，本实施方式的发光装置10中，发光部70被安装于基材20的上表面22。因而，本实施方式的发光装置10与发光部70在基材20的上方被配置在相对于基材20而隔开的规定位置的结构相比，能够使伴随发光部70的发光而产生的热传导至基材20。即，本实施方式的发光装置10与发光部70未被安装在基材20的上表面22的结构相比，能够促进发光部70的散热。
79.而且，在发光部70被安装在基材20的上表面22的结构中，当因伴随发光部70的发光所引起的发热而基材20的上表面22受到加热而热变形时，发光部70有可能以仿着发生了热变形的基材20的上表面22的方式发生变形。另一方面，本实施方式的发光装置10在发光部70被安装于基材20的上表面22的结构中，还包括加热部30。因而，本实施方式的发光装置10在包括发光部70与加热部30的结构中，与发光部70未被安装在基材20的上表面22的结构相比，既能促进发光部70的散热，又能抑制伴随基材20的热变形造成的发光部70的变形。
80.〔第二实施方式〕
81.接下来，使用图4至图9来说明本公开的第二实施方式的曝光装置110以及图像形成装置100。
82.另外，以下所示的说明中，将从用户(省略图示)站立的一侧正视图像形成装置100时的装置上下方向(铅垂方向)、装置宽度方向(水平方向)、装置纵深方向(水平方向)分别记载为h方向、w方向、d方向。而且，在需要区分装置上下方向、装置宽度方向、装置纵深方向各自的其中一侧与另一侧的情况下，将正视图像形成装置100时的上侧记载为+h侧、下侧记载为-h侧、右侧记载为+w侧、左侧记载为-w侧、里侧记载为-d侧、跟前侧记载为+d侧。
83.＜图像形成装置＞
84.第二实施方式的图像形成装置100是在作为记录介质的一例的片材构件p上形成墨粉图像并使其定影的电子照相方式的图像形成装置。如图4所示，图像形成装置100包括框体100a、收容部210、搬送部290、形成部220、定影部280以及控制部150(省略图示)。收容部210收容有片材构件p。搬送部290将由收容部210所收容的片材构件p搬送向形成部220侧。框体100a收容图像形成装置100的各部。控制部150对图像形成装置100的各部的动作进行控制。关于控制部150的详细将后述。
85.形成部220具有感光体单元230y、感光体单元230m、感光体单元230c、感光体单元230k以及转印单元270。另外，符号的尾标的“y”表示黄色(yellow)用，“m”表示品红色
(magenta)用，“c”表示青色(cyan)用，“k”表示黑色(black)用。
86.感光体单元230y～感光体单元230k(230y、230m、230c、230k)在从图像形成装置100的正面观察时，以排列的状态配置在框体100a的内侧。感光体单元230y、感光体单元230m、感光体单元230c、感光体单元230k除了所使用的墨粉以外，采用了同样的结构。因此，对感光体单元230k赋予表示感光体单元的结构的符号，而对于感光体单元230y、感光体单元230m、感光体单元230c则予以省略。
87.感光体单元230y～感光体单元230k是包含感光体鼓232、显影装置234、曝光装置110以及带电装置236而构成。感光体鼓232是在外周面形成静电潜像的像保持体的一例，以正视图像形成装置100的方向为轴方向而可旋转地设置，通过未图示的马达，从图像形成装置100的正面观察时朝顺时针方向旋转。带电装置236使感光体鼓232的外周面带电至预先规定的电位。曝光装置110相对于曝光装置110而配置在+h侧，对通过带电装置236而带电的感光体鼓232上照射光以形成静电潜像。曝光装置110为发光装置的一例。显影装置234对于形成在感光体鼓232上的静电潜像，使用包含墨粉的显影剂进行显影，从而形成墨粉图像。另外，关于曝光装置110，将在后文详细叙述。
88.转印单元270是包含中间转印带271、多个一次转印辊272、驱动辊273、二次转印辊274以及相向辊275而构成。中间转印带271是将内周面支撑于一次转印辊272、驱动辊273与二次转印辊274的无接头带，通过驱动辊273，从图像形成装置100的正面观察时朝逆时针方向旋转。转印单元270将由感光体单元230y～感光体单元230k所形成的墨粉图像经由中间转印带271而转印至由搬送部290予以搬送的片材构件p，并将转印有墨粉图像的片材构件p搬送至定影部280。
89.定影部280使被转印至片材构件p的墨粉图像定影至片材构件p，并将墨粉图像经定影的片材构件p排出至装置外。
90.(曝光装置)
91.接下来说明曝光装置110。
92.如图5至图8所示，曝光装置110包括基材120、多个发光部170以及加热部130。本实施方式中，曝光装置110包括三个发光部170。而且，曝光装置110还包括探测部140、隔离件160以及罩部112。而且，如图9所示，曝光装置110经由总线而与控制部150可相互通信地连接。换言之，曝光装置110包括控制部150。
93.如图5至图7所示，基材120是将装置纵深方向设为长边方向的长方体状的块体材。基材120沿着d-w平面且具有朝向+h侧的上表面122以及朝向-h侧的下表面124。上表面122为面的一例。下表面124为另一面的一例。基材120为构件的一例。基材120例如是由不锈钢等的金属所形成，刚性比后述的发光部170高。
