掩膜版及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版及其制备方法。


背景技术：

2.目前把基板上整面光刻胶，转变为光刻胶图案的过程叫做光刻；而光刻技术需要用到掩膜版遮挡一部分曝光机所提供的光，把图案照射在光刻胶上，通过显影把未曝光的部分清洗掉，形成光刻胶图案。为了保持特性值稳定性，目前工艺条件以及光刻胶图案坡度调整幅度有限。
3.如使用高直线型的投影式曝光机，可以实现高解析与高坡度；如使用低直线性接近式曝光机，可以实现低解析与低坡度，但是受各种条件的限制，坡度调整幅度很小，现有的光刻技术无法同时兼容高解析和低坡度。
4.因此，针对现有技术中存在的缺陷，急需进行改进。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种掩膜版及其制备方法，以改善目前掩膜版无法兼容对待刻蚀光阻的高解析和坡度制备困难的问题。
6.本技术实施例提供一种掩膜版，用于刻蚀光阻，包括透光区、遮光区、以及半透光区，所述半透光区位于所述透光区与所述遮光区之间，所述掩膜版包括：基板；光阻层，包括设置于所述基板一侧的透明光阻层与遮光光阻层，所述透明光阻层与所述遮光光阻层相邻设置，所述透明光阻层位于所述透光区与所述半透光区内，所述遮光光阻层位于所述遮光区与所述半透光区内；其中位于所述半透光区内的所述光阻层的透光率自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐减小。
7.可选地，在本技术一实施例中，位于所述透光区、所述遮光区、以及所述半透光区内的所述光阻层的厚度相同。
8.可选地，在本技术一实施例中，位于所述半透光区内的所述透明光阻层的厚度自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐减小；位于所述半透光区内的所述遮光光阻层的厚度自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐增大。
9.可选地，在本技术一实施例中，所述透明光阻层与所述遮光光阻层的折射率相同。
10.可选地，在本技术一实施例中，所述透明光阻层的材料包括第一透明光阻；所述遮光光阻层的材料包括第二透明光阻与遮光粒子；其中所述第一透明光阻与所述第二透明光阻的材料相同。
11.可选地，在本技术一实施例中，位于所述半透光区内的所述遮光粒子的数量自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐增多。
12.可选地，在本技术一实施例中，位于所述半透光区内的所述透明光阻层与所述遮光光阻层的厚度相同。
13.可选地，在本技术一实施例中，所述遮光粒子的材料包括碳单质、碳化物、碳氮化
物、硫化物中的至少一种。
14.可选地，在本技术一实施例中，所述透明光阻层的透光率大于或等于0.99，所述遮光光阻层的透光率小于或等于0.1。
15.相应地，本技术实施例还提供一种上述实施例中所述掩膜版的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板的一侧沉积包含有透明光阻与遮光粒子的光阻材料，并图案化形成遮光光阻层；在所述基板形成有所述遮光光阻层的一侧沉积透明光阻，以填充所述基板未图案化所述遮光光阻层的部分，形成透明光阻层。
16.本技术实施例提供一种掩膜版，用于刻蚀光阻，包括透光区、遮光区以及半透光区，所述半透光区位于所述透光区与所述遮光区之间，所述掩膜版包括：基板与光阻层；所述光阻层包括设置于所述基板一侧的透明光阻层与遮光光阻层，所述透明光阻层与所述遮光光阻层相邻设置，所述透明光阻层位于所述透光区与所述半透光区内，所述遮光光阻层位于所述遮光区与所述半透光区内；其中位于所述半透光区内的所述光阻层的透光率自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐减小。一方面，位于所述半透光区内的所述遮光光阻层的厚度自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐增大，可以通过所述遮光光阻层的厚度改变实现所述掩膜版对待刻蚀光阻的一次性图案化，即可实现不同坡度的光阻图案；另一方面，位于所述半透光区内的所述遮光粒子的数量自靠近所述透光区的一侧向靠近所述遮光区的一侧逐渐增多，可以通过所述遮光光阻层中所述遮光粒子的浓度改变实现所述掩膜版对待刻蚀光阻的一次性图案化，即可实现不同坡度的光阻图案。进一步地，所述透明光阻层与所述遮光光阻层的折射率相同能够使所述掩膜版在不改变光路的前提下，实现对待刻蚀光阻的高解析性和坡度可调节性。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为本技术实施例提供的所述掩膜版的结构示意图一；
19.图2为本技术实施例提供的所述掩膜版的结构示意图二；
