发光元件层及其制作方法、模具、背光模组及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及发光元件层及其制作方法、模具、背光模组及显示装置。


背景技术：

2.发光元件层的尺寸受限于制作工艺，在需要较大尺寸的发光元件层时，通常需要将多个较小的发光元件层进行拼接，从而满足尺寸需求。然而，在拼接时，由于发光元件层之间难以进行对位，导致拼装后大尺寸的发光元件层发光效果不良。


技术实现要素：

3.基于此，提供一种能够提高多个单元膜层之间对位效果的发光元件层及其制作方法、模具、背光模组及显示装置，从而改善拼接后的发光元件层发光效果不良问题。
4.本技术的一方面，提供一种发光元件层，包括多个单元膜层，多个单元膜层排布成排，每一单元膜层包括膜本体和设于膜本体的一侧表面上的发光单元；
5.其中，每一膜本体的至少一侧边设有至少一配合部，配合部构造为能够限制膜本体在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
6.在其中一个实施例中，配合部包括沿第一方向设于膜本体的相对两侧的第一子配合部和第二子配合部；
7.第一子配合部和第二子配合部的外轮廓互补，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
8.在其中一个实施例中，定义第一子配合部的外轮廓在第二方向上的间距为第一间距，第一间距自第一子配合部所在膜本体的一侧，沿背离第一子配合部所在膜本体的一侧的方向逐渐减小；
9.定义第二子配合部的外轮廓在第二方向上的间距为第二间距，第二间距自第二子配合部所在膜本体的边侧，沿朝向第一子配合部所在的一侧的方向逐渐减小。
10.在其中一个实施例中，第一子配合部构造为半圆形的凸部；
11.第二子配合部构造为半圆形的凹部。
12.在其中一个实施例中，发光单元设置为多个；
13.全部发光单元阵列排布于膜本体上；
14.凹部与相对应的凸部的圆心之间的连线，与相对应的一排沿第一方向排列的全部发光单元的中点的连线共线。
15.在其中一个实施例中，位于同一膜本体的同一侧的第一子配合部设置有多个，位于同一膜本体的同一侧的全部第一子配合部不连续布置；
16.位于同一膜本体的同一侧的第二子配合部设置有多个，位于同一膜本体的同一侧的全部第二子配合部不连续布置。
17.在其中一个实施例中，配合部还包括设于膜本体的侧边的第三子配合部；
18.第三子配合部上设有配合孔，配合孔用于限制膜本体在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
19.在其中一个实施例中，配合孔设置为多个；
20.全部配合孔沿第一方向彼此间隔设置于第三子配合部上。
21.在其中一个实施例中，第三子配合部设置为两个；
22.两个第三子配合部沿第二方向相对设置于膜本体的两侧；
23.第一方向与第二方向彼此垂直。
24.在其中一个实施例中，单元膜层上形成有骑缝线；
25.骑缝线设于膜本体与第三子配合部的连接处。
26.在其中一个实施例中，多个单元膜层沿第一方向排布成多行，沿第二方向排布成多列；
27.第一方向和第二方向彼此垂直。
28.本技术的另一方面，还提供一种发光元件层的制作方法，方法包括：
29.借助配合部将多个单元膜层拼接成排，以形成发光元件层；
30.其中，每一单元膜层包括膜本体和设于膜本体的一侧表面上的发光单元；每一膜本体的至少一侧边设有至少一配合部，配合部构造为能够限制膜本体在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
31.在其中一个实施例中，将多个单元膜层拼接成排以形成发光元件层之前，还包括：
32.在单元膜层上形成配合部。
33.在其中一个实施例中，在单元膜层上形成配合部具体包括：
34.通过预设工艺在膜本体的相对两侧形成第一子配合部和第二子配合部；
35.其中，第一子配合部和第二子配合部的外轮廓互补，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
36.在其中一个实施例中，预设工艺包括蚀刻工艺。
37.在其中一个实施例中，借助配合部将多个单元膜层拼接成排以形成发光元件层，具体包括：
38.借助于模具的第一子适配部与第一子配合部配合，借助于模具的第二子适配部与第二子配合部配合，以将多个单元膜层拼接成排，以形成发光元件层。
39.在其中一个实施例中，在单元膜层上形成配合部具体包括：
40.通过预设工艺在膜本体的侧边形成设有配合孔的第三子配合部；
41.其中，借助于模具的第三子适配部与配合孔配合，限制膜本体在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