94.另外，本实施方式中的基材120只要刚性比发光部170高，则并不限于由金属块体所形成。例如，基材120也可由金属板所形成，而且，还可由树脂材料所形成。
95.(发光部)
96.三个发光部170分别具有朝向+h侧发光的功能。如图7所示，三个发光部170分别沿基材120的长边方向(装置纵深方向)延伸，且以沿着基材120的长边方向(装置纵深方向)的锯齿状，经由后述的隔离件160而安装于基材120的上表面122。即，三个发光部170是以相对于上表面122隔开的状态而配置。三个发光部170从+d侧起称作发光部170a、发光部170b、发
光部170c。本实施方式中，发光部170a以及发光部170c相对于发光部170b而配置在-w侧。
97.三个发光部170各自在装置纵深方向上的至少一侧的端部与跟所述发光部170相邻的另一发光部170在装置纵深方向上的至少另一侧的端部在装置纵深方向上的位置重合。具体而言，如图7所示，发光部170a被配置成，与发光部170b的彼此的一部分从装置宽度方向观察时重合。具体而言，发光部170a的-d侧的端部与发光部170b的+d侧的端部在装置纵深方向上的位置重合。而且，发光部170c被配置成，与发光部170b的彼此的一部分从装置宽度方向观察时重合。具体而言，发光部170c的+d侧的端部与发光部170b的-d侧的端部在装置纵深方向上的位置重合。
98.发光部170a、发光部170b、发光部170c分别采用了同样的结构。因此，对发光部170a赋予表示发光部170的结构的符号，而对于发光部170b以及发光部170c则予以省略。
99.如图5以及图6所示，发光部170a包括基材172、发光基板174、透镜部176以及透镜保持部178。
100.基材172是将装置纵深方向设为长边方向的长方体状的块体材。基材172例如是由不锈钢等的金属所形成。
101.如图5至图7所示，基材172具有供后述的探测部140的上侧探测部142配置的凹部172a。凹部172a是相对于基材172的上表面为凹的凹陷部，沿着基材120的长边方向(装置纵深方向)而彼此隔开间隔地排列形成有多个。本实施方式中，每一个基材172形成有四个凹部172a。
102.发光基板174具有朝向+h侧发光的功能。发光基板174具有：薄板状的基板174a，沿着基材172的上表面而展开且沿装置纵深方向延伸；以及光源174b，沿着装置纵深方向而配置在基板174a的上表面。本实施方式中的光源174b是具有半导体基板、以及沿着装置纵深方向而在所述半导体基板上形成有多个的发光二极管、发光闸流管(thyristor)或激光元件等发光元件的发光元件阵列。另外，光源174b并不限定于发光元件阵列，也可为单个发光元件。
103.透镜部176是相对于发光基板174的光源174b而配置在+h侧的、沿装置纵深方向延伸的透镜阵列。透镜部176从装置纵深方向观察时呈矩形状，具有使从光源174b照射的光入射至-h侧的面，并从+h侧的面朝向感光体鼓232的表面出射的功能。透镜部176相对于光源174b而配置在规定的相对位置。
104.透镜保持部178被配置在发光基板174的上表面，具有以在装置宽度方向上夹着的状态来保持透镜部176的功能。
105.发光部170a的刚性比基材120低。具体而言，基材120的装置上下方向以及装置宽度方向的弯曲刚性比发光部170a高，且装置宽度方向以及装置纵深方向的拉伸、压缩刚性比发光部170a高。发光部170a被安装于基材120，由此，与单品时相比，所述各方向的刚性增加。
106.发光部170是由控制部150来控制其动作。而且，发光部170伴随发光而发热。伴随发光部170的发光而产生的热经由隔离件160而传导至基材120的上表面122，并经由后述的间隙114而朝向上表面122辐射，由此来散热。换言之，发光部170经由基材120来散热，由此来抑制过热。进一步换言之，发光部170伴随发光而使基材120的上表面122加热。
107.(隔离件)
108.如图5以及图6所示，隔离件160是以从下方支撑发光部170的方式安装在基材120的上表面122，且将装置上下方向设为轴方向的圆板。换言之，隔离件160是以在装置上下方向上被夹在基材120与发光部170之间的方式而配置。隔离件160为连接部的一例。隔离件160的直径比基材120的装置宽度方向的长度短。如图6所示，隔离件160是沿着发光部170的长边方向(装置纵深方向)而彼此隔开间隔地排列配置有多个。本实施方式中，每一个发光部170配置有三个隔离件160。由此，在发光部170与基材120之间形成有间隙114。具体而言，隔离件160被配置在基材120与发光部170之间，由此，在发光部170的基材172的下表面与基材120的上表面122之间形成有间隙114。
109.本实施方式中，每一个发光部170配置有三个的隔离件160被配置成，对所述发光部170的基材120的装置纵深方向的两端部与所述基材120在装置纵深方向上的中央部进行支撑。
110.(加热部)
