技术特征：
1.一种电润湿显示面板，其特征在于，包括：像素墙(2)、相对设置的第一基板和第二基板；所述像素墙(2)设置在所述第一基板朝向所述第二基板的表面上以限定多个像素空间，所述像素空间内填充有非极性液体(3)和极性液体(4)；所述第一基板包括：沿所述第一基板指向所述第二基板方向依次层叠设置的第一基底(1)、像素电极层和疏水层(18)，所述像素电极层包括与所述多个像素空间一一对应的多个像素电极(16)，所述疏水层(18)远离所述第一基底(1)的表面包括与所述多个像素空间一一对应的多个凹槽状区域，所述像素电极(16)与对应的像素空间相对设置，所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置；所述第二基板包括：公共电极(51)。2.根据权利要求1所述的电润湿显示面板，其特征在于，在所述第一基底(1)的靠近所述第二基底(5)一侧表面上设置有与所述多个像素空间一一对应的多个盲孔，所述盲孔与对应的像素空间相对设置，所述凹槽状区域位于所述盲孔位置处。3.根据权利要求2所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述盲孔的深度与所述第一基底(1)厚度的比在19％至43％的范围内。4.根据权利要求2所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述像素电极(16)在所述第一基底(1)的正投影覆盖并超出对应的所述盲孔。5.根据权利要求1所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述疏水层(18)中与所述像素空间相对的区域内疏水性非均匀分布，以引导所述非极性液体(3)朝向所述凹槽状区域移动。6.根据权利要求5所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述疏水层(18)与所述像素空间相对的区域包括多个子区域，同一子区域内疏水层(18)的疏水性相同，任意两个所述子区域中，与所述凹槽状区域距离更近的子区域内疏水层(18)的疏水性更强。7.根据权利要求2所述的电润湿显示面板，其特征在于，从所述盲孔的底部到所述盲孔的顶部，所述盲孔的开口面积逐渐增大。8.根据权利要求2所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述盲孔位于对应像素空间的角部。9.根据权利要求1所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括与所述像素电极(16)一一对应连接的像素电路。10.根据权利要求1所述的电润湿显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括覆盖所述像素电极层的钝化层(17)，所述钝化层(17)位于所述疏水层(18)靠近所述第一基底(1)一侧。11.一种电润湿显示面板的制备方法，其特征在于，包括：形成第一基板，所述第一基板包括：依次层叠设置的第一基底(1)、像素电极(16)层和疏水层(18)，所述像素电极层包括多个像素电极(16)，所述疏水层(18)远离所述第一基底(1)的表面包括与所述多个像素电极(16)一一对应的多个凹槽状区域，所述凹槽状区域与对应的像素电极(16)相对设置；在所述疏水层(18)上形成像素墙(2)，所述像素墙(2)限定与所述多个像素电极(16)一一对应的多个像素空间，所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置，所述像素电极(16)
与对应的像素空间相对设置；在所述像素空间内填充非极性液体(3)和极性液体(4)，并在所述像素空间的开口上方设置第二基板，所述第二基板包括公共电极(5)。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述形成第一基板的步骤中，在所述第一基底(1)的靠近所述第二基底(5)一侧表面上形成与所述多个像素空间一一对应的多个盲孔，所述盲孔与对应的像素空间相对设置，所述凹槽状区域位于所述盲孔位置处。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述形成第一基板的步骤中，采用干法刻蚀工艺形成所述盲孔，随后采用湿法刻蚀工艺平滑所述盲孔的内壁。14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述疏水层(18)上形成像素墙(2)之后，以及在所述像素空间内填充非极性液体(3)和极性液体(4)之前，所述制备方法还包括：对所述疏水层(18)进行加热回流处理；对正对所述像素空间的至少部分疏水层(18)划分子区域以进行不等时长的等离子体改性处理，其中，对于正对所述像素空间的疏水层(18)的任意两个子区域，与对应的盲孔距离更远的子区域等离子体改性时间更长。15.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1至10中任一项所述的电润湿显示面板。
技术总结
本公开提供一种电润湿显示面板及其制备方法、显示装置。该电润湿显示面板中，像素墙设置在第一基板朝向第二基板的表面上以限定多个像素空间，像素空间内填充有非极性液体和极性液体；第一基板包括：沿第一基板指向第二基板方向依次层叠设置的第一基底、像素电极层和疏水层，像素电极层包括与多个像素空间一一对应的多个像素电极，疏水层远离第一基底的表面包括与所述多个像素空间一一对应的多个凹槽状区域，所述像素电极与对应的像素空间相对设置，所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置；第二基板包括：公共电极。电润湿显示面板的亮度和对比度增强。亮度和对比度增强。亮度和对比度增强。
技术研发人员：于志强 王建 武晓娟 段智龙 王家星 段金帅 毕谣 赵宇 冯大伟
受保护的技术使用者：北京京东方光电科技有限公司
技术研发日：2022.06.14
技术公布日：2022/10/20