基于石墨烯阵列中相位多重光学双稳态效应的移相器

文档序号:32769321发布日期:2022-12-31 11:43阅读:来源:国知局

技术特征:
1.基于石墨烯阵列中相位多重光学双稳态效应的移相器,其特征在于,包括结构可表示成a(gb)
n
ga的周期性石墨烯阵列,其中a和b表示两种不同厚度的电介质薄片,且电介质薄片a的厚度大于b的厚度,g表示单层石墨烯,指数n表示gb重复单元的数量,利用石墨烯的光学三阶非线性效应,实现透射系数相位的多重双稳态效应,再通过石墨烯的化学势来调控移相器中触发相移的阈值。2.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述指数n=39。3.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述电介质薄片a和b的材质均为二氧化硅,折射率为n
a
=n
b
=1.4491,厚度分别为d
a
=4μm、d
b
=0.1μm;所述石墨烯的厚度为d
g
=0.33nm。

技术总结
本实用新型涉及基于石墨烯阵列中相位多重光学双稳态效应的移相器,包括结构可表示成A(GB)


技术研发人员:汪洋 陈小玲
受保护的技术使用者:湖北科技学院
技术研发日:2022.09.27
技术公布日:2022/12/30
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