111.加热部130是被安装在基材120的下表面124，具有通过通电来对下表面124进行加热的功能的薄板状的电气式加热器。即，加热部130具有从下表面124侧对基材120进行加热的功能。而且，加热部130被配置在相对于基材120的下表面124侧。如图8所示，加热部130具有从装置上下方向观察时朝装置宽度方向竖立的h字状的面，且沿着下表面124的长边方向(装置纵深方向)而彼此隔开间隔地排列配置有多个。本实施方式中，加热部130配置有四个。四个加热部130从+d侧起称作加热部130a、加热部130b、加热部130c、加热部130d。四个加热部130是由控制部50来控制其动作。
112.四个加热部130a～130d(130a、130b、130c、130d)分别配置成，从装置上下方向观察时与三个发光部170的一部分重合。换言之，加热部130被配置成，在装置纵深方向上的位置与发光部170的一部分重合。具体而言，加热部130a被配置成，从装置上下方向观察时-w侧的一部分与发光部170a的+d侧的端部重合。而且，加热部130b被配置成，从装置上下方向观察时-w侧的一部分与发光部170a的-d侧的端部重合。而且，加热部130b被配置成，从装置上下方向观察时+w侧的一部分与发光部170b的+d侧的端部重合。而且，加热部130c被配置成，从装置上下方向观察时+w侧的一部分与发光部170b的-d侧的端部重合。而且，加热部130c被配置成，从装置上下方向观察时-w侧的一部分与发光部170c的+d侧的端部重合。而且，加热部130d被配置成，从装置上下方向观察时-w侧的一部分与发光部170c的-d侧的端部重合。
113.而且，加热部130在装置纵深方向上的位置与隔离件160重合。具体而言，加热部130a～加热部130d分别配置成，在装置纵深方向上的位置与一部分隔离件160重合。更具体而言，加热部130a被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170a的+d侧端部的隔离件160重合。而且，加热部130b被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170a的-d侧端部的隔离件160重合。而且，加热部130b被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170b的+d侧端部的隔离件160重合。而且，加热部130c被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170b的-d侧端部的隔离件160重合。而且，加热部130c被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170c的+d侧端部的隔离件160重合。而且，加热部130c被配置成，在装置纵深方向上的位置与配置在发光部170c的-d侧端部的隔离件160重合。
114.(探测部)
115.如图5所示，探测部140是包含上侧探测部142与下侧探测部144而构成。
116.上侧探测部142是分别配置于在发光部170的基材172上所形成的多个凹部172a内的温度传感器，具有对发光部170的温度进行探测的功能。即，探测部140的上侧探测部142对基材120的上表面122侧的温度进行探测。本实施方式中，如图7所示，上侧探测部142被分别配置于在三个发光部170上分别各形成有四个的凹部172a内。
117.下侧探测部144是被配置在基材120的下表面124的温度传感器，具有对基材120的下表面124的温度进行探测的功能。即，探测部140的下侧探测部144对基材120的下表面124侧的温度进行探测。本实施方式中，如图8所示，下侧探测部144在基材120的下表面124配置有六个。具体而言，六个下侧探测部144以与从装置上下方向观察时呈沿着装置纵深方向延伸的锯齿状配置的三个发光部170重合的方式，两个一组(共计三组)地呈沿着装置纵深方向的锯齿状配置。
118.图9是表示曝光装置110的硬件结构的框图。曝光装置110中，发光部170、加热部130、探测部140与控制部150经由总线可相互通信地连接。另外，发光部170具有多个发光部170a～170b，但在图9中为了图的简化而汇总为一个地图示为发光部170。对于加热部130(加热部130a～加热部130d)、上侧探测部142、下侧探测部144也同样，在图9中为了图的简化而分别汇总为一个来图示。
119.(控制部)
120.如图9所示，控制部150是包含处理器(中央处理器(central processing unit，cpu))151、只读存储器(read only memory，rom)152、随机存取存储器(random access memory，ram)153以及贮存器154而构成。cpu151为中央运算处理单元，执行各种程序，或者控制各部。即，cpu151从rom152或贮存器154中读出程序，将ram153作为作业区域来执行程序。cpu151通过记录在rom152或贮存器154中的程序，来进行所述各结构的控制以及各种运算处理。本实施方式中，在rom152或贮存器154中，保存有温度分布计算程序，所述温度分布计算程序根据探测部140对基材120的上表面22侧的温度以及下表面24侧的温度的探测结果来算出基材120内部的温度分布。而且，在rom152或贮存器154中，保存有温差控制程序，所述温差控制程序根据温度分布计算程序的算出结果来使加热部130运行，以使基材120内部的温差变小。由此，发光部170与基材120的热膨胀量之差，主要是长边方向的接缝位置变动得到抑制。另外，另一实施方式中，在rom152或贮存器154中保存有温度控制程序，所述温度控制程序根据温度分布计算程序的算出结果来使加热部130运行，以使基材120的内部温度成为规定的目标温度。通过这些程序，控制部150也可具有基于探测部140的探测结果来控制加热部130的功能。此时，基材120的热膨胀，主要是短边方向的接缝位置的变动得到抑制。