42.在其中一个实施例中，预设工艺包括蚀刻工艺。
43.在其中一个实施例中，将多个单元膜层排布成排以形成发光元件层之前，还包括步骤：
44.通过预设工艺在单元膜层上形成沿第一方向延伸的第一对位线和沿第二方向延伸的第二对位线；
45.其中，发光单元设置为多个，全部发光单元阵列排布于膜本体上；
46.每排发光单元的中点的连线与第一对位线或第二对位线共线；
47.第一方向与第二方向彼此垂直。
48.在其中一个实施例中，预设工艺包括蚀刻工艺。
49.在其中一个实施例中，多个单元膜层沿第一方向排布成多行，沿第二方向排布成多列；
50.第一方向和第二方向彼此垂直。
51.本技术的又一方面，还提供一种模具，用于制作发光元件层，模具包括：
52.模具本体，具有在第三方向上的第一表面，第一表面具有放置区和环绕放置区设置的适配区；以及
53.适配部，设于第一表面，且适配部位于适配区；
54.其中，发光元件层包括多个单元膜层，多个单元膜层排布成排，每一单元膜层包括膜本体和设于膜本体的一侧表面上的发光单元；第一表面的放置区用于放置膜本体；
55.每一膜本体的至少一侧边设有至少一配合部，适配部能够与配合部配合，以限制膜本体在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体彼此相邻的侧边能够相拼接。
56.在其中一个实施例中，适配部包括沿第一方向设于第一表面的相对两侧的第一子适配部和第二子适配部；
57.配合部包括沿第一方向设于膜本体的相对两侧的第一子配合部和第二子配合部；
58.其中，第一子适配部的外轮廓能够与第一子配合部的外轮廓互补，第二子适配部的外轮廓能够与第二子配合部的外轮廓互补，以限制膜本体至少在第一方向上的自由度。
59.在其中一个实施例中，适配部包括设于第一表面上的第三子适配部；
60.配合部还包括设于膜本体的侧边的第三子配合部，第三子配合部上设有配合孔；
61.其中，第三子适配部构造为至少部分能够进入配合孔，以限制膜本体在至少一方向上的自由度。
62.本技术的再一方面，还提供一种背光模组，包括上述的发光元件层。
63.在其中一个实施例中，背光模组还包括沿第三方向对称设置于发光元件层的两侧的两个透光板。
64.在其中一个实施例中，发光元件层与每个透光板之间均借助于胶体层相接合。
65.本技术的还提供一种显示装置，包括上述的背光模组。
66.上述发光元件层及其制作方法、模具、背光模组及显示装置，发光元件层包括多个单元膜层，通过每个单元膜层中的配合部，限制膜本体在至少一方向上的自由度，使得相邻的两个膜本体能够相拼接，提升了多个单元膜层之间进行对位的容易程度，改善了发光元件层发光效果不良的问题。
附图说明
67.图1为相关技术一实施例的单元膜层的示意图；
68.图2为相关技术一实施例的发光元件层的拼接错位示意图；
69.图3为相关技术一实施例的发光元件层的拼接歪斜示意图；
70.图4为本技术一实施例的单元膜层的示意图；
71.图5为本技术一实施例的单元膜层的拼接示意图；
72.图6为本技术一实施例的发光元件层的制作方法的流程示意图；
73.图7为本技术一实施例的光刻胶的示意图；
74.图8为本技术一实施例的蚀刻示意图；
75.图9为本技术一实施例的形成配合部的示意图；
76.图10为本技术一实施例的发光单元的示意图；
77.图11为本技术一实施例的发光单元的尺寸示意图；
78.图12为本技术一实施例的发光元件的尺寸示意图；
79.图13为本技术一实施例的发光单元的剖面图；
80.图14为本技术另一实施例的发光单元的示意图；
81.图15为本技术另一实施例的形成配合部的示意图；
82.图16为本技术一实施例的模具的结构示意图；
83.图17为本技术一实施例的模具的使用示意图；
84.图18为本技术一实施例的模具容置透光板的示意图；
85.图19a至图19d为本技术一实施例的模具的使用过程图；
86.图20为本技术一实施例的背光模组的示意图。
87.元件符号简单说明：10、100：发光元件层
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11、110：单元膜层
88.11a、111：膜本体
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11b、112：发光单元
89.112a：发光元件
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113：配合部
90.113a：第一子配合部
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113b：第二子配合部
91.113c：第三子配合部
