曝光装置的制作方法

本申请属于光学曝光装备，具体涉及一种曝光装置。

背景技术：

1、在光学薄膜行业，为了让液晶层顺利取向，通常需要预涂一层各向异性的取向材料层，并对取向材料层进行线偏振uv曝光，使分子进行取向。当前，常规的曝光装置是通过线栅偏振器件(wire grid polarizer，wgp)来实现线偏振光的转换，但一套wgp只能产生一个固定角度的线偏振光，想要在基材上同时制备多种图案的取向产品，需要更换wgp，并重复进行多次光配向工艺流程，生产效率不足，且wgp透射率较低，uv光能量损耗较多，导致曝光效率不足。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种曝光装置，能够解决更换wgp并重复进行多次光配向工艺流程导致生产效率不足等问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、本申请实施例提供了一种曝光装置，包括：光源，所述光源用于产生非偏振光；

4、偏振分束器，所述偏振分束器具有倾斜面，所述倾斜面设有偏振分束介质膜，所述偏振分束器用于将沿第一方向入射至所述偏振分束介质膜的所述非偏振光分成偏振方向相互垂直的第一线偏振光和第二线偏振光，所述第一线偏振光透射所述偏振分束介质膜，用于沿所述第一方向射向涂有待取向层的基面，所述第二线偏振光经由所述偏振分束介质膜反射；

5、光学元件，所述光学元件用于接收沿第二方向传播的所述第二线偏振光，并改变所述第二线偏振光的方向，以使所述第二线偏振光射向所述基面。

6、本申请实施例中的曝光装置包括偏振分束器，通过偏振分束器可以将入射的非偏振光分离成第一线偏振光(即，透射光)和第二线偏振光(即，反射光)，且第一线偏振光与第二线偏振光两者的偏振方向相互垂直，且第一线偏振光沿第一方向射向涂有待取向层的基面，而第二线偏振光可以经过光学元件改变其传播方向，使第二线偏振光同样射向基面，从而可以在基面的不同区域同时形成不同的图案，进而可以缩短制造工艺和时间。

技术特征：

1.一种曝光装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括光圈(40)，所述光圈(40)设有出射口(41)；

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述光圈(40)设有开合尺寸可调的所述出射口(41)，且所述出射口(41)的尺寸范围为30mm至100mm。

4.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括反射元件(50)，所述反射元件(50)具有反射面(51)，所述反射面(51)至少部分与所述出射口(41)相对设置。

5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述反射元件(50)为弧形的冷光镜，且所述冷光镜的弧形凹面朝向所述出射口(41)。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括滤光元件(60)，所述滤光元件(60)设置于所述光源(10)与所述偏振分束器(20)之间。

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述滤光元件(60)为带通滤光片，所述带通滤光片的工作波长范围为280nm至1000nm；

8.根据权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，所述第一线偏振光(p)的消光比大于1000:1，所述第二线偏振光(s)的消光比小于100:1。

9.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述倾斜面的法线与所述第一方向和所述第二方向分别呈45°夹角；

10.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述偏振分束器(20)包括第一直角棱镜(22)和第二直角棱镜(23)；

11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，所述偏振分束器(20)的透射光的透过率大于90％；

12.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括偏振元件(70)，所述偏振元件(70)设置于所述偏振分束器(20)与所述光学元件(30)之间；

13.根据权利要求12所述的曝光装置，其特征在于，所述偏振元件(70)为半波片，所述半波片垂直于所述第二线偏振光(s)的传播方向设置，且所述预设旋转角度为45°，所述第二线偏振光(s)经过所述半波片后形成第三线偏振光(q)，所述第三线偏振光(q)的偏振方向与所述第一线偏振光(p)的偏振方向相同。

技术总结
本申请公开了一种曝光装置，涉及光学曝光装备领域。一种曝光装置，包括：光源，光源用于产生非偏振光；偏振分束器，偏振分束器具有倾斜面，倾斜面设有偏振分束介质膜，偏振分束器用于将沿第一方向入射至偏振分束介质膜的非偏振光分成偏振方向相互垂直的第一线偏振光和第二线偏振光，第一线偏振光透射偏振分束介质膜，用于沿第一方向射向涂有待取向层的基面，第二线偏振光经由偏振分束介质膜反射；光学元件，光学元件用于接收沿第二方向传播的第二线偏振光，并改变第二线偏振光的方向，以使第二线偏振光射向基面。本申请能够解决更换WGP并重复进行多次光配向工艺流程导致生产效率不足等问题。

技术研发人员：阮忠文,崔永民,朴俊宇,王威
受保护的技术使用者：成都瑞波科材料科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11