121.rom152保存各种程序以及各种数据。ram153作为作业区域而暂时存储程序或数据。贮存器154包含硬盘驱动器(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid state drive，ssd)，保存包含操作系统的各种程序以及各种数据。
122.(其他)
123.如图5所示，罩部112具有从装置纵深方向观察时呈u字状的剖面，是以从下方覆盖基材120且在装置宽度方向上包夹基材120的方式而安装于基材120的面板状的罩体。如图6
所示，罩部112沿着装置纵深方向延伸。而且，如图5所示，罩部112以u字的底部相对于加热部130而朝装置上下方向隔开的方式安装于基材120。罩部112在与基材120的下表面124之间围成的空间，形成供通过未图示的风扇而从框体100a的外侧进气的空气流动的导管。
124.罩部112在上表面122的上侧，从w方向覆盖各发光部170。而且，在罩部112与各发光部170之间，形成有作为隔热层的间隙。因此，与罩部112仅位于上表面122的下方的结构相比，抑制发光部170发出的热朝w方向放射的情况。来自发光部170的热主要经由基材120而散发至在所述导管中流动的空气。
125.曝光装置110相对于曝光装置110而配置在+h侧，对通过带电装置236而带电的感光体鼓232上照射光而形成静电潜像。
126.＜作用以及效果＞
127.接下来，对第二实施方式的曝光装置110以及图像形成装置100的作用以及效果进行说明。另外，本说明中，在记载相对于第二实施方式的比较形态时，在使用与曝光装置110以及图像形成装置100同样的零件等的情况下，直接使用所述零件等的符号以及名称来说明。
128.曝光装置110包括配置在相对于基材120的下表面124侧的加热部130。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到与包括加热部30的第一实施方式同样的效果。
129.而且，曝光装置110还包括探测部140与控制部150。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到与包括探测部40和控制部50的第一实施方式同样的效果。
130.而且，曝光装置110还具有对基材120的下表面124侧的温度进行探测的下侧探测部144。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到与包括下侧探测部44的第一实施方式同样的效果。
131.而且，曝光装置110还具有对基材120的上表面122侧的温度进行探测的上侧探测部142。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到与包括上侧探测部42的第一实施方式同样的效果。
132.而且，曝光装置110中，加热部130在装置纵深方向上的位置与发光部170重合。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到加热部30在装置纵深方向上的位置与发光部70重合的第一实施方式同样的效果。
133.而且，曝光装置110中，发光部170被安装于基材120的上表面122。因而，第二实施方式的曝光装置110能够起到发光部70被安装于基材20的上表面22的第一实施方式同样的效果。
134.而且，曝光装置110中，发光部170相对于基材120的上表面122而隔开，且经由隔离件160而安装于上表面122。对本实施方式的曝光装置110与以下所示的作为第一比较形态的曝光装置310进行比较。
135.第一比较形态的曝光装置310不包括相当于本实施方式中的隔离件160的结构，发光部170不经由隔离件160，而是以使基材172下表面的整个面接触至基材120的上表面122的方式直接安装。对于以上的点以外，第一比较形态的曝光装置310采用了与本实施方式的曝光装置110同样的结构。
136.第一比较形态的曝光装置310中，发光部170与基材120之间的导热面积比本实施方式的曝光装置110大，因此与本实施方式的曝光装置110相比，基材120的上表面122侧的
部分容易伴随发光部170的发热而热膨胀。即，第一比较形态的曝光装置310与本实施方式的曝光装置110相比，基材120容易发生热变形。