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113c1：配合孔
92.1000：背光模组
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200：透光板
93.300：胶体层
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400：柔性电路板
94.500：整合印刷电路板
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2000：模具2100：模具本体 2110：第一表面p1：放置区 p2：适配区2120：容置腔 2130：第一开口
95.2140：第二开口
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2200：适配部
96.2210：第一子适配部
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2211：凹槽2220：第二子适配部
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2230：第三子适配部l1：第一间距
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l2：第二间距m1、m21、m22、m3：连线r：骑缝线
97.n1：第一对位线
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n2：第二对位线
98.d：直径
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t：厚度
99.o：中心
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a1：a2：距离b1、b2：边长
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c：芯片
100.y：第一方向
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x：第二方向
101.z：第三方向
具体实施方式
102.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
103.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
104.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
105.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
106.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
107.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
108.此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。
109.为了便于理解本技术的技术方案，在详细展开说明之前，首先对相关技术中的发光元件层进行阐述。
110.正如背景技术所言，在实际的生产需求中，发光元件层的尺寸趋向于满足个性化定制需求。而且，在一些较为大型的显示装置中，也需要更大尺寸的发光元件层满足出光需求。然而，直接制作能够满足需求的发光元件层成本过高，在此基础上，发明人提出预制作单元膜层、通过多个单元膜层的拼接制作符合需求的发光元件层。
111.图1示出了相关技术一实施例中的单元膜层11的示意图；图2示出了相关技术一实施例中的发光元件层10的拼接错位示意图；图3示出了相关技术一实施例中的发光元件层
10的拼接歪斜示意图。
112.在相关技术的一些实施例中，发光元件层10包括多个单元膜层11，多个单元膜层11排布成排。如图1所示，每一单元膜层11包括膜本体11a和设于膜本体11a的一侧表面上的发光单元11b。然而，在使用过程中，发光元件层10的出光效果常出现不良的情况，严重时甚至导致视觉效果上的失真。发明人经过研究发现，之所以出光效果不良，是由于在将单元膜层11拼接组装时，常出现如图2示出的拼接错位，或是如图3示出的拼接歪斜的缺陷。而深究上述缺陷的出现原因，是由于在拼接过程中，仅通过相邻的膜本体11a的边部与边部的对接靠合，是难以实现可靠对位的。
113.基于此，本技术发明人进行深入研究，通过对单元膜层11的结构进行改进，借助于其他结构实现膜本体11a之间的拼接，从而提高多个单元膜层11之间的对位效果，进而改善发光元件层10的出光效果。
