一种H型超材料及其制备方法

技术特征：
1.一种h型超材料的制备方法，其特征在于，包括：将聚酰胺酸旋转涂敷在基底片上，得到第一预制层，对所述第一预制层进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的底部介质层；在所述底部介质层上表面通过光刻技术得到一个h型金属层；将聚酰胺酸旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述底部介质层上，得到第二预制层，对所述第二预制层进行所述热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的中间介质层；在所述中间介质层远离所述底部介质层的表面上通过光刻技术得到另一个所述h型金属层；将聚酰胺酸旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述中间介质层上，得到第三预制层，对所述第三预制层进行所述热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的顶部介质层，得到包括所述底部介质层、所述中间介质层、所述顶部介质层和两层所述h型金属层的长方体周期单元，所述周期单元包括两个正方形面；将所述周期单元沿互相垂直的相邻单元边缘所在的两个方向周期排列形成h型超材料；通过在所述基底片上的定位孔固定所述基底片，并保证两个所述h型金属层能够严格的上下对齐。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述周期单元的正方形面的边长为50～70μm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将聚酰胺酸旋转涂敷在呈正方形的基底片上，得到第一预制层，对所述第一预制层进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的底部介质层，包括：将聚酰胺酸以2500转/分的速度旋转涂敷在呈正方形的基底片上，得到5～15μm厚的第一预制层，对所述第一预制层进行热酰亚胺化处理得到5～15μm厚、聚酰亚胺材质的底部介质层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将聚酰胺酸旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述底部介质层上，得到第二预制层，对所述第二预制层进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的中间介质层，包括：分两次将聚酰胺酸以2500转/分的速度旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述底部介质层上，得到15～25μm厚的第二预制层，对所述第二预制层进行热酰亚胺化处理得到15～25μm厚、聚酰亚胺材质的中间介质层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将聚酰胺酸旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述中间介质层上，得到第三预制层，对所述第三预制层进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的顶部介质层，包括：将聚酰胺酸以4000转/分的速度旋转涂敷在设置所述h型金属层的所述中间介质层上，得到3～7μm厚的第三预制层，对所述第三预制层进行热酰亚胺化处理得到3～7μm厚、聚酰亚胺材质的顶部介质层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述h型金属层的厚度为180～220nm，所述h型金属层包括两条互相平行的第一金属条和连接两条所述第一金属条中点的第二金属条，所述第一金属条和所述第二金属条的长度同为30～42μm，宽度同为2～4μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述h型金属层的制备材料包括金。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热酰亚胺化处理包括：在100～110℃下烘烤100～150s；在130～150℃下烘烤25～35min；在180～220℃下烘烤25～35min。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热酰亚胺化处理在氮气环境下进行。10.一种h型超材料，其特征在于，通过权利要求1-9中任一项所述的方法制备得到。

技术总结
本发明涉及超材料技术领域，特别涉及一种H型超材料及其制备方法。该方法包括：将聚酰胺酸旋转涂敷在基底片上，得到第一预制层，进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的底部介质层；在底部介质层上表面得到一个H型金属层；将聚酰胺酸旋转涂敷在底部介质层上，得到第二预制层，进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的中间介质层；在中间介质层的表面上得到另一个H型金属层；将聚酰胺酸旋转涂敷在设置H型金属层的中间介质层上，得到第三预制层，进行热酰亚胺化处理得到聚酰亚胺材质的顶部介质层，进而得到周期单元；将周期单元周期排列形成H型超材料。本发明实施例提供了一种能够改变太赫兹波段电磁波偏振状态的超材料的制备方法。兹波段电磁波偏振状态的超材料的制备方法。兹波段电磁波偏振状态的超材料的制备方法。


技术研发人员：孙金海 李吉宁 孙凯
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2022.12.01
技术公布日：2023/3/14