137.另一方面，本实施方式的曝光装置110中，发光部170经由隔离件160而安装于上表面122，因此与第一比较形态相比，发光部170与基材120之间的导热面积小。因而，本实施方式的曝光装置110与第一比较形态相比，基材120的上表面122侧的部分难以伴随发光部170的发热而热膨胀。而且，本实施方式的曝光装置110与第一比较形态相比，温度比发光部170高的基材120的热难以散发至发光部170。因此，本实施方式的曝光装置110与发光部170下表面的整个面直接安装于基材120的结构相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的基材120的热变形。
138.而且，曝光装置110中，隔离件160在一个发光部170中彼此隔开间隔地配置有三个。而且，曝光装置110中，在发光部170与基材120的上表面122之间形成有间隙114。因此，曝光装置110中，与在发光部170与上表面122之间的整个空间配置有连接部的结构相比，发光部170与基材120之间的导热面积小。因而，本实施方式的曝光装置110与在发光部170与上表面122之间的整个空间配置有连接部的结构相比，基材120的上表面122侧的部分难以伴随发光部170的发热而热膨胀。而且，实施方式的曝光装置110与在发光部170与上表面122之间的整个空间配置有连接部的结构相比，温度比发光部170高的基材120的热难以散发至发光部170。因此，本实施方式的曝光装置110与在发光部170与上表面122之间的整个空间配置有连接部的结构相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的基材120的热变形。
139.而且，曝光装置110中，加热部130在装置纵深方向上的位置与隔离件160重合。由此，曝光装置110能够以与伴随发光部170的发光而经由隔离件160对基材120的上表面122侧的加热范围对应的方式，利用加热部130来对基材120的下表面124进行加热。因而，本实施方式的曝光装置110与加热部130的整体在水平方向上相对于隔离件160而偏离的结构相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的基材120的热变形。
140.而且，曝光装置110中，加热部130沿着装置纵深方向而彼此隔开间隔地配置有四个。因而，本实施方式的曝光装置110与包括在装置纵深方向上与发光部170整体重合的加热部的结构相比，能够使曝光装置110轻量化。
141.而且，曝光装置110中，基材120以及发光部170沿装置纵深方向延伸。因而，本实施方式的曝光装置110通过包括加热部130，从而能够抑制伴随发光部170的发热而沿装置纵深方向延伸的基材120以翘曲的方式发生热变形。
142.而且，曝光装置110中，三个发光部170呈沿着装置纵深方向的锯齿状配置。因而，本实施方式的曝光装置110在三个发光部170呈沿着装置纵深方向的锯齿状配置的结构中，与仅在基材120与发光部170之间配置有加热部的结构相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的基材120的热变形。
143.而且，图像形成装置100包括在基材120安装有加热部130的曝光装置110。对本实施方式的图像形成装置100与以下所示的作为第二比较形态的图像形成装置300进行比较。
144.第二比较形态的图像形成装置300取代本实施方式的加热部130，而具有使用配置在感光体单元230外部的暖风机来加热基材120的结构。暖风机通过输送暖风来加热基材120。而且，第二比较形态的图像形成装置300所包括的曝光装置不具有相当于本实施方式的加热部130的结构。即，第二比较形态的图像形成装置300所包括的曝光装置中，未在基材
120安装有对基材120进行加热的加热部件。关于以上的点以外，第二比较形态的图像形成装置300采用了与本实施方式的图像形成装置100同样的结构。
145.第二比较形态的图像形成装置300中，暖风机被配置在感光体单元230的外部，通过暖风来对基材120进行加热。因而，第二比较形态的图像形成装置300中，暖风机除了对曝光装置110的基材120以外，还会对感光体单元230的显影装置234以及感光体鼓232进行加热。因此，第二比较形态的图像形成装置300中，因暖风机对显影装置234以及感光体鼓232进行加热，从而有可能对通过显影装置234而形成在感光体鼓232上的墨粉像造成因热引起的不良影响。
146.另一方面，实施方式的曝光装置110中，在基材120安装有加热部130，由此，与第二比较形态的曝光装置相比，对基材120的加热对显影装置234以及感光体鼓232造成的影响小。而且，实施方式的曝光装置110与第一比较形态的曝光装置310相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的基材120的热变形。因此，包括实施方式的曝光装置110的图像形成装置100与包括第一比较形态的曝光装置310的图像形成装置相比，能够抑制伴随发光部170的发热造成的图像形成不良。因此，实施方式的图像形成装置300与包括第二比较形态的曝光装置的结构相比，既能抑制对基材120的加热对显影装置234以及感光体鼓232造成的影响，又能抑制伴随发光部170的发热造成的图像形成不良。
147.〔第三实施方式〕