114.为便于描述，附图仅示出了与本技术实施例相关的结构。
115.图4示出了本技术一实施例中的单元膜层110的示意图；图5示出了本技术一实施例中的单元膜层110的拼接示意图。
116.结合图4和图5所示，本技术一实施例提供的一种发光元件层100包括多个单元膜层110，多个单元膜层110排布成排，每一单元膜层110包括膜本体111和设于膜本体111的一侧表面上的发光单元112。其中，每一膜本体111的至少一侧边设有至少一配合部113，配合部113构造为能够限制膜本体111在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。
117.需要说明的是，拼接是指接在一起。在将多个单元膜层110借助于配合部113进行拼接时，相邻的两个膜本体111的相邻边能够接在一起，也即是通过配合部113限制自由度的同时，相邻两个膜本体111至少部分能够无缝隙地接合。当然，还可以是借助于配合部113与配合部113之间的无缝隙接合，实现膜本体111与膜本体111之间的拼接，在此不作限制。
118.本技术提供的发光元件层100，通过每个单元膜层110中的配合部113，限制膜本体111在至少一方向上的自由度，使得相邻的两个膜本体111能够相拼接，提升了多个单元膜层110之间进行对位的容易程度，改善了发光元件层100发光效果不良的问题。
119.请继续结合图4和图5所示，在一些实施例中，配合部113包括沿第一方向y设于膜本体111的相对两侧的第一子配合部113a和第二子配合部113b。第一子配合部113a和第二子配合部113b的外轮廓互补，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。互补，即是指第一子配合部113a和第二子配合部113b能够在拼接在一起时，朝向彼此的部分能够完全靠合，也即是指第一子配合部113a和第二子配合部113b的轮廓相匹配。由此，第一子配合部113a和第二子配合部113b形成无缝隙的拼接。
120.如图4所示，在一些实施例中，定义第一子配合部113a的外轮廓在第二方向x上的间距为第一间距l1，第一间距l1自第一子配合部113a所在膜本体111的一侧，沿背离第一子配合部113a所在膜本体111的一侧的方向逐渐减小。定义第二子配合部113b的外轮廓在第二方向x上的间距为第二间距l2，第二间距l2自第二子配合部113b所在膜本体111的边侧，沿朝向第一子配合部113a所在的一侧的方向逐渐减小。可以理解地，第一间距l1逐渐减小，也即是使得第一子配合部113a远离膜本体111的一端尺寸更小，同样地，为了与相邻单元膜层110中的第一子配合部113a相适配，第二子配合部113b靠近膜本体111边侧的部分尺寸更
大。如此，在满足相邻两个单元膜层110之间的第一子配合部113a与第二子配合部113b能够可靠拼接的同时，还能够易于引导二者的拼接动作，从而提高拼接效率。
121.请继续参阅图4，具体到一些实施方式中，第一子配合部113a构造为半圆形的凸部，第二子配合部113b构造为半圆形的凹部。如此，半圆形的外轮廓更为光滑，在拼接过程中，能够大大降低因存在尖锐部分而划伤膜本体111的可能性。除此之外，结合后述一些实施例，半圆形的圆心易于确定，从而能够提升蚀刻对位线的容易程度。当然，第一子配合部113a和第二子配合部113b的外轮廓形状还可以为其他规则形状或不规则形状，例如椭圆形、菱形、矩形、正多边形、梯形、平行四边形、弓形等，还可以为异形形状，例如矩形和椭圆形组合的形状等，在此不作限制。另外，本技术中的第一子配合部113a也不局限于凸部，且第二子配合部113b也不局限于凹部，示例性地，第一子配合部113a还可以为凸部与凹部的组合，相应地，第二子配合部113b可以为凹部与凸部的组合，也即是只要能够实现二者的拼接即可，第一子配合部113a与第二子配合部113b的实际形状并不受限。
122.结合图4和图5所示，在一些实施例中，发光单元112设置为多个，全部发光单元112阵列排布于膜本体111上。凹部与相对应的凸部的圆心之间的连线m1，与相对应的一排沿第一方向y排列的全部发光单元112的中点的连线m21共线。发光单元112的排列对位，影响着拼接形成的发光元件层100的发光效果。由于半圆形的凸部和半圆形的凹部是沿第一方向y间隔设置在膜本体111的两侧，而第一方向y与每列发光单元112的延伸方向相平行。也就是说，在对位过程中，借助于半圆形的凸部和半圆形的凹部的对位，即可获知相邻两个单元膜层110上，对应一列的发光单元112的对位精准程度。如此，能够进一步提升对位效果。