20.图3为本技术实施例提供的所述掩膜版的结构示意图三；
21.图4为本技术实施例提供的所述掩膜版的结构示意图四；
22.图5为本技术实施例提供的所述掩膜版的制备方法流程示意图；
23.图6至图8为本技术实施例提供的所述掩膜版的制备方法中各步骤结构示意图。
24.主要附图标记说明：
25.具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“左”和“右”可以是装置实际使用或工作状态的方向，也可以是参考附图中的图面方向，还可以是指相对的两个方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
27.请参阅图1至图2，本技术实施例提供一种掩膜版100，用于刻蚀光阻，包括透光区101、遮光区102以及半透光区103，所述半透光区103位于所述透光区101与所述遮光区102之间，所述掩膜版100包括：基板110与光阻层120；所述光阻层120包括设置于所述基板110一侧的透明光阻层121与遮光光阻层122，所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122相邻设置，所述透明光阻层121位于所述透光区101与所述半透光区103内，所述遮光光阻层122位于所述遮光区102与所述半透光区103内；其中位于所述半透光区103内的所述光阻层120的透光率自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐减小。可以理解的是，所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122在所述基板110的一侧相互间隔设置，通过所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122之间所形成的图案实现所述掩膜版100的对待刻蚀光阻不同区域的图案化曝光。
28.在本技术一实施例中，所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122的折射率相同。这样设置能够使所述掩膜版100在不改变光路的前提下，实现对待刻蚀光阻的高解析性和坡度可调节性。具体地，所述透明光阻层121的材料包括第一透明光阻；所述遮光光阻层121的材料包括第二透明光阻与遮光粒子；其中所述第一透明光阻与所述第二透明光阻的材料相同。通过将所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122的基材设置相同，能够实现所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122的折射率相同，能够防止入射至所述掩膜版100在所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122之间的界面产生折射，从而导致的光路改变的问题，以提高所述掩膜版100的精度。
29.如图1至图2所示，在本技术一实施例中，位于所述透光区101、所述遮光区102、以及所述半透光区103内的所述光阻层120的厚度相同。进一步地，位于所述半透光区103内的所述透明光阻层121的厚度自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐减小；位于所述半透光区103内的所述遮光光阻层122的厚度自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐增大。本实施例通过对所述遮光光阻层122的厚度控制来
实现所述掩膜版100位于所述透光区101、所述遮光区102以及所述半透光区103内的所述光阻层120的不同的透光率，从而实现所述掩膜版100对待刻蚀光阻的一次性图案化即可实现不同坡度的光阻图案。
30.具体地，例如：当入射至所述掩膜版100上的曝光量相同时，在所述半透光区103具有a、b、c、d四个点，位于a、b、c、d四个点处的所述遮光光阻层122的厚度逐渐增大；其中a点为所述透光区101与所述半透光区103的相交面上的一点，因而a点的透过率最大；b、c两点为所述半透光区103的两点，b点更靠近所述透光区101，c点更靠近所述遮光区102，因而b点的透光率大于c点的透光率；d点为所述遮光区102与所述半透光区103的相交面上的一点，因而d点的透过率最小；综上，a、b、c、d四个点的透光率的顺序为：a＞b＞c＞d。