148.接下来，使用图10至图12来说明本公开的第三实施方式的发光装置410以及光测量装置400。
149.另外，以下所示的说明中，将光测量装置400朝向作为测定对象的物体(省略图示)的方向记载为装置纵深方向上的跟前侧，将与装置纵深方向正交并且彼此正交的两方向分别记载为装置上下方向以及装置宽度方向。而且，图中，将装置上下方向(铅垂方向)、装置宽度方向(水平方向)、装置纵深方向(水平方向)分别记载为h方向、w方向、d方向。而且，在需要区分装置上下方向、装置宽度方向、装置纵深方向各自的其中一侧与另一侧的情况下，将从跟前侧正视光测量装置400时的上侧记载为-h侧、下侧记载为+h侧、右侧记载为-w侧、左侧记载为+w侧、里侧记载为-d侧、跟前侧记载为+d侧。
150.＜光测量装置＞
151.第三实施方式的光测量装置400是如下所述的测量装置，即，对相对于光测量装置400而朝+d侧隔开的物体(省略图示)照射光且接收从物体反射的光，来确定物体(省略图示)的三维形状。如图11所示，光测量装置400包括框体400a、支撑部400b、发光装置410以及控制部450(省略图示)。
152.框体400a收容光测量装置400的各部。框体400a具有两个透射板400c、400d。透射板400c、透射板400d分别设在相对于后述的发光装置410的发光部470以及受光部480而位于+d侧的框体400a的一部分。透射板400c使从发光部470朝+d侧照射的光透射到框体400a的外侧。透射板400d使从发光部470照射至朝+d侧隔开的用户(省略图示)并反射的光朝向受光部480透射。透射板400c、透射板400d是由玻璃或亚克力等的透明材料所形成。
153.支撑部400b被安装于框体400a，以发光装置410不会与框体400a接触的方式来支撑发光装置410。本实施方式中，支撑部400b支撑发光装置410的后述的基材420的装置宽度方向的两端部。控制部450对光测量装置400的各部的动作进行控制。关于控制部450的详细
将后述。
154.(发光装置)
155.发光装置410是朝向相对于光测量装置400而朝+d侧隔开的用户(省略图示)发光的装置。换言之，发光装置410是朝向+d侧照射光的装置。而且，发光装置410还具有接收照射至用户(省略图示)并被反射的光的功能。发光装置410包括基材420、发光部470以及加热部430。而且，发光装置410还包括探测部440与受光部480。而且，发光装置410还包括扩散部412与透镜部414。而且，如图12所示，发光装置410经由总线可相互通信地与控制部450连接。换言之，发光装置410包括控制部450。
156.如图10所示，基材420是沿着h-w平面且具有朝向+d侧的表面422以及朝向-d侧的背面424的矩形板。表面422为面的一例。背面424为另一面的一例。基材420为构件的一例。基材420例如是不锈钢等的金属制的块体，刚性比后述的发光部470高。基材420是由框体400a的支撑部400b以不与框体400a接触的方式予以支撑。
157.另外，本实施方式中的基材420只要刚性比发光部470高，则并不限于由金属块体所形成。例如，基材420也可由金属板所形成，而且，还可由树脂材料所形成。
158.(发光部)
159.发光部470具有朝向+d侧发光的功能。本实施方式中的发光部470是将面发光型半导体激光(垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel))元件安装于配线基板上者，且被安装在基材420的表面422(参照图11)。即，发光部470被配置在相对于基材420的表面422侧。如图10所示，发光部470从装置纵深方向观察时呈比基材420小的矩形状。而且，发光部470的刚性比基材420低。具体而言，基材420的d方向的弯曲刚性比发光部470高，h方向以及d方向的拉伸、压缩刚性比发光部470高。发光部470被安装于基材420，由此，与单品时相比，所述各方向的刚性增加。
160.发光部470是由控制部450来控制其动作。而且，发光部470伴随发光而发热。伴随发光部470的发光而产生的热传导至基材420的表面422，由此来散热。换言之，发光部470经由基材420来散热，由此来抑制过热。进一步换言之，发光部470伴随发光而使基材420的表面422加热。
161.(加热部)
162.加热部430是被安装于基材420的背面424，具有对背面424进行加热的功能的薄板状的电气式加热器。即，加热部430具有从背面424侧对基材420进行加热的功能。而且，加热部430被配置在相对于基材420的下表面24侧。加热部430从装置纵深方向观察时，呈比基材420小且比发光部470大的矩形状，且以发光部470位于加热部430的内侧的方式而配置。具体而言，加热部430在装置宽度方向上的位置与发光部470重合。进而，加热部430在装置宽度方向上的位置与发光部470的一部分重合。而且，加热部430在装置上下方向上的位置与发光部470重合。进而，加热部430在装置上下方向上的位置与发光部470的一部分重合。加热部430是由控制部450来控制其动作。
163.(探测部)