123.如图4所示，在一些实施例中，位于同一膜本体111的同一侧的第一子配合部113a设置有多个，位于同一膜本体111的同一侧的全部第一子配合部113a不连续布置。位于同一膜本体111的同一侧的第二子配合部113b设置有多个，位于同一膜本体111的同一侧的全部第二子配合部113b不连续布置。可以理解地，不连续布置，也即是多个第一子配合部113a之间存在间隔，多个第二子配合部113b之间也存在间隔。而第一子配合部113a之间的间隔，以及第二子配合部113b之间的间隔，也即是膜本体111的边缘部分，如此，能够使得相邻的膜本体111之间能够更好地拼接在一起而不产生缝隙。当然，在其他一些实施方式中，也可以将第一子配合部113a设置为连续布置，并将第二子配合部113b设置为连续布置，例如波浪形状、锯齿形状等，在此不作限制。
124.请继续参阅图4，并结合图5，在一些实施例中，配合部113还包括设于膜本体111的侧边的第三子配合部113c。第三子配合部113c上设有配合孔113c1，配合孔113c1用于限制膜本体111在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。如此，能够实现通过配合孔113c1完成膜本体111之间的拼接，结合后述一些实施例，配合孔113c1能够借助于模具2000实现对膜本体111的自由度的限制。具体地，配合孔113c1设置为多个，全部配合孔113c1沿第一方向y彼此间隔设置于第三子配合部113c上。如此，设置多个配合孔113c1能够实现从多个位置对膜本体111进行限位，从而使得膜本体111能够更好地拼接。
125.进一步地，第三子配合部113c设置为两个，两个第三子配合部113c沿第二方向x相对设置于膜本体111的两侧。第一方向y与第二方向x彼此垂直。如此，在膜本体111的两侧均设置有第三子配合部113c，能够更为可靠地实现对膜本体111的自由度的限制，而且，在需
要满足不同的拼接需求时，多个位置的第三子配合部113c也提高了通用性。例如，在仅需要从左侧对膜本体111进行限位时，可将右侧的第三子配合部113c去除，而将膜本体111的侧边显露，从而实现在右侧完成单元膜层110的拼接。膜本体111两侧的第三子配合部113c上，相对应的两个配合孔113c1的圆心之间的连线m3，与相对应的一排沿第二方向x排列的全部发光单元112的中点的连线m22共线。在对位过程中，借助于两个配合孔113c1的对位，即可获知相邻两个单元膜层110上，对应一列的发光单元112的对位精准程度。如此，能够进一步提升对位效果。
126.如图4所示，在一些实施例中，单元膜层110上形成有骑缝线r，骑缝线r设于膜本体111与第三子配合部113c的连接处。如此，借助于骑缝线r能够更为容易地分离膜本体111与第三子配合部113c。结合前述一些实施例，在需要去除第三子配合部113c时，可根据需求适应性地撕除对应的第三子配合部113c，或是将两个第三子配合部113c全部撕除，在此不作限制。示例性地，骑缝线r可通过裁切工艺或镭射切割工艺形成。
127.参阅图5，在一些实施例中，多个单元膜层110沿第一方向y排布成多行，沿第二方向x排布成多列。第一方向y和第二方向x彼此垂直。可以理解地，前述一些实施例中的排布成排，既包括排布成一行，也包括排布成一列，还包括排布成多行多列。而在本实施例中，通过分别沿第一方向y排布成多行、沿第二方向x排布成多列的排布方式，能够满足拼接尺寸更大的发光元件层100，且多行多列的排布方式也易于满足个性化需求。
128.图6示出了本技术一实施例中的发光元件层100的制作方法的流程示意图。
129.参阅图6，并结合图4，本技术的另一方面，还提供一种发光元件层100的制作方法，方法包括：
130.s110、借助配合部113将多个单元膜层110拼接成排，以形成发光元件层100。
131.其中，每一单元膜层110包括膜本体111和设于膜本体111的一侧表面上的发光单元112。每一膜本体111的至少一侧边设有至少一配合部113，配合部113构造为能够限制膜本体111在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。
132.如此，在拼接的过程中，通过每个单元膜层110中的配合部113限制膜本体111在至少一方向上的自由度，使得相邻的两个膜本体111能够相拼接，提升了多个单元膜层110之间进行对位的容易程度，改善了发光元件层100发光效果不良的问题。
133.图7示出了本技术一实施例中的光刻胶的示意图；图8示出了本技术一实施例中的蚀刻示意图；图9示出了本技术一实施例中的形成配合部113的示意图。