31.如图3至图4所示，在本技术一实施例中，位于所述半透光区103内的所述遮光粒子的数量自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐增多。也就是说，位于所述半透光区103内的所述遮光光阻层122中所述遮光粒子的浓度自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐增大。可以理解的是，所述遮光光阻层122中所述遮光粒子的浓度越大，所述遮光光阻层122的透光率越低。本实施例中，位于所述半透光区103内的所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122的厚度相同；可以理解的是，位于所述半透光区103内的所述透明光阻层121或所述遮光光阻层122中的任一者靠近所述基板110的一侧设置均可。本实施例通过对所述遮光光阻层122内的所述遮光粒子的浓度控制来实现所述掩膜版100位于所述透光区101、所述遮光区102以及所述半透光区103内的所述光阻层120的不同的透光率，从而实现所述掩膜版100对待刻蚀光阻的一次性图案化即可实现不同坡度的光阻图案。
32.具体地，例如：当入射至所述掩膜版100上的曝光量相同时，在所述半透光区103具有e、f、g、h四个点，位于e、f、g、h四个点处的所述遮光光阻层122内的所述遮光粒子的浓度逐渐增大；其中e点为所述透光区101与所述半透光区103的相交面上的一点，因而e点的透过率最大；f、g两点为所述半透光区103的两点，f点更靠近所述透光区101，g点更靠近所述遮光区102，因而f点的透光率大于g点的透光率；h点为所述遮光区102与所述半透光区103的相交面上的一点，因而h点的透过率最小；综上，e、f、g、h四个点的透光率的顺序为：e＞f＞g＞h。
33.在本技术中，所述遮光粒子的材料包括碳单质、碳化物、碳氮化物、硫化物中的至少一种。
34.在本技术中，所述透明光阻层121的透光率大于或等于0.99，所述遮光光阻层122的透光率小于或等于0.1。可以理解的是，在所述透光区101内，所述光阻层120的透光率大于或等于0.99；在所述遮光区102内，所述光阻层120的透光率介于0.1至0.99之间；在所述半透光区103内，所述光阻层120的透光率小于或等于0.1。由于所述光阻层120的透光率自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐减小，因而透过所述掩膜版100曝光后的待刻蚀光阻能够呈现出坡度，具体的坡度倾斜率能够通过本技术中所述半透光区103内所述遮光光阻层122的厚度变化的缓急程度以及所述遮光粒子在所述遮光光阻层122的浓度变化程度来实现控制。
35.请参阅图5至图8，相应地，本技术实施例还提供上述任一实施例中所述的掩膜版100的制备方法，包括如下步骤：
36.如图5与图6所示，步骤s1：提供一基板110；
37.如图5与图7所示，步骤s2：在所述基板110的一侧沉积包含有透明光阻与遮光粒子的光阻材料，并图案化形成遮光光阻层122；
38.如图5与图8所示，步骤s3：在所述基板110形成有所述遮光光阻层122的一侧沉积透明光阻，以填充所述基板未图案化所述遮光光阻层的部分，形成透明光阻层121。
39.综上，本技术实施例提供一种掩膜版100，用于刻蚀光阻，包括透光区101、遮光区102以及半透光区103，所述半透光区103位于所述透光区101与所述遮光区102之间，所述掩膜版100包括：基板110与光阻层120；所述光阻层120包括设置于所述基板110一侧的透明光阻层121与遮光光阻层122，所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122相邻设置，所述透明光阻层121位于所述透光区101与所述半透光区103内，所述遮光光阻层122位于所述遮光区102与所述半透光区103内；其中位于所述半透光区103内的所述光阻层120的透光率自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐减小。一方面，位于所述半透光区103内的所述遮光光阻层122的厚度自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐增大，可以通过所述遮光光阻层122的厚度改变实现所述掩膜版100对待刻蚀光阻的一次性图案化，即可实现不同坡度的光阻图案；另一方面，位于所述半透光区103内的所述遮光粒子的数量自靠近所述透光区101的一侧向靠近所述遮光区102的一侧逐渐增多，可以通过所述遮光光阻层122中所述遮光粒子的浓度改变实现所述掩膜版100对待刻蚀光阻的一次性图案化，即可实现不同坡度的光阻图案。进一步地，所述透明光阻层121与所述遮光光阻层122的折射率相同能够使所述掩膜版100在不改变光路的前提下，实现对待刻蚀光阻的高解析性和坡度可调节性。
40.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
41.以上对本技术实施例所提供的一种掩膜版100及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。