164.探测部440具有对基材420的温度进行探测的功能。如图11所示，探测部440是包含表侧探测部442与背侧探测部444而构成。表侧探测部442是被安装在基材420的表面422的温度传感器，具有对基材420的表面422的温度进行探测的功能。即，探测部440对基材420的
表面422侧的温度进行探测。背侧探测部444是被安装在基材420的背面424的温度传感器，具有对基材420的背面424的温度进行探测的功能。即，探测部440对基材420的背面424侧的温度进行探测。
165.(受光部)
166.受光部480是具有下述功能的三维传感器，即，接收从发光部470朝向相对于光测量装置400而朝+d侧隔开的用户(省略图示)照射并从用户(省略图示)反射的光。受光部480被配置在相对于基材420的表面422侧，且配置在相对于发光部470而朝-w侧偏离的、预先规定的位置。即，受光部480相对于发光部470而配置在规定的相对位置。受光部480为另一零件的一例。
167.图12是表示发光装置410的硬件结构的框图。发光装置410中，受光部480、发光部470、加热部430、探测部440与控制部450经由总线可相互通信地连接。
168.(控制部)
169.如图12所示，控制部450是包含处理器(中央处理器(central processing unit，cpu))451、只读存储器(read only memory，rom)452、随机存取存储器(random access memory，ram)453与贮存器454而构成。cpu451为中央运算处理单元，执行各种程序，或者控制各部。即，cpu451从rom452或贮存器454中读出程序，将ram453作为作业区域来执行程序。cpu451通过记录在rom452或贮存器454中的程序，进行所述各结构的控制以及各种运算处理。本实施方式中，在rom452或贮存器454中，保存有温度分布计算程序，所述温度分布计算程序根据探测部440对基材420的上表面422侧的温度以及下表面424侧的温度的探测结果来算出基材420内部的温度分布。而且，在rom452或贮存器454中，保存有温差控制程序，所述温差控制程序根据温度分布计算程序的算出结果来使加热部430运行，以使基材420内部的温差变小。另外，另一实施方式中，在rom452或贮存器454中，保存有温度控制程序，所述温度控制程序根据温度分布计算程序的算出结果来使加热部430运行，以使基材420的内部温度成为规定的目标温度。通过这些程序，控制部450具有基于探测部440的探测结果来控制加热部430的功能。
170.而且，在rom452或贮存器454中，保存有形状确定程序，所述形状确定程序基于受光部480所接收的光来确定从发光部470被照射有光的用户(省略图示)的三维形状。cpu451通过形状确定程序，作为形状确定部451a发挥功能，所述形状确定部451a基于受光部480所接收的光来确定从发光部470被照射有光的用户(省略图示)的三维形状。换言之，光测量装置400包括形状确定部451a。
171.rom452保存各种程序以及各种数据。ram453作为作业区域来暂时存储程序或数据。贮存器454包含硬盘驱动器(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid state drive，ssd)，保存包含操作系统的各种程序以及各种数据。
172.(其他)
173.扩散部412是以从+d侧覆盖发光部470的方式设在基材420的表面422的光学构件。扩散部412具有下述功能，即，使从发光部470朝+d侧照射的光扩散，使从扩散部412朝向+d侧出射的光的扩散角大于从发光部470朝+d侧照射的光的扩散角，由此来扩大照射面。扩散部412相对于发光部470而配置在规定的相对位置。扩散部412为另一零件的一例。
174.透镜部414是以从+d侧覆盖受光部480的方式而设在基材420的表面422的光学构
件。透镜部414具有使从框体400a的外部透射过透射板400d的光聚光至受光部480的功能。透镜部414相对于受光部480而配置在规定的相对位置。而且，透镜部414相对于发光部470而配置在规定的相对位置。透镜部414为另一零件的一例。
175.＜作用以及效果＞
176.接下来，对第三实施方式的发光装置410以及光测量装置400的作用以及效果进行说明。另外，本说明中，在记载相对于第三实施方式的比较形态时，在使用与发光装置410以及光测量装置400同样的零件等的情况下，直接使用所述零件等的符号以及名称来进行说明。
177.发光装置410包括配置在相对于基材420的背面424侧的加热部430。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与包括加热部30的第一实施方式同样的效果。
178.而且，发光装置410还包括探测部440与控制部450。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与包括探测部40和控制部50的第一实施方式同样的效果。
179.而且，发光装置410还具有对基材420的背面424侧的温度进行探测的背侧探测部444。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与包括下侧探测部44的第一实施方式同样的效果。