134.结合图7至图9，在一些实施例中，步骤s110之前，还包括在单元膜层110上形成配合部113。具体地，通过预设工艺在膜本体111的相对两侧形成第一子配合部113a和第二子配合部113b。其中，第一子配合部113a和第二子配合部113b的外轮廓互补，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。如此，借助于互补的第一子配合部113a和第二子配合部113b，在拼接过程中，也即是一个单元膜层110的第一子配合部113a，和与其相邻的另一个单元膜层110的第二子配合部113b，二者互补并拼接，从而完成膜本体111的边侧的拼接。具体地，预设工艺包括蚀刻工艺。蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。如此，借助于蚀刻工艺能够更为精准地控制所形成的第一子配合部113a和第二子配合部113b的形状和尺寸，从而提升后续拼接的精准性。
135.结合图7至图9所示，具体至本技术的实施方式中，在基材上利用光刻胶形成多个直径d大于0.5毫米的圆形，再根据设计需求蚀刻去除不需要的部分，以形成半圆形的凸部，也即是第一子配合部113a，以及半圆形的凹部，也即是第二子配合部113b，并将基材加工至需求尺寸的膜本体111。其中，光刻胶形成的线宽大于50微米。
136.请再次参阅图4和图6，同时参阅图5，在一些实施例中，步骤s110具体包括，借助于模具2000的第一子适配部2210与第一子配合部113a配合，借助于模具2000的第二子适配部2220与第二子配合部113b配合，以将多个单元膜层110拼接成排，以形成发光元件层100。如此，借助于模具2000能够更为容易地实现对单元膜层110的拼接。
137.请参阅图9，并结合图5和图6，在一些实施例中，在单元膜层110上形成配合部113还具体包括，通过预设工艺在膜本体111的侧边形成设有配合孔113c1的第三子配合部113c。其中，借助于模具2000的第三子适配部2230与配合孔113c1配合，限制膜本体111在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。如此，在拼接过程中，通过配合孔113c1与模具2000的配合，能够可靠地完成两个相邻的膜本体111之间的拼接。具体地，预设工艺包括蚀刻工艺。如此，通过蚀刻工艺能够提高配合孔113c1的精度。经发明人研究发现，若圆形的直径d尺寸小于等于0.5毫米，则会导致断线或是易在受到外力时发生错位变形。具体至本技术的实施方式中，在基材上利用光刻胶形成多个直径d大于0.5毫米的圆形，再根据设计需求蚀刻去除不需要的部分，以形成配合孔113c1，也即是第三子配合部113c。其中，光刻胶形成的线宽大于50微米。
138.如图7至图9所示，在一些实施例中，步骤s110之前，还包括步骤通过预设工艺在单元膜层110上形成沿第一方向y延伸的第一对位线n1和沿第二方向x延伸的第二对位线n2。其中，发光单元112设置为多个，全部发光单元112阵列排布于膜本体111上，每排发光单元112的中点的连线与第一对位线n1或第二对位线n2共线。第一方向y与第二方向x彼此垂直。可以理解地，第一对位线n1和第二对位线n2的交点能够与每个发光单元112的中心o重合。也即是，结合前述一些实施例，沿第一方向y排列的全部发光单元112的中点的连线m21与第一对位线n1共线，沿第二方向x排列的全部发光单元112的中点的连线m22与第二对位线n2共线。如此，在拼接过程中，能够借助于第一对位线n1和第二对位线n2而提高对位容易程度，除此之外，还能够在拼接完成后，借助于第一对位线n1和第二对位线n2对单元膜层110之间的对位效果进行检测。具体地，预设工艺包括蚀刻工艺。如此，能够减小第一对位线n1和第二对位线n2在形成过程中可能产生的误差。具体至本技术的实施方式中，在基材上利用光刻胶形成蚀刻线，其中，蚀刻线的线宽大于50微米，再根据需求蚀刻出第一对位线n1和第二对位线n2。
139.图10示出了本技术一实施例中的发光单元112的示意图；图11示出了本技术一实施例中的发光单元112的尺寸示意图；图12示出了本技术一实施例中的发光元件112a的尺寸示意图；图13示出了本技术一实施例中的发光单元112的剖面图。
140.参阅图10，需要说明的是，发光单元112包括四个呈阵列排布的发光元件112a。示例性地，四个发光元件112a阵列排布呈矩形。获取第一方向y上的两个发光元件112a的相邻的轮廓之间的距离a1，并获取在第二方向x上的两个发光元件112a的相邻的轮廓之间的距离a2，以0.5倍的a1和0.5倍的a2即可获知发光单元112的中点。基于此中点，分别沿第一方向y和第二方向x延伸即可获得第一对位线n1和第二对位线n2。结合图10至图13所示，在本
申请的实施方式中，a1与a2相等，每个发光元件112a的四条边的边长b1均为0.5毫米，每个发光单元112的四条边的边长b2均为1.5毫米，发光单元112的厚度t尺寸为0.65毫米。每个发光单元112上还设有与发光元件112a电连接的芯片c，以使发光单元112受控发光。