180.而且，发光装置410还具有对基材420的表面422侧的温度进行探测的表侧探测部442。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与包括上侧探测部42的第一实施方式同样的效果。
181.而且，发光装置410中，加热部430在装置宽度方向以及装置上下方向上的位置与发光部470重合。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与加热部30在水平方向上的位置与发光部70重合的第一实施方式同样的效果。
182.而且，发光装置410中，发光部470被安装于基材420的表面422。因而，第三实施方式的发光装置410能够起到与发光部70被安装于基材20的上表面22的第一实施方式同样的效果。
183.而且，发光装置410还包括相对于发光部470而配置在规定的相对位置的受光部480。在发光部470被安装于基材420的结构中，当基材420发生变形时，发光部470与受光部480的相对位置发生变化。并且，发光装置410包括加热部430，由此，伴随发光部470的发热造成的基材420的热变形得到抑制，因此，伴随基材420的热变形造成的发光部470与受光部480的相对位置的变化得到抑制。因而，第三实施方式的发光装置410在基材420关联于发光部470以及受光部480的相对位置的结构中，能够抑制伴随基材420的热变形造成的发光部430与受光部480的相对位置的变化。
184.而且，发光装置410还包括形状确定部411a，所述形状确定部411a基于受光部480所接收的光来确定从发光部470被照射有光的物体(省略图示)的三维形状。因而，第三实施方式的发光装置410在包括受光部480以及形状确定部411a的结构中，能够提高形状确定部411a对物体形状的确定精度。
185.如上所述，详细说明了特定的实施方式，但本公开并不限定于所述的实施方式，可在本公开的技术思想的范围内进行各种变形、变更、改良。
186.例如，发光装置10、发光装置410以及曝光装置110分别包括探测部40、探测部440、探测部140以及控制部50、控制部450、控制部150。但是，本公开的发光装置也可不包括探测
部以及控制部，也可具有基于发光部的发光量来控制加热部的动作的结构。
187.而且，加热部30、加热部130、加热部430分别在与发光部70、发光部170、发光部470的发光方向交叉的方向上的位置与发光部70、发光部170、发光部470重合。但是，本公开的加热部在与发光部的发光方向交叉的方向上的位置也可相对于发光部而偏离。
188.而且，发光部70、发光部170、发光部470分别被安装于基材20的上表面22、基材120的上表面122以及基材420的表面422。但是，本公开的发光部只要被配置在相对于构件的发光部的发光方向侧，则也可通过由构件以外的支撑体予以支撑而配置在相对于构件而隔开的位置。而且，本公开的发光装置也可不具有对配置在从构件隔开的位置的发光部进行支撑而安装于构件的连接部。
189.而且，第二实施方式的隔离件160在一个发光部170中彼此隔开间隔而配置有三个。但是，本公开的连接部的数量并不限定于三个，也可为单个，也可为两个，还可为四个以上。而且，本公开的连接部也可配置在发光部与构件的上表面之间的整个空间。即，在本公开的发光部与构件的上表面之间，也可未形成有间隙。
190.而且，第二实施方式中的加热部130在与发光部170的发光方向交叉的方向上的位置与隔离件160的一部分重合。但是，本公开的加热部在与发光部的发光方向交叉的方向上的位置也可与整个连接部重合，还可相对于整个连接部而偏离。
191.而且，第二实施方式中的加热部130沿着曝光装置110的长边方向即装置纵深方向而彼此隔开间隔地配置有四个。但是，本公开的加热部的数量并不限定于四个，也可为单个，也可为两个，也可为三个，还可为五个以上。
192.而且，第二实施方式中，将包括发光部170的发光装置设为曝光装置110进行了说明，但本公开也可适用于曝光装置110以外的光学装置，还可适用于读取装置(例如接触式图像传感器(contact image sensor))。
193.而且，第三实施方式的光测量装置400包括在基材420安装有发光部470以及受光部480这两者的发光装置410。但是，本公开中，只要发光部或相对于发光部而配置在规定的相对位置的另一零件中的其中任一者被安装于构件，则发光部或另一零件中的另一者也可不安装于构件。例如，如图13所示，本公开的光测量装置也可为如下所述的光测量装置500，即，包括被安装于基材520的发光部570的发光装置510由设于安装有受光部580的另一基材500e的支撑体500f予以支撑。而且，如图14所示，本公开的光测量装置也可为如下所述的光测量装置600，所述光测量装置600包括：发光装置610，包括被安装于基材620的发光部670；以及受光部680，被安装于另一基材600e。
194.前述的实施方式中，表示了将本公开适用于光测量装置或图像形成装置的情况，但也可与发光装置、光传输路及受光部件加以组合而适用于光传输，也可适用于从发光装置发出的光进入检测对象物的内部的生物检测等。