141.图14示出了本技术另一实施例中的发光单元112的示意图；图15示出了本技术另一实施例中的形成配合部113的示意图。
142.结合图14和图15所示，在又一些实施例中，四个发光元件112a阵列排布呈菱形。在此实施例中，通过获取第一方向y上的两个发光元件112a的顶点之间的距离a，并获取在第二方向x上的两个发光元件112a的顶点之间的距离b，也可获知发光单元112的中点。具体可参照前述的获取方式，在此不再赘述。
143.请再次参阅图4，在一些实施例中，多个单元膜层110沿第一方向y排布成多行，沿第二方向x排布成多列。第一方向y和第二方向x彼此垂直。如此，通过分别沿第一方向y排布成多行、沿第二方向x排布成多列的排布方式，能够满足拼接尺寸更大的发光元件层100，且多行多列的排布方式也易于满足个性化需求。
144.结合前述一些实施例中的内容，第一子配合部113a、第二子配合部113b、第三子配合部113c、第一对位线n1和第二对位线n2的蚀刻成形，均可在同一道制程中制备得到，工序简单且效率较高。需要说明的是，如图7所示，在单元膜层110的表面上，第一对位线n1延伸至穿过第一子配合部113a和第二子配合部113b，第二对位线n2延伸至穿过设于膜本体111两侧的第三子配合部113c上的配合孔113c1。在蚀刻过程中，如图8和图9所示，可去除不需要的线条，而在发光单元112的中心o保留对位十字线，十字交点也即是发光单元112的中心o，同时保留一部分位于第一子配合部113a、第二子配合部113b和第三子配合部113c的边侧的蚀刻线，从而能够实现借助于保留下的蚀刻线辅助对位。如此，通过第一子配合部113a、第二子配合部113b、第三子配合部113c、第一对位线n1和第二对位线n2的联动，能够提高相邻的单元膜层110之间拼接的对位精准程度。
145.图16示出了本技术一实施例中的模具2000的结构示意图；图17示出了本技术一实施例中的模具2000的使用示意图。
146.结合图16和图17所示，本技术的又一方面，还提供一种模具2000，用于制作发光元件层100，模具2000包括模具本体2100和适配部2200。模具本体2100具有在第三方向z上的第一表面2110，第一表面2110具有放置区p1和环绕放置区p1设置的适配区p2。适配部2200设于第一表面2110，且适配部2200位于适配区p2。其中，发光元件层100包括多个单元膜层110，多个单元膜层110排布成排，每一单元膜层110包括膜本体111和设于膜本体111的一侧表面上的发光单元112。第一表面2110的放置区p1用于放置膜本体111。每一膜本体111的至少一侧边设有至少一配合部113，适配部2200能够与配合部113配合，以限制膜本体111在至少一方向上的自由度，以使位于同一排内任意相邻的两个膜本体111彼此相邻的侧边能够相拼接。如此，借助于与配合部113相配合的适配部2200，能够可靠地将单元膜层110进行自由度的限制，从而能够更为容易地完成单元膜层110之间的拼接。
147.图18示出了本技术一实施例中的模具2000容置透光板200的示意图。
148.请继续参阅图16，具体到一些实施方式中，模具本体2100开设有容置腔2120和与容置腔2120相连通的第一开口2130，以使透光板200能够自第一开口2130进入容置腔2120。其中，第一开口2130位于第一表面2110。如此，结合后述一些实施例中的背光模组1000和图
18，借助于容置腔2120容置透光板200，能够在对单元膜层110进行拼接的同时，将单元膜层110直接贴合在透光板200上。也即是完成单元膜层110的拼接同时，也实现了发光元件层100与透光板200的一次贴合动作，从而减少了加工工序。更具体地，模具本体2100还开设有与容置腔2120相连通，且与第一开口2130相对设置的第二开口2140。如此，借助于第二开口2140，能够更为容易地将透光板200与发光元件层100从模具2000上脱离。
149.图19a至图19d示出了本技术一实施例中的模具2000的使用过程图。
150.如图19a至图19d所示，并结合图16，在一些实施例中，适配部2200包括沿第一方向y设于第一表面2110的相对两侧的第一子适配部2210和第二子适配部2220，配合部113包括沿第一方向y设于膜本体111的相对两侧的第一子配合部113a和第二子配合部113b。其中，第一子适配部2210的外轮廓能够与第一子配合部113a的外轮廓互补，第二子适配部2220的外轮廓能够与第二子配合部113b的外轮廓互补，以限制膜本体111至少在第一方向y上的自由度。如此，借助于第一子适配部2210和第二子适配部2220，能够分别于单元膜层110中的第一子配合部113a和第二子配合部113b相适配，从而实现对膜本体111的自由度的限制。具体至本技术示出的实施方式中，第一子配合部113a为半圆形的凸部，第一子适配部2210相应地，开设有半圆形的凹槽2211。第二子配合部113b为半圆形的凹部，第二子适配部2220相应地，构造为圆形柱状。更具体地，第一子适配部2210上开设有四个半圆凹槽2211，第二子适配部2220设置为四个，从而与单元膜层110上的第一子配合部113a和第二子配合部113b相适配。
151.继续参阅图19a至图19d，在一些实施例中，适配部2200包括设于第一表面2110上的第三子适配部2230。配合部113还包括设于膜本体111的侧边的第三子配合部113c，第三子配合部113c上设有配合孔113c1。其中，第三子适配部2230构造为至少部分能够进入配合孔113c1，以限制膜本体111在至少一方向上的自由度。如此，借助于第三子适配部2230与配合孔113c1的配合，能够可靠地对膜本体111进行限位。具体至本技术示出的实施方式中，第三子配合部113c构造为圆形柱状，从而能够进入配合孔113c1而对其限位。更具体地，第三子适配部2230设置有多个，以与第三子配合部113c相对应。在本技术的实施方式中，第三子适配部2230设置有八个，八个第三子适配部2230呈两列四行排布在模具本体2100的第一表面2110上。
152.图20示出了本技术一实施例中的背光模组1000的示意图。
153.参阅图20，本技术的再一方面，还提供一种背光模组1000，包括上述的发光元件层100。由于发光元件层100的拼接对位效果得到了提升，发光元件层100的出光效果得到了改善，因此，使用了本技术提供的发光元件层100的背光模组1000，其出光效果也得到了提升。需要说明的是，结合前述一些实施例，拼接过程中，第三子配合部113c可根据需求借助于骑缝线r自膜本体111上撕除。同时，在将膜本体111拼接完成后，也不再存在借助于第三子配合部113c限制膜本体111的自由度的需求，也即是拼接完成后也需要撕除第三子配合部113c。基于此，骑缝线r也不会继续留存于发光元件层100上。
154.请继续参阅图13，在一些实施例中，背光模组1000还包括沿第三方向z对称设置于发光元件层100的两侧的两个透光板200。具体地，透光板200为玻璃板。进一步地，发光元件层100与每个透光板200之间均借助于胶体层300相接合。如此，借助于胶体层300能够更为稳靠地实现透光板200与发光元件层100之间的固定。再进一步地，背光模组1000还包括与
发光元件层100中的柔性电路板400(flexible printed circuit，fpc)电连接的整合印刷电路板500(printed circuit board+assembly，pcba)，以实现对发光元件层100的出光效果的控制。
155.本技术还提供一种显示装置，包括上述的背光模组1000。通过使用上述的背光模组1000，由于其出光效果更佳，因此，显示装置的显示效果也得到了提升。
156.上述的显示装置可以应用于手机终端、仿生电子、电子皮肤、可穿戴设备、车载设备、物联网设备及人工智能设备等领域。例如，上述显示装置可以为手机终端、平板、掌上电脑、ipod、智能手表、膝上型计算机、电视机、监视器等。
157.结合图4至图20所示，本技术实施例提供的发光元件层100及其制作方法、模具2000、背光模组1000及显示装置，通过每个单元膜层110中的配合部113，限制膜本体111在至少一方向上的自由度，使得相邻的两个膜本体111能够相拼接，提升了多个单元膜层110之间进行对位的容易程度，改善了发光元件层100发光效果不良的问题。配合部113中呈半圆形的第一子配合部113a和第二子配合部113b，能够更为容易地实现拼接对位。设有配合孔113c1的第三子配合部113c则能够在模具2000的辅助下，对膜本体111进行定位。而且，在发光元件层100的制作方法中，通过蚀刻出的第一对位线n1和第二对位线n2，能够与单元膜层110中的配合部113联动，从而进一步提升对位精准性。同时，通过本技术实施例中的模具2000，能够分别与第一子配合部113a、第二子配合部113b和第三子配合部113c进行适配，而且，模具2000还能够容置透光板200，从而在完成拼接发光元件层100的同时，将其贴合在透光板200上，提高了加工效率。本技术所提供的背光模组1000和显示装置，也由于使用了出光效果更佳的单元膜层110，改善了显示效果，提高了用户使用感受。
158.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
159.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。